Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > XPH1R104PS,L1XHQ
XPH1R104PS,L1XHQ

XPH1R104PS,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=139827&prodName=XPH1R104PS Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 40V UMOS9-H SOP ADVANCE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.14mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.23 грн
10+90.42 грн
100+64.72 грн
500+49.63 грн
1000+44.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XPH1R104PS,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: 40V UMOS9-H SOP ADVANCE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.14mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 132W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції XPH1R104PS,L1XHQ за ціною від 45.82 грн до 166.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
XPH1R104PS,L1XHQ XPH1R104PS,L1XHQ Виробник : Toshiba XPH1R104PS_datasheet_en_20210930-3478249.pdf MOSFETs 40V UMOS9-H SOP Advance(WF) 1.1mohm
на замовлення 4988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+166.73 грн
10+105.22 грн
25+77.88 грн
100+62.53 грн
250+57.01 грн
500+49.91 грн
1000+45.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XPH1R104PS,L1XHQ XPH1R104PS,L1XHQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=139827&prodName=XPH1R104PS Description: 40V UMOS9-H SOP ADVANCE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.14mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.