Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > XPH3R206NC,L1XHQ
XPH3R206NC,L1XHQ

XPH3R206NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=70022&prodName=XPH3R206NC
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 70A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+46.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XPH3R206NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 60V 70A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Grade: Automotive, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції XPH3R206NC,L1XHQ за ціною від 51.58 грн до 133.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
XPH3R206NC,L1XHQ XPH3R206NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70022&prodName=XPH3R206NC Description: MOSFET N-CH 60V 70A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.16 грн
10+92.06 грн
100+64.08 грн
500+52.21 грн
1000+51.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3R206NC,L1XHQ XPH3R206NC,L1XHQ Toshiba 74AC399E2C4605E27072075520C4B411D2B08341421789EF89E7CC5C6E75FD19.pdf MOSFETs
на замовлення 7568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3R206NC,L1XHQ docget.jsp?did=70022&prodName=XPH3R206NC
XPH3R206NC,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 70A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+133.16 грн
10+92.06 грн
100+64.08 грн
500+52.21 грн
1000+51.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3R206NC,L1XHQ 74AC399E2C4605E27072075520C4B411D2B08341421789EF89E7CC5C6E75FD19.pdf
XPH3R206NC,L1XHQ
Виробник: Toshiba
MOSFETs
на замовлення 7568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.