XPW6R30ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 45A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 62.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XPW6R30ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 45A 8DSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA, Supplier Device Package: 8-DSOP Advance, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 10 V.
Інші пропозиції XPW6R30ANB,L1XHQ за ціною від 56.66 грн до 204.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
XPW6R30ANB,L1XHQ | Виробник : Toshiba |
MOSFETs 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101 |
на замовлення 4982 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
XPW6R30ANB,L1XHQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 100V 45A 8DSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22.5A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA Supplier Device Package: 8-DSOP Advance Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 10 V |
на замовлення 5312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|