XPQR3004PB,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: 40V U-MOS IX-H L-TOGL 0.3MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.3mOhm @ 200A, 10V
Power Dissipation (Max): 750W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: L-TOGL™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 295 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26910 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 498.97 грн |
| 10+ | 333.82 грн |
| 100+ | 263.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XPQR3004PB,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 40V U-MOS IX-H L-TOGL 0.3MOHM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerBSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.3mOhm @ 200A, 10V, Power Dissipation (Max): 750W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: L-TOGL™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 295 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26910 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції XPQR3004PB,LXHQ за ціною від 222.18 грн до 533.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
XPQR3004PB,LXHQ | Виробник : Toshiba |
MOSFETs LTOGL N CHAN 40V |
на замовлення 4830 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| XPQR3004PB,LXHQ | Виробник : Toshiba |
40V U-MOS IX-H L-TOGL 0.3mohm |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| XPQR3004PB,LXHQ | Виробник : Toshiba |
40V U-MOS IX-H L-TOGL 0.3mohm |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
XPQR3004PB,LXHQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: 40V U-MOS IX-H L-TOGL 0.3MOHM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerBSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.3mOhm @ 200A, 10V Power Dissipation (Max): 750W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: L-TOGL™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 295 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26910 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |