Продукція > TOSHIBA > XPQR3004PB,LXHQ(O
XPQR3004PB,LXHQ(O

XPQR3004PB,LXHQ(O TOSHIBA


Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPQR3004PB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 400 A, 230 µohm, L-TOGL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: L-TOGL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 230µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1684 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1030.58 грн
50+748.92 грн
200+589.60 грн
500+505.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XPQR3004PB,LXHQ(O TOSHIBA

Description: TOSHIBA - XPQR3004PB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 400 A, 230 µohm, L-TOGL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 400A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 750W, Bauform - Transistor: L-TOGL, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: U-MOSIX-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 230µohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції XPQR3004PB,LXHQ(O за ціною від 505.87 грн до 1211.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
XPQR3004PB,LXHQ(O XPQR3004PB,LXHQ(O Виробник : TOSHIBA Description: TOSHIBA - XPQR3004PB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 400 A, 230 µohm, L-TOGL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: L-TOGL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 230µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1211.30 грн
10+1030.58 грн
50+748.92 грн
200+589.60 грн
500+505.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.