Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > XPH2R106NC,L1XHQ
XPH2R106NC,L1XHQ

XPH2R106NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage

XPN12006NC_catalog_20160325_ALQ00006.pdf?did=36157&prodName=XPN12006NC Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+66.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XPH2R106NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 55A, 10V, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Grade: Automotive, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції XPH2R106NC,L1XHQ за ціною від 61.80 грн до 184.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
XPH2R106NC,L1XHQ XPH2R106NC,L1XHQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage XPN12006NC_catalog_20160325_ALQ00006.pdf?did=36157&prodName=XPN12006NC Description: MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.46 грн
10+123.25 грн
100+98.05 грн
500+77.86 грн
1000+66.06 грн
2000+62.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XPH2R106NC,L1XHQ XPH2R106NC,L1XHQ Виробник : Toshiba XPH2R106NC_datasheet_en_20201021-1948113.pdf MOSFETs
на замовлення 4511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.88 грн
10+135.38 грн
100+87.53 грн
500+73.35 грн
1000+67.16 грн
2500+63.84 грн
5000+61.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.