XPJR6604PB,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: 40V; UMOS9; 0.66MOHM; S-TOGL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.66mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: S-TOGL™
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11380 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 97.86 грн |
| 3000+ | 92.05 грн |
| 4500+ | 90.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XPJR6604PB,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 40V; UMOS9; 0.66MOHM; S-TOGL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 5-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.66mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: S-TOGL™, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11380 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції XPJR6604PB,LXHQ за ціною від 85.04 грн до 198.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
XPJR6604PB,LXHQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: 40V; UMOS9; 0.66MOHM; S-TOGL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.66mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: S-TOGL™ Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11380 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
XPJR6604PB,LXHQ | Виробник : Toshiba |
MOSFETs 40V UMOS9 0.66mohm S-TOGL |
на замовлення 3425 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|