XPN7R104NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=68660&prodName=XPN7R104NC
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 20A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+33.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 5000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XPN7R104NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 40V 20A 8TSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 65W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA, Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 10 V.

Інші пропозиції XPN7R104NC,L1XHQ за ціною від 32.72 грн до 127.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
XPN7R104NC,L1XHQ XPN7R104NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=68660&prodName=XPN7R104NC Description: MOSFET N-CH 40V 20A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 10 V
на замовлення 11842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.27 грн
10+77.99 грн
100+52.36 грн
500+38.83 грн
1000+35.51 грн
2000+32.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPN7R104NC,L1XHQ docget.jsp?did=68660&prodName=XPN7R104NC
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 20A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 10 V
на замовлення 11842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+127.27 грн
10+77.99 грн
100+52.36 грн
500+38.83 грн
1000+35.51 грн
2000+32.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.