XPH8R316MC,L1XHQ(O TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPH8R316MC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 90 A, 8300 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
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Технічний опис XPH8R316MC,L1XHQ(O TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPH8R316MC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 90 A, 8300 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, Verlustleistung: 170W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSVI Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm.
Інші пропозиції XPH8R316MC,L1XHQ(O
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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XPH8R316MC,L1XHQ(O | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - XPH8R316MC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 90 A, 8300 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V Verlustleistung: 170W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVI Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm |
на замовлення 537 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| XPH8R316MC,L1XHQ(O |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPH8R316MC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 90 A, 8300 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
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Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
Description: TOSHIBA - XPH8R316MC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 90 A, 8300 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)