Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > XPH4R10ANB,L1XHQ
XPH4R10ANB,L1XHQ

XPH4R10ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=68580&prodName=XPH4R10ANB
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 70A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4970 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+49.66 грн
10000+46.13 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XPH4R10ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 100V 70A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4970 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції XPH4R10ANB,L1XHQ за ціною від 52.99 грн до 180.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
XPH4R10ANB,L1XHQ XPH4R10ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=68580&prodName=XPH4R10ANB Description: MOSFET N-CH 100V 70A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4970 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 32917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.18 грн
10+111.66 грн
100+76.31 грн
500+57.43 грн
1000+52.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPH4R10ANB,L1XHQ XPH4R10ANB,L1XHQ Toshiba 85D2D06A4B5717670C4229F36C69EC51F7792D9721A017A862530F0F7F286F91.pdf MOSFETs PD=170W F=1MHZ AEC-Q101
на замовлення 6492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XPH4R10ANB,L1XHQ Toshiba docget.jsp?did=68580&prodName=XPH4R10ANB N-Channel 100V 70A (Ta) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5) XPH4R10ANB,L1XHQ TXPH4R10ANB,L1XHQ
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+154.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPH4R10ANB,L1XHQ docget.jsp?did=68580&prodName=XPH4R10ANB
XPH4R10ANB,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 70A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4970 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 32917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+180.18 грн
10+111.66 грн
100+76.31 грн
500+57.43 грн
1000+52.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPH4R10ANB,L1XHQ 85D2D06A4B5717670C4229F36C69EC51F7792D9721A017A862530F0F7F286F91.pdf
XPH4R10ANB,L1XHQ
Виробник: Toshiba
MOSFETs PD=170W F=1MHZ AEC-Q101
на замовлення 6492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XPH4R10ANB,L1XHQ docget.jsp?did=68580&prodName=XPH4R10ANB
Виробник: Toshiba
N-Channel 100V 70A (Ta) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5) XPH4R10ANB,L1XHQ TXPH4R10ANB,L1XHQ
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+154.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.