Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > XPN9R614MC,L1XHQ
XPN9R614MC,L1XHQ

XPN9R614MC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage

XPN9R614MC_datasheet_en_20211208.pdf?did=65305&prodName=XPN9R614MC
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 40A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+32.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XPN9R614MC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 40V 40A 8TSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA, Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +10V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції XPN9R614MC,L1XHQ за ціною від 32.45 грн до 127.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
XPN9R614MC,L1XHQ XPN9R614MC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN9R614MC_datasheet_en_20211208.pdf?did=65305&prodName=XPN9R614MC Description: MOSFET P-CH 40V 40A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.01 грн
10+77.38 грн
100+51.94 грн
500+38.51 грн
1000+35.22 грн
2000+32.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPN9R614MC,L1XHQ XPN9R614MC,L1XHQ Toshiba 523E8418C8AE8BD5A92B06684107514A029EB5E7E6D4538BE768C6A131F2B951.pdf MOSFETs 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 1214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XPN9R614MC,L1XHQ XPN9R614MC_datasheet_en_20211208.pdf?did=65305&prodName=XPN9R614MC
XPN9R614MC,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 40A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+127.01 грн
10+77.38 грн
100+51.94 грн
500+38.51 грн
1000+35.22 грн
2000+32.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPN9R614MC,L1XHQ 523E8418C8AE8BD5A92B06684107514A029EB5E7E6D4538BE768C6A131F2B951.pdf
XPN9R614MC,L1XHQ
Виробник: Toshiba
MOSFETs 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 1214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.