XPQR8308QB,LXHQ(O TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPQR8308QB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 350 A, 0.65 ohm, L-TOGL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350A
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Qualifikation: AEC-Q101
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Verlustleistung: 750W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: L-TOGL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
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Технічний опис XPQR8308QB,LXHQ(O TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPQR8308QB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 350 A, 0.65 ohm, L-TOGL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 350A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 750W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: L-TOGL, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm.
Інші пропозиції XPQR8308QB,LXHQ(O
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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XPQR8308QB,LXHQ(O | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - XPQR8308QB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 350 A, 0.65 ohm, L-TOGL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 750W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: L-TOGL Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm |
на замовлення 12059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| XPQR8308QB,LXHQ(O |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPQR8308QB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 350 A, 0.65 ohm, L-TOGL, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: L-TOGL
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Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
Description: TOSHIBA - XPQR8308QB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 350 A, 0.65 ohm, L-TOGL, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: L-TOGL
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Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
на замовлення 12059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)