XPJ1R004PB,LXHQ(O TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPJ1R004PB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 1000 µohm, S-TOGL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 223W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: S-TOGL
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
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Технічний опис XPJ1R004PB,LXHQ(O TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPJ1R004PB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 1000 µohm, S-TOGL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 223W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: S-TOGL, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: U-MOSIX-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm.
Інші пропозиції XPJ1R004PB,LXHQ(O
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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XPJ1R004PB,LXHQ(O | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - XPJ1R004PB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 1000 µohm, S-TOGL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 223W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: S-TOGL Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm |
на замовлення 684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| XPJ1R004PB,LXHQ(O |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPJ1R004PB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 1000 µohm, S-TOGL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
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SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: S-TOGL
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
Description: TOSHIBA - XPJ1R004PB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 1000 µohm, S-TOGL, Oberflächenmontage
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Produktpalette: U-MOSIX-H Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)