XPQR8308QB,LXHQ(O TOSHIBA
Виробник: TOSHIBADescription: TOSHIBA - XPQR8308QB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 350 A, 0.65 ohm, L-TOGL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: L-TOGL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 376.09 грн |
| 100+ | 335.39 грн |
| 500+ | 297.82 грн |
| 1000+ | 261.66 грн |
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Технічний опис XPQR8308QB,LXHQ(O TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPQR8308QB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 350 A, 0.65 ohm, L-TOGL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 350A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 750W, Bauform - Transistor: L-TOGL, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції XPQR8308QB,LXHQ(O за ціною від 261.66 грн до 599.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
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XPQR8308QB,LXHQ(O | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - XPQR8308QB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 350 A, 0.65 ohm, L-TOGL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 750W Bauform - Transistor: L-TOGL Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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