Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > VS-1EFH01-M3/I
VS-1EFH01-M3/I

VS-1EFH01-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

vs-1efh01-m3.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 3410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.31 грн
20+16.15 грн
100+8.61 грн
500+6.86 грн
1000+6.10 грн
2000+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-1EFH01-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 16 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V.

Інші пропозиції VS-1EFH01-M3/I за ціною від 4.64 грн до 27.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
VS-1EFH01-M3/I VS-1EFH01-M3/I Виробник : Vishay Semiconductors vs-1efh01-m3.pdf Rectifiers Hypfst Rect 1A 100V
на замовлення 7456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.84 грн
20+17.66 грн
100+6.99 грн
1000+5.70 грн
2500+5.09 грн
10000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
VS-1EFH01-M3/I VS-1EFH01-M3/I Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-1efh01-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.