Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > XPN12006NC,L1XHQ
XPN12006NC,L1XHQ

XPN12006NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=68672&prodName=XPN12006NC
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+124.95 грн
10+76.58 грн
50+57.50 грн
100+48.20 грн
500+38.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XPN12006NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 65W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA, Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції XPN12006NC,L1XHQ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
XPN12006NC,L1XHQ XPN12006NC,L1XHQ Toshiba 2CAB20117017785EFF0453A206900A9824CD0972D65A782B153CA1558A69085C.pdf MOSFETs TSON N-CH 60V 20A
на замовлення 56440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XPN12006NC,L1XHQ 2CAB20117017785EFF0453A206900A9824CD0972D65A782B153CA1558A69085C.pdf
XPN12006NC,L1XHQ
Виробник: Toshiba
MOSFETs TSON N-CH 60V 20A
на замовлення 56440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.