Продукція > ZXM

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM41N10FTA

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM41N10FTA

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM41N10FTA

07+ SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM41N10FTA

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM41N10FTC

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM6

на замовлення 11670 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02F

Description: DIODES INC. - ZXM61N02F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2351 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	39.53 грн
50+	27.82 грн
100+	19.69 грн
500+	15.03 грн
1500+	12.27 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02F

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02F

на замовлення 2426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	20.91 грн
500+	14.80 грн
1500+	13.18 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02F

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

496+	21.10 грн
500+	15.99 грн
1000+	14.18 грн

Мінімальне замовлення: 496

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 930mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V

на замовлення 57000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.95 грн
6000+	11.30 грн
9000+	7.19 грн
15000+	6.43 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTA
Код товару: 127179

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTA

MOSFETs 20V N-Chnl HDMOS

на замовлення 3315 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	53.20 грн
10+	32.23 грн
100+	17.92 грн
500+	13.53 грн
1000+	12.20 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.24 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

на замовлення 465 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

12+	39.77 грн
18+	24.17 грн
100+	15.19 грн
150+	14.02 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 930mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V

на замовлення 57215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.36 грн
12+	25.38 грн
100+	16.24 грн
500+	11.53 грн
1000+	10.33 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTA N02

Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 240mOhm; 1,7A; 806mW; -55°C ~ 150°C; ZXM61N02FTA TZXM61n02f
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 169 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	6.63 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTA/P02

на замовлення 1747 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTC

MOSFETs 20V N Chnl HDMOS

на замовлення 84137 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	58.73 грн
10+	36.00 грн
100+	20.36 грн
500+	15.55 грн
1000+	12.69 грн
5000+	11.36 грн
10000+	10.81 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTC

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	12.52 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTC

Description: DIODES INC. - ZXM61N02FTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 9795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	41.89 грн
26+	32.29 грн
100+	22.04 грн
500+	16.16 грн
1000+	12.20 грн
5000+	11.16 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTC

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTC

Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 930mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	11.26 грн
20000+	10.46 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTC

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	13.55 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTC

на замовлення 9795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	22.04 грн
500+	16.16 грн
1000+	12.20 грн
5000+	11.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTC

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	11.71 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTC

Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 930mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V

на замовлення 49781 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	37.65 грн
11+	28.17 грн
100+	19.24 грн
500+	15.03 грн
1000+	12.19 грн
2000+	12.01 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03F

Description: DIODES INC. - ZXM61N03F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4621 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	16.68 грн
500+	14.96 грн
1500+	13.53 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03F

Description: DIODES INC. - ZXM61N03F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1173 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	62.15 грн
50+	41.89 грн
100+	30.75 грн
500+	21.45 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03F

MOSFETs Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03F

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTA

N-CH SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

на замовлення 1380 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

15+	22.18 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTA
Код товару: 72846

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTA

Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V

на замовлення 49729 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	50.20 грн
11+	29.76 грн
100+	19.15 грн
500+	13.68 грн
1000+	12.30 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 315000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.30 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTA

MOSFETs 30V N-Chnl HDMOS

на замовлення 10828 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	51.08 грн
11+	31.11 грн
100+	17.71 грн
500+	13.53 грн
1000+	12.13 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTA

N-MOSFET 30V 1.4A 220mΩ 625mW ZXM61N03FTA Diodes Inc TZXM61N03FTA
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 290 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	10.83 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.91 грн
6000+	9.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTA

Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.31 грн
6000+	9.98 грн
9000+	9.51 грн
15000+	8.43 грн
21000+	8.14 грн
30000+	8.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.08 грн
6000+	8.38 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTC

Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTR

на замовлення 1850 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03GTA

на замовлення 31000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03TFA

на замовлення 1960 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02F

Description: DIODES INC. - ZXM61P02F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 7536 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	16.19 грн
500+	14.65 грн
1500+	13.32 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02F

07+ SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02F

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02F

Description: DIODES INC. - ZXM61P02F - MOSFET, P-KANAL, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 5516 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	51.65 грн
50+	35.55 грн
100+	25.87 грн
500+	19.11 грн
1500+	15.41 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02F

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02FTA

N-CH SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02FTA

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1393 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

735+	10.68 грн

Мінімальне замовлення: 735

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02FTA

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1393 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1296+	9.96 грн

Мінімальне замовлення: 1296

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02FTA

Description: MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.11 грн
6000+	8.00 грн
9000+	7.61 грн
15000+	6.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02FTA

MOSFETs 20V P-Chnl HDMOS

на замовлення 108423 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	38.48 грн
14+	23.57 грн
100+	13.53 грн
500+	10.81 грн
1000+	9.62 грн
3000+	7.95 грн
6000+	7.18 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02FTA

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02FTA

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 513000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02FTA

Description: MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V

на замовлення 35385 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.36 грн
12+	25.45 грн
100+	16.29 грн
500+	11.55 грн
1000+	10.34 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02FTA/P

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02FTC

Description: MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P03F

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P03F

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P03F

Description: DIODES INC. - ZXM61P03F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.35 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 13374 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	22.78 грн
500+	16.09 грн
1500+	13.32 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P03F

на замовлення 13374 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	42.14 грн
50+	26.19 грн
100+	22.78 грн
500+	16.09 грн
1500+	13.32 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P03FTA

Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P03FTA

Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V

на замовлення 255000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.18 грн
6000+	8.96 грн
9000+	8.54 грн
15000+	7.56 грн
21000+	7.29 грн
30000+	7.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P03FTA

P-CH SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

на замовлення 2180 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

9+	35.32 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P03FTA

Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 73 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

73+	13.68 грн

Мінімальне замовлення: 73

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P03FTA

MOSFETs 30V P-Chnl HDMOS

на замовлення 15782 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.59 грн
11+	29.27 грн
100+	16.32 грн
500+	12.41 грн
1000+	11.16 грн
3000+	10.81 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P03FTA
Код товару: 72847

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

1+	20.00 грн
10+	6.90 грн
100+	6.00 грн

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P03FTA

Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V

на замовлення 255735 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	44.71 грн
12+	27.04 грн
100+	17.34 грн
500+	12.36 грн
1000+	11.09 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P03FTA

Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 550mOhm; 1,1A; 806mW; -55°C ~ 150°C; ZXM61P03FTA TZXM61p03f
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 48 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	11.80 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P03FTA-P03

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P03FTC

Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM62M02E6

на замовлення 19892 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62N02E6

07+ SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62N02E6TA

MOSFET 20V N-Chnl HDMOS

на замовлення 2515 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62N02E6TAPBF

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62N03E6

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62N03E6TA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-23-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM62N03E6TA

на замовлення 26100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62N03E6TAPBF

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62N03G

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62N03GTA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A/4.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM62N03GTA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A/4.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM62N03GTA

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62N03GTA

MOSFET 30V N-Chnl HDMOS

на замовлення 152 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P02E6

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P02E6T

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P02E6TA

Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V

на замовлення 88362 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	51.77 грн
10+	43.05 грн
100+	29.84 грн
500+	23.40 грн
1000+	19.92 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P02E6TA

MOSFETs 20V P-Chnl HDMOS

на замовлення 3514 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	82.16 грн
10+	50.51 грн
100+	28.94 грн
500+	22.45 грн
1000+	20.36 грн
3000+	17.08 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P02E6TA

03/04+ SOT23-6

на замовлення 21100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P02E6TA

Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V

на замовлення 84000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.79 грн
6000+	16.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P02E6TAPBF

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03E6

Description: DIODES INC. - ZXM62P03E6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.6 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1607 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	75.49 грн
500+	51.21 грн
1500+	46.30 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03E6

07+ SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03E6

на замовлення 1414 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	99.24 грн
50+	86.22 грн
100+	59.95 грн
500+	46.53 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03E6TA

MOSFETs 30V P-Chnl HDMOS

на замовлення 4101 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	82.16 грн
10+	50.51 грн
100+	28.94 грн
500+	22.45 грн
1000+	20.36 грн
3000+	17.08 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03E6TA

Description: DIODES INC. - ZXM62P03E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.15 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2972 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.81 грн
500+	23.57 грн
1000+	21.68 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03E6TA

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.625W; SOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

на замовлення 795 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

9+	56.04 грн
10+	44.90 грн
100+	32.56 грн
500+	25.68 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03E6TA

Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V

на замовлення 13539 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	51.77 грн
10+	43.05 грн
100+	29.84 грн
500+	23.40 грн
1000+	19.92 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03E6TA

на замовлення 2972 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	65.32 грн
18+	46.12 грн
100+	31.81 грн
500+	23.57 грн
1000+	21.68 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03E6TA

Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.27 грн
6000+	18.04 грн
9000+	17.28 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03E6TC

Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03E6TC

MOSFET 30V P Chnl HDMOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03G

07+ SOT223

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03GTA

Description: MOSFET P-CH 30V 2.9A SOT223

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03GTA

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM63C02

2004

на замовлення 744 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM63C02X8

на замовлення 700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM63C02XTA

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM63C03

2004

на замовлення 811 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM63C03XTA

на замовлення 2600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM63N02

на замовлення 102 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM63N02E6TA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM63N02E6TA

Diodes Inc.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM63N02XTA

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM63N03XTA

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM63P02

на замовлення 2380 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM63P02E6TA

2004

на замовлення 429 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM63P02XTA

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM63P03XTA

на замовлення 320 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N02

на замовлення 648 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N02X

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N02XTA

Description: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-MSOP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N02XTA

MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-MSOP Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N02XTA

Description: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-MSOP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N02XTA

TSSOP8

на замовлення 14694 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N02XTA

MOSFET 20V P-Chnl HDMOS

на замовлення 1321 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N02XTC

Description: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N035

02+ TO-220

на замовлення 134 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N035G

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N035GT

на замовлення 1100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N035GTA

Description: MOSFET N-CH 35V 6.7A SOT223

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N035GTA

Description: MOSFET N-CH 35V 6.7A SOT223

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N035GTA

SOT223

на замовлення 23790 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N035GTA12A/35V

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N035L3

Description: MOSFET N-CH 35V 13A TO-220-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N035L3

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N03X

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N03XTA

на замовлення 441 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N03XTA

Description: MOSFET N-CH 30V 5A 8-MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N03XTC

Description: MOSFET N-CH 30V 5A 8MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N03XTR-ND

2004

на замовлення 446 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P02X

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P02XTA

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 15 V

на замовлення 9645 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.70 грн
10+	75.61 грн
100+	58.80 грн
500+	46.77 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P02XTA

MOSFETs 20V P-Chnl HDMOS

на замовлення 1598 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	139.91 грн
10+	88.20 грн
100+	51.80 грн
500+	41.14 грн
1000+	36.60 грн
2000+	36.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P02XTA

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 15 V

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	43.26 грн
2000+	38.46 грн
3000+	36.83 грн
5000+	33.51 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P02XTA

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.8A; Idm: -19A; 1.1W; MSOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.8A
Pulsed drain current: -19A
Power dissipation: 1.1W
Case: MSOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

на замовлення 948 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

4+	131.05 грн
10+	76.79 грн
100+	52.62 грн
500+	41.80 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P02XTA

MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-MSOP Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P02XTC

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P035

на замовлення 1366 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P035G

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P035GT

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P035GTA

SOT223

на замовлення 5990 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P035GTA

Description: MOSFET P-CH 35V 3.8A SOT223

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P035GTA

Description: MOSFET P-CH 35V 3.8A SOT223

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P035GTA12A/35V

на замовлення 6200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P035L3

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P035L3

Description: MOSFET P-CH 35V 12A TO-220-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P03X

MOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P03X

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P03X

Description: DIODES INC. - ZXM64P03X - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.075 ohm, MSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 620 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	128.52 грн
10+	96.80 грн
100+	70.20 грн
500+	55.74 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P03X

на замовлення 620 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	70.20 грн
500+	55.67 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P03XTA

Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	46.76 грн
2000+	41.63 грн
3000+	39.90 грн
5000+	36.77 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P03XTA

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	49.69 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P03XTA

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P03XTA

MOSFETs 30V P Chnl HDMOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P03XTA

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	60.32 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P03XTA

Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V

на замовлення 7884 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	105.11 грн
10+	82.94 грн
100+	64.51 грн
500+	51.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P03XTA

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	42.99 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P03XTC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P03XTR-ND

2004

на замовлення 679 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM66N02

09+ SO-8

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM66N02N8TA

Description: MOSFET N-CH 20V 9A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM66N03

09+ SO-8

на замовлення 2580 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM66N03N8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM66P02

SO-8

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM66P02N8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM66P02N8TA

Description: MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2068 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM66P02N8TA

MOSFET 20V P-Chnl HDMOS

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM66P02N8TA

на замовлення 694 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM66P02N8TA

Description: MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2068 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM66P02N8TC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM66P03

09+ SO-8

на замовлення 1291 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM66P03N8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM66P03N8TA

Description: MOSFET P-CH 30V 6.25A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1979 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM66P03N8TA

Description: MOSFET P-CH 30V 6.25A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1979 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC10A816N8

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC10A816N8TA

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC10A816N8TA

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC10A816N8TC

MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC10A816N8TC

Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497pF @ 50V, 717pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	27.43 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMC10A816N8TC

Description: DIODES INC. - ZXMC10A816N8TC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.1 A, 2.1 A, 0.23 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.235ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.23ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 327 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	118.76 грн
11+	74.43 грн
100+	48.56 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

на замовлення 313 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC10A816N8TC
Код товару: 184010

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	34.28 грн
5000+	33.36 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMC10A816N8TC

MOSFETs 100V COMPLEMENTARY DUAL ENHANCEMNT MODE

на замовлення 7705 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	108.19 грн
10+	66.63 грн
25+	57.31 грн
100+	38.21 грн
250+	38.14 грн
500+	30.68 грн
1000+	28.03 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMC10A816N8TC

Description: DIODES INC. - ZXMC10A816N8TC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.1 A, 2.1 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	47.10 грн
500+	37.09 грн
1000+	27.26 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	31.99 грн
5000+	31.14 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

на замовлення 313 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

248+	41.29 грн

Мінімальне замовлення: 248

В кошику од. на суму грн.

ZXMC10A816N8TC

Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497pF @ 50V, 717pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 2814 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	105.11 грн
10+	63.75 грн
100+	42.47 грн
500+	31.29 грн
1000+	28.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	36.33 грн
5000+	35.36 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	33.98 грн
5000+	33.08 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16

03+ SMD8

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16DN8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16DN8Q

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16DN8QTA

MOSFET BVDSS, 25V to 30V SO-8 0.5K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16DN8QTA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 5.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V, 970pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V, 48mOhm @ 4.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V, 24.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	63.73 грн
1000+	56.60 грн
1500+	54.17 грн
2500+	48.95 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16DN8QTA

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 T&R 0.5K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16DN8QTA

MOSFET BVDSS, 25V to 30V SO-8 0.5K

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	77.33 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16DN8TA

MOSFETs N and P Channel

на замовлення 1354 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	139.91 грн
10+	88.20 грн
100+	51.67 грн
500+	34.86 грн
1000+	32.70 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, 4.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 44290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	145.90 грн
10+	89.73 грн
100+	60.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, 4.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 44075 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	49.97 грн
1000+	44.11 грн
1500+	42.06 грн
2500+	37.32 грн
3500+	36.04 грн
5000+	35.70 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16DN8TC

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	41.29 грн
5000+	38.05 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16DN8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16DN8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16DN8TC

на замовлення 22877 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	145.90 грн
10+	89.73 грн
100+	60.59 грн
500+	45.16 грн
1000+	41.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16DN8TC

MOSFETs Cmp 30V NP Ch UMOS

на замовлення 3242 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	139.91 грн
10+	88.20 грн
100+	51.67 грн
500+	41.07 грн
1000+	37.86 грн
2500+	32.70 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A17

на замовлення 75 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A17DN8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A17DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 14756 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.95 грн
10+	68.74 грн
100+	45.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A17DN8TA

Description: DIODES INC. - ZXMC3A17DN8TA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.4 A, 4.4 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 363 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	43.81 грн
250+	39.60 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A17DN8TA

MOSFETs 30V Enhancement Mode

на замовлення 908 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	108.19 грн
10+	67.35 грн
100+	39.05 грн
500+	29.70 грн
1000+	25.73 грн
2500+	25.17 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A17DN8TA

на замовлення 168 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	119.58 грн
11+	75.49 грн
50+	62.88 грн
100+	46.68 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A17DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 14500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	37.31 грн
1000+	32.77 грн
1500+	31.15 грн
2500+	27.53 грн
3500+	26.53 грн
5000+	25.55 грн
12500+	24.58 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A17DN8TC

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A18

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A18DN8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A18DN8

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A18DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3AM832

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3AM832TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3AM832TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3AM832TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP

на замовлення 563 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3AM832TA

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3AMCTA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8-Pin DFN EP T/R

на замовлення 1026 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3AMCTA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Part Status: Active

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3AMCTA

Description: DIODES INC. - ZXMC3AMCTA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.45W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN3020B
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.45W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	36.85 грн
500+	29.31 грн
1000+	26.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3AMCTA

MOSFETs 30V COMP ENH MODE 20V VGS 3.7 IDS

на замовлення 12431 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.29 грн
10+	62.38 грн
100+	34.30 грн
250+	29.00 грн
500+	26.01 грн
1000+	25.87 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3AMCTA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8-Pin DFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3AMCTA

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	83.78 грн
14+	62.31 грн
100+	36.85 грн
500+	29.31 грн
1000+	26.01 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3AMCTA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Part Status: Active

на замовлення 18690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	105.11 грн
10+	63.90 грн
100+	34.02 грн
500+	27.76 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3F31DN8

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3F31DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 23500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	82.36 грн
10+	49.47 грн
100+	32.46 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3F31DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 23000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	26.11 грн
1000+	22.79 грн
1500+	21.58 грн
2500+	18.99 грн
3500+	18.24 грн
5000+	17.51 грн
12500+	15.80 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3F31DN8TA

MOSFETs 30V S08 Dual MOSFET 20V VBR 4.5V Gate

на замовлення 3722 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	53.36 грн
10+	43.38 грн
100+	25.94 грн
500+	18.34 грн
1000+	16.73 грн
2500+	16.32 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559

SO-8

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	35.77 грн
1000+	32.69 грн
2000+	30.42 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	36.86 грн
1000+	34.71 грн
2500+	26.38 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V, 1021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8TA

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 3.6/-2.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

на замовлення 137 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

4+	118.40 грн
10+	65.80 грн
25+	56.23 грн
100+	44.06 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	97.92 грн
10+	89.35 грн
25+	88.46 грн
100+	69.62 грн
250+	43.74 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8TA

SOIC-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

155+	83.39 грн
157+	82.56 грн
192+	67.38 грн
283+	44.09 грн

Мінімальне замовлення: 155

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V, 1021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 158 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	120.80 грн
10+	73.95 грн
100+	49.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8TA

MOSFETs Comp. 60V NP-Chnl

на замовлення 3432 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	127.71 грн
10+	80.02 грн
100+	44.97 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	56.47 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 1480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1480+	35.60 грн

Мінімальне замовлення: 1480

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8TC

MOSFETs 60V TRENCH MOSFET 20V VGS P-Channel

на замовлення 3400 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	167.57 грн
10+	105.84 грн
100+	62.33 грн
500+	52.01 грн
1000+	45.74 грн
2500+	41.00 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8TC

Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8TC

Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4A16DN8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

на замовлення 2946 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4A16DN8TA

MOSFET 40V N/P-Channel Enhancement MOSFET

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

на замовлення 2946 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4A16DN8TC

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC6A07T8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC6A09DN8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC6A09DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC6A09DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V, 1580pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC6A09DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R

на замовлення 590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

76+	169.97 грн
84+	154.46 грн
85+	152.91 грн
102+	122.85 грн
250+	112.61 грн
500+	90.93 грн

Мінімальне замовлення: 76

В кошику од. на суму грн.

ZXMC6A09DN8TA

MOSFETs Comp. 60V NP-Chnl

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	212.31 грн
10+	134.71 грн
100+	80.18 грн
500+	75.30 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ZXMC6A09DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R

на замовлення 590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	182.11 грн
10+	165.49 грн
25+	163.83 грн
100+	131.62 грн
250+	120.65 грн
500+	97.42 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ZXMC6A09DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V, 1580pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 182 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	136.48 грн
10+	109.37 грн
100+	87.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMC6A09DN8TA

MOSFET Comp. 60V NP-Chnl Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63C02X

07+ MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63C02XTA

Description: MOSFET N/P-CH 20V 8-MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63C02XTA

MSOP

на замовлення 15100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63C02XTA

Diodes Inc

Description: MOSFET N+P 20V 1.7A 8-MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63C02XTA

Description: MOSFET N/P-CH 20V 8-MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63C02XTC

Description: MOSFET N/P-CH 20V 8MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63C03X

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63C03XTA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP

на замовлення 13603000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63C03XTA

MOSFET 30V N&P Chnl HDMOS

на замовлення 1305 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63C03XTA

на замовлення 2600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63C03XTA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP

на замовлення 13602000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63C03XTA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63C03XTC

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63N02X

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63N02XTA

Diodes

MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63N02XTA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP

на замовлення 400045000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63N02XTA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP

на замовлення 483345000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63N02XTA

на замовлення 14000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63N02XTA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP

на замовлення 483345000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63N02XTA

MOSFET Dual 20V N Chl HDMOS

на замовлення 695 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63N02XTC

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63N03X

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63N03XTA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP

на замовлення 4715 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	168.64 грн
10+	145.48 грн
100+	116.91 грн
500+	90.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63N03XTA

MOSFET Dual 30V N Chl HDMOS

на замовлення 944 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63N03XTA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	82.65 грн
2000+	74.10 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63N03XTC

на замовлення 6500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63N03XTC

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63P02X

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63P02XTA

MOSFET Dual 20V P Chl HDMOS

на замовлення 843 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63P02XTA

Description: MOSFET 2P-CH 20V 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.25nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63P02XTA

07+ SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63P02XTC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63P03X

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63P03XTA

Description: MOSFET 2P-CH 30V 8-MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63P03XTA

TSSOP8

на замовлення 3351 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63P03XTA

MOSFET Dual 30V P Chl HDMOS

на замовлення 1530 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63P03XTC

Description: MOSFET 2P-CH 30V 8MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65N02

09+ SO-8

на замовлення 1149 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65N02N8TA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65N03

09+ SO-8

на замовлення 1073 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65N03N8

на замовлення 5200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65N03N8TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65P02

09+ SO-8

на замовлення 1275 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65P02N8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65P02N8TA

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65P02N8TA

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65P02N8TA

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65P02N8TC

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65P03

09+ SO-8

на замовлення 2793 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65P03N8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65P03N8TA

Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.8A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 0.8A/0.68A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07N8TC

MOSFETs Mosfet H-Bridge 100/-100 1.1/-0.9

на замовлення 23143 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	122.02 грн
10+	80.02 грн
100+	46.51 грн
500+	36.74 грн
1000+	33.68 грн
2500+	28.94 грн
5000+	28.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07N8TC

Diodes INC.

Транзистор польовий 2N+2P, Udss, В = 100, Id = 800 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 138 @ 60, Qg, нКл = 2,9 @ 10 В, Rds = 700 мОм @ 1,5 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,87, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 680 мА,... Група товару: Транзис
кількість в упаковці: 2500 шт

на замовлення 15 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

2500+	44.48 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 0.8A/0.68A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V 0.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA, 680mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 59286 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	125.50 грн
10+	76.06 грн
100+	49.65 грн
500+	36.89 грн
1000+	35.04 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V 0.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA, 680mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 57500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	33.76 грн
5000+	30.51 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07N8TC

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 100/-100V; 0.9/-0.7A; 0.87W
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 0.9/-0.7A
Power dissipation: 0.87W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9/1.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge

на замовлення 2049 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

6+	77.73 грн
10+	60.34 грн
50+	51.03 грн
100+	46.91 грн
500+	44.98 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07N8TC

MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07T8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07T8

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07T8TA

Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A, 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	57.76 грн
2000+	51.67 грн
3000+	51.14 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07T8TA

Description: DIODES INC. - ZXMHC10A07T8TA - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 100 V, 100 V, 1 A, 1 A, 0.7 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 738 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	93.55 грн
500+	70.02 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07T8TA

MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07T8TA

MOSFETs 100V 1.4A N-Channel MOSFET H-Bridge

на замовлення 1085 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	187.90 грн
10+	112.25 грн
100+	70.42 грн
500+	59.33 грн
1000+	54.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07T8TA

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; complementary pair; 1.3W
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 1.4/-1.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SM8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 700mΩ/1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9/3.5nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 100V 1A/0.8A 8-Pin SM8 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07T8TA

Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V SM8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A, 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8

на замовлення 27446 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	180.41 грн
10+	112.47 грн
100+	77.25 грн
500+	58.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07T8TA

Description: DIODES INC. - ZXMHC10A07T8TA - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 100 V, 100 V, 1 A, 1 A, 0.7 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 738 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	209.87 грн
10+	135.84 грн
100+	93.55 грн
500+	70.02 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01N8

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01N8DICT

MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC Група товару: Транзистори Од. вим: шт

на замовлення 2 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

2+	156.00 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01N8TA

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01N8TC

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.7/-2.1A
Power dissipation: 1.36W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 125/210mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9/5.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.17A/1.64A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.17A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A, 1.64A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	28.98 грн
5000+	25.92 грн
7500+	25.60 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01N8TC

MOSFETs Mosfet H-Bridge 30/-30V 2.7/-2.1A

на замовлення 22043 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	100.87 грн
10+	56.45 грн
100+	36.19 грн
500+	31.24 грн
1000+	29.28 грн
2500+	25.73 грн
5000+	24.54 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.17A/1.64A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.17A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A, 1.64A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 19926 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	109.03 грн
10+	66.92 грн
100+	44.67 грн
500+	32.99 грн
1000+	30.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01N8TC

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01T8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01T8TA

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8
Part Status: Active

на замовлення 1357 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	170.21 грн
10+	105.52 грн
100+	72.18 грн
500+	54.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01T8TA

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R

на замовлення 1080 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

133+	97.13 грн
147+	87.98 грн
148+	87.52 грн
167+	74.77 грн
250+	68.48 грн
500+	59.33 грн
1000+	54.62 грн

Мінімальне замовлення: 133

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01T8TA

MOSFETs 30/30V 3.1/2.3A N & P Channel

на замовлення 3645 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	131.78 грн
10+	93.81 грн
100+	60.66 грн
250+	60.31 грн
500+	52.43 грн
1000+	49.78 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	67.33 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01T8TA

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	62.84 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01T8TA

MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01T8TA
Код товару: 163888

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R

на замовлення 1080 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	104.06 грн
10+	94.26 грн
25+	93.77 грн
100+	80.11 грн
250+	73.37 грн
500+	63.56 грн
1000+	58.52 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3F381N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.98A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.98A, 3.36A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430pF @ 15V, 670pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 94901 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	116.09 грн
10+	70.70 грн
100+	47.20 грн
500+	34.86 грн
1000+	31.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3F381N8TC

Description: DIODES INC. - ZXMHC3F381N8TC - Dual-MOSFET, H-Brücke, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.98 A, 3.98 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.98A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 870mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 870mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1425 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	131.78 грн
50+	83.78 грн
100+	56.37 грн
500+	42.45 грн
1000+	35.70 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3F381N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.98A/3.36A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3F381N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.98A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.98A, 3.36A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430pF @ 15V, 670pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	31.57 грн
5000+	28.23 грн
7500+	27.13 грн
12500+	24.30 грн
17500+	23.72 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3F381N8TC

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 30/-30V; 3.98/-3.36A; 0.87W
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3.98/-3.36A
Power dissipation: 0.87W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
Pulsed drain current: 22.9...-19.6A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3F381N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.98A/3.36A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3F381N8TC

MOSFETs MOSFET H-BRIDGE SOP-8L

на замовлення 9026 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	111.44 грн
10+	71.04 грн
100+	41.21 грн
500+	32.42 грн
1000+	29.63 грн
2500+	25.73 грн
5000+	24.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3F381N8TC

Description: DIODES INC. - ZXMHC3F381N8TC - Dual-MOSFET, H-Brücke, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.98 A, 3.98 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.98A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 870mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 870mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1425 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	56.37 грн
500+	42.45 грн
1000+	35.70 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07N8

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07N8TC

MOSFETs Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A

на замовлення 42099 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	112.25 грн
10+	71.04 грн
100+	41.21 грн
500+	32.35 грн
1000+	29.56 грн
2500+	25.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07N8TC

Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07N8TC - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.39 A, 1.39 A
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 870mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 870mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5214 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	99.24 грн
13+	64.02 грн
100+	45.06 грн
500+	31.72 грн
1000+	26.70 грн
5000+	25.10 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	35.64 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07N8TC

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07N8TC

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 1.8/-1.4A
Power dissipation: 1.36W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 250/400mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.2/5.1nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	38.03 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.39A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 289923 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	118.44 грн
10+	71.30 грн
100+	47.00 грн
500+	35.45 грн
1000+	32.36 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07N8TC

на замовлення 5214 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	45.06 грн
500+	31.72 грн
1000+	26.70 грн
5000+	25.10 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	42.56 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R

на замовлення 95000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	37.95 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.39A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 287500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	32.10 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	45.60 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07T8

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07T8

07+ SM-8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07T8TA

Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.6A SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A, 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 233pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	59.27 грн
2000+	52.96 грн
3000+	50.86 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07T8TA

MOSFETs 60V UMOS H-Bridge

на замовлення 3207 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	176.52 грн
10+	112.25 грн
100+	67.14 грн
500+	53.48 грн
1000+	49.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07T8TA

Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07T8TA - Dual-MOSFET, H-Brücke, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.8 A, 1.8 A, 1.5 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 967 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	118.76 грн
200+	89.13 грн
500+	65.89 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	65.91 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07T8TA

Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.6A SM8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A, 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 233pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8

на замовлення 3676 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	181.98 грн
10+	112.92 грн
100+	77.23 грн
500+	58.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07T8TA

Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07T8TA - Dual-MOSFET, H-Brücke, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.8 A, 1.8 A, 1.5 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 967 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	217.19 грн
10+	140.73 грн
50+	118.76 грн
200+	89.13 грн
500+	65.89 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R

на замовлення 38000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	62.12 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	70.34 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07T8TA

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 1.4/-1.2A
Power dissipation: 1.36W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 250/400mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.2/5.1nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge

на замовлення 2729 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

3+	163.59 грн
10+	99.87 грн
50+	78.05 грн
100+	76.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMHN6A07T8

07+ SM-8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMHN6A07T8TA

Description: MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHN6A07T8TA

MOSFETs 60V 1.6A N-Channel MOSFET H-Bridge

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN

на замовлення 13870 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN0545FFTA

Description: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN0545FFTA

Description: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN0545FFTA

Description: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN0545G4

07+ SOT223

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN0545G4TA

Trans MOSFET N-CH 450V 0.14A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 1114 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	111.87 грн
10+	99.14 грн
25+	72.37 грн
100+	69.08 грн
250+	47.55 грн
500+	45.19 грн
1000+	45.07 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXMN0545G4TA

Description: MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN0545G4TA

на замовлення 11000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN0545G4TA

MOSFET 450V 140mA N-Channel Enhancement MOSFET

на замовлення 5004 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN0545G4TA

Trans MOSFET N-CH 450V 0.14A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN0545G4TA

Description: MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN0545GTA

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07F

Description: DIODES INC. - ZXMN10A07F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 640 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 640mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1695 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.48 грн
500+	22.36 грн
1500+	18.06 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07F

Description: DIODES INC. - ZXMN10A07F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 640 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 640mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1695 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	62.47 грн
50+	41.97 грн
100+	31.48 грн
500+	22.36 грн
1500+	18.06 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07F

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.75 грн
6000+	7.96 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

Description: DIODES INC. - ZXMN10A07FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 800 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 3239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	49.95 грн
50+	33.11 грн
100+	22.37 грн
500+	15.79 грн
1500+	13.04 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.99 грн
6000+	9.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	50.60 грн
21+	35.70 грн
100+	25.31 грн
250+	24.22 грн
500+	16.92 грн
1000+	13.73 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V

на замовлення 51251 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.06 грн
11+	28.02 грн
100+	18.04 грн
500+	12.87 грн
1000+	11.56 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.59 грн
6000+	8.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 213000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.75 грн
6000+	9.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

на замовлення 35800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

MOSFETs 100V N-Chnl UMOS

на замовлення 22786 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	45.47 грн
12+	28.54 грн
100+	16.73 грн
500+	12.34 грн
1000+	11.30 грн
3000+	8.99 грн
6000+	8.58 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

388+	33.32 грн
547+	23.62 грн
551+	23.45 грн
730+	17.06 грн
1000+	13.34 грн

Мінімальне замовлення: 388

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

Description: DIODES INC. - ZXMN10A07FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 800 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 3239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	22.37 грн
500+	15.79 грн
1500+	13.04 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 213000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.59 грн
6000+	10.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V

на замовлення 51000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.95 грн
6000+	9.65 грн
9000+	9.20 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.76 грн
6000+	10.10 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1788000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.70 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTC

Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07Z

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07ZTA

Description: MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V

на замовлення 5887 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.83 грн
10+	35.35 грн
100+	22.94 грн
500+	16.51 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07ZTA

MOSFETs 100V N-Chnl UMOS

на замовлення 20044 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.23 грн
10+	38.17 грн
100+	21.61 грн
500+	16.52 грн
1000+	14.43 грн
2000+	12.48 грн
5000+	11.71 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 3002 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

277+	46.69 грн
371+	34.87 грн
374+	34.54 грн
500+	26.06 грн
1000+	18.50 грн
3000+	16.04 грн

Мінімальне замовлення: 277

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07ZTA

Description: DIODES INC. - ZXMN10A07ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.7 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1132 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.98 грн
500+	19.94 грн
1000+	16.04 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	14.68 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07ZTA

Description: MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	16.48 грн
2000+	14.42 грн
3000+	13.68 грн
5000+	12.06 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	21.78 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07ZTA

Description: DIODES INC. - ZXMN10A07ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.7 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1132 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	69.14 грн
19+	43.03 грн
100+	27.98 грн
500+	19.94 грн
1000+	16.04 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	21.66 грн
2000+	19.58 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08

на замовлення 459 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08DN8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08DN8

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08DN8TA

Description: DIODES INC. - ZXMN10A08DN8TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.1 A, 0.25 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 376 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	106.56 грн
13+	66.46 грн
100+	44.17 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08DN8TA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 8-Pin SO T/R

на замовлення 79000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	30.18 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 82006 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	101.19 грн
10+	61.03 грн
100+	40.40 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08DN8TA

MOSFETs 100V 2.1A N-Channel Enhancement MOSFET

на замовлення 914 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	96.80 грн
10+	59.33 грн
100+	34.23 грн
500+	26.08 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08DN8TA

Description: DIODES INC. - ZXMN10A08DN8TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.1 A, 0.25 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 376 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.17 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08DN8TA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 8-Pin SO T/R

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	34.05 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 81500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	32.78 грн
1000+	28.72 грн
1500+	27.27 грн
2500+	24.06 грн
3500+	23.15 грн
5000+	22.27 грн
12500+	20.95 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08DN8TA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 8-Pin SO T/R

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	31.78 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08DN8TA

Transistor 2xN-Channel MOSFET; 100V; 20V; 300mOhm; 2,1A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; ZXMN10A08DN8TA TZXMN10a08dn8
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	30.73 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08DN8TC

Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6QTA

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-26 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6QTA

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6QTA

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V SOT26 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6TA

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6TA

Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.30 грн
6000+	14.44 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6TA

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R

на замовлення 5139 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

367+	35.18 грн
371+	34.83 грн
444+	29.10 грн
447+	27.86 грн
534+	21.61 грн
1000+	19.46 грн
3000+	18.17 грн

Мінімальне замовлення: 367

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6TA

MOSFETs 100V N-Chnl UMOS

на замовлення 6234 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.08 грн
10+	39.93 грн
100+	22.59 грн
500+	17.36 грн
1000+	15.69 грн
3000+	13.04 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6TA

Description: DIODES INC. - ZXMN10A08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1267 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.09 грн
500+	23.72 грн
1000+	20.64 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6TA

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R

на замовлення 5139 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	40.29 грн
20+	37.70 грн
25+	37.32 грн
100+	30.07 грн
250+	27.64 грн
500+	22.23 грн
1000+	20.85 грн
3000+	19.47 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6TA

на замовлення 1267 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	56.70 грн
23+	36.04 грн
100+	27.09 грн
500+	23.72 грн
1000+	20.64 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6TA

Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V

на замовлення 8918 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.46 грн
10+	40.34 грн
100+	26.21 грн
500+	18.90 грн
1000+	17.06 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6TA

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6TA-50

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6TA-50

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6TC

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6TC

MOSFETs 100V N-Chnl UMOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6TC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6TC

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08GT

на замовлення 20500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08GTA

Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V

на замовлення 9394 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.87 грн
10+	46.76 грн
100+	30.72 грн
500+	22.36 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08GTA

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08GTA

MOSFETs 100V N-Channel 2A MOSFET

на замовлення 6679 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	80.45 грн
10+	49.87 грн
100+	28.52 грн
500+	22.10 грн
1000+	19.38 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08GTA

Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	21.76 грн
2000+	19.14 грн
3000+	18.21 грн
5000+	16.12 грн
7000+	15.54 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08T6TA

на замовлення 2525 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A09K

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A09KTC

Description: MOSFET N-CH 100V 5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1313 pF @ 50 V

на замовлення 823 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	167.08 грн
10+	103.48 грн
100+	70.80 грн
500+	53.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A09KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2255 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	86.23 грн
10+	82.42 грн
100+	74.66 грн
500+	66.11 грн
1000+	54.94 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A09KTC

Description: MOSFET N-CH 100V 5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1313 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A09KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A09KTC

MOSFETs MOSFET N-CH 100V

на замовлення 2509 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	210.68 грн
10+	133.10 грн
100+	78.79 грн
500+	65.33 грн
1000+	60.59 грн
2500+	58.85 грн
5000+	56.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11G

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11G

Description: DIODES INC. - ZXMN10A11G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 3.9
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 1290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	39.53 грн
500+	29.00 грн
1000+	26.22 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11G

Description: DIODES INC. - ZXMN10A11G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 1920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	64.26 грн
17+	50.19 грн
100+	29.85 грн
500+	25.61 грн
1000+	21.54 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11GFTA

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 43000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	20.90 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11GTA
Код товару: 131543

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11GTA

Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V

на замовлення 90619 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.09 грн
10+	45.85 грн
100+	30.09 грн
500+	21.89 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	31.46 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11GTA

MOSFETs 100V N-Chnl UMOS

на замовлення 3156 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	80.45 грн
10+	49.55 грн
100+	28.31 грн
500+	21.96 грн
1000+	19.24 грн
2000+	17.50 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	29.37 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11GTA

Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	21.29 грн
2000+	18.73 грн
3000+	17.82 грн
5000+	15.77 грн
7000+	15.20 грн
10000+	14.65 грн
25000+	14.29 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11GTC

Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11K

Description: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11K

Description: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11K

Description: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11KT

на замовлення 78000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11KTC

MOSFETs N-Chan 100V MOSFET (UMOS)

на замовлення 787 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	83.78 грн
10+	51.48 грн
100+	29.28 грн
500+	22.66 грн
1000+	20.50 грн
2500+	17.29 грн
5000+	16.94 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11KTC

Description: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	19.13 грн
5000+	16.99 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25

SOT-223

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25GTA

Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V

на замовлення 22000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	35.52 грн
2000+	31.52 грн
3000+	30.15 грн
5000+	27.02 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 603 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	100.63 грн
10+	90.95 грн
25+	90.00 грн
100+	68.76 грн
250+	63.08 грн
500+	50.41 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25GTA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.7A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

на замовлення 971 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

6+	78.63 грн
8+	59.59 грн
10+	53.71 грн
25+	46.16 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25GTA

Description: DIODES INC. - ZXMN10A25GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.125 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 742 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	45.80 грн
500+	34.07 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25GTA

Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V

на замовлення 22216 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	118.44 грн
10+	72.66 грн
100+	48.79 грн
500+	36.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 603 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

153+	84.88 грн
154+	84.00 грн
194+	66.56 грн
250+	63.59 грн
500+	49.01 грн

Мінімальне замовлення: 153

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25GTA

MOSFETs 100V N-Channel 2.9A MOSFET

на замовлення 1655 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	125.27 грн
10+	78.58 грн
100+	45.95 грн
500+	36.26 грн
1000+	30.96 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25GTA

Description: DIODES INC. - ZXMN10A25GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.125 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 742 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	107.37 грн
12+	68.09 грн
100+	45.80 грн
500+	34.07 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25K

Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25K

Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25KTC

Description: DIODES INC. - ZXMN10A25KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.4 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 309 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	104.12 грн
10+	82.97 грн
100+	57.75 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25KTC

MOSFETs N-Chan 100V MOSFET (UMOS)

на замовлення 4331 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	134.22 грн
10+	81.79 грн
100+	49.43 грн
500+	39.18 грн
1000+	36.40 грн
2500+	30.89 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25KTC

на замовлення 78000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25KTC

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	34.61 грн
5000+	31.63 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25KTC

на замовлення 309 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	57.75 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25KTC

на замовлення 7009 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	127.07 грн
10+	77.95 грн
100+	52.55 грн
500+	39.09 грн
1000+	36.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10B08E6

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10B08E6QTA

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10B08E6QTA

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V 100V SOT26 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10B08E6TA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 6-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10B08E6TA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.5A; 1.1W; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

на замовлення 72 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

7+	73.21 грн
10+	47.84 грн
25+	40.12 грн
50+	34.91 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10B08E6TA

Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497 pF @ 50 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.45 грн
6000+	17.32 грн
9000+	16.60 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10B08E6TA

Description: DIODES INC. - ZXMN10B08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.23 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 8504 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.89 грн
500+	21.60 грн
1500+	19.52 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10B08E6TA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 6-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10B08E6TA

MOSFETs 100V N-Chnl UMOS

на замовлення 3717 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	66.54 грн
10+	44.42 грн
100+	26.63 грн
500+	21.27 грн
1000+	19.45 грн
3000+	18.69 грн
6000+	18.62 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10B08E6TA

Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497 pF @ 50 V

на замовлення 12583 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	79.22 грн
10+	48.04 грн
100+	31.55 грн
500+	22.97 грн
1000+	20.84 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10B08E6TA

на замовлення 8504 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	46.20 грн
50+	39.05 грн
100+	31.89 грн
500+	21.60 грн
1500+	19.52 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10B08E6TA 10B8

N-MOSFET 1.6A 100V 1.1W 0.23Ω ZXMN10B08E6 TZXMN10b08e6
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 36 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	31.15 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10B08E6TC

Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN15A27KT

на замовлення 78000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN15A27KTC

MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 150V N-CHANNEL

на замовлення 136 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN15A27KTC

на замовлення 6070 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN15A27KTC

Description: MOSFET N-CH 150V 1.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2069FTA

Description: MOSFET N-CH SOT23-3

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2088DE6

на замовлення 123800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2088DE6TA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2088DE6TA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 6-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2088DE6TA

MOSFETs 20V DUAL SOT23-6 20V VBR MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN20B28K

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN20B28K-13

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN20B28KT

на замовлення 20500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN20B28KTC

Description: DIODES INC. - ZXMN20B28KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.5 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 3290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	34.25 грн
500+	26.59 грн
1000+	20.85 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN20B28KTC

10+ SOT-23

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN20B28KTC

Trans MOSFET N-CH 200V 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN20B28KTC

Description: MOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 358 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN20B28KTC

Trans MOSFET N-CH 200V 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	29.60 грн
5000+	29.31 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMN20B28KTC

на замовлення 3290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	54.34 грн
50+	44.33 грн
100+	34.25 грн
500+	26.59 грн
1000+	20.85 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

ZXMN20B28KTC

Description: MOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 358 pF @ 25 V

на замовлення 1549 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	79.22 грн
10+	47.81 грн
100+	31.42 грн
500+	22.87 грн
1000+	20.74 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN20B28KTC

Trans MOSFET N-CH 200V 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	24.20 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMN20B28KTC

MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 200V N-CHANNEL

на замовлення 24466 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	53.85 грн
10+	43.38 грн
100+	26.08 грн
500+	22.38 грн
1000+	20.36 грн
2500+	15.62 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXMN20B28KTC-13

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01E6

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01E6

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01E6TA

MOSFETs 20V N-Chnl UMOS

на замовлення 4087 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	84.60 грн
10+	51.80 грн
100+	29.70 грн
500+	23.36 грн
1000+	19.94 грн
3000+	18.06 грн
6000+	16.04 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01E6TA

Description: DIODES INC. - ZXMN2A01E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.12 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	19.03 грн
500+	17.22 грн
1000+	15.48 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01E6TA

Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V

на замовлення 1633 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	45.49 грн
10+	38.37 грн
100+	29.40 грн
500+	21.81 грн
1000+	17.45 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01E6TA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 6-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01E6TA

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	31.24 грн
30+	27.33 грн
100+	19.03 грн
500+	17.22 грн
1000+	15.48 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01E6TA

Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01E6TA

на замовлення 967 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01E6TA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 6-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 7266 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

47+	15.78 грн

Мінімальне замовлення: 47

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01E6TC

Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01F

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01F

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

137+	17.33 грн

Мінімальне замовлення: 137

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01FTA

MOSFETs 20V N-Chnl UMOS

на замовлення 15028 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	44.09 грн
12+	26.86 грн
100+	14.92 грн
500+	11.36 грн
1000+	10.11 грн
3000+	8.37 грн
6000+	8.16 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V

на замовлення 27277 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	44.71 грн
12+	26.74 грн
100+	17.09 грн
500+	12.14 грн
1000+	10.88 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01FTA

Description: DIODES INC. - ZXMN2A01FTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 8155 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	12.69 грн
500+	11.63 грн
1500+	10.18 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.19 грн
6000+	9.61 грн
9000+	9.51 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.27 грн
6000+	9.03 грн
9000+	8.59 грн
15000+	7.60 грн
21000+	7.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 189000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01FTA

на замовлення 8155 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	42.62 грн
50+	25.46 грн
100+	12.69 грн
500+	11.63 грн
1500+	10.18 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.45 грн
6000+	8.97 грн
9000+	8.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01FTA 7N2

Trans MOSFET N-CH 20V 2.2A Automotive 3-Pin SOT-23 ZXMN2A01FTA TZXMN2a01fta
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

200+	5.09 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01FTC

Description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A02

на замовлення 938 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A02F

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A02N8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A02N8TA

Description: MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC

на замовлення 749 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A02N8TA

Description: MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A02N8TA

MOSFET 20V N Chnl UMOS

на замовлення 416 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A02X8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A02X8TA

на замовлення 2080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A02X8TA

Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A02X8TA

Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A02X8TA

Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

на замовлення 93 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A02X8TC

Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A03

на замовлення 1126 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A03E6

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A03E6TA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 837 pF @ 10 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.98 грн
6000+	20.97 грн
9000+	19.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A03E6TA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A Automotive 6-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A03E6TA

MOSFETs N Channel

на замовлення 1764 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	63.53 грн
10+	53.96 грн
100+	32.07 грн
500+	25.45 грн
1000+	22.73 грн
3000+	20.43 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A03E6TA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 837 pF @ 10 V

на замовлення 18409 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	61.18 грн
10+	50.46 грн
100+	34.94 грн
500+	27.40 грн
1000+	23.32 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A03E6TC

Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 837 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A04D

09+ SO-8

на замовлення 1021 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A04DN8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A04DN8TA

MOSFETs Dl 20V N-Chnl UMOS

на замовлення 494 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	142.35 грн
10+	117.07 грн
100+	80.88 грн
500+	60.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A04DN8TA

SOP 08+PBF

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A04DN8TA

Trans MOSFET N-CH 20V 7.7A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	83.32 грн
11+	70.81 грн
100+	68.25 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A04DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 12579 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	142.76 грн
10+	113.91 грн
100+	90.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A04DN8TA

Trans MOSFET N-CH 20V 7.7A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A04DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	79.68 грн
1000+	65.10 грн
2500+	61.85 грн
5000+	55.86 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A04DN8TA

Trans MOSFET N-CH 20V 7.7A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A04DN8TC

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A14F

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A14FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A14FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 10 V

на замовлення 20658 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.75 грн
10+	37.46 грн
100+	24.29 грн
500+	17.47 грн
1000+	15.75 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A14FTA

N-MOSFET 20V 3.4A ZXMN2A14FTA DIODES TZXMN2a14f
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	7.27 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A14FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2696 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	46.78 грн
19+	40.78 грн
25+	40.37 грн
100+	30.43 грн
250+	27.91 грн
500+	21.91 грн
1000+	17.32 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A14FTA

MOSFETs N Channel

на замовлення 74263 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	44.82 грн
10+	32.07 грн
100+	18.69 грн
500+	13.94 грн
1000+	12.83 грн
3000+	11.85 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A14FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 10 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.01 грн
6000+	13.28 грн
9000+	12.68 грн
15000+	11.27 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A14FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2696 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

343+	37.68 грн
439+	29.45 грн
443+	29.18 грн
541+	23.01 грн
1000+	16.84 грн

Мінімальне замовлення: 343

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2AM832

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2AM832TA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2AM832TA

на замовлення 746 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2AM832TA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP

на замовлення 3401 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2AMCTA

MOSFET 20V DUAL N-CH ENH 12V VGS 3.7 IDS

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2AMCTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A Automotive 8-Pin DFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	37.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2AMCTA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 299pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2AMCTA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 299pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2AN8

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B01F

Description: DIODES INC. - ZXMN2B01F - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 403 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	59.95 грн
50+	37.66 грн
100+	26.03 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B01F

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B01F

Description: DIODES INC. - ZXMN2B01F - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 403 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.03 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2022 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	33.33 грн
27+	27.79 грн
100+	19.50 грн
250+	17.89 грн
500+	13.32 грн
1000+	10.79 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B01FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V

на замовлення 61570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.77 грн
6000+	7.71 грн
9000+	7.33 грн
15000+	6.48 грн
21000+	6.24 грн
30000+	6.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B01FTA

N-CH SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B01FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V

на замовлення 61570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.00 грн
13+	23.64 грн
100+	15.12 грн
500+	10.72 грн
1000+	9.60 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B01FTA

MOSFETs 20V N-Channel MOSFET w/low gate drive cap

на замовлення 18309 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	42.54 грн
13+	26.30 грн
100+	14.85 грн
500+	11.36 грн
1000+	10.88 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2022 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

498+	25.93 грн
684+	18.87 грн
690+	18.71 грн
890+	13.99 грн
1099+	10.49 грн

Мінімальне замовлення: 498

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B03E6

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B03E6TA

Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B03E6TA

MOSFETs 20V N-Ch 4.6 MOSFET w/low gate drive cap

на замовлення 5009 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	81.18 грн
10+	45.62 грн
100+	28.24 грн
500+	22.94 грн
1000+	20.78 грн
3000+	17.78 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B03E6TA

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B03E6TA

Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A Automotive 6-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B03E6TA

Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V

на замовлення 2994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	60.40 грн
10+	51.06 грн
100+	39.16 грн
500+	29.05 грн
1000+	23.24 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B14FH

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B14FH

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B14FHTA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 872 pF @ 10 V

на замовлення 33397 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	61.97 грн
10+	52.65 грн
100+	40.34 грн
500+	29.93 грн
1000+	23.94 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B14FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B14FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2668 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

220+	58.77 грн
222+	58.20 грн
291+	44.49 грн
294+	42.47 грн
500+	30.88 грн
1000+	23.56 грн

Мінімальне замовлення: 220

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B14FHTA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 872 pF @ 10 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.01 грн
6000+	21.53 грн
15000+	20.73 грн
30000+	18.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B14FHTA

MOSFETs 20V N-Channel MOSFET w/low gate drive cap

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B14FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2668 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	71.78 грн
12+	62.97 грн
25+	62.36 грн
100+	45.97 грн
250+	42.14 грн
500+	31.77 грн
1000+	25.25 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FH

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FH

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FHQTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.25 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FHQTA

Description: DIODES INC. - ZXMN2F30FHQTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	11.47 грн
500+	9.97 грн
1000+	8.51 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FHQTA

Description: MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V

на замовлення 2970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.73 грн
12+	26.36 грн
100+	17.95 грн
500+	12.63 грн
1000+	9.47 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FHQTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FHQTA

Description: MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FHQTA

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 614 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	34.25 грн
15+	21.41 грн
100+	9.06 грн
3000+	6.69 грн
6000+	6.28 грн
9000+	6.00 грн
24000+	5.72 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FHQTA

на замовлення 2750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	37.26 грн
35+	23.67 грн
100+	11.47 грн
500+	9.97 грн
1000+	8.51 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FHTA

Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 65mOhm; 4,9A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; ZXMN2F30FHTA TZXMN2f30fh
кількість в упаковці: 25 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	12.71 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FHTA

MOSFETs 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET

на замовлення 24888 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	39.86 грн
14+	24.38 грн
100+	13.81 грн
500+	10.46 грн
1000+	9.34 грн
3000+	8.16 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FHTA

Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V

на замовлення 184462 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	31.38 грн
13+	23.64 грн
100+	14.17 грн
500+	12.32 грн
1000+	8.38 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FHTA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; 0.96W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 0.96W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

на замовлення 2869 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

16+	29.83 грн
23+	18.55 грн
100+	12.00 грн
500+	9.65 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FHTA

Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V

на замовлення 183000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.53 грн
6000+	7.88 грн
9000+	7.09 грн
30000+	6.55 грн
75000+	6.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F34FH

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F34FH

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F34FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.58 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F34FHTA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 277 pF @ 10 V

на замовлення 108000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.61 грн
6000+	8.69 грн
15000+	8.13 грн
30000+	7.00 грн
75000+	6.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F34FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F34FHTA

Description: DIODES INC. - ZXMN2F34FHTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1173 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	25.46 грн
50+	18.71 грн
100+	13.26 грн
500+	11.10 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F34FHTA

MOSFETs 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET

на замовлення 49201 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	42.71 грн
13+	25.90 грн
100+	14.36 грн
500+	10.88 грн
1000+	9.76 грн
3000+	7.95 грн
6000+	7.32 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F34FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

428+	30.18 грн
597+	21.65 грн
642+	20.13 грн
784+	15.89 грн
1107+	10.42 грн

Мінімальне замовлення: 428

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F34FHTA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 277 pF @ 10 V

на замовлення 112155 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.73 грн
12+	26.36 грн
100+	17.94 грн
500+	12.63 грн
1000+	9.47 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F34FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	41.90 грн
22+	34.91 грн
25+	32.33 грн
100+	22.37 грн
250+	19.26 грн
500+	15.13 грн
1000+	10.72 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F34MATA

Description: MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F34MATA

Description: MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2N02

на замовлення 128 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3804

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01E6

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01E6

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01E6TA

Description: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V

на замовлення 282397 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.22 грн
10+	32.93 грн
100+	22.78 грн
500+	17.87 грн
1000+	15.20 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01E6TA

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01E6TA

Description: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V

на замовлення 270000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.98 грн
6000+	13.67 грн
9000+	12.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01E6TA

MOSFETs 30V N-Chnl UMOS

на замовлення 1524 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	67.19 грн
10+	41.45 грн
100+	23.50 грн
500+	18.13 грн
1000+	16.32 грн
3000+	13.67 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01E6TC

Description: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT23-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01F

Description: DIODES INC. - ZXMN3A01F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2724 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	54.74 грн
50+	40.43 грн
100+	28.31 грн
500+	18.13 грн
1500+	14.92 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01F

на замовлення 4876 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.15 грн
500+	22.89 грн
1500+	19.31 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01F

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 72000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.23 грн
6000+	11.00 грн
9000+	10.84 грн
15000+	10.30 грн
30000+	9.27 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01FTA

Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V

на замовлення 507000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.88 грн
6000+	8.72 грн
9000+	8.50 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01FTA

MOSFETs 30V N-Chnl UMOS

на замовлення 717 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	55.96 грн
10+	37.28 грн
100+	21.82 грн
500+	15.69 грн
1000+	13.53 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 72000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.51 грн
6000+	12.63 грн
15000+	11.76 грн
30000+	10.40 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 516 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

445+	29.07 грн

Мінімальне замовлення: 445

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01FTA

Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V

на замовлення 508393 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	38.44 грн
12+	27.12 грн
100+	19.09 грн
500+	13.64 грн
1000+	12.26 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 516 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	38.25 грн
24+	31.46 грн
25+	31.14 грн
100+	25.02 грн
250+	22.96 грн
500+	14.42 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01FTC

Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01ZTA

Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 970mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 186 pF @ 25 V

на замовлення 13792 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	28.25 грн
100+	19.08 грн
500+	13.63 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01ZTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01ZTA

Description: DIODES INC. - ZXMN3A01ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.106 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 970mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	41.16 грн
26+	31.89 грн
100+	21.23 грн
500+	15.11 грн
1000+	11.43 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01ZTA

Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 970mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 186 pF @ 25 V

на замовлення 13000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	12.41 грн
2000+	9.91 грн
3000+	9.76 грн
5000+	8.79 грн
7000+	7.98 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01ZTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1143+	11.30 грн

Мінімальне замовлення: 1143

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01ZTA

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	21.23 грн
500+	15.11 грн
1000+	11.43 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01ZTA

MOSFETs 30V N-Ch ENH Mode 120mOhm 10VGS 3.3A

на замовлення 1824 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	51.73 грн
11+	31.11 грн
100+	17.71 грн
500+	13.53 грн
1000+	11.71 грн
2000+	10.04 грн
5000+	8.99 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A02N8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A02N8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A02N8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A02N8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A02N8TA

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A02X8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A02X8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	48.22 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A02X8TA

Description: DIODES INC. - ZXMN3A02X8TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.025 ohm, MSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: MSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	59.30 грн
500+	53.63 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A02X8TA

на замовлення 780 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A02X8TA

на замовлення 988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	109.81 грн
10+	84.60 грн
100+	59.30 грн
500+	53.63 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A02X8TA

MOSFETs 30V N Chnl UMOS

на замовлення 13642 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	124.46 грн
10+	79.30 грн
100+	50.97 грн
500+	45.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A02X8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	109.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A02X8TC

Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A03E6

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A03E6

Description: DIODES INC. - ZXMN3A03E6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2582 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.81 грн
500+	24.32 грн
1000+	21.20 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A03E6

на замовлення 2582 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	80.53 грн
15+	57.59 грн
100+	41.57 грн
500+	31.95 грн
1000+	27.05 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A03E6

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A03E6TA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A03E6TA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1927 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

307+	30.03 грн
500+	27.53 грн
1000+	26.07 грн

Мінімальне замовлення: 307

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A03E6TA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V

на замовлення 37420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	81.58 грн
10+	53.25 грн
100+	35.17 грн
500+	25.68 грн
1000+	23.32 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A03E6TA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1927 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

461+	28.02 грн

Мінімальне замовлення: 461

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A03E6TA

MOSFETs 30V N Chnl UMOS

на замовлення 20954 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.07 грн
10+	52.68 грн
100+	20.85 грн
500+	19.10 грн
1000+	18.62 грн
3000+	17.22 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A03E6TA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.49 грн
6000+	20.05 грн
9000+	19.80 грн
15000+	18.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A03E6TA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A03E6TC

Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04D

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04DN8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.81W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 23886 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	171.00 грн
10+	103.93 грн
100+	70.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04DN8TA

MOSFETs Dl 30V N-Chnl UMOS

на замовлення 930 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	131.78 грн
10+	105.04 грн
100+	64.84 грн
250+	64.70 грн
500+	50.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04DN8TA

Description: DIODES INC. - ZXMN3A04DN8TA - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.15W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.15W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 485 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	178.96 грн
10+	115.51 грн
100+	79.31 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04DN8TA

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.81W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 23500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	53.03 грн
1000+	48.81 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04DN8TA

Description: DIODES INC. - ZXMN3A04DN8TA - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.15W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.15W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 485 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	79.31 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04DN8TC

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04DN8TC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04K

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04KTC

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04KTC

Description: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	56.25 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04KTC

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04KTC

MOSFET N-Ch 30 Volt 18.4A

на замовлення 1549 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	159.43 грн
10+	141.92 грн
100+	99.01 грн
500+	81.58 грн
1000+	67.49 грн
2500+	62.54 грн
10000+	58.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04KTC

Description: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	188.25 грн
10+	117.38 грн
100+	80.83 грн
500+	62.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A05N8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A06D

на замовлення 367 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A06DN8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A06DN8TA

Dual N-Channel 30 V 0.035 Ohm Power MOSFET ZXMN3A06DN8TA DIODES TZXMN3a06dn8
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 8 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	59.00 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A06DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	51.64 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A06DN8TA

MOSFETs Dl 30V N-Chnl UMOS

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	103.31 грн
10+	68.32 грн
100+	48.53 грн
500+	33.47 грн
1000+	32.77 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A06DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 514 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.42 грн
10+	77.20 грн
100+	60.20 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A06DN8TC

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A06N8TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A13FTA

на замовлення 1503 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14F

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14F

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14FPBF

на замовлення 700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14FQTA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V

на замовлення 2975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.83 грн
10+	49.55 грн
100+	38.00 грн
500+	28.19 грн
1000+	22.56 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14FQTA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14FQTA

MOSFET MOSFET BVDSS 25V-30V

на замовлення 19671 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	56.62 грн
10+	48.99 грн
100+	32.70 грн
500+	25.80 грн
1000+	20.64 грн
3000+	19.59 грн
9000+	17.57 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14FTA

Description: DIODES INC. - ZXMN3A14FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.048 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2931 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	41.73 грн
21+	38.96 грн
100+	25.87 грн
500+	20.55 грн
1000+	17.64 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14FTA

MOSFETs N Channel

на замовлення 42565 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	32.86 грн
15+	22.37 грн
100+	16.94 грн
3000+	12.69 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14FTA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V

на замовлення 485495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	31.38 грн
14+	21.90 грн
100+	18.29 грн
500+	16.55 грн
1000+	15.56 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 525 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

322+	40.17 грн
390+	33.17 грн
413+	31.32 грн
500+	25.07 грн

Мінімальне замовлення: 322

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14FTA

SOT23 08+

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 525 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	49.96 грн
17+	44.65 грн
25+	43.04 грн
100+	34.27 грн
250+	29.96 грн
500+	23.88 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14FTA

на замовлення 2931 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.87 грн
500+	20.55 грн
1000+	17.64 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14FTA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V

на замовлення 483000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.91 грн
6000+	14.29 грн
9000+	14.15 грн
15000+	12.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3AM832

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3AM832TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3AM832TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3AM832TA

2004

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3AM832TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP

на замовлення 3169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3AMCTA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3AMCTA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 41 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.75 грн
10+	52.19 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3AMCTA

MOSFET 30V DUAL N-CH ENH 20V VGS 3.7 IDS

на замовлення 625 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B01F

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.40 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B01FTA

Description: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.93 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 15 V

на замовлення 538991 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.22 грн
10+	32.25 грн
100+	22.43 грн
500+	16.44 грн
1000+	13.36 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B01FTA

MOSFETs 30V N Chnl UMOS

на замовлення 4572 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	49.46 грн
10+	35.60 грн
100+	21.54 грн
500+	16.32 грн
1000+	13.60 грн
3000+	11.16 грн
6000+	10.88 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.99 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B01FTA

Description: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.93 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 15 V

на замовлення 537000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.22 грн
6000+	12.08 грн
9000+	11.22 грн
30000+	10.28 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B01FTC

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B04N8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B04N8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 15 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	45.11 грн
1000+	35.39 грн
2500+	33.31 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B04N8TA

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B04N8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 15 V

на замовлення 2697 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.15 грн
10+	65.87 грн
100+	51.25 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B04N8TA

MOSFETs 30V N-Chnl UMOS

на замовлення 672 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	107.37 грн
10+	71.68 грн
100+	44.41 грн
500+	33.33 грн
1000+	29.70 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B04N8TAPBF

на замовлення 467 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B04N8TC

Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B14F

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B14F

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B14FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B14FTA

Description: DIODES INC. - ZXMN3B14FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.9 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1561 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	48.64 грн
50+	38.15 грн
100+	28.39 грн
500+	22.81 грн
1500+	19.10 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B14FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B14FTA

Description: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 568 pF @ 15 V

на замовлення 137439 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.69 грн
10+	35.58 грн
100+	24.43 грн
500+	18.16 грн
1000+	16.58 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B14FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.24 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B14FTA

на замовлення 1561 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.39 грн
500+	22.81 грн
1500+	19.10 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B14FTA

Description: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 568 pF @ 15 V

на замовлення 135000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.12 грн
6000+	14.42 грн
9000+	14.29 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B14FTA

MOSFETs 30V N Chnl UMOS

на замовлення 64731 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	93.55 грн
10+	68.23 грн
3000+	59.33 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B14FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3F30FH

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3F30FHTA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 318 pF @ 15 V

на замовлення 366000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.07 грн
6000+	8.60 грн
9000+	8.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.27 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.11 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3F30FHTA

Description: DIODES INC. - ZXMN3F30FHTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.047 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	45.06 грн
50+	27.01 грн
100+	18.63 грн
500+	14.35 грн
1500+	10.18 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

435+	29.69 грн
578+	22.36 грн
729+	17.73 грн
1000+	13.38 грн
3000+	10.64 грн
6000+	9.43 грн

Мінімальне замовлення: 435

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3F30FHTA

MOSFETs 30V N-Channel Enhance. Mode MOSFET

на замовлення 14677 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	35.71 грн
18+	18.84 грн
100+	14.22 грн
500+	8.37 грн
1000+	8.16 грн
3000+	7.95 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3147 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	41.90 грн
22+	33.70 грн
25+	33.46 грн
100+	24.41 грн
250+	22.36 грн
500+	17.12 грн
1000+	13.84 грн
3000+	11.23 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3F30FHTA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 318 pF @ 15 V

на замовлення 366845 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	36.08 грн
15+	21.15 грн
100+	15.85 грн
500+	11.12 грн
1000+	9.73 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	38.58 грн
24+	31.81 грн
100+	23.96 грн
500+	18.31 грн
1000+	13.28 грн
3000+	10.94 грн
6000+	10.10 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.44 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3147 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

414+	31.23 грн
547+	23.63 грн
553+	23.37 грн
693+	17.97 грн
1000+	13.45 грн
3000+	10.48 грн

Мінімальне замовлення: 414

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3F30FHTA

на замовлення 3890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	19.77 грн
500+	11.10 грн
1500+	10.04 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3F30FHTA KNA

Trans MOSFET N-CH 30V 4.6A Automotive 3-Pin SOT-23 ZXMN3F30FHTA TZXMN3f30fhta
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 480 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	9.22 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3F318DN8

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3F31DN8

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3F31DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 15500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	30.69 грн
1000+	26.86 грн
1500+	25.48 грн
2500+	22.46 грн
3500+	21.61 грн
5000+	20.77 грн
12500+	19.32 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3F31DN8TA

MOSFETs 30V Dual N-channel Enhance. Mode MOSFET

на замовлення 634 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.36 грн
10+	58.21 грн
100+	33.54 грн
500+	25.52 грн
1000+	22.03 грн
2500+	20.71 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3F31DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 10669 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	94.13 грн
10+	57.10 грн
100+	37.65 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3F31DN8TA

на замовлення 15774 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	94.91 грн
10+	57.41 грн
100+	37.93 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3G32DN8

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3G32DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 472pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 64279 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	94.91 грн
10+	57.41 грн
100+	37.93 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3G32DN8TA

MOSFET N-CHAN 30V 8SOIC DUAL аналог AO4812 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3G32DN8TA

MOSFETs 30V Dual N-Channel Enhance. Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3G32DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 472pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 64000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	30.69 грн
1000+	26.86 грн
1500+	25.48 грн
2500+	22.46 грн
3500+	21.61 грн
5000+	20.77 грн
12500+	19.32 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3G32DN8TA

на замовлення 63509 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	94.13 грн
10+	57.10 грн
100+	37.65 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3G32DN8TC

09+

на замовлення 484 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN4A06GQTA

Trans MOSFET N-CH 40V 5A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN4A06GQTA

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V SOT223 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 746 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN4A06GQTA

MOSFET MOSFET BVDSS: 31V 40V SOT223 T&R 1K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN4A06GTA

MOSFET N-CH 40V 5A SOT223 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN4A06GTA

Trans MOSFET N-CH 40V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	31.28 грн
2000+	30.67 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN4A06GTA

Description: DIODES INC. - ZXMN4A06GTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 40 V, 7 A, 0.05 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 1666 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	50.92 грн
500+	44.04 грн
1000+	37.65 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN4A06GTA

Description: MOSFET N-CH 40V 5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 40 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	28.87 грн
2000+	25.48 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN4A06GTA

Trans MOSFET N-CH 40V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	33.23 грн
2000+	32.59 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN4A06GTA

Trans MOSFET N-CH 40V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

242+	38.07 грн
250+	37.69 грн
500+	32.76 грн

Мінімальне замовлення: 242

В кошику од. на суму грн.

ZXMN4A06GTA

N-MOSFET 40V 7A ZXMN4A06GTA DIODES TZXMN4a06g
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 80 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	45.78 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

ZXMN4A06GTA

Trans MOSFET N-CH 40V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	30.36 грн
2000+	26.42 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN4A06GTA

MOSFETs 40V N-Chnl UMOS

на замовлення 28711 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	68.82 грн
10+	55.17 грн
100+	34.44 грн
500+	26.29 грн
1000+	24.26 грн
2000+	22.10 грн
5000+	21.41 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ZXMN4A06GTA

на замовлення 1632 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	72.88 грн
16+	52.87 грн
100+	49.70 грн
500+	43.21 грн
1000+	37.09 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

ZXMN4A06GTA

Trans MOSFET N-CH 40V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 31000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	26.65 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN4A06GTA

Trans MOSFET N-CH 40V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN4A06GTA

Description: MOSFET N-CH 40V 5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 40 V

на замовлення 3441 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.26 грн
10+	59.14 грн
100+	39.13 грн
500+	28.68 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN4A06GTA

Trans MOSFET N-CH 40V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	32.52 грн
2000+	28.30 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN4A06GTA

Trans MOSFET N-CH 40V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

364+	35.53 грн

Мінімальне замовлення: 364

В кошику од. на суму грн.

ZXMN4A06K

07+ DPAK

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN4A06K

Description: DIODES INC. - ZXMN4A06K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 7.2 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 1922 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	178.14 грн
10+	117.95 грн
100+	82.97 грн
500+	61.94 грн
1000+	52.15 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ZXMN4A06KTC

Description: MOSFET N-CH 40V 7.2A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 20 V

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.77 грн
10+	69.57 грн
100+	47.81 грн
500+	39.65 грн
1000+	36.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN4A06KTC

MOSFETs 40V 10.9A N-CHANNEL MOSFET

на замовлення 2863 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	93.55 грн
10+	73.13 грн
100+	43.65 грн
500+	37.93 грн
1000+	36.60 грн
2500+	31.10 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN4A06KTC

MOSFET N-CHAN 40V 10.9A DPAK

на замовлення 6 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

3+	134.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMN4A06KTC

Description: MOSFET N-CH 40V 7.2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 20 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	35.11 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMN4A06KTC

Trans MOSFET N-CH 40V 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN53BM832TA

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN60A11D

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN61P02F

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN62P03E6TA

на замовлення 1300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A07F

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A07FQTA

Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A07FQTA

Description: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1605 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.57 грн
11+	28.48 грн
100+	18.27 грн
500+	13.03 грн
1000+	11.71 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A07FQTA

Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 729000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.42 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A07FQTA

Description: DIODES INC. - ZXMN6A07FQTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.4 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2620 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	23.02 грн
500+	16.62 грн
1000+	10.67 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A07FQTA

Description: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A07FQTA

Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2523000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.72 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A07FQTA

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23 T&R 3K

на замовлення 2359 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	46.37 грн
10+	34.32 грн
100+	20.43 грн
500+	15.55 грн
1000+	13.53 грн
3000+	11.02 грн
9000+	9.97 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A07FQTA

Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2523000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.27 грн
6000+	13.03 грн
9000+	10.80 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A07FQTA

на замовлення 2620 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	44.17 грн
23+	36.69 грн
100+	23.02 грн
500+	16.62 грн
1000+	10.67 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A07FTA

Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.84 грн
9000+	12.34 грн
15000+	11.62 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A07FTA

Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1742 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

411+	19.05 грн
1000+	16.65 грн

Мінімальне замовлення: 411

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A07FTA

Description: DIODES INC. - ZXMN6A07FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.4 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 470405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.38 грн
500+	16.47 грн
1500+	13.74 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A07FTA

Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 117000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.93 грн
6000+	12.85 грн
9000+	12.41 грн
15000+	8.34 грн
21000+	7.64 грн
30000+	7.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A07FTA

MOSFETs 60V N-Chnl UMOS

на замовлення 91297 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.11 грн
11+	29.27 грн
100+	17.50 грн
500+	13.60 грн
1000+	11.85 грн
3000+	10.32 грн
9000+	9.76 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A07FTA

Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A07FTA

Description: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V

на замовлення 5397 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	49.42 грн
11+	29.61 грн
100+	19.06 грн
500+	13.62 грн
1000+	12.24 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A07FTA

Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 117000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.02 грн
6000+	13.88 грн
9000+	13.55 грн
15000+	12.30 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A07FTA

Description: DIODES INC. - ZXMN6A07FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.4 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 470405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	61.90 грн
50+	36.36 грн
100+	25.38 грн
500+	16.47 грн
1500+	13.74 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A07FTA

Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 162000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.69 грн
9000+	12.20 грн
15000+	11.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A07FTA

Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 162000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.85 грн
9000+	11.38 грн
15000+	10.72 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A07FTA

SOT-23-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A07FTA

Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1742 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

727+	17.78 грн
1000+	15.54 грн

Мінімальне замовлення: 727

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A07FTA

Description: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A07FTA 7N6

Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 350mOhm; 1,4A; 806mW; -55°C ~ 150°C; ZXMN6A07FTA TZXMN6a07f
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	15.26 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A07FTA/7N6

09+

на замовлення 75018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A07FTA\7N6

SOT-23

на замовлення 75100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A07FTC

Description: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A07Z
Код товару: 121258

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A07Z

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 735 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

461+	28.00 грн

Мінімальне замовлення: 461

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	19.69 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A07ZTA

Description: MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V

на замовлення 9425 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	49.42 грн
10+	34.14 грн
100+	23.85 грн
500+	18.31 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A07ZTA

Description: DIODES INC. - ZXMN6A07ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.25 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	75.57 грн
18+	47.34 грн
50+	40.67 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	21.05 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	20.19 грн
2000+	18.81 грн
3000+	18.75 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A07ZTA

Description: MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	17.16 грн
2000+	14.61 грн
3000+	14.11 грн
5000+	13.04 грн
7000+	12.55 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A07ZTA

Description: DIODES INC. - ZXMN6A07ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.25 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2015 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	34.33 грн
200+	25.68 грн
500+	19.24 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	21.63 грн
2000+	20.15 грн
3000+	20.09 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 735 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	30.00 грн
500+	18.00 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A07ZTA

MOSFETs 60V N-Chnl UMOS

на замовлення 8853 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	50.35 грн
10+	35.68 грн
100+	21.20 грн
500+	18.06 грн
1000+	14.99 грн
2000+	13.25 грн
5000+	13.04 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08E6

Description: DIODES INC. - ZXMN6A08E6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 3949 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	43.28 грн
500+	32.10 грн
1000+	27.05 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08E6

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08E6

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08E6

Description: DIODES INC. - ZXMN6A08E6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 3949 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	99.24 грн
14+	62.55 грн
100+	43.28 грн
500+	32.10 грн
1000+	27.05 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08E6QTA

Description: DIODES INC. - ZXMN6A08E6QTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.067 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2953 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	79.72 грн
14+	58.73 грн
100+	39.05 грн
500+	26.29 грн
1000+	22.94 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08E6QTA

MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 80mOhm

на замовлення 2946 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.92 грн
10+	55.49 грн
100+	32.98 грн
500+	26.15 грн
1000+	23.78 грн
3000+	20.08 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08E6QTA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.5A; Idm: 16A; 1.7W; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT26
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08E6QTA

Trans MOSFET N-CH 60V 2.8A Automotive 6-Pin SOT-26

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08E6QTA

Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08E6QTA

на замовлення 2953 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	39.05 грн
500+	26.29 грн
1000+	22.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08E6QTA

Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4468 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.99 грн
10+	55.06 грн
100+	36.44 грн
500+	26.68 грн
1000+	24.26 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08E6TA

Trans MOSFET N-CH 60V 2.8A 6-Pin SOT-26 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08E6TA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08E6TA

на замовлення 316 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08E6TA
Код товару: 124448

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08E6TA

на замовлення 1277 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	85.50 грн
10+	51.44 грн
100+	33.95 грн
500+	24.79 грн
1000+	22.51 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08E6TA

MOSFETs 60V N-Chnl UMOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08E6TA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.5A; 1.1W; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT26
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08E6TA 6A8

N-MOSFET 60V 2.8A ZXMN6A08E6TA DIODES TZXMN6a08e6
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 98 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

30+	20.41 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08E6TAO

на замовлення 2924 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08E6TAPBF

на замовлення 1300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08E6TC

Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08G

07+ SOT223

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08GQTA

Description: DIODES INC. - ZXMN6A08GQTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.17 грн
500+	33.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08GQTA

MOSFETs MOSFET BVDSS 41V 60V

на замовлення 1003 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.61 грн
10+	60.70 грн
100+	35.00 грн
500+	28.03 грн
1000+	24.89 грн
2000+	21.13 грн
5000+	19.94 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08GQTA

Description: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1095 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	94.91 грн
10+	57.56 грн
100+	38.14 грн
500+	27.99 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08GQTA

Trans MOSFET N-CH 60V 3.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08GQTA

Description: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	27.34 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08GQTA

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	100.87 грн
13+	63.86 грн
100+	44.17 грн
500+	33.16 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08GQTC

Description: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08GQTC

Trans MOSFET N-CH 60V 3.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	25.46 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08GQTC

Trans MOSFET N-CH 60V 3.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 32000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	30.86 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08GQTC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08GQTC

Trans MOSFET N-CH 60V 3.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08GQTC

MOSFETs MOSFET BVDSS 41V 60V

на замовлення 1395 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.61 грн
10+	60.70 грн
100+	35.00 грн
500+	27.61 грн
1000+	24.96 грн
2000+	22.87 грн
4000+	22.24 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08GTA

Description: DIODES INC. - ZXMN6A08GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.08 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	70.85 грн
16+	50.92 грн
100+	33.35 грн
500+	23.94 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08GTA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.8A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08GTA

Trans MOSFET N-CH 60V 3.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	25.62 грн
2000+	25.42 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08GTA

Description: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V

на замовлення 6931 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.20 грн
10+	54.54 грн
100+	35.98 грн
500+	26.28 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08GTA

на замовлення 890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	33.35 грн
500+	23.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08GTA

MOSFETs 60V 3.8A N-Channel MOSFET

на замовлення 7714 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.45 грн
10+	43.30 грн
100+	25.10 грн
500+	19.87 грн
1000+	17.36 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08GTA

Trans MOSFET N-CH 60V 3.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	24.10 грн
2000+	23.91 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08GTA

Description: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	26.42 грн
2000+	23.28 грн
3000+	22.18 грн
5000+	19.65 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08GTA

Trans MOSFET N-CH 60V 3.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08KTC

MOSFETs 60V N-Channel MOSFET 20V VGS 24.3A IDM

на замовлення 4078 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	63.69 грн
10+	41.86 грн
100+	24.19 грн
500+	20.01 грн
1000+	18.13 грн
2500+	13.81 грн
5000+	13.67 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08KTC

Description: DIODES INC. - ZXMN6A08KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.36 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.12W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 1659 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	51.73 грн
19+	43.68 грн
100+	30.10 грн
500+	23.94 грн
1000+	19.80 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08KTC

Description: MOSFET N-CH 60V 5.36A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V

на замовлення 7516 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.16 грн
10+	43.13 грн
100+	28.18 грн
500+	20.43 грн
1000+	18.49 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08KTC

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08KTC

на замовлення 1659 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	30.10 грн
500+	23.94 грн
1000+	19.80 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08KTC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5.36A; 2.12W; TO252/DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5.36A
Power dissipation: 2.12W
Case: TO252/DPAK
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.8nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08KTC

Trans MOSFET N-CH 60V 5.36A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A08KTC

Description: MOSFET N-CH 60V 5.36A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	17.60 грн
5000+	15.60 грн
7500+	14.92 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A09D

на замовлення 398 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A09DN8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A09DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 5500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	62.97 грн
1000+	55.91 грн
1500+	53.50 грн
2500+	48.21 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A09DN8TA

SOP8

на замовлення 3922 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A09DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 5897 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	181.98 грн
10+	113.15 грн
100+	77.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ZXMN6A09DN8TA