Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > VS-1EFH01-M3/I
VS-1EFH01-M3/I

VS-1EFH01-M3/I Vishay Semiconductors

vs-1efh01-m3.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers Hypfst Rect 1A 100V
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+25.72 грн
22+16.34 грн
100+9.39 грн
500+7.30 грн
1000+5.67 грн
5000+5.51 грн
10000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-1EFH01-M3/I Vishay Semiconductors

Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 16 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V.

Інші пропозиції VS-1EFH01-M3/I за ціною від 5.81 грн до 26.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
VS-1EFH01-M3/I VS-1EFH01-M3/I Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-1efh01-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 3410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.87 грн
20+16.50 грн
100+8.79 грн
500+7.01 грн
1000+6.23 грн
2000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
VS-1EFH01-M3/I VS-1EFH01-M3/I Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-1efh01-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-1EFH01-M3\I VS-1EFH01-M3\I Виробник : Vishay Rectifiers Freds - SMF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-1EFH01-M3/I Виробник : VISHAY vs-1efh01-m3.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 23ns; DO219AB,SMF; Ufmax: 0.8V
Max. forward impulse current: 35A
Max. off-state voltage: 100V
Kind of package: 13 inch reel
Quantity in set/package: 10000pcs.
Case: DO219AB; SMF
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Capacitance: 5pF
Reverse recovery time: 23ns
Leakage current: 8µA
Max. forward voltage: 0.8V
Load current: 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.