Продукція > TOSHIBA > XPJ1R004PB,LXHQ(O
XPJ1R004PB,LXHQ(O

XPJ1R004PB,LXHQ(O TOSHIBA

4002395.pdf
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPJ1R004PB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 1000 µohm, S-TOGL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Bauform - Transistor: S-TOGL
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+86.15 грн
500+77.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XPJ1R004PB,LXHQ(O TOSHIBA

Description: TOSHIBA - XPJ1R004PB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 1000 µohm, S-TOGL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 223W, Bauform - Transistor: S-TOGL, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: U-MOSIX-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції XPJ1R004PB,LXHQ(O за ціною від 77.71 грн до 153.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
XPJ1R004PB,LXHQ(O XPJ1R004PB,LXHQ(O TOSHIBA 4002395.pdf Description: TOSHIBA - XPJ1R004PB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 1000 µohm, S-TOGL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Bauform - Transistor: S-TOGL
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+153.43 грн
10+97.64 грн
100+86.15 грн
500+77.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XPJ1R004PB,LXHQ(O 4002395.pdf
XPJ1R004PB,LXHQ(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPJ1R004PB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 1000 µohm, S-TOGL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Bauform - Transistor: S-TOGL
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+153.43 грн
10+97.64 грн
100+86.15 грн
500+77.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.