Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMN6A09KTC
ZXMN6A09KTC

ZXMN6A09KTC Diodes Incorporated

ZXMN6A09K.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1426 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+50.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN6A09KTC Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 7.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1426 pF @ 30 V.

Інші пропозиції ZXMN6A09KTC за ціною від 47.86 грн до 144.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMN6A09KTC ZXMN6A09KTC Виробник : Diodes Incorporated ZXMN6A09K.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1426 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09KTC Виробник : DIODES INCORPORATED ZXMN6A09K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+47.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09KTC ZXMN6A09K.pdf
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09KTC ZXMN6A09KTC Виробник : Diodes Incorporated ZXMN6A09K.pdf MOSFETs MOSFET N-CH 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.