Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > XPN6R706NC,L1XHQ
XPN6R706NC,L1XHQ

XPN6R706NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage

Automotive%20Verbiage%20for%20Distribution%20-TAEC%20Letterhead.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 40A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+38.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XPN6R706NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 60V 40A 8TSON, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA, Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 100W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 175°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active.

Інші пропозиції XPN6R706NC,L1XHQ за ціною від 23.98 грн до 143.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
XPN6R706NC,L1XHQ XPN6R706NC,L1XHQ Toshiba XPN6R706NC_datasheet_en_20200624-1840202.pdf MOSFETs 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 3289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.79 грн
10+43.51 грн
100+31.44 грн
500+28.48 грн
1000+28.34 грн
2500+28.27 грн
5000+23.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XPN6R706NC,L1XHQ XPN6R706NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage Automotive%20Verbiage%20for%20Distribution%20-TAEC%20Letterhead.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 40A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 27960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.99 грн
10+88.22 грн
100+59.51 грн
500+44.32 грн
1000+40.61 грн
2000+37.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XPN6R706NC,L1XHQ XPN6R706NC_datasheet_en_20200624-1840202.pdf
XPN6R706NC,L1XHQ
Виробник: Toshiba
MOSFETs 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 3289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.79 грн
10+43.51 грн
100+31.44 грн
500+28.48 грн
1000+28.34 грн
2500+28.27 грн
5000+23.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XPN6R706NC,L1XHQ Automotive%20Verbiage%20for%20Distribution%20-TAEC%20Letterhead.pdf
XPN6R706NC,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 40A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 27960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.99 грн
10+88.22 грн
100+59.51 грн
500+44.32 грн
1000+40.61 грн
2000+37.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.