| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 148.50 грн |
| 10+ | 93.81 грн |
| 100+ | 54.71 грн |
| 500+ | 43.39 грн |
| 1000+ | 37.98 грн |
| 2500+ | 37.34 грн |
| 5000+ | 35.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XPH6R30ANB,L1XHQ Toshiba
Description: MOSFET N-CH 100V 45A 8SOP, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 175°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції XPH6R30ANB,L1XHQ за ціною від 51.57 грн до 188.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
XPH6R30ANB,L1XHQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N-CH 100V 45A 8SOPRds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 175°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc) |
на замовлення 8924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|