Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > VS-1EFH01-M3/I
VS-1EFH01-M3/I

VS-1EFH01-M3/I Vishay Semiconductors

vs-1efh01-m3.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers Hypfst Rect 1A 100V
на замовлення 8166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.34 грн
14+ 23.19 грн
100+ 8.35 грн
1000+ 5.21 грн
2500+ 4.94 грн
10000+ 4.27 грн
20000+ 4.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-1EFH01-M3/I Vishay Semiconductors

Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 16 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V.

Інші пропозиції VS-1EFH01-M3/I за ціною від 5.08 грн до 33.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
VS-1EFH01-M3/I VS-1EFH01-M3/I Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-1efh01-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 9235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.94 грн
12+ 24.48 грн
100+ 13.85 грн
500+ 8.61 грн
1000+ 6.6 грн
2000+ 5.74 грн
5000+ 5.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
VS-1EFH01-M3/I Виробник : VISHAY vs-1efh01-m3.pdf VS-1EFH01-M3/I SMD universal diodes
товар відсутній
VS-1EFH01-M3/I VS-1EFH01-M3/I Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-1efh01-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
товар відсутній