Продукція > ZXM

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM41N10FTA

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM41N10FTA

SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM41N10FTA

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM41N10FTA

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM41N10FTA

07+ SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM41N10FTC

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM6

на замовлення 11670 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02F

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02F

Description: DIODES INC. - ZXM61N02F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	22.38 грн
500+	15.85 грн
1500+	14.11 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02F

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02F

на замовлення 2351 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	42.32 грн
50+	29.78 грн
100+	21.08 грн
500+	16.09 грн
1500+	13.14 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.94 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2226 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

7+	45.98 грн
11+	28.92 грн
100+	17.47 грн
150+	16.21 грн
500+	13.49 грн
750+	12.81 грн
1000+	12.42 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.02 грн
9000+	7.18 грн
18000+	6.70 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 930mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V

на замовлення 57215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	45.35 грн
12+	27.17 грн
100+	17.39 грн
500+	12.34 грн
1000+	11.06 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

496+	20.33 грн
500+	15.41 грн
1000+	13.66 грн

Мінімальне замовлення: 496

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTA
Код товару: 127179

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTA

на замовлення 2226 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	38.32 грн
18+	23.21 грн
100+	14.56 грн
150+	13.50 грн
500+	11.24 грн
750+	10.67 грн
1000+	10.35 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTA

MOSFETs 20V N-Chnl HDMOS

на замовлення 34972 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	50.81 грн
13+	29.73 грн
100+	17.23 грн
500+	13.28 грн
1000+	12.11 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.50 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 930mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V

на замовлення 57000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.79 грн
6000+	12.10 грн
9000+	7.70 грн
15000+	6.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTA N02

Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 240mOhm; 1,7A; 806mW; -55°C ~ 150°C; ZXM61N02FTA TZXM61n02f
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 169 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	6.18 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTA/P02

на замовлення 1747 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTC

Description: DIODES INC. - ZXM61N02FTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 9795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	44.85 грн
26+	34.57 грн
100+	23.60 грн
500+	17.31 грн
1000+	13.06 грн
5000+	11.94 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTC

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	13.06 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTC

Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 930mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	12.05 грн
20000+	11.20 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTC

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	11.28 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTC

MOSFETs 20V N Chnl HDMOS

на замовлення 84592 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	43.66 грн
11+	33.21 грн
100+	19.80 грн
500+	17.31 грн
1000+	13.35 грн
5000+	12.65 грн
10000+	10.87 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTC

на замовлення 9795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	23.60 грн
500+	17.31 грн
1000+	13.06 грн
5000+	11.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTC

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	12.06 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTC

Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 930mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V

на замовлення 49781 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	40.31 грн
11+	30.16 грн
100+	20.60 грн
500+	16.09 грн
1000+	13.05 грн
2000+	12.86 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTC

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTC

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03F

MOSFETs Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03F

Description: DIODES INC. - ZXM61N03F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4066 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	55.48 грн
50+	39.02 грн
100+	27.61 грн
500+	21.19 грн
1500+	17.17 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03F

на замовлення 4621 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	17.85 грн
500+	16.01 грн
1500+	14.48 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03F

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.48 грн
6000+	8.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.1A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 3852 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

20+	15.68 грн
27+	11.49 грн
100+	9.90 грн
500+	9.80 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.73 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.42 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTA

Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V

на замовлення 66000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.16 грн
6000+	10.72 грн
9000+	10.22 грн
15000+	9.06 грн
21000+	8.75 грн
30000+	8.60 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTA
Код товару: 72846

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.42 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.68 грн
6000+	8.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTA

на замовлення 3852 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

34+	13.06 грн
44+	9.22 грн
100+	8.25 грн
500+	8.17 грн

Мінімальне замовлення: 34

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTA

Diodes Inc./Zetex

N-CH SOT-23

на замовлення 2190 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.73 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTA

MOSFETs 30V N-Chnl HDMOS

на замовлення 45337 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

17+	21.56 грн
23+	15.98 грн
100+	11.96 грн
250+	11.80 грн
500+	11.10 грн
1000+	10.09 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTA

N-MOSFET 30V 1.4A 220mΩ 625mW ZXM61N03FTA Diodes Inc TZXM61N03FTA
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 290 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	10.08 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 315000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTA

Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V

на замовлення 67669 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	53.75 грн
11+	32.02 грн
100+	20.57 грн
500+	14.70 грн
1000+	13.22 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTC

Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTR

на замовлення 1850 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03GTA

на замовлення 31000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03TFA

на замовлення 1960 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02F

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02F

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02F

SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02F

Description: DIODES INC. - ZXM61P02F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 6946 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	52.17 грн
50+	36.75 грн
100+	25.95 грн
500+	19.89 грн
1500+	16.20 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02F

07+ SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02F

на замовлення 7536 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	17.33 грн
500+	15.69 грн
1500+	14.26 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02F

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02FTA

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.7A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -700mA
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

на замовлення 2089 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

20+	21.77 грн
29+	14.39 грн
75+	11.16 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02FTA

Description: MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.61 грн
6000+	8.44 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02FTA

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.40 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02FTA

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02FTA

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 513000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.17 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02FTA

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1393 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

735+	10.29 грн

Мінімальне замовлення: 735

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02FTA

Description: MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V

на замовлення 9215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.67 грн
13+	25.88 грн
100+	16.57 грн
500+	11.74 грн
1000+	10.52 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02FTA

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1393 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1296+	9.60 грн

Мінімальне замовлення: 1296

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02FTA

MOSFETs 20V P-Chnl HDMOS

на замовлення 147753 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	29.35 грн
19+	19.55 грн
100+	8.46 грн
1000+	8.38 грн
3000+	7.14 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02FTA

на замовлення 2089 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

12+	26.13 грн
17+	17.94 грн
75+	13.39 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02FTA/P

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02FTC

Description: MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P03F

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P03F

Description: DIODES INC. - ZXM61P03F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.35 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 13374 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	24.38 грн
500+	17.22 грн
1500+	14.26 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P03F

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P03F

на замовлення 13374 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	45.11 грн
50+	28.04 грн
100+	24.38 грн
500+	17.22 грн
1500+	14.26 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P03FTA

MOSFETs 30V P-Chnl HDMOS

на замовлення 19217 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	31.97 грн
19+	19.55 грн
100+	13.59 грн
1000+	12.42 грн
3000+	12.03 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P03FTA

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.9A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.9A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 73 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

12+	28.22 грн
16+	18.95 грн
100+	13.49 грн
500+	10.97 грн
750+	10.29 грн
1000+	10.00 грн
1500+	9.51 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P03FTA

Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P03FTA

Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V

на замовлення 612692 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	31.07 грн
18+	18.60 грн
100+	14.85 грн
500+	13.32 грн
1000+	12.06 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P03FTA

Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P03FTA

на замовлення 73 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

19+	23.51 грн
27+	15.20 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P03FTA

Diodes Inc./Zetex

P-CH SOT-23

на замовлення 2590 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P03FTA

Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P03FTA

Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 550mOhm; 1,1A; 806mW; -55°C ~ 150°C; ZXM61P03FTA TZXM61p03f
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 48 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	11.37 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P03FTA

Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V

на замовлення 612000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.31 грн
6000+	8.45 грн
9000+	8.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P03FTA
Код товару: 72847

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

1+	40.00 грн
10+	6.90 грн
100+	6.00 грн

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P03FTA

Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 73 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

73+	13.18 грн

Мінімальне замовлення: 73

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P03FTA-P03

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P03FTC

Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM62M02E6

на замовлення 19892 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62N02E6

07+ SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62N02E6

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62N02E6

SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62N02E6TA

MOSFET 20V N-Chnl HDMOS

на замовлення 2515 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62N02E6TAPBF

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62N03E6

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62N03E6TA

на замовлення 26100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62N03E6TA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-23-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM62N03E6TAPBF

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62N03G

07+ SOT223

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62N03G

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62N03G

SOT223

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62N03GTA

MOSFET 30V N-Chnl HDMOS

на замовлення 152 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62N03GTA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A/4.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM62N03GTA

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62N03GTA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A/4.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM62N03GTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P02E6

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P02E6T

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P02E6TA

Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V

на замовлення 88362 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	55.43 грн
10+	46.09 грн
100+	31.95 грн
500+	25.05 грн
1000+	21.32 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P02E6TA

03/04+ SOT23-6

на замовлення 21100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P02E6TA

Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V

на замовлення 84000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.04 грн
6000+	18.11 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P02E6TA

Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.28 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P02E6TA

MOSFETs 20V P-Chnl HDMOS

на замовлення 7260 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.19 грн
10+	58.66 грн
100+	31.21 грн
500+	25.46 грн
1000+	23.06 грн
3000+	19.18 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P02E6TAPBF

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03E6

07+ SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03E6

Description: DIODES INC. - ZXM62P03E6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.6 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1607 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	80.82 грн
500+	54.83 грн
1500+	49.57 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03E6

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03E6

SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03E6

на замовлення 1414 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	106.25 грн
50+	92.31 грн
100+	64.18 грн
500+	49.81 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03E6TA

Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 6-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.83 грн
6000+	17.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03E6TA

Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V

на замовлення 13539 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	55.43 грн
10+	46.09 грн
100+	31.95 грн
500+	25.05 грн
1000+	21.32 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03E6TA

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.625W; SOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

на замовлення 795 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	53.99 грн
10+	43.26 грн
100+	31.38 грн
500+	24.75 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03E6TA

на замовлення 795 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

5+	64.79 грн
10+	53.91 грн
100+	37.65 грн
500+	29.69 грн
1000+	26.98 грн
3000+	26.78 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03E6TA

MOSFETs 30V P-Chnl HDMOS

на замовлення 6506 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	61.50 грн
10+	52.76 грн
100+	31.75 грн
500+	26.55 грн
1000+	22.59 грн
3000+	20.57 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03E6TA

Description: DIODES INC. - ZXM62P03E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.15 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2972 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	69.93 грн
18+	49.38 грн
100+	34.05 грн
500+	25.23 грн
1000+	23.22 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03E6TA

Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.70 грн
6000+	19.31 грн
9000+	18.50 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03E6TA

на замовлення 2972 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	34.05 грн
500+	25.23 грн
1000+	23.22 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03E6TC

Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 6-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03E6TC

Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03E6TC

MOSFET 30V P Chnl HDMOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03G

SOT223

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03G

07+ SOT223

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03GTA

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03GTA

Description: MOSFET P-CH 30V 2.9A SOT223

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM63C02

2004

на замовлення 744 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM63C02X8

на замовлення 700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM63C02XTA

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM63C03

2004

на замовлення 811 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM63C03XTA

на замовлення 2600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM63N02

на замовлення 102 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM63N02E6TA

Diodes Inc.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM63N02E6TA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM63N02XTA

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM63N03XTA

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM63P02

на замовлення 2380 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM63P02E6TA

2004

на замовлення 429 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM63P02XTA

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM63P03XTA

на замовлення 320 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N02

на замовлення 648 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N02X

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N02X

MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N02X

07+ MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N02XTA

Description: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-MSOP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N02XTA

MOSFET 20V P-Chnl HDMOS

на замовлення 1321 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N02XTA

05+

на замовлення 77 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N02XTA

TSSOP8

на замовлення 14694 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N02XTA

Description: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-MSOP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N02XTA

09+

на замовлення 3681 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N02XTC

Description: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N035

02+ TO-220

на замовлення 134 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N035G

07+ SOT223

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N035G

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N035G

SOT223

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N035GT

на замовлення 1100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N035GTA

Description: MOSFET N-CH 35V 6.7A SOT223

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N035GTA

SOT223

на замовлення 23790 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N035GTA

Description: MOSFET N-CH 35V 6.7A SOT223

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N035GTA12A/35V

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N035L3

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N035L3

Description: MOSFET N-CH 35V 13A TO-220-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N035L3

TO-220 02 29

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N03X

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N03X

MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N03X

07+ MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N03XTA

на замовлення 441 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N03XTA

Description: MOSFET N-CH 30V 5A 8-MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N03XTC

Description: MOSFET N-CH 30V 5A 8MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N03XTR-ND

2004

на замовлення 446 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P02X

07+ MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P02X

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P02X

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P02X

MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P02X

05+ SOP

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P02XTA

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-Pin MSOP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P02XTA

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 15 V

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	46.32 грн
2000+	41.18 грн
3000+	39.43 грн
5000+	35.88 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P02XTA

MOSFETs 20V P-Chnl HDMOS

на замовлення 3823 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	81.70 грн
10+	68.83 грн
100+	42.78 грн
500+	39.59 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P02XTA

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 15 V

на замовлення 9645 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	102.45 грн
10+	80.95 грн
100+	62.95 грн
500+	50.07 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P02XTC

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P035

на замовлення 1366 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P035G

SOT223

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P035G

07+ SOT223

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P035G

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P035GT

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P035GTA

Description: MOSFET P-CH 35V 3.8A SOT223

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P035GTA

SOT223

на замовлення 5990 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P035GTA

Description: MOSFET P-CH 35V 3.8A SOT223

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P035GTA12A/35V

на замовлення 6200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P035L3

Description: MOSFET P-CH 35V 12A TO-220-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P035L3

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P03X

Description: DIODES INC. - ZXM64P03X - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.075 ohm, MSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 620 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	137.60 грн
10+	103.64 грн
100+	75.16 грн
500+	59.68 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P03X

MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P03X

MOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P03X

07+ MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P03X

на замовлення 620 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	75.16 грн
500+	59.60 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P03X

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P03XTA

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	58.12 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P03XTA

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	41.42 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P03XTA

Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V

на замовлення 7884 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.53 грн
10+	88.79 грн
100+	69.06 грн
500+	54.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P03XTA

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	47.88 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P03XTA

Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	50.06 грн
2000+	44.57 грн
3000+	42.71 грн
5000+	39.37 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P03XTA

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P03XTA

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P03XTA

MOSFETs 30V P Chnl HDMOS

на замовлення 4242 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	139.48 грн
10+	100.88 грн
100+	62.11 грн
500+	49.45 грн
1000+	40.29 грн
2000+	40.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P03XTC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P03XTR-ND

2004

на замовлення 679 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM66N02

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM66N02

09+ SO-8

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM66N02N8TA

Description: MOSFET N-CH 20V 9A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM66N03

09+ SO-8

на замовлення 2580 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM66N03

на замовлення 1615 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM66N03N8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM66P02

SO-8

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM66P02N8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM66P02N8

на замовлення 2152 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM66P02N8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM66P02N8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM66P02N8TA

Description: MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2068 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM66P02N8TA

Trans MOSFET P-CH 20V 6.4A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM66P02N8TA

MOSFET 20V P-Chnl HDMOS

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM66P02N8TA

на замовлення 694 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM66P02N8TA

Description: MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2068 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM66P02N8TC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM66P02N8TC

Trans MOSFET P-CH 20V 6.4A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM66P03

на замовлення 65 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM66P03

09+ SO-8

на замовлення 1291 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM66P03

на замовлення 291 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM66P03N8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM66P03N8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM66P03N8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM66P03N8TA

Description: MOSFET P-CH 30V 6.25A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1979 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM66P03N8TA

Description: MOSFET P-CH 30V 6.25A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1979 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC10A816DN8TC

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC10A816N8

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC10A816N8TA

100V COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC10A816N8TA

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC10A816N8TA

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	30.83 грн
5000+	30.00 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

на замовлення 313 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

248+	39.79 грн

Мінімальне замовлення: 248

В кошику од. на суму грн.

ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	35.01 грн
5000+	34.08 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMC10A816N8TC

Description: DIODES INC. - ZXMC10A816N8TC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.1 A, 2.1 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	50.42 грн
500+	39.71 грн
1000+	29.19 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMC10A816N8TC

Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497pF @ 50V, 717pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 2814 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.53 грн
10+	68.25 грн
100+	45.47 грн
500+	33.50 грн
1000+	30.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	32.74 грн
5000+	31.87 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMC10A816N8TC
Код товару: 184010

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

на замовлення 313 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC10A816N8TC

MOSFETs 100V COMPLEMENTARY DUAL ENHANCEMNT MODE

на замовлення 7705 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	120.46 грн
10+	74.19 грн
25+	63.81 грн
100+	42.54 грн
250+	42.47 грн
500+	34.16 грн
1000+	31.21 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMC10A816N8TC

Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497pF @ 50V, 717pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	29.37 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	23.82 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	33.03 грн
5000+	32.15 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMC10A816N8TC

Description: DIODES INC. - ZXMC10A816N8TC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.1 A, 2.1 A, 0.23 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.235ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.23ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 327 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	127.15 грн
11+	79.69 грн
100+	51.99 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16

03+ SMD8

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16DN8

09+

на замовлення 34 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16DN8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16DN8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16DN8QTA

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 T&R 0.5K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16DN8QTA

MOSFET BVDSS, 25V to 30V SO-8 0.5K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, 4.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 44075 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	53.50 грн
1000+	47.22 грн
1500+	45.03 грн
2500+	39.95 грн
3500+	38.59 грн
5000+	38.23 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, 4.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 44290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	156.20 грн
10+	96.07 грн
100+	64.87 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16DN8TA

MOSFETs N and P Channel

на замовлення 1354 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	155.78 грн
10+	98.21 грн
100+	57.53 грн
500+	38.82 грн
1000+	36.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16DN8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16DN8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	42.08 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16DN8TC

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	44.21 грн
5000+	40.73 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16DN8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16DN8TC

MOSFETs Cmp 30V NP Ch UMOS

на замовлення 3242 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	155.78 грн
10+	98.21 грн
100+	57.53 грн
500+	45.73 грн
1000+	42.15 грн
2500+	36.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16DN8TC

на замовлення 22877 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	156.20 грн
10+	96.07 грн
100+	64.87 грн
500+	48.34 грн
1000+	44.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A17

на замовлення 75 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A17DN8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A17DN8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A17DN8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A17DN8TA

Description: DIODES INC. - ZXMC3A17DN8TA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.4 A, 4.4 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 363 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	46.90 грн
250+	42.40 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A17DN8TA

MOSFETs 30V Enhancement Mode

на замовлення 908 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	120.46 грн
10+	74.99 грн
100+	43.47 грн
500+	33.07 грн
1000+	28.65 грн
2500+	28.03 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A17DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 14756 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	120.93 грн
10+	73.59 грн
100+	49.00 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A17DN8TA

на замовлення 168 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	128.02 грн
11+	80.82 грн
50+	67.32 грн
100+	49.98 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A17DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3.4A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A17DN8TA

ZXMC3A17DN8TA Multi channel transistors

на замовлення 85 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	102.10 грн
23+	51.24 грн
62+	48.52 грн
1000+	48.37 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A17DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 14500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	39.95 грн
1000+	35.08 грн
1500+	33.35 грн
2500+	29.48 грн
3500+	28.40 грн
5000+	27.35 грн
12500+	26.32 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A17DN8TC

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A18

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A18DN8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A18DN8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A18DN8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A18DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A18DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3AM832

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3AM832TA

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3AM832TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3AM832TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP

на замовлення 563 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3AM832TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3AMCTA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Part Status: Active

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3AMCTA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8-Pin DFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3AMCTA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8-Pin DFN EP T/R

на замовлення 1026 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3AMCTA

Description: DIODES INC. - ZXMC3AMCTA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.45W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN3020B
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.45W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	39.45 грн
500+	31.38 грн
1000+	27.84 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3AMCTA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8-Pin DFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3AMCTA

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	89.70 грн
14+	66.71 грн
100+	39.45 грн
500+	31.38 грн
1000+	27.84 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3AMCTA

MOSFETs 30V COMP ENH MODE 20V VGS 3.7 IDS

на замовлення 12431 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	100.53 грн
10+	69.46 грн
100+	38.20 грн
250+	32.30 грн
500+	28.96 грн
1000+	28.80 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3AMCTA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Part Status: Active

на замовлення 18690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.53 грн
10+	68.41 грн
100+	36.42 грн
500+	29.72 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3AMCTA

ZXMC3AMCTA Multi channel transistors

на замовлення 2931 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	133.04 грн
31+	37.94 грн
84+	35.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3F31DN8

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3F31DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 23000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	27.96 грн
1000+	24.40 грн
1500+	23.11 грн
2500+	20.33 грн
3500+	19.52 грн
5000+	18.74 грн
12500+	16.92 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3F31DN8TA

ZXMC3F31DN8TA Multi channel transistors

на замовлення 444 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	93.95 грн
39+	29.40 грн
108+	27.75 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3F31DN8TA

MOSFETs 30V S08 Dual MOSFET 20V VBR 4.5V Gate

на замовлення 3722 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	59.42 грн
10+	48.30 грн
100+	28.88 грн
500+	20.42 грн
1000+	18.63 грн
2500+	18.17 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3F31DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 23500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	88.18 грн
10+	52.97 грн
100+	34.76 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559

SO-8

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	34.46 грн
1000+	31.50 грн
2000+	29.31 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8TA

MOSFETs Comp. 60V NP-Chnl

на замовлення 4117 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	142.20 грн
10+	89.10 грн
100+	45.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V, 1021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	35.51 грн
1000+	33.44 грн
2500+	25.42 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	94.36 грн
10+	86.09 грн
25+	85.23 грн
100+	67.08 грн
250+	42.15 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8TA

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 3.6/-2.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 137 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	134.81 грн
10+	87.77 грн
25+	69.97 грн
100+	53.47 грн
250+	45.90 грн
500+	41.44 грн
1000+	37.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V, 1021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 158 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	131.85 грн
10+	80.63 грн
100+	54.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

155+	80.35 грн
157+	79.55 грн
192+	64.93 грн
283+	42.48 грн

Мінімальне замовлення: 155

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8TA

на замовлення 137 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	112.34 грн
10+	70.44 грн
25+	58.31 грн
100+	44.56 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	23.19 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	54.41 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8TC

Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8TC

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 3.9/-4.7A
Power dissipation: 2.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.055/0.85Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 1480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1480+	34.30 грн

Мінімальне замовлення: 1480

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8TC

MOSFETs 60V TRENCH MOSFET 20V VGS P-Channel

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	148.54 грн
10+	130.35 грн
100+	95.49 грн
500+	86.95 грн
1000+	76.78 грн
2500+	50.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8TC

Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4A16DN8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4A16DN8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4A16DN8TA

MOSFET 40V N/P-Channel Enhancement MOSFET

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

на замовлення 2946 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

на замовлення 2946 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4A16DN8TC

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC6A07T8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC6A09DN8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC6A09DN8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC6A09DN8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC6A09DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC6A09DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V, 1580pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC6A09DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC6A09DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V, 1580pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 182 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	146.12 грн
10+	117.10 грн
100+	93.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMC6A09DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R

на замовлення 590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

76+	163.78 грн
84+	148.83 грн
85+	147.34 грн
102+	118.37 грн
250+	108.51 грн
500+	87.61 грн

Мінімальне замовлення: 76

В кошику од. на суму грн.

ZXMC6A09DN8TA

MOSFETs Comp. 60V NP-Chnl

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC6A09DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R

на замовлення 590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	175.47 грн
10+	159.46 грн
25+	157.86 грн
100+	126.82 грн
250+	116.26 грн
500+	93.87 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ZXMC6A09DN8TA

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.045/0.055Ω
Power dissipation: 2.1W
Drain current: 4.8/-5.1A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63C02X

MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63C02X

07+ MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63C02XTA

Description: MOSFET N+P 20V 1.7A 8-MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63C02XTA

Description: MOSFET N/P-CH 20V 8-MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63C02XTA

09+

на замовлення 15018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63C02XTA

Description: MOSFET N/P-CH 20V 8-MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63C02XTA

MSOP

на замовлення 15100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63C02XTC

Description: MOSFET N/P-CH 20V 8MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63C03X

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63C03X

MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63C03X

07+ MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63C03XTA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP

на замовлення 13602000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63C03XTA

MOSFET 30V N&P Chnl HDMOS

на замовлення 1305 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63C03XTA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63C03XTA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP

на замовлення 13603000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63C03XTA

на замовлення 2600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63C03XTC

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63N02X

2004

на замовлення 1894 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63N02X

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63N02X

MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63N02XTA

MOSFET Dual 20V N Chl HDMOS

на замовлення 695 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63N02XTA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP

на замовлення 483345000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63N02XTA

на замовлення 14000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63N02XTA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP

на замовлення 483345000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63N02XTA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 8-Pin MSOP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63N02XTA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP

на замовлення 400045000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63N02XTC

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63N03X

07+ MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63N03X

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63N03X

MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63N03XTA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	88.48 грн
2000+	79.33 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63N03XTA

MOSFET Dual 30V N Chl HDMOS

на замовлення 944 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63N03XTA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP

на замовлення 4715 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	180.55 грн
10+	155.75 грн
100+	125.17 грн
500+	96.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63N03XTC

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63N03XTC

на замовлення 6500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63P02X

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63P02X

MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63P02X

07+ MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63P02XTA

Description: MOSFET 2P-CH 20V 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.25nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63P02XTA

Trans MOSFET P-CH 20V 1.7A 8-Pin MSOP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63P02XTA

MOSFET Dual 20V P Chl HDMOS

на замовлення 843 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63P02XTA

SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63P02XTA

07+ SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63P02XTC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63P03X

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63P03X

MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63P03X

07+ MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63P03XTA

Description: MOSFET 2P-CH 30V 8-MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63P03XTA

MOSFET Dual 30V P Chl HDMOS

на замовлення 1530 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63P03XTA

TSSOP8

на замовлення 3351 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63P03XTC

Description: MOSFET 2P-CH 30V 8MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65N02

09+ SO-8

на замовлення 1149 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65N02

на замовлення 149 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65N02N8TA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65N03

09+ SO-8

на замовлення 1073 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65N03

на замовлення 73 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65N03N8

на замовлення 5200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65N03N8TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65P02

на замовлення 275 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65P02

на замовлення 250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65P02

09+ SO-8

на замовлення 1275 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65P02N8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65P02N8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65P02N8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65P02N8TA

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65P02N8TA

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65P02N8TA

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65P02N8TA

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65P02N8TC

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65P03

на замовлення 1793 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65P03

09+ SO-8

на замовлення 2793 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65P03N8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65P03N8TA

Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.8A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 0.8A/0.68A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V 0.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA, 680mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 59286 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	134.36 грн
10+	81.43 грн
100+	53.15 грн
500+	39.50 грн
1000+	37.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 0.8A/0.68A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07N8TC

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 100/-100V; 0.9/-0.7A; 0.87W
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 0.9/-0.7A
Power dissipation: 0.87W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9/1.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2058 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	89.88 грн
10+	72.46 грн
50+	59.00 грн
100+	54.25 грн
500+	52.01 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07N8TC

MOSFETs Mosfet H-Bridge 100/-100 1.1/-0.9

на замовлення 23143 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	135.86 грн
10+	89.10 грн
100+	51.78 грн
500+	40.91 грн
1000+	37.50 грн
2500+	32.22 грн
5000+	31.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 0.8A/0.68A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07N8TC

на замовлення 2058 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	74.90 грн
10+	58.14 грн
50+	49.17 грн
100+	45.21 грн
500+	43.35 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V 0.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA, 680mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 57500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	36.14 грн
5000+	32.66 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07N8TC

Diodes INC.

Транзистор польовий 2N+2P; Udss, В = 100; Id = 800 мА; Ciss, пФ @ Uds, В = 138 @ 60; Qg, нКл = 2,9 @ 10 В; Rds = 700 мОм @ 1,5 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 0,87; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; Id2 = 680 мА; SOICN-8

на замовлення 5 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07T8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07T8

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07T8

SM-8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07T8

07+ SM-8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07T8TA

Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V SM8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A, 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8

на замовлення 14602 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	199.03 грн
10+	123.65 грн
100+	84.91 грн
500+	64.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07T8TA

MOSFETs 100V 1.4A N-Channel MOSFET H-Bridge

на замовлення 1085 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	209.22 грн
10+	133.92 грн
100+	79.96 грн
500+	64.51 грн
1000+	55.04 грн
2000+	54.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 100V 1A/0.8A 8-Pin SM8 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07T8TA

Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A, 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8

на замовлення 14000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	63.49 грн
2000+	56.80 грн
3000+	56.21 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 100V 1A/0.8A 8-Pin SM8 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01N8

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01N8DICT

Diodes Inc./Zetex

MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC

на замовлення 2 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01N8TA

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.17A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A, 1.64A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 52500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	31.14 грн
5000+	27.85 грн
7500+	27.50 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.17A/1.64A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.17A/1.64A 8-Pin SO T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	32.33 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.17A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A, 1.64A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 54962 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	117.57 грн
10+	69.63 грн
100+	43.42 грн
500+	34.60 грн
1000+	32.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01N8TC

MOSFETs Mosfet H-Bridge 30/-30V 2.7/-2.1A

на замовлення 29715 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	88.76 грн
10+	60.53 грн
100+	35.09 грн
500+	31.75 грн
1000+	30.67 грн
2500+	27.40 грн
5000+	27.33 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.17A/1.64A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01N8TC

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01T8

07+ SM-8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01T8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01T8

SM-8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R

на замовлення 1080 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	100.27 грн
10+	90.83 грн
25+	90.35 грн
100+	77.19 грн
250+	70.70 грн
500+	61.25 грн
1000+	56.39 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01T8TA
Код товару: 163888

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01T8TA

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8
Part Status: Active

на замовлення 29000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	58.77 грн
2000+	52.51 грн
3000+	51.32 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R

на замовлення 1080 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

133+	93.59 грн
147+	84.77 грн
148+	84.33 грн
167+	72.05 грн
250+	65.99 грн
500+	57.16 грн
1000+	52.63 грн

Мінімальне замовлення: 133

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01T8TA

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	64.87 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01T8TA

MOSFETs 30/30V 3.1/2.3A N & P Channel

на замовлення 3645 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	146.73 грн
10+	104.46 грн
100+	67.54 грн
250+	67.15 грн
500+	58.38 грн
1000+	55.43 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	60.55 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01T8TA

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8
Part Status: Active

на замовлення 30169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	186.43 грн
10+	111.27 грн
100+	76.31 грн
500+	59.40 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3F381N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.98A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.98A, 3.36A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430pF @ 15V, 670pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 84538 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	117.57 грн
10+	71.89 грн
100+	47.99 грн
500+	35.44 грн
1000+	32.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3F381N8TC

MOSFETs MOSFET H-BRIDGE SOP-8L

на замовлення 9031 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	124.08 грн
10+	79.10 грн
100+	45.96 грн
500+	36.10 грн
1000+	32.99 грн
2500+	28.65 грн
5000+	27.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3F381N8TC

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 30/-30V; 3.98/-3.36A; 0.87W
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3.98/-3.36A
Power dissipation: 0.87W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
Pulsed drain current: 22.9...-19.6A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3F381N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.98A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.98A, 3.36A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430pF @ 15V, 670pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 82500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	31.14 грн
5000+	27.85 грн
7500+	27.50 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3F381N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.98A/3.36A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3F381N8TC

Description: DIODES INC. - ZXMHC3F381N8TC - Dual-MOSFET, H-Brücke, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.98 A, 3.98 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.98A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 870mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 870mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1535 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	58.44 грн
500+	44.88 грн
1000+	37.85 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3F381N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.98A/3.36A 8-Pin SO T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	33.69 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3F381N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.98A/3.36A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3F381N8TC

на замовлення 1535 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	134.99 грн
50+	86.83 грн
100+	58.44 грн
500+	44.88 грн
1000+	37.85 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07N8

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	43.94 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07N8TC

Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07N8TC - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.39 A, 1.39 A
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 870mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 870mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5214 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	48.25 грн
500+	33.96 грн
1000+	28.59 грн
5000+	26.87 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.39A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 289923 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	126.81 грн
10+	76.34 грн
100+	50.32 грн
500+	37.95 грн
1000+	34.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	34.34 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07N8TC

MOSFETs Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A

на замовлення 42870 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	115.03 грн
10+	73.21 грн
100+	43.71 грн
500+	35.40 грн
1000+	32.45 грн
2500+	30.04 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	36.64 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.39A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 287500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	34.37 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	41.01 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07N8TC

на замовлення 5214 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	106.25 грн
13+	68.54 грн
100+	48.25 грн
500+	33.96 грн
1000+	28.59 грн
5000+	26.87 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07N8TC

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 1.8/-1.4A
Power dissipation: 1.36W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 250/400mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.2/5.1nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R

на замовлення 95000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	36.56 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07N8TC

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07T8

SM-8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07T8

07+ SM-8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07T8

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07T8TA

Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07T8TA - Dual-MOSFET, H-Brücke, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.8 A, 1.8 A, 1.5 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 848 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	232.53 грн
10+	150.66 грн
50+	127.15 грн
200+	95.42 грн
500+	70.54 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07T8TA

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 60/-60V; 1.4/-1.2A; 1.3W
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 1.4/-1.2A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT223-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge

на замовлення 2738 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	156.76 грн
10+	94.62 грн
50+	74.40 грн
100+	73.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07T8TA

Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.6A SM8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A, 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 233pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8

на замовлення 23190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	183.07 грн
10+	113.38 грн
100+	77.56 грн
500+	58.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	63.51 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07T8TA

MOSFETs 60V UMOS H-Bridge

на замовлення 1212 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	196.54 грн
10+	124.99 грн
100+	74.76 грн
500+	60.71 грн
1000+	54.19 грн
2000+	50.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07T8TA

на замовлення 2738 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	188.11 грн
10+	117.91 грн
50+	89.28 грн
100+	88.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07T8TA

Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.6A SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A, 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 233pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8

на замовлення 23000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	57.74 грн
2000+	51.58 грн
3000+	50.42 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R

на замовлення 38000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	59.85 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07T8TA

на замовлення 948 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	127.15 грн
200+	95.42 грн
500+	70.54 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	65.94 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	67.78 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMHN6A07T8

07+ SM-8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMHN6A07T8

SM-8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMHN6A07T8TA

MOSFETs 60V 1.6A N-Channel MOSFET H-Bridge

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHN6A07T8TA

Trans MOSFET N-CH 60V 1.6A 8-Pin SM8 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHN6A07T8TA

Description: MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN

на замовлення 13870 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN0545FFTA

Description: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN0545FFTA

Description: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN0545FFTA

Description: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN0545G4

07+ SOT223

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN0545G4

SOT223

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN0545G4TA

Trans MOSFET N-CH 450V 0.14A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 1114 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	107.80 грн
10+	95.53 грн
25+	69.73 грн
100+	66.56 грн
250+	45.82 грн
500+	43.54 грн
1000+	43.43 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXMN0545G4TA

на замовлення 11000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN0545G4TA

Description: MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN0545G4TA

Trans MOSFET N-CH 450V 0.14A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN0545G4TA

MOSFET 450V 140mA N-Channel Enhancement MOSFET

на замовлення 5004 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN0545G4TA

Description: MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN0545GTA

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07F

Description: DIODES INC. - ZXMN10A07F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 640 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 640mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	30.92 грн
500+	20.14 грн
1500+	16.80 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07F

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07F

на замовлення 4280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	69.76 грн
50+	45.72 грн
100+	30.92 грн
500+	20.14 грн
1500+	16.80 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

ZXMN10A07F SMD N channel transistors

на замовлення 4 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	78.38 грн
76+	15.25 грн
207+	14.42 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.33 грн
6000+	7.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.75 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V

на замовлення 1227227 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	51.23 грн
11+	30.73 грн
100+	19.76 грн
500+	14.10 грн
1000+	12.66 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

Description: DIODES INC. - ZXMN10A07FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 800 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5069 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	23.69 грн
500+	16.25 грн
1500+	12.99 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.55 грн
6000+	9.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	48.76 грн
21+	34.39 грн
100+	24.38 грн
250+	23.34 грн
500+	16.31 грн
1000+	13.23 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

на замовлення 35800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.13 грн
6000+	8.22 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 213000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.33 грн
6000+	9.12 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V

на замовлення 1227000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.63 грн
6000+	10.25 грн
9000+	9.77 грн
15000+	8.66 грн
21000+	8.35 грн
30000+	8.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

Description: DIODES INC. - ZXMN10A07FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 800 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5069 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	46.33 грн
50+	32.92 грн
100+	23.69 грн
500+	16.25 грн
1500+	12.99 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

ZXMN10A07FTA SMD N channel transistors

на замовлення 1995 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

7+	47.97 грн
75+	15.33 грн
206+	14.56 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

388+	32.10 грн
547+	22.76 грн
551+	22.59 грн
730+	16.44 грн
1000+	12.86 грн

Мінімальне замовлення: 388

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 213000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.13 грн
6000+	9.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

MOSFETs 100V N-Chnl UMOS

на замовлення 27392 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	45.65 грн
12+	32.05 грн
100+	19.80 грн
500+	15.06 грн
1000+	13.04 грн
3000+	10.17 грн
6000+	9.55 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.29 грн
6000+	9.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1788000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTC

Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07Z

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	20.87 грн
2000+	18.87 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 3002 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

277+	44.99 грн
371+	33.60 грн
374+	33.28 грн
500+	25.11 грн
1000+	17.83 грн
3000+	15.46 грн

Мінімальне замовлення: 277

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07ZTA

Description: MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V

на замовлення 43000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	13.51 грн
2000+	12.66 грн
3000+	12.62 грн
5000+	11.76 грн
7000+	11.10 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	14.14 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07ZTA

MOSFETs 100V N-Chnl UMOS

на замовлення 25973 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	55.34 грн
11+	34.73 грн
100+	20.73 грн
500+	17.23 грн
1000+	12.03 грн
2000+	11.96 грн
5000+	11.80 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	14.22 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07ZTA

ZXMN10A07ZTA SMD N channel transistors

на замовлення 1659 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

6+	60.51 грн
54+	21.45 грн
147+	20.28 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	20.98 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07ZTA

Description: MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V

на замовлення 43123 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	52.07 грн
11+	31.94 грн
100+	21.92 грн
500+	17.95 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08

на замовлення 459 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08DN8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08DN8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08DN8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08DN8TA

MOSFETs 100V 2.1A N-Channel Enhancement MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 82006 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	108.33 грн
10+	65.34 грн
100+	43.26 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08DN8TA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	78.01 грн
11+	70.39 грн
100+	56.20 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08DN8TA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08DN8TA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 81500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	35.09 грн
1000+	30.74 грн
1500+	29.19 грн
2500+	25.76 грн
3500+	24.79 грн
5000+	23.84 грн
12500+	22.43 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08DN8TA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08DN8TA

Transistor 2xN-Channel MOSFET; 100V; 20V; 300mOhm; 2,1A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; ZXMN10A08DN8TA TZXMN10a08dn8
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	28.62 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08DN8TA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08DN8TC

Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6QTA

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-26 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6QTA

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V SOT26 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6QTA

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6TA

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6TA

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R

на замовлення 5139 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	38.82 грн
20+	36.32 грн
25+	35.96 грн
100+	28.97 грн
250+	26.63 грн
500+	21.42 грн
1000+	20.09 грн
3000+	18.76 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6TA

Description: DIODES INC. - ZXMN10A08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1267 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	29.00 грн
500+	25.39 грн
1000+	22.10 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6TA

Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V

на замовлення 61538 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.18 грн
10+	40.43 грн
100+	26.31 грн
500+	18.98 грн
1000+	17.13 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6TA

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6TA

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R

на замовлення 5139 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

367+	33.90 грн
371+	33.56 грн
444+	28.04 грн
447+	26.85 грн
534+	20.82 грн
1000+	18.75 грн
3000+	17.51 грн

Мінімальне замовлення: 367

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6TA

на замовлення 1267 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	60.70 грн
23+	38.58 грн
100+	29.00 грн
500+	25.39 грн
1000+	22.10 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6TA

MOSFETs 100V N-Chnl UMOS

на замовлення 10824 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	58.69 грн
10+	38.75 грн
100+	26.01 грн
500+	20.26 грн
1000+	18.17 грн
3000+	15.22 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6TA

Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.88 грн
6000+	14.07 грн
9000+	13.45 грн
15000+	11.96 грн
21000+	11.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6TA

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6TA-50

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6TA-50

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6TC

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6TC

MOSFETs 100V N-Chnl UMOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6TC

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6TC

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6TC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08GT

на замовлення 20500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08GTA

MOSFETs 100V N-Channel 2A MOSFET

на замовлення 12700 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	68.47 грн
10+	45.44 грн
100+	25.85 грн
500+	22.36 грн
1000+	19.64 грн
2000+	17.86 грн
5000+	17.78 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08GTA

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08GTA

Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V

на замовлення 107000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	23.48 грн
2000+	20.84 грн
3000+	19.93 грн
5000+	17.74 грн
7000+	17.70 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08GTA

Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V

на замовлення 108013 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.86 грн
10+	54.02 грн
100+	35.47 грн
500+	25.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08T6TA

на замовлення 2525 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A09K

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A09K

DPAK

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A09K

07+ DPAK

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A09KTC

Description: MOSFET N-CH 100V 5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1313 pF @ 50 V

на замовлення 3323 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	183.07 грн
10+	113.38 грн
100+	77.56 грн
500+	58.41 грн
1000+	57.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A09KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A09KTC

Description: MOSFET N-CH 100V 5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1313 pF @ 50 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	52.37 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A09KTC

MOSFETs MOSFET N-CH 100V

на замовлення 2514 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	176.61 грн
10+	120.53 грн
100+	74.14 грн
500+	59.47 грн
1000+	58.07 грн
2500+	50.15 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A09KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A09KTC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.1A; 4.31W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: TO252
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 4.31W
Drain current: 7.1A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A09KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2255 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	83.09 грн
10+	79.41 грн
100+	71.94 грн
500+	63.70 грн
1000+	52.93 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11G

Description: DIODES INC. - ZXMN10A11G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 1920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	68.80 грн
17+	53.73 грн
100+	31.96 грн
500+	27.41 грн
1000+	23.07 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11G

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11G

Description: DIODES INC. - ZXMN10A11G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 3.9
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 1290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	42.32 грн
500+	31.05 грн
1000+	28.07 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11GFTA

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	30.32 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11GTA

Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V

на замовлення 111874 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.02 грн
10+	53.62 грн
100+	35.23 грн
500+	25.63 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11GTA

MOSFETs 100V N-Chnl UMOS

на замовлення 1171 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	86.41 грн
10+	56.87 грн
100+	32.45 грн
500+	25.54 грн
1000+	22.44 грн
2000+	19.49 грн
5000+	18.55 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	28.30 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11GTA

ZXMN10A11GTA SMD N channel transistors

на замовлення 303 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	92.28 грн
39+	29.40 грн
108+	27.75 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11GTA

Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V

на замовлення 111000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	23.31 грн
2000+	20.69 грн
3000+	19.79 грн
5000+	17.61 грн
7000+	17.54 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11GTA
Код товару: 131543

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 43000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	20.14 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11GTC

Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11K

Description: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11K

Description: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11K

Description: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11KT

на замовлення 78000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11KTC

Description: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	20.68 грн
5000+	19.05 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11KTC

MOSFETs N-Chan 100V MOSFET (UMOS)

на замовлення 1287 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	88.04 грн
10+	73.74 грн
100+	51.16 грн
500+	39.52 грн
1000+	35.87 грн
2500+	20.11 грн
5000+	19.72 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25

SOT-223

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 603 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	96.96 грн
10+	87.63 грн
25+	86.72 грн
100+	66.26 грн
250+	60.79 грн
500+	48.58 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25GTA

ZXMN10A25GTA SMD N channel transistors

на замовлення 971 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	122.27 грн
20+	59.20 грн
50+	57.44 грн
53+	56.28 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25GTA

Description: DIODES INC. - ZXMN10A25GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.125 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 742 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	118.44 грн
13+	72.11 грн
100+	47.99 грн
500+	44.15 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 603 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

153+	81.79 грн
154+	80.93 грн
194+	64.13 грн
250+	61.27 грн
500+	47.23 грн

Мінімальне замовлення: 153

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25GTA

Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V

на замовлення 20480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.38 грн
10+	72.86 грн
100+	56.67 грн
500+	45.08 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25GTA

MOSFETs 100V N-Channel 2.9A MOSFET

на замовлення 3160 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	110.50 грн
10+	66.42 грн
100+	34.08 грн
500+	33.69 грн
1000+	31.36 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25GTA

на замовлення 742 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	47.99 грн
500+	44.15 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25GTA

Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	40.64 грн
2000+	36.84 грн
5000+	35.08 грн
10000+	31.41 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25K

Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25K

Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25KTC

MOSFETs N-Chan 100V MOSFET (UMOS)

на замовлення 4356 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	104.16 грн
10+	82.14 грн
100+	49.37 грн
500+	43.32 грн
1000+	40.52 грн
2500+	34.39 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25KTC

Description: DIODES INC. - ZXMN10A25KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.4 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 309 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	61.83 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25KTC

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	35.51 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25KTC

на замовлення 309 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	111.47 грн
10+	88.83 грн
100+	61.83 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25KTC

на замовлення 78000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25KTC

на замовлення 7009 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	98.25 грн
10+	75.21 грн
100+	52.02 грн
500+	42.26 грн
1000+	39.28 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10B08E6

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10B08E6

09+ SOP

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10B08E6QTA

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10B08E6QTA

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V 100V SOT26 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10B08E6QTA

ZXMN10B08E6QTA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10B08E6TA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 6-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10B08E6TA

MOSFETs 100V N-Chnl UMOS

на замовлення 3717 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.09 грн
10+	49.46 грн
100+	29.66 грн
500+	23.68 грн
1000+	21.66 грн
3000+	20.81 грн
6000+	20.73 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10B08E6TA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 6-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.20 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10B08E6TA

Description: DIODES INC. - ZXMN10B08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.23 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 8504 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	49.47 грн
50+	41.80 грн
100+	34.14 грн
500+	23.13 грн
1500+	20.90 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10B08E6TA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.5A; 1.1W; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 280 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	79.42 грн
10+	55.63 грн
25+	44.54 грн
50+	38.62 грн
100+	33.77 грн
500+	26.69 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10B08E6TA

Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497 pF @ 50 V

на замовлення 12583 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	84.82 грн
10+	51.43 грн
100+	33.78 грн
500+	24.60 грн
1000+	22.31 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10B08E6TA

на замовлення 280 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	66.19 грн
10+	44.64 грн
25+	37.12 грн
50+	32.19 грн
100+	28.14 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10B08E6TA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 6-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10B08E6TA

на замовлення 8504 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	34.14 грн
500+	23.13 грн
1500+	20.90 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10B08E6TA

Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497 pF @ 50 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.82 грн
6000+	18.54 грн
9000+	17.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10B08E6TA 10B8

N-MOSFET 1.6A 100V 1.1W 0.23Ω ZXMN10B08E6 TZXMN10b08e6
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 36 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	19.32 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10B08E6TC

Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN15A27KT

на замовлення 78000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN15A27KTC

на замовлення 6070 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN15A27KTC

Description: MOSFET N-CH 150V 1.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN15A27KTC

MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 150V N-CHANNEL

на замовлення 136 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN15A27KTC

Trans MOSFET N-CH 150V 2.55A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2069FTA

Description: MOSFET N-CH SOT23-3

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2088DE6

на замовлення 123800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2088DE6TA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 6-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2088DE6TA

MOSFETs 20V DUAL SOT23-6 20V VBR MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2088DE6TA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 6-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2088DE6TA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN20B28K

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN20B28K-13

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN20B28KT

на замовлення 20500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN20B28KTC

Trans MOSFET N-CH 200V 2.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN20B28KTC

Trans MOSFET N-CH 200V 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	28.52 грн
5000+	28.24 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMN20B28KTC

Description: MOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 358 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN20B28KTC

Trans MOSFET N-CH 200V 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	23.32 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMN20B28KTC

Description: MOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 358 pF @ 25 V

на замовлення 1549 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	84.82 грн
10+	51.19 грн
100+	33.64 грн
500+	24.49 грн
1000+	22.21 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN20B28KTC

Description: DIODES INC. - ZXMN20B28KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.5 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 3290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	36.66 грн
500+	28.47 грн
1000+	22.32 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN20B28KTC

MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 200V N-CHANNEL

на замовлення 24466 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	59.96 грн
10+	48.30 грн
100+	29.03 грн
500+	24.92 грн
1000+	22.67 грн
2500+	17.39 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXMN20B28KTC

10+ SOT-23

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN20B28KTC

Trans MOSFET N-CH 200V 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN20B28KTC

на замовлення 3290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	58.17 грн
50+	47.46 грн
100+	36.66 грн
500+	28.47 грн
1000+	22.32 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

ZXMN20B28KTC-13

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01E6

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01E6

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01E6TA

Description: DIODES INC. - ZXMN2A01E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.12 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	33.44 грн
30+	29.26 грн
100+	20.38 грн
500+	18.44 грн
1000+	16.57 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01E6TA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 6-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01E6TA

Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V

на замовлення 1633 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	48.71 грн
10+	41.08 грн
100+	31.47 грн
500+	23.35 грн
1000+	18.68 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01E6TA

на замовлення 967 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01E6TA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 6-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01E6TA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 6-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 7266 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

47+	15.21 грн

Мінімальне замовлення: 47

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01E6TA

Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01E6TA

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	20.38 грн
500+	18.44 грн
1000+	16.57 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01E6TA

MOSFETs 20V N-Chnl UMOS

на замовлення 4133 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	35.87 грн
14+	25.71 грн
100+	17.31 грн
500+	13.43 грн
1000+	13.28 грн
3000+	13.20 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01E6TC

Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01F

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01F

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V

на замовлення 159870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	45.35 грн
12+	27.17 грн
100+	17.39 грн
500+	12.34 грн
1000+	11.06 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.78 грн
6000+	9.26 грн
9000+	9.17 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01FTA

Description: DIODES INC. - ZXMN2A01FTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 8155 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	45.63 грн
50+	27.26 грн
100+	13.59 грн
500+	12.45 грн
1500+	10.90 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 189000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V

на замовлення 159000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.13 грн
6000+	8.90 грн
9000+	8.47 грн
15000+	7.49 грн
21000+	7.22 грн
30000+	6.96 грн
75000+	6.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01FTA

ZXMN2A01FTA SMD N channel transistors

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

7+	47.24 грн
132+	8.64 грн
363+	8.25 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.07 грн
6000+	8.64 грн
9000+	8.56 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

137+	16.70 грн

Мінімальне замовлення: 137

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01FTA

на замовлення 8155 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	13.59 грн
500+	12.45 грн
1500+	10.90 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01FTA

MOSFETs 20V N-Chnl UMOS

на замовлення 9767 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	44.83 грн
12+	31.25 грн
100+	17.70 грн
500+	13.20 грн
1000+	11.80 грн
3000+	10.48 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01FTA 7N2

Trans MOSFET N-CH 20V 2.2A Automotive 3-Pin SOT-23 ZXMN2A01FTA TZXMN2a01fta
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

200+	4.74 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01FTC

Description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A02

на замовлення 938 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A02F

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A02N8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A02N8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A02N8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A02N8TA

Description: MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A02N8TA

MOSFET 20V N Chnl UMOS

на замовлення 416 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A02N8TA

Trans MOSFET N-CH 20V 10.2A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A02N8TA

Description: MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC

на замовлення 749 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A02X8

07+ MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A02X8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A02X8

MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A02X8TA

Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A02X8TA

Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A02X8TA

на замовлення 2080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A02X8TA

Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

на замовлення 93 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A02X8TC

Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A03

на замовлення 1126 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A03E6

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A03E6TA

MOSFETs N Channel

на замовлення 1764 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	70.74 грн
10+	60.08 грн
100+	35.71 грн
500+	28.34 грн
1000+	25.31 грн
3000+	22.75 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A03E6TA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 837 pF @ 10 V

на замовлення 18409 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	65.50 грн
10+	54.02 грн
100+	37.41 грн
500+	29.33 грн
1000+	24.97 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A03E6TA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 837 pF @ 10 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.60 грн
6000+	22.45 грн
9000+	20.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A03E6TA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A Automotive 6-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A03E6TC

Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 837 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A04D

на замовлення 21 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A04D

09+ SO-8

на замовлення 1021 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A04DN8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A04DN8TA

Trans MOSFET N-CH 20V 7.7A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	80.28 грн
11+	68.23 грн
100+	65.76 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A04DN8TA

SOP 08+PBF

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A04DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 12579 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	152.84 грн
10+	121.95 грн
100+	97.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A04DN8TA

Trans MOSFET N-CH 20V 7.7A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A04DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	85.30 грн
1000+	69.70 грн
2500+	66.21 грн
5000+	59.80 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A04DN8TA

Trans MOSFET N-CH 20V 7.7A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A04DN8TA

MOSFETs Dl 20V N-Chnl UMOS

на замовлення 494 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	158.50 грн
10+	130.35 грн
100+	90.05 грн
500+	67.15 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A04DN8TC

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A14F

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A14F

TOSHIBA

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A14FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2696 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	45.07 грн
19+	39.30 грн
25+	38.90 грн
100+	29.32 грн
250+	26.89 грн
500+	21.11 грн
1000+	16.69 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A14FTA

MOSFETs N Channel

на замовлення 74263 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	49.91 грн
10+	35.71 грн
100+	20.81 грн
500+	15.53 грн
1000+	14.28 грн
3000+	13.20 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A14FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 10 V

на замовлення 66000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.62 грн
6000+	12.94 грн
9000+	12.35 грн
15000+	10.98 грн
21000+	10.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A14FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2696 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

343+	36.31 грн
439+	28.38 грн
443+	28.11 грн
541+	22.17 грн
1000+	16.23 грн

Мінімальне замовлення: 343

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A14FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A14FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A14FTA

N-MOSFET 20V 3.4A ZXMN2A14FTA DIODES TZXMN2a14f
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	6.77 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A14FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 10 V

на замовлення 66824 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	62.98 грн
10+	37.68 грн
100+	24.40 грн
500+	17.54 грн
1000+	15.81 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2AM832

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2AM832TA

на замовлення 746 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2AM832TA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2AM832TA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP

на замовлення 3401 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2AMCTA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.9A 8-Pin DFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2AMCTA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 299pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2AMCTA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 299pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2AMCTA

MOSFET 20V DUAL N-CH ENH 12V VGS 3.7 IDS

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2AMCTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A Automotive 8-Pin DFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	36.43 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2AN8

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B01F

Description: DIODES INC. - ZXMN2B01F - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1919 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	37.27 грн
500+	33.07 грн
1500+	29.04 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B01F

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B01F

на замовлення 853 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	50.08 грн
50+	35.88 грн
100+	25.87 грн
500+	19.89 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B01FTA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; Idm: 11.8A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 11.8A

на замовлення 2790 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	37.45 грн
19+	21.51 грн
100+	14.07 грн
200+	12.53 грн
500+	12.21 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B01FTA

MOSFETs 20V N-Channel MOSFET w/low gate drive cap

на замовлення 18309 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	47.37 грн
13+	29.28 грн
100+	16.54 грн
500+	12.65 грн
1000+	12.11 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B01FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V

на замовлення 2419 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.67 грн
13+	25.88 грн
100+	16.57 грн
500+	11.74 грн
1000+	10.52 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2022 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

498+	24.99 грн
684+	18.18 грн
690+	18.02 грн
890+	13.48 грн
1099+	10.11 грн

Мінімальне замовлення: 498

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2022 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	32.11 грн
27+	26.77 грн
100+	18.78 грн
250+	17.24 грн
500+	12.84 грн
1000+	10.40 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B01FTA

на замовлення 2790 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

7+	44.94 грн
12+	26.81 грн
100+	16.89 грн
200+	15.04 грн
500+	14.65 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B01FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B03E6

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B03E6TA

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B03E6TA

MOSFET 20V N-Ch 4.6 MOSFET w/low gate drive cap

на замовлення 8780 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B03E6TA

Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B03E6TA

Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 6-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B03E6TA

Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A Automotive 6-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B03E6TA

Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V

на замовлення 2994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	64.66 грн
10+	54.67 грн
100+	41.92 грн
500+	31.10 грн
1000+	24.88 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B14FH

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B14FH

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B14FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2668 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

220+	56.63 грн
222+	56.08 грн
291+	42.87 грн
294+	40.92 грн
500+	29.76 грн
1000+	22.70 грн

Мінімальне замовлення: 220

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B14FHTA

MOSFETs 20V N-Channel MOSFET w/low gate drive cap

на замовлення 5691 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	53.71 грн
10+	44.55 грн
100+	25.54 грн
500+	23.13 грн
1000+	21.74 грн
3000+	18.40 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B14FHTA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 872 pF @ 10 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.70 грн
6000+	23.05 грн
15000+	22.19 грн
30000+	20.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B14FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2668 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	69.16 грн
12+	60.67 грн
25+	60.08 грн
100+	44.29 грн
250+	40.60 грн
500+	30.61 грн
1000+	24.33 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B14FHTA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 872 pF @ 10 V

на замовлення 33397 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	66.34 грн
10+	56.36 грн
100+	43.19 грн
500+	32.04 грн
1000+	25.63 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B14FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FH

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FH

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FHQTA

Description: MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V

на замовлення 2970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	36.11 грн
12+	28.22 грн
100+	19.21 грн
500+	13.52 грн
1000+	10.14 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FHQTA

Description: DIODES INC. - ZXMN2F30FHQTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	39.89 грн
35+	25.34 грн
100+	12.28 грн
500+	10.67 грн
1000+	9.11 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FHQTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.90 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FHQTA

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 614 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	38.13 грн
15+	23.84 грн
100+	10.09 грн
3000+	7.45 грн
6000+	6.99 грн
9000+	6.68 грн
24000+	6.37 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FHQTA

Description: MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FHQTA

на замовлення 2750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	12.28 грн
500+	10.67 грн
1000+	9.11 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FHQTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FHQTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FHTA

MOSFETs 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET

на замовлення 82289 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	33.51 грн
17+	22.05 грн
100+	9.63 грн
500+	7.53 грн
1000+	6.60 грн
3000+	6.37 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1776+	7.01 грн

Мінімальне замовлення: 1776

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1167+	7.51 грн

Мінімальне замовлення: 1167

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FHTA

Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V

на замовлення 184462 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.59 грн
13+	25.31 грн
100+	15.17 грн
500+	13.19 грн
1000+	8.97 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FHTA

Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 65mOhm; 4,9A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; ZXMN2F30FHTA TZXMN2f30fh
кількість в упаковці: 25 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	11.85 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.98 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.64 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FHTA

Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V

на замовлення 183000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.14 грн
6000+	8.43 грн
9000+	7.59 грн
30000+	7.02 грн
75000+	6.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FHTA

ZXMN2F30FHTA SMD N channel transistors

на замовлення 2898 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

9+	36.79 грн
94+	12.23 грн
257+	11.64 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F34FH

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F34FH

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F34FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.27 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F34FHTA

MOSFETs 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET

на замовлення 74662 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	26.45 грн
25+	14.46 грн
100+	10.17 грн
500+	7.53 грн
3000+	7.38 грн
6000+	7.14 грн
9000+	6.99 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F34FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F34FHTA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 277 pF @ 10 V

на замовлення 112155 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	36.11 грн
12+	28.22 грн
100+	19.21 грн
500+	13.52 грн
1000+	10.14 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F34FHTA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.9A; 0.95W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 0.95W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 738 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

12+	26.13 грн
17+	18.54 грн
19+	15.43 грн
50+	12.23 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F34FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

428+	29.08 грн
597+	20.86 грн
642+	19.40 грн
784+	15.31 грн
1107+	10.04 грн

Мінімальне замовлення: 428

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F34FHTA

на замовлення 738 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

20+	21.77 грн
28+	14.88 грн
32+	12.86 грн
50+	10.19 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F34FHTA

Description: DIODES INC. - ZXMN2F34FHTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1173 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	27.26 грн
50+	20.03 грн
100+	14.20 грн
500+	11.89 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F34FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	40.37 грн
22+	33.64 грн
25+	31.15 грн
100+	21.55 грн
250+	18.56 грн
500+	14.58 грн
1000+	10.32 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F34FHTA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 277 pF @ 10 V

на замовлення 108000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.29 грн
6000+	9.30 грн
15000+	8.70 грн
30000+	7.49 грн
75000+	7.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F34MATA

Description: MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F34MATA

Description: MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F34MATA

Trans MOSFET N-CH 20V 8.5A 3-Pin DFN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2N02

на замовлення 128 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3804

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01E6

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01E6

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01E6TA

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01E6TA

Description: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V

на замовлення 270000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.04 грн
6000+	14.64 грн
9000+	13.83 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01E6TA

MOSFETs 30V N-Chnl UMOS

на замовлення 9348 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	61.50 грн
10+	42.67 грн
100+	18.40 грн
500+	14.52 грн
1000+	13.20 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01E6TA

Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 6-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01E6TA

Description: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V

на замовлення 282397 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.99 грн
10+	35.26 грн
100+	24.39 грн
500+	19.13 грн
1000+	16.28 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01E6TC

Description: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT23-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01F

Description: DIODES INC. - ZXMN3A01F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4876 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	33.35 грн
500+	24.50 грн
1500+	20.68 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01F

на замовлення 2724 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	58.61 грн
50+	43.28 грн
100+	30.31 грн
500+	19.41 грн
1500+	15.97 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01F

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01FQTA

MOSFET BVDSS, 25V to 30V SOT23

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 516 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	36.86 грн
24+	30.31 грн
25+	30.01 грн
100+	24.10 грн
250+	22.12 грн
500+	13.90 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01FTA

MOSFETs 30V N-Chnl UMOS

на замовлення 75564 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	31.97 грн
16+	22.41 грн
100+	12.89 грн
500+	11.10 грн
1000+	10.56 грн
3000+	9.86 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01FTA

Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V

на замовлення 507000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.58 грн
6000+	9.33 грн
9000+	9.10 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 72000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.82 грн
6000+	10.60 грн
9000+	10.45 грн
15000+	9.93 грн
30000+	8.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01FTA

ZXMN3A01FTA SMD N channel transistors

на замовлення 4665 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

8+	42.64 грн
71+	16.21 грн
195+	15.33 грн
3000+	15.22 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 72000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.01 грн
6000+	12.17 грн
15000+	11.33 грн
30000+	10.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01FTA

Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V

на замовлення 508393 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	41.15 грн
12+	29.03 грн
100+	20.44 грн
500+	14.60 грн
1000+	13.13 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 516 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

445+	28.01 грн

Мінімальне замовлення: 445

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01FTC

Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01FTC

Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01ZTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01ZTA

Description: DIODES INC. - ZXMN3A01ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.106 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 970mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	22.73 грн
500+	16.17 грн
1000+	12.24 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01ZTA

Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 970mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 186 pF @ 25 V

на замовлення 13000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	13.29 грн
2000+	10.61 грн
3000+	10.45 грн
5000+	9.41 грн
7000+	8.54 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01ZTA

MOSFETs 30V N-Ch ENH Mode 120mOhm 10VGS 3.3A

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	34.24 грн
12+	32.14 грн
100+	19.41 грн
500+	15.06 грн
1000+	12.11 грн
2000+	10.01 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01ZTA

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	44.07 грн
26+	34.14 грн
100+	22.73 грн
500+	16.17 грн
1000+	12.24 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01ZTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1143+	10.89 грн

Мінімальне замовлення: 1143

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01ZTA

Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 970mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 186 pF @ 25 V

на замовлення 13792 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	30.24 грн
100+	20.43 грн
500+	14.59 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01ZTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A02N8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A02N8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A02N8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A02N8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A02N8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A02N8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A02N8TA

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A02X8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A02X8

MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A02X8

07+ MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A02X8TA

на замовлення 780 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A02X8TA

MOSFETs 30V N Chnl UMOS

на замовлення 13692 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	114.12 грн
10+	87.49 грн
100+	53.18 грн
500+	45.57 грн
1000+	38.66 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A02X8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	117.57 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A02X8TA

Description: DIODES INC. - ZXMN3A02X8TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.025 ohm, MSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: MSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	63.49 грн
500+	57.42 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A02X8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	51.63 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A02X8TA

на замовлення 988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	117.57 грн
10+	90.57 грн
100+	63.49 грн
500+	57.42 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A02X8TC

Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A03E6

Description: DIODES INC. - ZXMN3A03E6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2582 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	86.22 грн
15+	61.66 грн
100+	44.50 грн
500+	34.21 грн
1000+	28.96 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A03E6

на замовлення 2582 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	34.05 грн
500+	26.04 грн
1000+	22.69 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A03E6

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A03E6

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A03E6TA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A03E6TA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V

на замовлення 37420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.34 грн
10+	57.01 грн
100+	37.65 грн
500+	27.50 грн
1000+	24.97 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A03E6TA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.85 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A03E6TA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1927 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

307+	28.93 грн
500+	26.52 грн
1000+	25.12 грн

Мінімальне замовлення: 307

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A03E6TA

MOSFETs 30V N Chnl UMOS

на замовлення 20954 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	80.25 грн
10+	58.66 грн
100+	23.21 грн
500+	21.27 грн
1000+	20.73 грн
3000+	19.18 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A03E6TA

Trans MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A03E6TA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.08 грн
6000+	21.47 грн
9000+	21.20 грн
15000+	19.60 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A03E6TA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1927 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

461+	27.00 грн

Мінімальне замовлення: 461

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A03E6TC

Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04D

ZXMN

04+ SMD8

на замовлення 1120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04D

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04D

09+ SO-8

на замовлення 1109 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04D

на замовлення 109 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04DN8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04DN8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04DN8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04DN8TA

MOSFETs Dl 30V N-Chnl UMOS

на замовлення 930 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	146.73 грн
10+	116.95 грн
100+	72.20 грн
250+	72.04 грн
500+	56.44 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04DN8TA

Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.81W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 23500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	56.77 грн
1000+	52.26 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04DN8TA

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.81W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 23886 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	183.07 грн
10+	111.27 грн
100+	75.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04DN8TC

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04DN8TC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04K

07+ DPAK

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04K

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04K

DPAK

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04KTC

Description: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	60.22 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04KTC

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04KTC

MOSFET N-Ch 30 Volt 18.4A

на замовлення 1549 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	177.52 грн
10+	158.02 грн
100+	110.24 грн
500+	90.83 грн
1000+	75.15 грн
2500+	69.64 грн
10000+	65.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04KTC

Description: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	201.55 грн
10+	125.67 грн
100+	86.54 грн
500+	66.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04KTC

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A05N8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A06D

на замовлення 367 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A06DN8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A06DN8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A06DN8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A06DN8

09+

на замовлення 397 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A06DN8TA

MOSFETs Dl 30V N-Chnl UMOS

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	115.03 грн
10+	76.06 грн
100+	54.03 грн
500+	37.26 грн
1000+	36.49 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A06DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 514 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.73 грн
10+	82.65 грн
100+	64.45 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A06DN8TA

Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	38.95 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A06DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	55.29 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A06DN8TA

Dual N-Channel 30 V 0.035 Ohm Power MOSFET ZXMN3A06DN8TA DIODES TZXMN3a06dn8
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 8 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	56.85 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A06DN8TC

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A06N8TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A13FTA

на замовлення 1503 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14F

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14F

SOT23

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14F

07+ SOT23

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14F

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14FPBF

на замовлення 700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14FQTA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14FQTA

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14FQTA

MOSFET MOSFET BVDSS 25V-30V

на замовлення 19671 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	63.04 грн
10+	54.55 грн
100+	36.41 грн
500+	28.72 грн
1000+	22.98 грн
3000+	21.81 грн
9000+	19.56 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14FQTA

ZXMN3A14FQTA SMD N channel transistors

на замовлення 2748 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

6+	54.45 грн
39+	29.79 грн
106+	28.14 грн
3000+	28.12 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14FQTA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V

на замовлення 2975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	62.98 грн
10+	53.05 грн
100+	40.68 грн
500+	30.18 грн
1000+	24.15 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14FTA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V

на замовлення 485495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.59 грн
14+	23.45 грн
100+	19.58 грн
500+	17.72 грн
1000+	16.66 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14FTA

08+ SOP8

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14FTA

Description: DIODES INC. - ZXMN3A14FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.048 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2931 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	44.68 грн
21+	41.72 грн
100+	27.69 грн
500+	22.00 грн
1000+	18.89 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 525 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

322+	38.71 грн
390+	31.96 грн
413+	30.18 грн
500+	24.16 грн

Мінімальне замовлення: 322

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14FTA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V

на замовлення 483000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.97 грн
6000+	15.30 грн
9000+	15.15 грн
15000+	13.61 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 525 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	48.14 грн
17+	43.02 грн
25+	41.47 грн
100+	33.02 грн
250+	28.87 грн
500+	23.01 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14FTA

SOT23 08+

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14FTA

на замовлення 2931 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.69 грн
500+	22.00 грн
1000+	18.89 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14FTA

MOSFETs N Channel

на замовлення 42565 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	36.59 грн
15+	24.91 грн
100+	18.86 грн
3000+	14.13 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3AM832

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3AM832TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3AM832TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP

на замовлення 3169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3AM832TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3AM832TA

2004

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3AMCTA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3AMCTA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 41 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.18 грн
10+	55.88 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3AMCTA

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 8-Pin DFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3AMCTA