Продукція > ZXM

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
ZXM41N10FZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM41N10FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM41N10FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM41N10FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM41N10FTAZETEX07+ SOT-223
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM41N10FTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM6
на замовлення 11670 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM61N02F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 930mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V
на замовлення 57215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.33 грн
12+25.36 грн
100+16.23 грн
500+11.52 грн
1000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTA
Код товару: 127179
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTADIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+39.74 грн
18+24.15 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 930mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.94 грн
6000+11.29 грн
9000+7.18 грн
15000+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTADiodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Chnl HDMOS
на замовлення 21568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTA N02DIODES/ZETEXTransistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 240mOhm; 1,7A; 806mW; -55°C ~ 150°C; ZXM61N02FTA TZXM61n02f
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 169 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTA/P02
на замовлення 1747 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM61N02FTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 9795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+12.80 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 930mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V
на замовлення 49781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.62 грн
11+28.15 грн
100+19.22 грн
500+15.02 грн
1000+12.18 грн
2000+12.01 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTCDiodes IncorporatedMOSFETs 20V N Chnl HDMOS
на замовлення 84013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM61N02FTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 9795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 930mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+11.25 грн
20000+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FDiodes IncorporatedMOSFETs Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM61N03F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM61N03F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTAZetexN-MOSFET 30V 1.4A 220mΩ 625mW ZXM61N03FTA Diodes Inc TZXM61N03FTA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 290 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTA
Код товару: 72846
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.77 грн
6000+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.77 грн
6000+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTADIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.1A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+17.16 грн
32+13.25 грн
100+11.57 грн
150+11.32 грн
500+10.73 грн
750+10.23 грн
1000+9.98 грн
1500+9.56 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.77 грн
6000+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTADiodes Inc./ZetexN-CH SOT-23 Транзистори
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
35+22.57 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.77 грн
6000+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.77 грн
6000+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.95 грн
10+30.27 грн
100+19.49 грн
500+13.93 грн
1000+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTADiodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Chnl HDMOS
на замовлення 11170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.77 грн
6000+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 910mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTR
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03GTA
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03TFA
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM61P02F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FZETEX07+ SOT-223
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM61P02F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FTADiodes Inc./ZetexN-CH SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
735+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 735 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1296+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 1296 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V
на замовлення 136594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.52 грн
10+31.10 грн
100+20.01 грн
500+14.28 грн
1000+12.84 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 513000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.37 грн
6000+10.03 грн
9000+9.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FTADIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.7A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.7A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+225.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FTADiodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Chnl HDMOS
на замовлення 108423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FTA/P
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM61P03F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.35 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
на замовлення 2819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM61P03F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.35 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
на замовлення 2819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.94 грн
6000+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FTADiodes IncorporatedMOSFETs 30V P-Chnl HDMOS
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 11245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.03 грн
11+28.08 грн
100+17.99 грн
500+12.82 грн
1000+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FTADIODES/ZETEXTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 550mOhm; 1,1A; 806mW; -55°C ~ 150°C; ZXM61P03FTA TZXM61p03f
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.25 грн
6000+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FTADIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.9A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -900mA
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.80 грн
24+17.53 грн
100+12.33 грн
500+11.15 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.17 грн
6000+13.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FTA
Код товару: 72847
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+6.90 грн
100+6.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 9400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.89 грн
6000+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FTADiodes Inc./ZetexP-CH SOT-23 Транзистори
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
22+35.96 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FTA-P03
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62M02E6
на замовлення 19892 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62N02E6ZETEX07+ SOT-223
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62N02E6TADiodes IncorporatedMOSFET 20V N-Chnl HDMOS
на замовлення 2515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62N02E6TAPBF
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62N03E6ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62N03E6TA
на замовлення 26100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62N03E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-23-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62N03E6TAPBF
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62N03GZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62N03GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.4A/4.7A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 4.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62N03GTADiodes IncorporatedMOSFET 30V N-Chnl HDMOS
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62N03GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.4A/4.7A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 4.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62N03GTA
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P02E6ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P02E6T
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P02E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.77 грн
6000+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20  [ Наступна Сторінка >> ]