Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > XPN3R804NC,L1XHQ
XPN3R804NC,L1XHQ

XPN3R804NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage

XPN3R804NC_datasheet_en_20200624.pdf?did=68657&prodName=XPN3R804NC Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+35.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XPN3R804NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA, Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 10 V.

Інші пропозиції XPN3R804NC,L1XHQ за ціною від 25.45 грн до 134.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
XPN3R804NC,L1XHQ XPN3R804NC,L1XHQ Виробник : Toshiba XPN3R804NC_datasheet_en_20200624-1858444.pdf MOSFETs 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 8156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.61 грн
10+45.94 грн
100+33.33 грн
500+30.68 грн
5000+25.97 грн
10000+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XPN3R804NC,L1XHQ XPN3R804NC,L1XHQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage XPN3R804NC_datasheet_en_20200624.pdf?did=68657&prodName=XPN3R804NC Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 10 V
на замовлення 14885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.49 грн
10+82.07 грн
100+55.15 грн
500+40.93 грн
1000+37.45 грн
2000+34.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.