НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
ZXM41N10FZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM41N10FTAZETEXSOT-223
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM41N10FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM41N10FTAZETEX07+ SOT-223
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM41N10FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM41N10FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM41N10FTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM6
на замовлення 11670 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM61N02F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.08 грн
500+16.34 грн
1500+14.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM61N02F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+43.64 грн
50+30.71 грн
100+21.73 грн
500+16.59 грн
1500+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTADiodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.27 грн
9000+7.41 грн
18000+6.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
496+20.72 грн
500+15.70 грн
1000+13.92 грн
Мінімальне замовлення: 496
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTADiodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 930mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V
на замовлення 57215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.76 грн
12+28.02 грн
100+17.93 грн
500+12.73 грн
1000+11.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTA
Код товару: 127179
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTADIODES INCORPORATEDZXM61N02FTA SMD N channel transistors
на замовлення 1606 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+54.20 грн
111+10.71 грн
306+10.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTADiodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 930mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.19 грн
6000+12.47 грн
9000+7.94 грн
15000+7.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTADiodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Chnl HDMOS
на замовлення 34972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.39 грн
13+30.65 грн
100+17.77 грн
500+13.69 грн
1000+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTA N02DIODES/ZETEXTransistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 240mOhm; 1,7A; 806mW; -55°C ~ 150°C; ZXM61N02FTA TZXM61n02f
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 169 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTA/P02
на замовлення 1747 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTCDiodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 930mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+12.42 грн
20000+11.55 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM61N02FTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 9795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.33 грн
500+17.84 грн
1000+13.47 грн
5000+12.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTCDiodes IncorporatedMOSFETs 20V N Chnl HDMOS
на замовлення 84592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+45.01 грн
11+34.24 грн
100+20.41 грн
500+17.85 грн
1000+13.77 грн
5000+13.05 грн
10000+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 930mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V
на замовлення 49781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+41.56 грн
11+31.10 грн
100+21.24 грн
500+16.59 грн
1000+13.46 грн
2000+13.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM61N02FTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 9795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+46.24 грн
26+35.65 грн
100+24.33 грн
500+17.84 грн
1000+13.47 грн
5000+12.31 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+13.30 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FDiodes IncorporatedMOSFETs Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM61N03F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.41 грн
500+16.51 грн
1500+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM61N03F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+57.20 грн
50+40.23 грн
100+28.46 грн
500+21.85 грн
1500+17.70 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.88 грн
6000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTADiodes Inc./ZetexN-CH SOT-23
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTA
Код товару: 72846
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.31 грн
6000+10.86 грн
9000+10.35 грн
15000+9.18 грн
21000+8.86 грн
30000+8.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTAZetexN-MOSFET 30V 1.4A 220mΩ 625mW ZXM61N03FTA Diodes Inc TZXM61N03FTA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 290 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 315000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTADiodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.69 грн
6000+8.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTADiodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Chnl HDMOS
на замовлення 45337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+22.23 грн
23+16.48 грн
100+12.33 грн
250+12.17 грн
500+11.45 грн
1000+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTADIODES INCORPORATEDZXM61N03FTA SMD N channel transistors
на замовлення 2289 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
18+18.32 грн
109+11.01 грн
298+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 57364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+54.55 грн
11+32.35 грн
100+20.84 грн
500+14.89 грн
1000+13.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTR
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03GTA
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03TFA
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM61P02F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+53.79 грн
50+37.89 грн
100+26.76 грн
500+20.51 грн
1500+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FZETEX07+ SOT-223
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM61P02F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.87 грн
500+16.18 грн
1500+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FZETEXSOT-223
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V
на замовлення 32050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.73 грн
6000+8.55 грн
9000+8.13 грн
15000+7.19 грн
21000+6.92 грн
30000+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
735+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 735
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FTADiodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1296+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 1296
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FTADIODES INCORPORATEDZXM61P02FTA SMD P channel transistors
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
16+21.33 грн
81+14.71 грн
223+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V
на замовлення 32638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.16 грн
13+26.26 грн
100+16.78 грн
500+11.89 грн
1000+10.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FTADiodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Chnl HDMOS
на замовлення 147753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+30.26 грн
19+20.16 грн
100+8.72 грн
1000+8.64 грн
3000+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 513000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FTA/P
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM61P03F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.35 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+46.51 грн
50+28.91 грн
100+25.14 грн
500+17.76 грн
1500+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM61P03F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.35 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.14 грн
500+17.76 грн
1500+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FTADiodes IncorporatedMOSFETs 30V P-Chnl HDMOS
на замовлення 19217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+32.96 грн
19+20.16 грн
100+14.01 грн
1000+12.81 грн
3000+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FTADiodes Inc./ZetexP-CH SOT-23
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FTADiodes IncTrans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 612692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+32.04 грн
18+19.18 грн
100+15.31 грн
500+13.74 грн
1000+12.44 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FTADIODES/ZETEXTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 550mOhm; 1,1A; 806mW; -55°C ~ 150°C; ZXM61P03FTA TZXM61p03f
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+13.43 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FTADiodes IncTrans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 612000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.69 грн
6000+8.71 грн
9000+8.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FTA
Код товару: 72847
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+6.90 грн
100+6.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FTADIODES INCORPORATEDZXM61P03FTA SMD P channel transistors
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+47.73 грн
93+12.91 грн
254+12.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FTA-P03
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62M02E6
на замовлення 19892 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62N02E6ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62N02E6ZETEXSOT-223
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62N02E6ZETEX07+ SOT-223
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62N02E6TADiodes IncorporatedMOSFET 20V N-Chnl HDMOS
на замовлення 2515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62N02E6TAPBF
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62N03E6ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62N03E6TA
на замовлення 26100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62N03E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-23-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62N03E6TAPBF
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62N03GZETEX07+ SOT223
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62N03GZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62N03GZETEXSOT223
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62N03GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.4A/4.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62N03GTA
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62N03GTADiodes IncorporatedMOSFET 30V N-Chnl HDMOS
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62N03GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.4A/4.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62N03GTADiodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P02E6ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P02E6T
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P02E6TAZETEX03/04+ SOT23-6
на замовлення 21100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P02E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.63 грн
6000+18.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P02E6TADiodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P02E6TADiodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Chnl HDMOS
на замовлення 7260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.12 грн
10+60.48 грн
100+32.18 грн
500+26.25 грн
1000+23.77 грн
3000+19.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P02E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V
на замовлення 88362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+57.15 грн
10+47.53 грн
100+32.94 грн
500+25.83 грн
1000+21.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P02E6TAPBF
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6DIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM62P03E6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.6 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.33 грн
500+56.53 грн
1500+51.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6ZETEXSOT-223
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6DIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM62P03E6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.6 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+109.55 грн
50+95.18 грн
100+66.18 грн
500+51.36 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6ZETEX07+ SOT-223
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 13539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+57.15 грн
10+47.53 грн
100+32.94 грн
500+25.83 грн
1000+21.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6TADiodes IncTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.41 грн
6000+18.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM62P03E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.15 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+72.10 грн
18+50.91 грн
100+35.11 грн
500+26.01 грн
1000+23.94 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6TADiodes IncorporatedMOSFETs 30V P-Chnl HDMOS
на замовлення 6506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.41 грн
10+54.40 грн
100+32.74 грн
500+27.37 грн
1000+23.29 грн
3000+21.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.37 грн
6000+19.91 грн
9000+19.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM62P03E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.15 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.11 грн
500+26.01 грн
1000+23.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6TADIODES INCORPORATEDZXM62P03E6TA SMD P channel transistors
на замовлення 795 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+83.72 грн
40+30.42 грн
108+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6TCDiodes IncorporatedMOSFET 30V P Chnl HDMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6TCDiodes IncTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 6-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03GZETEXSOT223
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03GZETEX07+ SOT223
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 2.9A SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03GTA
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM63C02ZETEX2004
на замовлення 744 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM63C02X8
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM63C02XTA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM63C03ZETEX2004
на замовлення 811 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM63C03XTA
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM63N02
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM63N02E6TADiodes IncorporatedDiodes Inc.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM63N02E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM63N02XTA
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM63N03XTA
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM63P02
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM63P02E6TAZETEX2004
на замовлення 429 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM63P02XTA
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM63P03XTA
на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N02
на замовлення 648 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N02XZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N02XZETEXMSOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N02XZETEX07+ MSOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N02XTAZETEXTSSOP8
на замовлення 14694 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N02XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-MSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N02XTADiodes IncorporatedMOSFET 20V P-Chnl HDMOS
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N02XTAZETEX09+
на замовлення 3681 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N02XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-MSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N02XTAZETEX05+
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N02XTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N035ZETEX02+ TO-220
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N035GZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N035GZETEXSOT223
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N035GZETEX07+ SOT223
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N035GT
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N035GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 35V 6.7A SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N035GTAZETEXSOT223
на замовлення 23790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N035GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 35V 6.7A SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N035GTA12A/35V
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N035L3ZETEXTO-220 02 29
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N035L3Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 35V 13A TO-220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N035L3ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N03XZETEXMSOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N03XZETEX07+ MSOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N03XZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N03XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 8-MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N03XTA
на замовлення 441 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N03XTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 8MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N03XTR-NDZETEX2004
на замовлення 446 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P02XZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P02XZETEXMSOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P02XZETEX05+ SOP
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P02XZETEX07+ MSOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P02XZETEX
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P02XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 15 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+47.75 грн
2000+42.46 грн
3000+40.66 грн
5000+36.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P02XTADiodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-Pin MSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P02XTADiodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Chnl HDMOS
на замовлення 3823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.23 грн
10+70.97 грн
100+44.10 грн
500+40.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P02XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 15 V
на замовлення 9645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.63 грн
10+83.46 грн
100+64.90 грн
500+51.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P02XTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P035
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P035GZETEX07+ SOT223
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P035GZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P035GZETEXSOT223
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P035GT
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P035GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 35V 3.8A SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P035GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 35V 3.8A SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P035GTAZETEXSOT223
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P035GTA12A/35V
на замовлення 6200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P035L3ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P035L3Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 35V 12A TO-220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P03XZETEX07+ MSOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P03XDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM64P03X - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.075 ohm, MSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.49 грн
500+61.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P03XDiodes IncorporatedMOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P03XZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P03XDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM64P03X - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.075 ohm, MSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+141.87 грн
10+106.85 грн
100+77.49 грн
500+61.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P03XZETEXMSOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P03XTADiodes IncorporatedMOSFETs 30V P Chnl HDMOS
на замовлення 4242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.81 грн
10+104.02 грн
100+64.03 грн
500+50.99 грн
1000+41.54 грн
2000+41.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P03XTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+48.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P03XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V
на замовлення 7884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.02 грн
10+91.55 грн
100+71.20 грн
500+56.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P03XTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P03XTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+59.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P03XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+51.62 грн
2000+45.95 грн
3000+44.04 грн
5000+40.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P03XTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+42.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P03XTADiodes IncTrans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P03XTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P03XTR-NDZETEX2004
на замовлення 679 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66N02ZETEX
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66N02ZETEX09+ SO-8
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66N02N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 9A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66N03ZETEX
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66N03ZETEX09+ SO-8
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66N03N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P02SO-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P02N8ZETEX
на замовлення 2152 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P02N8ZETEX07+ SO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P02N8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P02N8ZETEXSO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P02N8TA
на замовлення 694 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P02N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2068 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P02N8TADiodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6.4A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P02N8TADiodes IncorporatedMOSFET 20V P-Chnl HDMOS
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P02N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2068 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P02N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2068 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P02N8TCDiodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6.4A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P03ZETEX09+ SO-8
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P03ZETEX
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P03N/A
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P03N8ZETEX07+ SO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P03N8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P03N8ZETEXSO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P03N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 6.25A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1979 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P03N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 6.25A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1979 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816DN8TCDiodes IncMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8Diodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TADiodes Inc100V COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TA
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.36 грн
5000+32.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497pF @ 50V, 717pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 2814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.02 грн
10+70.37 грн
100+46.88 грн
500+34.54 грн
1000+31.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TC
Код товару: 184010
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.65 грн
5000+32.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TCDiodes IncTrans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMC10A816N8TC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.1 A, 2.1 A, 0.23 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.235ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.23ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.10 грн
11+82.16 грн
100+53.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.41 грн
5000+30.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+40.54 грн
Мінімальне замовлення: 248
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497pF @ 50V, 717pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TCDiodes IncorporatedMOSFETs 100V COMPLEMENTARY DUAL ENHANCEMNT MODE
на замовлення 7705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+124.20 грн
10+76.49 грн
25+65.80 грн
100+43.86 грн
250+43.78 грн
500+35.22 грн
1000+32.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.67 грн
5000+34.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TCDiodes IncTrans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMC10A816N8TC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.1 A, 2.1 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.99 грн
500+40.94 грн
1000+30.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16NA03+ SMD8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16ZETEX
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8ZETEXSO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8Zetex09+
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8QTADiodes ZetexMOSFET BVDSS, 25V to 30V SO-8 0.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8QTADiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 T&R 0.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs N and P Channel
на замовлення 1354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+160.62 грн
10+101.25 грн
100+59.31 грн
500+40.02 грн
1000+37.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, 4.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 44290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+161.05 грн
10+99.05 грн
100+66.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, 4.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 44075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+55.16 грн
1000+48.69 грн
1500+46.43 грн
2500+41.19 грн
3500+39.79 грн
5000+39.41 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8TCDiodes IncTrans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, 4.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.58 грн
5000+42.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8TCDiodes IncorporatedMOSFETs Cmp 30V NP Ch UMOS
на замовлення 3242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+160.62 грн
10+101.25 грн
100+59.31 грн
500+47.15 грн
1000+43.46 грн
2500+37.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, 4.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 22877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+161.05 грн
10+99.05 грн
100+66.89 грн
500+49.84 грн
1000+45.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A17N/A
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A17DN8ZETEX07+ SO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A17DN8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A17DN8ZETEXSO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A17DN8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMC3A17DN8TA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.4 A, 4.4 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.99 грн
11+83.33 грн
50+69.41 грн
100+51.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A17DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs 30V Enhancement Mode
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+124.20 грн
10+77.32 грн
100+44.82 грн
500+34.10 грн
1000+29.54 грн
2500+28.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A17DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 14756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.68 грн
10+75.87 грн
100+50.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A17DN8TADIODES INCORPORATEDZXMC3A17DN8TA Multi channel transistors
на замовлення 85 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+131.02 грн
23+53.33 грн
62+50.43 грн
1000+50.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A17DN8TADiodes IncTrans MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3.4A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A17DN8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMC3A17DN8TA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.4 A, 4.4 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.36 грн
250+43.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A17DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+41.19 грн
1000+36.17 грн
1500+34.39 грн
2500+30.39 грн
3500+29.28 грн
5000+28.20 грн
12500+27.14 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A17DN8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A18N/A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A18DN8ZETEX07+ SO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A18DN8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A18DN8ZETEXSO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A18DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A18DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3AM832ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3AM832TA
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3AM832TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3AM832TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3AM832TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3AMCTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3AMCTADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3AMCTADiodes IncTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3AMCTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMC3AMCTA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.45W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN3020B
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.45W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+92.49 грн
14+68.78 грн
100+40.68 грн
500+32.35 грн
1000+28.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3AMCTADIODES INCORPORATEDZXMC3AMCTA Multi channel transistors
на замовлення 2921 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+137.17 грн
31+39.42 грн
84+37.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3AMCTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Part Status: Active
на замовлення 18690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.02 грн
10+70.54 грн
100+37.55 грн
500+30.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3AMCTADiodes IncorporatedMOSFETs 30V COMP ENH MODE 20V VGS 3.7 IDS
на замовлення 12431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.66 грн
10+71.61 грн
100+39.38 грн
250+33.30 грн
500+29.86 грн
1000+29.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3AMCTADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3AMCTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMC3AMCTA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.45W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN3020B
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.45W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.68 грн
500+32.35 грн
1000+28.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3F31DN8Diodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3F31DN8TADIODES INCORPORATEDZXMC3F31DN8TA Multi channel transistors
на замовлення 444 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+96.87 грн
39+30.62 грн
108+28.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3F31DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+28.83 грн
1000+25.15 грн
1500+23.83 грн
2500+20.96 грн
3500+20.13 грн
5000+19.32 грн
12500+17.44 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3F31DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 23500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.91 грн
10+54.61 грн
100+35.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3F31DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs 30V S08 Dual MOSFET 20V VBR 4.5V Gate
на замовлення 3722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+61.26 грн
10+49.80 грн
100+29.78 грн
500+21.05 грн
1000+19.21 грн
2500+18.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8ZETEX07+ SO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8Diodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8ZETEXSO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+96.14 грн
10+87.72 грн
25+86.84 грн
100+68.35 грн
250+42.94 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V, 1021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs Comp. 60V NP-Chnl
на замовлення 4117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.61 грн
10+91.87 грн
100+47.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TADIODES INCORPORATEDZXMC4559DN8TA Multi channel transistors
на замовлення 137 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+158.39 грн
33+36.82 грн
90+34.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+81.87 грн
157+81.05 грн
192+66.15 грн
283+43.29 грн
Мінімальне замовлення: 155
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V, 1021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.34 грн
10+81.63 грн
100+54.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+35.12 грн
1000+32.09 грн
2000+29.86 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+36.19 грн
1000+34.08 грн
2500+25.90 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TADiodes IncTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+23.91 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TCDiodes IncTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TCDiodes IncorporatedMOSFETs 60V TRENCH MOSFET 20V VGS P-Channel
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.15 грн
10+134.39 грн
100+98.45 грн
500+89.65 грн
1000+79.16 грн
2500+51.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+34.95 грн
Мінімальне замовлення: 1480
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4A16DN8ZETEXSO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4A16DN8ZETEX07+ SO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4A16DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4A16DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4A16DN8TADiodes IncorporatedMOSFET 40V N/P-Channel Enhancement MOSFET
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4A16DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4A16DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4A16DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4A16DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4A16DN8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC6A07T8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC6A09DN8ZETEX07+ SO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC6A09DN8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC6A09DN8ZETEXSO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC6A09DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V, 1580pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC6A09DN8TADiodes IncTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC6A09DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+166.87 грн
84+151.64 грн
85+150.12 грн
102+120.61 грн
250+110.56 грн
500+89.27 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC6A09DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+178.79 грн
10+162.47 грн
25+160.85 грн
100+129.22 грн
250+118.45 грн
500+95.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC6A09DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V, 1580pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.66 грн
10+120.73 грн
100+96.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC6A09DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC6A09DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs Comp. 60V NP-Chnl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63C02XZETEX07+ MSOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63C02XZETEXMSOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63C02XTAZETEX09+
на замовлення 15018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63C02XTADiodes IncDescription: MOSFET N+P 20V 1.7A 8-MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63C02XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8-MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63C02XTAZETEXMSOP
на замовлення 15100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63C02XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8-MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63C02XTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63C03XZETEX07+ MSOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63C03XZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63C03XZETEXMSOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63C03XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP
на замовлення 13602000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63C03XTA
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63C03XTADiodes IncorporatedMOSFET 30V N&P Chnl HDMOS
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63C03XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63C03XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP
на замовлення 13603000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63C03XTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N02XZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N02XZETEXMSOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N02XZETEX2004
на замовлення 1894 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N02XTADiodes IncorporatedMOSFET Dual 20V N Chl HDMOS
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N02XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP
на замовлення 483345000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N02XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP
на замовлення 483345000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N02XTADiodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 2.5A 8-Pin MSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N02XTA
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N02XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP
на замовлення 400045000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N02XTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N03XZETEX07+ MSOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N03XZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N03XZETEXMSOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N03XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+91.23 грн
2000+81.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N03XTADiodes IncorporatedMOSFET Dual 30V N Chl HDMOS
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N03XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP
на замовлення 4715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.16 грн
10+160.59 грн
100+129.05 грн
500+99.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N03XTC
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N03XTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63P02XZETEXMSOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63P02XZETEX07+ MSOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63P02XZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63P02XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.25nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63P02XTAZETEXSOT-223
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63P02XTADiodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 1.7A 8-Pin MSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63P02XTADiodes IncorporatedMOSFET Dual 20V P Chl HDMOS
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63P02XTAZETEX07+ SOT-223
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63P02XTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.25nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63P03XZETEXMSOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63P03XZETEX07+ MSOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63P03XZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63P03XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 30V 8-MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63P03XTAZETEXTSSOP8
на замовлення 3351 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63P03XTADiodes IncorporatedMOSFET Dual 30V P Chl HDMOS
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63P03XTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 30V 8MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65N02ZETEX
на замовлення 149 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65N02ZETEX09+ SO-8
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65N02N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65N03ZETEX
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65N03ZETEX09+ SO-8
на замовлення 1073 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65N03N8
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65N03N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65P02N/A
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65P02ZETEX09+ SO-8
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65P02ZETEX
на замовлення 275 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65P02N8ZETEXSO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65P02N8ZETEX07+ SO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65P02N8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65P02N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65P02N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65P02N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65P02N8TADiodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65P02N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65P03ZETEX09+ SO-8
на замовлення 2793 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65P03ZETEX
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65P03N8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65P03N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 30V 3.8A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07N8TCDIODES INCORPORATEDZXMHC10A07N8TC Multi channel transistors
на замовлення 2054 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+115.40 грн
21+59.43 грн
56+56.23 грн
1000+56.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 100V 0.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA, 680mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 59286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.54 грн
10+83.96 грн
100+54.80 грн
500+40.72 грн
1000+38.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07N8TCDiodes IncTrans MOSFET N/P-CH 100V 0.8A/0.68A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 100V 0.8A/0.68A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07N8TCDiodes IncorporatedMOSFETs Mosfet H-Bridge 100/-100 1.1/-0.9
на замовлення 23143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.08 грн
10+91.87 грн
100+53.39 грн
500+42.18 грн
1000+38.66 грн
2500+33.22 грн
5000+32.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07N8TCDiodes INC.Транзистор польовий 2N+2P; Udss, В = 100; Id = 800 мА; Ciss, пФ @ Uds, В = 138 @ 60; Qg, нКл = 2,9 @ 10 В; Rds = 700 мОм @ 1,5 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 0,87; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; Id2 = 680 мА; SOICN-8
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 100V 0.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA, 680mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.26 грн
5000+33.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 100V 0.8A/0.68A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07T8Diodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07T8ZETEX07+ SM-8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07T8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07T8ZETEXSM-8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07T8TADiodes IncTrans MOSFET N/P-CH 100V 1A/0.8A 8-Pin SM8 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07T8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 100V 1A/0.8A 8-Pin SM8 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07T8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 100V SM8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A, 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8
на замовлення 14602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.21 грн
10+127.48 грн
100+87.55 грн
500+66.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07T8TADiodes IncorporatedMOSFETs 100V 1.4A N-Channel MOSFET H-Bridge
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.72 грн
10+138.07 грн
100+82.44 грн
500+66.52 грн
1000+56.75 грн
2000+56.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07T8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 100V SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A, 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+65.46 грн
2000+58.56 грн
3000+57.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01N8Diodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01N8DICTDiodes Inc./ZetexMOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01N8TA
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.17A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A, 1.64A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.10 грн
5000+28.71 грн
7500+28.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.17A/1.64A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.17A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A, 1.64A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 54962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.22 грн
10+74.12 грн
100+49.48 грн
500+36.54 грн
1000+33.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01N8TCDiodes IncTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.17A/1.64A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.17A/1.64A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01N8TC
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01N8TCDiodes IncorporatedMOSFETs Mosfet H-Bridge 30/-30V 2.7/-2.1A
на замовлення 29715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+91.52 грн
10+62.41 грн
100+36.18 грн
500+32.74 грн
1000+31.62 грн
2500+28.26 грн
5000+28.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01T8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01T8ZETEXSM-8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01T8ZETEX07+ SM-8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01T8TA
Код товару: 163888
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01T8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+61.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01T8TA
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01T8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8
Part Status: Active
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+60.60 грн
2000+54.14 грн
3000+52.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01T8TADiodes IncTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01T8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.17 грн
10+92.55 грн
25+92.06 грн
100+78.65 грн
250+72.04 грн
500+62.41 грн
1000+57.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01T8TADiodes IncorporatedMOSFETs 30/30V 3.1/2.3A N & P Channel
на замовлення 3645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.28 грн
10+107.70 грн
100+69.64 грн
250+69.24 грн
500+60.19 грн
1000+57.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01T8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+95.36 грн
147+86.38 грн
148+85.92 грн
167+73.41 грн
250+67.23 грн
500+58.24 грн
1000+53.63 грн
Мінімальне замовлення: 133
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01T8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8
Part Status: Active
на замовлення 30169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.22 грн
10+114.73 грн
100+78.68 грн
500+61.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01T8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+66.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3F381N8TCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMHC3F381N8TC - Dual-MOSFET, H-Brücke, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.98 A, 3.98 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.98A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 870mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 870mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.25 грн
500+46.27 грн
1000+39.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3F381N8TCDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET H-BRIDGE SOP-8L
на замовлення 9026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.94 грн
10+81.56 грн
100+47.31 грн
500+37.22 грн
1000+34.02 грн
2500+29.54 грн
5000+28.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3F381N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.98A/3.36A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3F381N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.98A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.98A, 3.36A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430pF @ 15V, 670pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.52 грн
5000+28.19 грн
7500+27.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3F381N8TCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMHC3F381N8TC - Dual-MOSFET, H-Brücke, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.98 A, 3.98 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.98A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 870mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 870mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+139.18 грн
50+89.52 грн
100+60.25 грн
500+46.27 грн
1000+39.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3F381N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.98A/3.36A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3F381N8TCDiodes IncTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.98A/3.36A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3F381N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.98A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.98A, 3.36A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430pF @ 15V, 670pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 71982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.62 грн
10+72.79 грн
100+48.59 грн
500+35.88 грн
1000+32.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8Diodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.39A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 289923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.74 грн
10+78.71 грн
100+51.88 грн
500+39.13 грн
1000+35.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
на замовлення 95000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07N8TC - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.39 A, 1.39 A
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 870mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 870mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+109.55 грн
13+70.67 грн
100+49.74 грн
500+35.02 грн
1000+29.48 грн
5000+27.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TCDiodes IncorporatedMOSFETs Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A
на замовлення 42870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+118.60 грн
10+75.48 грн
100+45.06 грн
500+36.50 грн
1000+33.46 грн
2500+30.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TCDiodes IncTrans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.39A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 287500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07N8TC - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.39 A, 1.39 A
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 870mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 870mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.74 грн
500+35.02 грн
1000+29.48 грн
5000+27.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8ZETEX07+ SM-8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8ZETEXSM-8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8Diodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TADiodes IncTrans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+67.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+60.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.6A SM8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A, 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 233pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8
на замовлення 23190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.75 грн
10+116.90 грн
100+79.97 грн
500+60.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+69.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TADIODES INCORPORATEDZXMHC6A07T8TA Multi channel transistors
на замовлення 2736 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+219.81 грн
12+100.05 грн
33+95.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07T8TA - Dual-MOSFET, H-Brücke, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.8 A, 1.8 A, 1.5 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+131.10 грн
200+98.39 грн
500+72.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TADiodes IncorporatedMOSFETs 60V UMOS H-Bridge
на замовлення 1212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.64 грн
10+128.87 грн
100+77.08 грн
500+62.59 грн
1000+55.87 грн
2000+51.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+64.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.6A SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A, 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 233pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+59.53 грн
2000+53.18 грн
3000+51.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07T8TA - Dual-MOSFET, H-Brücke, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.8 A, 1.8 A, 1.5 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+239.74 грн
10+155.34 грн
50+131.10 грн
200+98.39 грн
500+72.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHN6A07T8ZETEX07+ SM-8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHN6A07T8ZETEXSM-8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHN6A07T8TADiodes IncorporatedMOSFETs 60V 1.6A N-Channel MOSFET H-Bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHN6A07T8TADiodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 1.6A 8-Pin SM8 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHN6A07T8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN
на замовлення 13870 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN0545FFTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN0545FFTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN0545FFTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN0545G4ZETEXSOT223
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN0545G4ZETEX07+ SOT223
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN0545G4TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN0545G4TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 450V 0.14A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+109.83 грн
10+97.33 грн
25+71.05 грн
100+67.82 грн
250+46.69 грн
500+44.37 грн
1000+44.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN0545G4TADiodes IncorporatedMOSFET 450V 140mA N-Channel Enhancement MOSFET
на замовлення 5004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN0545G4TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN0545G4TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 450V 0.14A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN0545G4TA
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN0545GTA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A07F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 640 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 640mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+71.92 грн
50+47.14 грн
100+31.88 грн
500+20.76 грн
1500+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A07F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 640 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 640mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.88 грн
500+20.76 грн
1500+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V
на замовлення 1227227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.82 грн
11+31.68 грн
100+20.37 грн
500+14.53 грн
1000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
388+32.71 грн
547+23.19 грн
551+23.02 грн
730+16.75 грн
1000+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 388
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 213000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.36 грн
6000+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTA
на замовлення 35800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADiodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A07FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 800 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+47.77 грн
50+33.94 грн
100+24.42 грн
500+16.76 грн
1500+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.53 грн
6000+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1788000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADIODES INCORPORATEDZXMN10A07FTA SMD N channel transistors
на замовлення 527 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+49.46 грн
76+15.81 грн
208+14.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V
на замовлення 1227000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.99 грн
6000+10.57 грн
9000+10.07 грн
15000+8.92 грн
21000+8.61 грн
30000+8.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.54 грн
6000+7.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.77 грн
6000+9.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+49.68 грн
21+35.05 грн
100+24.84 грн
250+23.78 грн
500+16.62 грн
1000+13.48 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADIODES INCORPORATEDZXMN10A07F SMD N channel transistors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+80.81 грн
76+15.74 грн
209+14.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A07FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 800 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.42 грн
500+16.76 грн
1500+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.36 грн
6000+8.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADiodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Chnl UMOS
на замовлення 27392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+47.07 грн
12+33.05 грн
100+20.41 грн
500+15.53 грн
1000+13.45 грн
3000+10.49 грн
6000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 213000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.54 грн
6000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07ZZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07ZTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V
на замовлення 43000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+13.93 грн
2000+13.05 грн
3000+13.01 грн
5000+12.13 грн
7000+11.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+21.26 грн
2000+19.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07ZTADiodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Chnl UMOS
на замовлення 22067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.41 грн
10+39.86 грн
100+23.21 грн
500+18.97 грн
1000+15.21 грн
2000+12.89 грн
5000+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07ZTADIODES INCORPORATEDZXMN10A07ZTA SMD N channel transistors
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+62.39 грн
54+22.31 грн
147+21.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
277+45.84 грн
371+34.24 грн
374+33.91 грн
500+25.59 грн
1000+18.16 грн
3000+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 277
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07ZTADiodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07ZTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V
на замовлення 43123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.68 грн
11+32.93 грн
100+22.60 грн
500+18.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08N/A
на замовлення 459 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8ZETEX07+ SO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8ZETEXSO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 82006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+111.69 грн
10+67.37 грн
100+44.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs 100V 2.1A N-Channel Enhancement MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TADiodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 81500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+36.18 грн
1000+31.70 грн
1500+30.10 грн
2500+26.56 грн
3500+25.56 грн
5000+24.58 грн
12500+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TADIODES/ZETEXTransistor 2xN-Channel MOSFET; 100V; 20V; 300mOhm; 2,1A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; ZXMN10A08DN8TA TZXMN10a08dn8
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.17 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.49 грн
11+71.72 грн
100+57.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6Diodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6QTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6QTADiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V SOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6QTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.90 грн
500+26.18 грн
1000+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 5139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+34.54 грн
371+34.20 грн
444+28.57 грн
447+27.35 грн
534+21.22 грн
1000+19.10 грн
3000+17.84 грн
Мінімальне замовлення: 367
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V
на замовлення 40128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+68.40 грн
10+40.94 грн
100+26.65 грн
500+19.21 грн
1000+17.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+62.58 грн
23+39.78 грн
100+29.90 грн
500+26.18 грн
1000+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 5139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+39.55 грн
20+37.01 грн
25+36.64 грн
100+29.52 грн
250+27.14 грн
500+21.82 грн
1000+20.47 грн
3000+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TA
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.07 грн
6000+14.24 грн
9000+13.61 грн
15000+12.11 грн
21000+12.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TADiodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Chnl UMOS
на замовлення 10824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+60.51 грн
10+39.95 грн
100+26.81 грн
500+20.89 грн
1000+18.73 грн
3000+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TADiodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TA-50Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TA-50Diodes Zetex100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TCDiodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Chnl UMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TCDiodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08GT
на замовлення 20500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08GTADiodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Channel 2A MOSFET
на замовлення 12700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+70.60 грн
10+46.85 грн
100+26.65 грн
500+23.05 грн
1000+20.25 грн
2000+18.41 грн
5000+18.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08GTADiodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V
на замовлення 107000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+24.21 грн
2000+21.49 грн
3000+20.55 грн
5000+18.29 грн
7000+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V
на замовлення 108013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.65 грн
10+55.70 грн
100+36.57 грн
500+26.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08GTA
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08T6TA
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A09KZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A09KZETEXDPAK
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A09KZETEX07+ DPAK
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A09KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1313 pF @ 50 V
на замовлення 3323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.75 грн
10+116.90 грн
100+79.97 грн
500+60.22 грн
1000+59.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A09KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+84.66 грн
10+80.92 грн
100+73.30 грн
500+64.91 грн
1000+53.93 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A09KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1313 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A09KTCDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET N-CH 100V
на замовлення 2514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+182.10 грн
10+124.27 грн
100+76.44 грн
500+61.31 грн
1000+59.87 грн
2500+51.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A09KTCDiodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A09KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A11G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 3.9
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.64 грн
500+32.02 грн
1000+28.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A11G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+70.94 грн
17+55.40 грн
100+32.95 грн
500+28.27 грн
1000+23.78 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GFTA
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GTADIODES INCORPORATEDZXMN10A11GTA SMD N channel transistors
на замовлення 303 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+95.14 грн
40+30.32 грн
109+28.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 43000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+20.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V
на замовлення 111874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.78 грн
10+55.28 грн
100+36.32 грн
500+26.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GTADiodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Chnl UMOS
на замовлення 1171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+89.09 грн
10+58.64 грн
100+33.46 грн
500+26.33 грн
1000+23.13 грн
2000+20.09 грн
5000+19.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GTADiodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+24.04 грн
2000+21.33 грн
3000+20.40 грн
5000+18.16 грн
7000+18.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GTA
Код товару: 131543
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11KDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11KDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11KDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11KT
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.32 грн
5000+19.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11KTCDiodes IncorporatedMOSFETs N-Chan 100V MOSFET (UMOS)
на замовлення 1287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+90.77 грн
10+76.03 грн
100+52.75 грн
500+40.74 грн
1000+36.98 грн
2500+20.73 грн
5000+20.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11KTCDiodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25ZETEXSOT-223
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V
на замовлення 20480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.24 грн
10+75.12 грн
100+58.43 грн
500+46.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A25GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.125 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.48 грн
500+45.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25GTADiodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Channel 2.9A MOSFET
на замовлення 3160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+113.93 грн
10+68.48 грн
100+35.14 грн
500+34.74 грн
1000+32.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+98.79 грн
10+89.29 грн
25+88.36 грн
100+67.51 грн
250+61.93 грн
500+49.50 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25GTADiodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
153+83.34 грн
154+82.47 грн
194+65.34 грн
250+62.43 грн
500+48.12 грн
Мінімальне замовлення: 153
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+41.90 грн
2000+37.98 грн
5000+36.17 грн
10000+32.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25GTADIODES INCORPORATEDZXMN10A25GTA SMD N channel transistors
на замовлення 971 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+122.84 грн
20+60.03 грн
50+57.15 грн
55+57.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A25GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.125 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+122.12 грн
13+74.35 грн
100+49.48 грн
500+45.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25KDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25KDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25KTCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A25KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.4 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.93 грн
10+91.59 грн
100+63.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25KTCDiodes IncorporatedMOSFETs N-Chan 100V MOSFET (UMOS)
на замовлення 4356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.39 грн
10+84.69 грн
100+50.91 грн
500+44.66 грн
1000+41.78 грн
2500+35.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25KTCDiodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25KTC
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V
на замовлення 7009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.30 грн
10+77.54 грн
100+53.64 грн
500+43.57 грн
1000+40.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25KTCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A25KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.4 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6ZETEX09+ SOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6QTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6QTADiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V 100V SOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6QTADiodes IncZXMN10B08E6QTA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 6-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6TADIODES INCORPORATEDZXMN10B08E6TA SMD N channel transistors
на замовлення 180 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+92.56 грн
40+30.32 грн
109+28.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6TADiodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Chnl UMOS
на замовлення 3717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.39 грн
10+51.00 грн
100+30.58 грн
500+24.41 грн
1000+22.33 грн
3000+21.45 грн
6000+21.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6TADiodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10B08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.23 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.20 грн
500+23.85 грн
1500+21.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 6-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497 pF @ 50 V
на замовлення 12583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.45 грн
10+53.03 грн
100+34.83 грн
500+25.36 грн
1000+23.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.47 грн
6000+19.12 грн
9000+18.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10B08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.23 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+51.00 грн
50+43.10 грн
100+35.20 грн
500+23.85 грн
1500+21.55 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6TA 10B8DIODES/ZETEXN-MOSFET 1.6A 100V 1.1W 0.23Ω ZXMN10B08E6 TZXMN10b08e6
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN15A27KT
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN15A27KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 150V 1.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN15A27KTCDiodes IncorporatedMOSFET ENHANCE MODE MOSFET 150V N-CHANNEL
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN15A27KTCDiodes IncTrans MOSFET N-CH 150V 2.55A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN15A27KTC
на замовлення 6070 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2069FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH SOT23-3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2088DE6
на замовлення 123800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2088DE6TADiodes IncorporatedMOSFETs 20V DUAL SOT23-6 20V VBR MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2088DE6TADiodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 6-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2088DE6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 6-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2088DE6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN20B28KDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN20B28K-13
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN20B28KT
на замовлення 20500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN20B28KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 358 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN20B28KTCDiodes IncTrans MOSFET N-CH 200V 2.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN20B28KTCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN20B28KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.5 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.80 грн
500+29.35 грн
1000+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN20B28KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 200V 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN20B28KTCZetex10+ SOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN20B28KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 200V 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.06 грн
5000+28.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN20B28KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 358 pF @ 25 V
на замовлення 1549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.45 грн
10+52.78 грн
100+34.69 грн
500+25.25 грн
1000+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN20B28KTCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN20B28KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.5 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+59.98 грн
50+48.94 грн
100+37.80 грн
500+29.35 грн
1000+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN20B28KTCDiodes IncorporatedMOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 200V N-CHANNEL
на замовлення 24466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+61.82 грн
10+49.80 грн
100+29.94 грн
500+25.69 грн
1000+23.37 грн
2500+17.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN20B28KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 200V 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN20B28KTC-13
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01E6Diodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01E6ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01E6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.5A 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01E6TA
на замовлення 967 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V
на замовлення 1633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.22 грн
10+42.36 грн
100+32.45 грн
500+24.07 грн
1000+19.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN2A01E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.12 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.01 грн
500+19.01 грн
1000+17.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01E6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.5A 6-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01E6TADiodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 2.5A 6-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN2A01E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.12 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+34.48 грн
30+30.17 грн
100+21.01 грн
500+19.01 грн
1000+17.09 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01E6TADiodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Chnl UMOS
на замовлення 4133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+36.98 грн
14+26.51 грн
100+17.85 грн
500+13.85 грн
1000+13.69 грн
3000+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01E6TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.26 грн
6000+8.80 грн
9000+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V
на замовлення 159870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.76 грн
12+28.02 грн
100+17.93 грн
500+12.73 грн
1000+11.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 137
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FTADiodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FTADIODES INCORPORATEDZXMN2A01FTA SMD N channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+48.70 грн
134+8.90 грн
367+8.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V
на замовлення 159000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.44 грн
6000+9.18 грн
9000+8.73 грн
15000+7.73 грн
21000+7.45 грн
30000+7.18 грн
75000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN2A01FTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.01 грн
500+12.84 грн
1500+11.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.99 грн
6000+9.43 грн
9000+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 189000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN2A01FTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+47.05 грн
50+28.10 грн
100+14.01 грн
500+12.84 грн
1500+11.24 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FTADiodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Chnl UMOS
на замовлення 9767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+46.22 грн
12+32.22 грн
100+18.25 грн
500+13.61 грн
1000+12.17 грн
3000+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FTA 7N2DIODES/ZETEXTrans MOSFET N-CH 20V 2.2A Automotive 3-Pin SOT-23 ZXMN2A01FTA TZXMN2a01fta
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02
на замовлення 938 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02N8ZETEX07+ SO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02N8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02N8ZETEXSO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02N8TADiodes IncorporatedMOSFET 20V N Chnl UMOS
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC
на замовлення 749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02N8TADiodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02X8ZETEX07+ MSOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02X8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02X8ZETEXMSOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02X8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02X8TA
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02X8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02X8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02X8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A03ZETEX
на замовлення 1126 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A03E6ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A03E6TADiodes IncorporatedMOSFETs N Channel
на замовлення 1764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+72.93 грн
10+61.95 грн
100+36.82 грн
500+29.22 грн
1000+26.09 грн
3000+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A03E6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.6A Automotive 6-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A03E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 837 pF @ 10 V
на замовлення 18409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+67.54 грн
10+55.70 грн
100+38.57 грн
500+30.24 грн
1000+25.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A03E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 837 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.37 грн
6000+23.14 грн
9000+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A03E6TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 837 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DZETEX
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DZETEX09+ SO-8
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DN8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 12579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+157.58 грн
10+125.73 грн
100+100.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 7.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+81.80 грн
11+69.52 грн
100+67.00 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+87.95 грн
1000+71.86 грн
2500+68.27 грн
5000+61.66 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs Dl 20V N-Chnl UMOS
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+163.42 грн
10+134.39 грн
100+92.85 грн
500+69.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 7.7A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DN8TAZETEXSOP 08+PBF
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 7.7A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DN8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A14FZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A14FTOSHIBA
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A14FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A14FTADiodes IncorporatedMOSFETs N Channel
на замовлення 74263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+51.45 грн
10+36.82 грн
100+21.45 грн
500+16.01 грн
1000+14.73 грн
3000+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A14FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 10 V
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.07 грн
6000+13.34 грн
9000+12.74 грн
15000+11.32 грн
21000+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A14FTADiodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A14FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+45.92 грн
19+40.04 грн
25+39.63 грн
100+29.88 грн
250+27.40 грн
500+21.51 грн
1000+17.01 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A14FTAZetexN-MOSFET 20V 3.4A ZXMN2A14FTA DIODES TZXMN2a14f
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A14FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
343+36.99 грн
439+28.92 грн
443+28.65 грн
541+22.59 грн
1000+16.53 грн
Мінімальне замовлення: 343
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A14FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 10 V
на замовлення 66824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+64.94 грн
10+38.85 грн
100+25.16 грн
500+18.08 грн
1000+16.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2AM832ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2AM832TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2AM832TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP
на замовлення 3401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2AM832TA
на замовлення 746 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2AMCTADiodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 2.9A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2AMCTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 299pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2AMCTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.7A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2AMCTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 299pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2AMCTADiodes IncorporatedMOSFET 20V DUAL N-CH ENH 12V VGS 3.7 IDS
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2AN8
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B01FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN2B01F - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+51.63 грн
50+36.99 грн
100+26.67 грн
500+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B01FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN2B01F - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.43 грн
500+34.10 грн
1500+29.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B01F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+32.72 грн
27+27.28 грн
100+19.14 грн
250+17.57 грн
500+13.08 грн
1000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B01FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
на замовлення 2419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.02 грн
13+26.68 грн
100+17.08 грн
500+12.11 грн
1000+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B01FTADiodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Channel MOSFET w/low gate drive cap
на замовлення 18309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.84 грн
13+30.19 грн
100+17.05 грн
500+13.05 грн
1000+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B01FTADIODES INCORPORATEDZXMN2B01FTA SMD N channel transistors
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+53.23 грн
72+16.71 грн
197+15.81 грн
1000+15.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B01FTADiodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B01FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
498+25.46 грн
684+18.53 грн
690+18.37 грн
890+13.73 грн
1099+10.30 грн
Мінімальне замовлення: 498
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B03E6
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B03E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B03E6TADiodes IncorporatedMOSFET 20V N-Ch 4.6 MOSFET w/low gate drive cap
на замовлення 8780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B03E6TADiodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 5.4A 6-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B03E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+66.67 грн
10+56.36 грн
100+43.22 грн
500+32.07 грн
1000+25.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B03E6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 5.4A Automotive 6-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B03E6TA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B14FH
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B14FHDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B14FHTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 872 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.50 грн
6000+23.76 грн
15000+22.88 грн
30000+20.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B14FHTADiodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Channel MOSFET w/low gate drive cap
на замовлення 5691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.38 грн
10+45.93 грн
100+26.33 грн
500+23.85 грн
1000+22.41 грн
3000+18.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B14FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B14FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+57.70 грн
222+57.14 грн
291+43.68 грн
294+41.70 грн
500+30.32 грн
1000+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 220
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B14FHTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 872 pF @ 10 V
на замовлення 33397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+68.40 грн
10+58.11 грн
100+44.53 грн
500+33.04 грн
1000+26.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B14FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+70.47 грн
12+61.82 грн
25+61.22 грн
100+45.13 грн
250+41.37 грн
500+31.19 грн
1000+24.79 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FH
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+37.23 грн
12+29.10 грн
100+19.81 грн
500+13.94 грн
1000+10.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHQTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHQTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN2F30FHQTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.66 грн
500+11.01 грн
1000+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHQTADiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+39.31 грн
15+24.58 грн
100+10.41 грн
3000+7.68 грн
6000+7.20 грн
9000+6.88 грн
24000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHQTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHQTADiodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 4.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHQTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN2F30FHQTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+41.12 грн
35+26.13 грн
100+12.66 грн
500+11.01 грн
1000+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHTADiodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET
на замовлення 82289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.55 грн
17+22.74 грн
100+9.93 грн
500+7.76 грн
1000+6.80 грн
3000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHTADIODES/ZETEXTransistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 65mOhm; 4,9A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; ZXMN2F30FHTA TZXMN2f30fh
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.48 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V
на замовлення 184462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.63 грн
13+26.10 грн
100+15.64 грн
500+13.60 грн
1000+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHTADiodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1776+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 1776
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHTADIODES INCORPORATEDZXMN2F30FHTA SMD N channel transistors
на замовлення 2898 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
9+37.93 грн
94+12.71 грн
259+12.01 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V
на замовлення 183000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.42 грн
6000+8.69 грн
9000+7.82 грн
30000+7.23 грн
75000+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1167+7.65 грн
Мінімальне замовлення: 1167
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34FHDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34FH
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
428+29.63 грн
597+21.25 грн
642+19.77 грн
784+15.60 грн
1107+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 428
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+41.14 грн
22+34.28 грн
25+31.74 грн
100+21.96 грн
250+18.91 грн
500+14.86 грн
1000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34FHTADiodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET
на замовлення 74331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+27.27 грн
25+14.91 грн
100+10.49 грн
500+7.76 грн
3000+7.60 грн
6000+7.36 грн
9000+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34FHTADIODES INCORPORATEDZXMN2F34FHTA SMD N channel transistors
на замовлення 738 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
11+29.85 грн
86+14.01 грн
235+13.21 грн
500+13.20 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34FHTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 277 pF @ 10 V
на замовлення 112155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+37.23 грн
12+29.10 грн
100+19.80 грн
500+13.94 грн
1000+10.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34FHTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN2F34FHTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+28.10 грн
50+20.65 грн
100+14.64 грн
500+12.26 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34FHTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 277 pF @ 10 V
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.60 грн
6000+9.59 грн
15000+8.97 грн
30000+7.73 грн
75000+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34MATADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34MATADiodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 8.5A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34MATADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2N02
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3804
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01E6ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01E6Diodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.54 грн
6000+15.09 грн
9000+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01E6TADiodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Chnl UMOS
на замовлення 9348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.41 грн
10+44.00 грн
100+18.97 грн
500+14.97 грн
1000+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01E6TA
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01E6TADiodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 2.4A 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
на замовлення 282397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.29 грн
10+36.35 грн
100+25.15 грн
500+19.72 грн
1000+16.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01E6TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT23-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN3A01F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+60.43 грн
50+44.63 грн
100+31.25 грн
500+20.01 грн
1500+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN3A01F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.39 грн
500+25.26 грн
1500+21.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FQTADiodes IncMOSFET BVDSS, 25V to 30V SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
на замовлення 507000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.91 грн
6000+9.62 грн
9000+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FTADiodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Chnl UMOS
на замовлення 75564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+32.96 грн
16+23.10 грн
100+13.29 грн
500+11.45 грн
1000+10.89 грн
3000+10.17 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
445+28.54 грн
Мінімальне замовлення: 445
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+37.55 грн
24+30.88 грн
25+30.57 грн
100+24.56 грн
250+22.54 грн
500+14.16 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
на замовлення 508393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+42.43 грн
12+29.93 грн
100+21.07 грн
500+15.06 грн
1000+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.02 грн
6000+10.80 грн
9000+10.64 грн
15000+10.12 грн
30000+9.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FTADIODES INCORPORATEDZXMN3A01FTA SMD N channel transistors
на замовлення 4147 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+54.41 грн
71+16.81 грн
195+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FTADiodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.26 грн
6000+12.40 грн
15000+11.55 грн
30000+10.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FTCDiodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01ZTADiodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1143+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 1143
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01ZTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN3A01ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.106 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 970mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+45.43 грн
26+35.20 грн
100+23.44 грн
500+16.68 грн
1000+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01ZTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 970mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 186 pF @ 25 V
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+13.70 грн
2000+10.94 грн
3000+10.77 грн
5000+9.70 грн
7000+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01ZTADiodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch ENH Mode 120mOhm 10VGS 3.3A
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+35.30 грн
12+33.14 грн
100+20.01 грн
500+15.53 грн
1000+12.49 грн
2000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01ZTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 970mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 186 pF @ 25 V
на замовлення 13792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.18 грн
100+21.06 грн
500+15.05 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01ZTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN3A01ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.106 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 970mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.44 грн
500+16.68 грн
1000+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A02N8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A02N8ZETEXSO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A02N8ZETEX07+ SO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A02N8TA
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A02N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A02N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A02N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A02X8ZETEX07+ MSOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A02X8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A02X8ZETEXMSOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A02X8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN3A02X8TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.025 ohm, MSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: MSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.46 грн
500+59.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A02X8TADiodes IncorporatedMOSFETs 30V N Chnl UMOS
на замовлення 13692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+117.66 грн
10+90.21 грн
100+54.83 грн
500+46.99 грн
1000+39.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A02X8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A02X8TA
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A02X8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN3A02X8TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.025 ohm, MSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: MSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+121.22 грн
10+93.38 грн
100+65.46 грн
500+59.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A02X8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+53.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A02X8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A03E6ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A03E6DIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN3A03E6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.11 грн
500+26.85 грн
1000+23.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A03E6DIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN3A03E6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+88.89 грн
15+63.57 грн
100+45.88 грн
500+35.27 грн
1000+29.86 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A03E6Diodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A03E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 37420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.05 грн
10+58.78 грн
100+38.82 грн
500+28.35 грн
1000+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A03E6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A03E6TADiodes IncorporatedMOSFETs 30V N Chnl UMOS
на замовлення 20954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+82.74 грн
10+60.48 грн
100+23.93 грн
500+21.93 грн
1000+21.37 грн
3000+19.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A03E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.83 грн
6000+22.14 грн
9000+21.86 грн
15000+20.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A03E6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A03E6TADiodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A03E6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+29.48 грн
500+27.03 грн
1000+25.60 грн
Мінімальне замовлення: 307
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A03E6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
461+27.51 грн
Мінімальне замовлення: 461
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A03E6TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DZETEX
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DZXMN04+ SMD8
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN/A
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DZETEX09+ SO-8
на замовлення 1109 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN8ZETEXSO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN8ZETEX07+ SO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs Dl 30V N-Chnl UMOS
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.28 грн
10+120.58 грн
100+74.44 грн
250+74.28 грн
500+58.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN8TADiodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.81W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 23500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+58.53 грн
1000+53.88 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN8TA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.81W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 23886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.75 грн
10+114.73 грн
100+77.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN8TC
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.81W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04KZETEXDPAK
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04KZETEX07+ DPAK
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04KZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+62.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04KTCDiodes IncorporatedMOSFET N-Ch 30 Volt 18.4A
на замовлення 1549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+183.03 грн
10+162.93 грн
100+113.66 грн
500+93.65 грн
1000+77.48 грн
2500+71.80 грн
10000+67.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.80 грн
10+129.57 грн
100+89.22 грн
500+68.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04KTC
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A05N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A06DN/A
на замовлення 367 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A06DN8Zetex09+
на замовлення 397 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A06DN8ZETEX07+ SO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A06DN8ZETEXSO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A06DN8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A06DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs Dl 30V N-Chnl UMOS
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+118.60 грн
10+78.43 грн
100+55.71 грн
500+38.42 грн
1000+37.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A06DN8TAZetexDual N-Channel 30 V 0.035 Ohm Power MOSFET ZXMN3A06DN8TA DIODES TZXMN3a06dn8
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+57.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A06DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.71 грн
10+85.21 грн
100+66.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A06DN8TADiodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 6.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+40.15 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A06DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+57.00 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A06DN8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A06N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A13FTA
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FZETEX07+ SOT23
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FZETEXSOT23
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FPBF
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FQTADiodes Inc30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FQTADiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS 25V-30V
на замовлення 19671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.99 грн
10+56.24 грн
100+37.54 грн
500+29.62 грн
1000+23.69 грн
3000+22.49 грн
9000+20.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FQTADIODES INCORPORATEDZXMN3A14FQTA SMD N channel transistors
на замовлення 2748 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+69.93 грн
39+30.92 грн
106+29.32 грн
3000+29.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+64.94 грн
10+54.70 грн
100+41.95 грн
500+31.12 грн
1000+24.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FTADiodes IncorporatedMOSFETs N Channel
на замовлення 42565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.73 грн
15+25.68 грн
100+19.45 грн
3000+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FTAZETEXSOT23 08+
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V
на замовлення 485495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.63 грн
14+24.18 грн
100+20.19 грн
500+18.27 грн
1000+17.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FTAZETEX08+ SOP8
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V
на замовлення 483000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.46 грн
6000+15.78 грн
9000+15.62 грн
15000+14.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN3A14FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.048 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.55 грн
500+22.68 грн
1000+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
322+39.44 грн
390+32.57 грн
413+30.75 грн
500+24.62 грн
Мінімальне замовлення: 322
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN3A14FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.048 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+46.06 грн
21+43.01 грн
100+28.55 грн
500+22.68 грн
1000+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+49.05 грн
17+43.83 грн
25+42.26 грн
100+33.65 грн
250+29.42 грн
500+23.44 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FTADiodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3AM832ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3AM832TAZETEX2004
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3AM832TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3AM832TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP
на замовлення 3169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3AM832TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3AMCTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3AMCTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.27 грн
10+57.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3AMCTADiodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 2.9A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3AMCTADiodes IncorporatedMOSFET 30V DUAL N-CH ENH 20V VGS 3.7 IDS
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B01FZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B01FTADiodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B01FTADiodes IncorporatedMOSFETs 30V N Chnl UMOS
на замовлення 4572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.78 грн
10+40.87 грн
100+24.73 грн
500+18.73 грн
1000+15.61 грн
3000+12.81 грн
6000+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B01FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.93 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 15 V
на замовлення 538991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.29 грн
10+35.60 грн
100+24.76 грн
500+18.15 грн
1000+14.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B01FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.93 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 15 V
на замовлення 537000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.59 грн
6000+13.33 грн
9000+12.38 грн
30000+11.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B01FTCDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B04N8ZETEX07+ SO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B04N8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B04N8ZETEXSO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B04N8TA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B04N8TADiodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Chnl UMOS
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+123.27 грн
10+82.29 грн
100+50.99 грн
500+38.26 грн
1000+34.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.