НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
ZXM41N10FZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM41N10FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM41N10FTAZETEX07+ SOT-223
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM41N10FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM41N10FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM41N10FTAZETEXSOT-223
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM41N10FTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM6
на замовлення 11670 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM61N02F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+41.16 грн
50+28.96 грн
100+20.49 грн
500+15.65 грн
1500+12.78 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM61N02F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.76 грн
500+15.41 грн
1500+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTADiodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Chnl HDMOS
на замовлення 34972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.41 грн
13+28.91 грн
100+16.76 грн
500+12.91 грн
1000+11.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 930mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V
на замовлення 66900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.36 грн
6000+11.68 грн
9000+7.43 грн
15000+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTADiodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.80 грн
9000+6.98 грн
18000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
496+20.24 грн
500+15.34 грн
1000+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 496
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTA
Код товару: 127179
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTADiodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTADIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 930mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V
на замовлення 67566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.28 грн
12+26.26 грн
100+16.79 грн
500+11.92 грн
1000+10.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTADiodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTADIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTA N02DIODES/ZETEXTransistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 240mOhm; 1,7A; 806mW; -55°C ~ 150°C; ZXM61N02FTA TZXM61n02f
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 169 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTA/P02
на замовлення 1747 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 930mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V
на замовлення 49781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.20 грн
11+29.33 грн
100+20.03 грн
500+15.65 грн
1000+12.69 грн
2000+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTCDiodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM61N02FTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 9795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.95 грн
500+16.83 грн
1000+12.70 грн
5000+11.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+11.23 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+12.01 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 930mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+11.72 грн
20000+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM61N02FTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 9795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+43.61 грн
26+33.62 грн
100+22.95 грн
500+16.83 грн
1000+12.70 грн
5000+11.61 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+13.00 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTCDiodes IncorporatedMOSFETs 20V N Chnl HDMOS
на замовлення 85085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+42.45 грн
11+32.29 грн
100+19.25 грн
500+16.83 грн
1000+12.98 грн
5000+12.30 грн
10000+10.57 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM61N03F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.36 грн
500+15.57 грн
1500+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FDiodes IncorporatedMOSFETs Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM61N03F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.94 грн
50+37.94 грн
100+26.84 грн
500+20.60 грн
1500+16.69 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTA
Код товару: 72846
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTADiodes Inc./ZetexN-CH SOT-23
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.63 грн
6000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 68838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.70 грн
28+11.56 грн
100+10.83 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTAZetexN-MOSFET 30V 1.4A 220mΩ 625mW ZXM61N03FTA Diodes Inc TZXM61N03FTA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 290 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTADIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.1A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+12.70 грн
44+8.96 грн
100+8.02 грн
500+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 315000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.71 грн
6000+9.91 грн
9000+9.72 грн
15000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTADiodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTADIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.1A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3852 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+15.24 грн
27+11.17 грн
100+9.62 грн
500+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.42 грн
6000+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTADiodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Chnl HDMOS
на замовлення 45337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+20.96 грн
23+15.54 грн
100+11.63 грн
250+11.47 грн
500+10.80 грн
1000+9.81 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTR
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03GTA
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03TFA
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FZETEX07+ SOT-223
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM61P02F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.85 грн
500+15.26 грн
1500+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FZETEXSOT-223
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM61P02F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.73 грн
50+35.74 грн
100+25.24 грн
500+19.34 грн
1500+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 513000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FTADIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.7A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -700mA
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2089 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+21.17 грн
29+14.00 грн
75+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FTADiodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Chnl HDMOS
на замовлення 147753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+28.54 грн
19+19.01 грн
100+8.23 грн
1000+8.15 грн
3000+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FTADiodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
735+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 735
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V
на замовлення 515900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.53 грн
6000+8.14 грн
9000+7.75 грн
15000+6.85 грн
21000+6.79 грн
30000+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FTADIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.7A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -700mA
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2089 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+25.41 грн
17+17.44 грн
75+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1296+9.56 грн
Мінімальне замовлення: 1296
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V
на замовлення 515974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.58 грн
18+18.01 грн
100+9.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FTA/P
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM61P03F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.35 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+43.87 грн
50+27.27 грн
100+23.71 грн
500+16.75 грн
1500+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM61P03F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.35 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.71 грн
500+16.75 грн
1500+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 993000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.58 грн
6000+10.54 грн
9000+8.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FTADiodes Inc./ZetexP-CH SOT-23
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FTADiodes IncorporatedMOSFETs 30V P-Chnl HDMOS
на замовлення 19217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.09 грн
19+19.01 грн
100+13.21 грн
1000+12.08 грн
3000+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FTADIODES/ZETEXTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 550mOhm; 1,1A; 806mW; -55°C ~ 150°C; ZXM61P03FTA TZXM61p03f
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FTADiodes IncTrans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FTA
Код товару: 72847
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+6.90 грн
100+6.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+13.12 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FTADIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.9A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.9A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+22.86 грн
27+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 995753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.46 грн
13+24.77 грн
100+19.14 грн
500+13.64 грн
1000+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FTADIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.9A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.9A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+27.44 грн
16+18.42 грн
100+13.12 грн
500+10.66 грн
750+10.00 грн
1000+9.72 грн
1500+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FTADiodes IncTrans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FTA-P03
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62M02E6
на замовлення 19892 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62N02E6ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62N02E6ZETEXSOT-223
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62N02E6ZETEX07+ SOT-223
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62N02E6TADiodes IncorporatedMOSFET 20V N-Chnl HDMOS
на замовлення 2515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62N02E6TAPBF
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62N03E6ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62N03E6TA
на замовлення 26100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62N03E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-23-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62N03E6TAPBF
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62N03GZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62N03GZETEXSOT223
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62N03GZETEX07+ SOT223
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62N03GTADiodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62N03GTA
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62N03GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.4A/4.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62N03GTADiodes IncorporatedMOSFET 30V N-Chnl HDMOS
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62N03GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.4A/4.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P02E6ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P02E6T
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P02E6TADiodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Chnl HDMOS
на замовлення 7260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.59 грн
10+57.04 грн
100+30.35 грн
500+24.76 грн
1000+22.42 грн
3000+18.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P02E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V
на замовлення 88362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.90 грн
10+44.82 грн
100+31.07 грн
500+24.36 грн
1000+20.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P02E6TADiodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P02E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.52 грн
6000+17.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P02E6TAZETEX03/04+ SOT23-6
на замовлення 21100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P02E6TAPBF
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6DIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM62P03E6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.6 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+103.31 грн
50+89.76 грн
100+62.41 грн
500+48.44 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6ZETEXSOT-223
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6ZETEX07+ SOT-223
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6DIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM62P03E6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.6 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+78.59 грн
500+53.31 грн
1500+48.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM62P03E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.15 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+68.00 грн
18+48.02 грн
100+33.11 грн
500+24.53 грн
1000+22.57 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6TADiodes IncTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.31 грн
6000+17.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6TADIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.625W; SOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+52.50 грн
10+42.07 грн
100+30.51 грн
500+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM62P03E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.15 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.11 грн
500+24.53 грн
1000+22.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 13539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.90 грн
10+44.82 грн
100+31.07 грн
500+24.36 грн
1000+20.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6TADiodes IncorporatedMOSFETs 30V P-Chnl HDMOS
на замовлення 6506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.80 грн
10+51.31 грн
100+30.88 грн
500+25.82 грн
1000+21.97 грн
3000+20.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6TADIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.625W; SOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 795 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+63.00 грн
10+52.43 грн
100+36.61 грн
500+28.87 грн
1000+26.23 грн
3000+26.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.10 грн
6000+18.78 грн
9000+17.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6TCDiodes IncorporatedMOSFET 30V P Chnl HDMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6TCDiodes IncTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 6-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03GZETEXSOT223
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03GZETEX07+ SOT223
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03GTA
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 2.9A SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM63C02ZETEX2004
на замовлення 744 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM63C02X8
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM63C02XTA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM63C03ZETEX2004
на замовлення 811 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM63C03XTA
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM63N02
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM63N02E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM63N02E6TADiodes IncorporatedDiodes Inc.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM63N02XTA
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM63N03XTA
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM63P02
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM63P02E6TAZETEX2004
на замовлення 429 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM63P02XTA
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM63P03XTA
на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N02
на замовлення 648 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N02XZETEXMSOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N02XZETEX07+ MSOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N02XZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N02XTAZETEX09+
на замовлення 3681 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N02XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-MSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N02XTADiodes IncorporatedMOSFET 20V P-Chnl HDMOS
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N02XTAZETEX05+
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N02XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-MSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N02XTAZETEXTSSOP8
на замовлення 14694 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N02XTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N035ZETEX02+ TO-220
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N035GZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N035GZETEXSOT223
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N035GZETEX07+ SOT223
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N035GT
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N035GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 35V 6.7A SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N035GTAZETEXSOT223
на замовлення 23790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N035GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 35V 6.7A SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N035GTA12A/35V
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N035L3ZETEXTO-220 02 29
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N035L3ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N035L3Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 35V 13A TO-220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N03XZETEXMSOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N03XZETEX07+ MSOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N03XZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N03XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 8-MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N03XTA
на замовлення 441 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N03XTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 8MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N03XTR-NDZETEX2004
на замовлення 446 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P02XZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P02XZETEXMSOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P02XZETEX05+ SOP
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P02XZETEX07+ MSOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P02XZETEX
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P02XTADiodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Chnl HDMOS
на замовлення 3823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.44 грн
10+66.93 грн
100+41.59 грн
500+38.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P02XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 15 V
на замовлення 9645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.62 грн
10+78.71 грн
100+61.21 грн
500+48.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P02XTADiodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-Pin MSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P02XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 15 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+45.04 грн
2000+40.04 грн
3000+38.35 грн
5000+34.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P02XTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P035
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P035GZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P035GZETEXSOT223
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P035GZETEX07+ SOT223
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P035GT
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P035GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 35V 3.8A SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P035GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 35V 3.8A SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P035GTAZETEXSOT223
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P035GTA12A/35V
на замовлення 6200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P035L3Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 35V 12A TO-220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P035L3ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P03XZETEX07+ MSOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P03XDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM64P03X - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.075 ohm, MSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.08 грн
500+57.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P03XZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P03XDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM64P03X - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.075 ohm, MSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.80 грн
10+100.77 грн
100+73.08 грн
500+58.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P03XDiodes IncorporatedMOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P03XZETEXMSOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P03XTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+41.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P03XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+48.68 грн
2000+43.34 грн
3000+41.53 грн
5000+38.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P03XTADiodes IncorporatedMOSFETs 30V P Chnl HDMOS
на замовлення 4242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.63 грн
10+98.10 грн
100+60.39 грн
500+48.09 грн
1000+39.18 грн
2000+38.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P03XTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+47.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P03XTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P03XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V
на замовлення 7884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.42 грн
10+86.34 грн
100+67.15 грн
500+53.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P03XTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+57.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P03XTADiodes IncTrans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P03XTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P03XTR-NDZETEX2004
на замовлення 679 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66N02ZETEX09+ SO-8
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66N02ZETEX
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66N02N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 9A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66N03ZETEX
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66N03ZETEX09+ SO-8
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66N03N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P02SO-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P02N8ZETEX07+ SO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P02N8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P02N8ZETEXSO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P02N8ZETEX
на замовлення 2152 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P02N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2068 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P02N8TA
на замовлення 694 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P02N8TADiodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6.4A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P02N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2068 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P02N8TADiodes IncorporatedMOSFET 20V P-Chnl HDMOS
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P02N8TCDiodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6.4A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P02N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2068 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P03ZETEX09+ SO-8
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P03ZETEX
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P03N/A
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P03N8ZETEX07+ SO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P03N8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P03N8ZETEXSO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P03N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 6.25A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1979 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P03N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 6.25A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1979 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816DN8TCDiodes IncMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8Diodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TADiodes Inc100V COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TA
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TADIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 100/-100V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 2.2/-2.1A
Pulsed drain current: 9.4A
Power dissipation: 2.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.23/0.235Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.84 грн
5000+33.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TCDiodes IncorporatedMOSFETs 100V COMPLEMENTARY DUAL ENHANCEMNT MODE
на замовлення 7737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+116.25 грн
10+72.14 грн
25+62.05 грн
100+40.54 грн
500+33.22 грн
1000+30.35 грн
2500+27.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497pF @ 50V, 717pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.59 грн
5000+31.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TC
Код товару: 184010
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMC10A816N8TC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.1 A, 2.1 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.64 грн
11+77.49 грн
100+50.56 грн
500+38.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TCDIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 100/-100V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 2.2/-2.1A
Pulsed drain current: 9.4A
Power dissipation: 2.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.23/0.235Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TCDiodes IncTrans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.87 грн
5000+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497pF @ 50V, 717pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 1644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.64 грн
10+58.58 грн
100+40.78 грн
500+30.79 грн
1000+28.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.68 грн
5000+29.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMC10A816N8TC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.1 A, 2.1 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.03 грн
500+38.61 грн
1000+28.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+39.60 грн
Мінімальне замовлення: 248
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TCDiodes IncTrans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16NA03+ SMD8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16ZETEX
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8ZETEXSO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8Zetex09+
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8QTADiodes ZetexMOSFET BVDSS, 25V to 30V SO-8 0.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8QTADiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 T&R 0.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs N and P Channel
на замовлення 1354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.48 грн
10+95.49 грн
100+55.94 грн
500+37.74 грн
1000+35.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, 4.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 44075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+52.02 грн
1000+45.92 грн
1500+43.79 грн
2500+38.85 грн
3500+37.52 грн
5000+37.17 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, 4.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 44290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.89 грн
10+93.42 грн
100+63.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, 4.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 22877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.89 грн
10+93.42 грн
100+63.08 грн
500+47.01 грн
1000+43.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8TCDiodes IncTrans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, 4.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.99 грн
5000+39.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8TCDiodes IncorporatedMOSFETs Cmp 30V NP Ch UMOS
на замовлення 3242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.48 грн
10+95.49 грн
100+55.94 грн
500+44.46 грн
1000+40.99 грн
2500+35.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A17N/A
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A17DN8ZETEX07+ SO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A17DN8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A17DN8ZETEXSO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A17DN8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMC3A17DN8TA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.4 A, 4.4 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.49 грн
11+78.59 грн
50+65.46 грн
100+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A17DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+38.84 грн
1000+34.11 грн
1500+32.43 грн
2500+28.67 грн
3500+27.62 грн
5000+26.60 грн
12500+25.59 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A17DN8TADIODES INCORPORATEDZXMC3A17DN8TA Multi channel transistors
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+99.28 грн
23+49.82 грн
62+47.18 грн
1000+47.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A17DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs 30V Enhancement Mode
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+117.13 грн
10+72.92 грн
100+42.27 грн
500+32.16 грн
1000+27.86 грн
2500+27.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A17DN8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMC3A17DN8TA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.4 A, 4.4 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.61 грн
250+41.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A17DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 14756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.59 грн
10+71.56 грн
100+47.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A17DN8TADiodes IncTrans MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3.4A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A17DN8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A18N/A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A18DN8ZETEX07+ SO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A18DN8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A18DN8ZETEXSO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A18DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A18DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3AM832ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3AM832TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3AM832TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3AM832TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3AM832TA
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3AMCTADiodes IncorporatedMOSFETs 30V COMP ENH MODE 20V VGS 3.7 IDS
на замовлення 12431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.76 грн
10+67.54 грн
100+37.14 грн
250+31.40 грн
500+28.16 грн
1000+28.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3AMCTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Part Status: Active
на замовлення 18690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.42 грн
10+66.53 грн
100+35.42 грн
500+28.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3AMCTADIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3/-2.2A
Power dissipation: 1.5W
Case: DFN3020B-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18/0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+78.76 грн
10+52.29 грн
31+30.67 грн
84+28.94 грн
250+27.92 грн
500+27.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3AMCTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMC3AMCTA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.45W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN3020B
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.45W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.22 грн
14+64.87 грн
100+38.36 грн
500+30.51 грн
1000+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3AMCTADiodes IncTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3AMCTADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3AMCTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3AMCTADIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3/-2.2A
Power dissipation: 1.5W
Case: DFN3020B-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18/0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2931 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+94.51 грн
10+65.16 грн
31+36.80 грн
84+34.73 грн
250+33.50 грн
500+33.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3AMCTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMC3AMCTA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.45W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN3020B
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.45W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.36 грн
500+30.51 грн
1000+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3AMCTADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3F31DN8Diodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3F31DN8TADIODES INCORPORATEDZXMC3F31DN8TA Multi channel transistors
на замовлення 444 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+91.36 грн
39+28.59 грн
108+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3F31DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs 30V S08 Dual MOSFET 20V VBR 4.5V Gate
на замовлення 3722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+57.77 грн
10+46.97 грн
100+28.08 грн
500+19.85 грн
1000+18.12 грн
2500+17.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3F31DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 23500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.74 грн
10+51.51 грн
100+33.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3F31DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+27.19 грн
1000+23.72 грн
1500+22.47 грн
2500+19.77 грн
3500+18.98 грн
5000+18.22 грн
12500+16.45 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8ZETEXSO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8Diodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8ZETEX07+ SO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TADIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 3.6/-2.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+131.09 грн
10+85.35 грн
25+68.04 грн
100+51.99 грн
250+44.63 грн
500+40.29 грн
1000+36.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+93.91 грн
10+85.69 грн
25+84.83 грн
100+66.76 грн
250+41.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+79.97 грн
157+79.17 грн
192+64.62 грн
283+42.28 грн
Мінімальне замовлення: 155
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs Comp. 60V NP-Chnl
на замовлення 4172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.27 грн
10+86.64 грн
100+44.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V, 1021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TADIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 3.6/-2.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+109.24 грн
10+68.49 грн
25+56.70 грн
100+43.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+34.30 грн
1000+31.35 грн
2000+29.17 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V, 1021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.39 грн
10+77.85 грн
100+49.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TADiodes IncTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+22.55 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+35.35 грн
1000+33.29 грн
2500+25.30 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+34.14 грн
Мінімальне замовлення: 1480
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TCDIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 3.9/-4.7A
Power dissipation: 2.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.055/0.85Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TCDiodes IncTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TCDiodes IncorporatedMOSFETs 60V TRENCH MOSFET 20V VGS P-Channel
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.44 грн
10+126.75 грн
100+92.85 грн
500+84.55 грн
1000+74.66 грн
2500+48.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4A16DN8ZETEXSO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4A16DN8ZETEX07+ SO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4A16DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4A16DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4A16DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4A16DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4A16DN8TADiodes IncorporatedMOSFET 40V N/P-Channel Enhancement MOSFET
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4A16DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4A16DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4A16DN8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC6A07T8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC6A09DN8ZETEX07+ SO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC6A09DN8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC6A09DN8ZETEXSO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC6A09DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC6A09DN8TADiodes IncTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC6A09DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs Comp. 60V NP-Chnl
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+213.13 грн
10+136.30 грн
100+76.24 грн
500+62.81 грн
1000+62.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC6A09DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V, 1580pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC6A09DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+163.00 грн
84+148.12 грн
85+146.64 грн
102+117.81 грн
250+107.99 грн
500+87.20 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC6A09DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+174.65 грн
10+158.70 грн
25+157.11 грн
100+126.22 грн
250+115.71 грн
500+93.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC6A09DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V, 1580pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.09 грн
10+113.86 грн
100+90.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63C02XZETEX07+ MSOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63C02XZETEXMSOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63C02XTAZETEX09+
на замовлення 15018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63C02XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8-MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63C02XTAZETEXMSOP
на замовлення 15100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63C02XTADiodes IncDescription: MOSFET N+P 20V 1.7A 8-MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63C02XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8-MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63C02XTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63C03XZETEX07+ MSOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63C03XZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63C03XZETEXMSOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63C03XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP
на замовлення 13603000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63C03XTA
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63C03XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP
на замовлення 13602000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63C03XTADiodes IncorporatedMOSFET 30V N&P Chnl HDMOS
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63C03XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63C03XTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N02XZETEXMSOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N02XZETEX2004
на замовлення 1894 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N02XZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N02XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP
на замовлення 400045000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N02XTADiodes IncorporatedMOSFET Dual 20V N Chl HDMOS
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N02XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP
на замовлення 483345000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N02XTADiodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 2.5A 8-Pin MSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N02XTA
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N02XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP
на замовлення 483345000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N02XTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N03XZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N03XZETEXMSOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N03XZETEX07+ MSOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N03XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP
на замовлення 4715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.57 грн
10+151.45 грн
100+121.71 грн
500+93.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N03XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+86.04 грн
2000+77.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N03XTADiodes IncorporatedMOSFET Dual 30V N Chl HDMOS
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N03XTC
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N03XTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63P02XZETEX07+ MSOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63P02XZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63P02XZETEXMSOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63P02XTAZETEXSOT-223
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63P02XTADiodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 1.7A 8-Pin MSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63P02XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.25nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63P02XTAZETEX07+ SOT-223
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63P02XTADiodes IncorporatedMOSFET Dual 20V P Chl HDMOS
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63P02XTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.25nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63P03XZETEX07+ MSOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63P03XZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63P03XZETEXMSOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63P03XTADiodes IncorporatedMOSFET Dual 30V P Chl HDMOS
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63P03XTAZETEXTSSOP8
на замовлення 3351 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63P03XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 30V 8-MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63P03XTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 30V 8MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65N02ZETEX
на замовлення 149 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65N02ZETEX09+ SO-8
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65N02N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65N03ZETEX
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65N03ZETEX09+ SO-8
на замовлення 1073 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65N03N8
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65N03N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65P02N/A
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65P02ZETEX09+ SO-8
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65P02ZETEX
на замовлення 275 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65P02N8ZETEXSO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65P02N8ZETEX07+ SO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65P02N8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65P02N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65P02N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65P02N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65P02N8TADiodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65P02N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65P03ZETEX09+ SO-8
на замовлення 2793 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65P03ZETEX
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65P03N8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65P03N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 30V 3.8A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 100V 0.8A/0.68A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07N8TCDiodes INC.Транзистор польовий 2N+2P; Udss, В = 100; Id = 800 мА; Ciss, пФ @ Uds, В = 138 @ 60; Qg, нКл = 2,9 @ 10 В; Rds = 700 мОм @ 1,5 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 0,87; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; Id2 = 680 мА; SOICN-8
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07N8TCDiodes IncTrans MOSFET N/P-CH 100V 0.8A/0.68A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 100V 0.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA, 680mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 59286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.66 грн
10+79.19 грн
100+51.69 грн
500+38.41 грн
1000+36.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07N8TCDiodes IncorporatedMOSFETs Mosfet H-Bridge 100/-100 1.1/-0.9
на замовлення 23853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.11 грн
10+86.64 грн
100+50.35 грн
500+39.86 грн
1000+36.54 грн
2500+31.78 грн
5000+31.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 100V 0.8A/0.68A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07N8TCDIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 100/-100V; 0.9/-0.7A; 0.87W
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 0.9/-0.7A
Power dissipation: 0.87W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9/1.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
на замовлення 2058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+72.83 грн
10+56.54 грн
50+47.81 грн
100+43.96 грн
500+42.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07N8TCDIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 100/-100V; 0.9/-0.7A; 0.87W
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 0.9/-0.7A
Power dissipation: 0.87W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9/1.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2058 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+87.39 грн
10+70.46 грн
50+57.37 грн
100+52.75 грн
500+50.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 100V 0.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA, 680mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.14 грн
5000+31.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07T8ZETEX07+ SM-8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07T8Diodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07T8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07T8ZETEXSM-8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07T8TADiodes IncTrans MOSFET N/P-CH 100V 1A/0.8A 8-Pin SM8 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07T8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 100V SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A, 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+61.74 грн
2000+55.23 грн
3000+54.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07T8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 100V 1A/0.8A 8-Pin SM8 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07T8TADIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; complementary pair; 1.3W
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 1.4/-1.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SM8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 700mΩ/1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Gate charge: 2.9/3.5nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07T8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 100V SM8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A, 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8
на замовлення 14602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.53 грн
10+120.23 грн
100+82.57 грн
500+62.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07T8TADiodes IncorporatedMOSFETs 100V 1.4A N-Channel MOSFET H-Bridge
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+203.44 грн
10+130.22 грн
100+77.75 грн
500+62.73 грн
1000+55.41 грн
2000+53.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01N8Diodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01N8DICTDiodes Inc./ZetexMOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01N8TA
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.17A/1.64A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01N8TCDiodes IncorporatedMOSFETs Mosfet H-Bridge 30/-30V 2.7/-2.1A
на замовлення 33916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+110.09 грн
10+70.84 грн
100+42.88 грн
500+33.59 грн
1000+31.78 грн
2500+29.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.17A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A, 1.64A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 77500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.88 грн
5000+26.72 грн
7500+26.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01N8TC
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.17A/1.64A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01N8TCDiodes IncTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.17A/1.64A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.17A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A, 1.64A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 79962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.69 грн
10+66.84 грн
100+41.66 грн
500+33.20 грн
1000+30.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01T8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01T8ZETEXSM-8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01T8ZETEX07+ SM-8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01T8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8
Part Status: Active
на замовлення 30169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.28 грн
10+108.20 грн
100+74.20 грн
500+57.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01T8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+64.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01T8TADiodes IncTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01T8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+60.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01T8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8
Part Status: Active
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+57.15 грн
2000+51.06 грн
3000+49.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01T8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+99.80 грн
10+90.40 грн
25+89.92 грн
100+76.83 грн
250+70.36 грн
500+60.96 грн
1000+56.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01T8TA
Код товару: 163888
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01T8TADiodes IncorporatedMOSFETs 30/30V 3.1/2.3A N & P Channel
на замовлення 3645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.68 грн
10+101.57 грн
100+65.68 грн
250+65.30 грн
500+56.77 грн
1000+53.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01T8TA
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01T8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+93.14 грн
147+84.37 грн
148+83.93 грн
167+71.71 грн
250+65.67 грн
500+56.89 грн
1000+52.38 грн
Мінімальне замовлення: 133
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3F381N8TCDIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 30/-30V; 3.98/-3.36A; 0.87W
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3.98/-3.36A
Power dissipation: 0.87W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
Pulsed drain current: 22.9...-19.6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3F381N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.98A/3.36A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3F381N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.98A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.98A, 3.36A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430pF @ 15V, 670pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 94553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.51 грн
10+69.43 грн
100+46.36 грн
500+34.23 грн
1000+31.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3F381N8TCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMHC3F381N8TC - Dual-MOSFET, H-Brücke, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.98 A, 3.98 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.98A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 870mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 870mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.26 грн
50+84.43 грн
100+56.82 грн
500+43.64 грн
1000+36.80 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3F381N8TCDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET H-BRIDGE SOP-8L
на замовлення 9357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+114.49 грн
10+72.49 грн
100+42.43 грн
500+35.10 грн
1000+32.08 грн
2500+29.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3F381N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.98A/3.36A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3F381N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.98A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.98A, 3.36A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430pF @ 15V, 670pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 92500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3F381N8TCDiodes IncTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.98A/3.36A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3F381N8TCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMHC3F381N8TC - Dual-MOSFET, H-Brücke, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.98 A, 3.98 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.98A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 870mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 870mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.82 грн
500+43.64 грн
1000+36.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TCDiodes IncorporatedMOSFETs Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A
на замовлення 42872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+111.85 грн
10+71.19 грн
100+42.50 грн
500+34.42 грн
1000+31.55 грн
2500+29.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07N8TC - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.39 A, 1.39 A
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 870mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 870mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+103.31 грн
13+66.65 грн
100+46.91 грн
500+33.03 грн
1000+27.80 грн
5000+26.13 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TCDiodes IncTrans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.39A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 289923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.31 грн
10+74.23 грн
100+48.93 грн
500+36.90 грн
1000+33.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
на замовлення 285000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07N8TC - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.39 A, 1.39 A
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 870mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 870mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.91 грн
500+33.03 грн
1000+27.80 грн
5000+26.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
на замовлення 7498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+42.15 грн
18+41.55 грн
25+40.95 грн
100+38.92 грн
250+35.51 грн
500+33.57 грн
1000+33.06 грн
3000+32.56 грн
6000+32.04 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.39A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 287500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
на замовлення 7498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
320+38.78 грн
324+38.22 грн
329+37.67 грн
334+35.79 грн
500+32.64 грн
1000+30.86 грн
3000+30.38 грн
6000+29.90 грн
Мінімальне замовлення: 320
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8ZETEX07+ SM-8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8Diodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8ZETEXSM-8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TADiodes IncTrans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+64.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.6A SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A, 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 233pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+55.40 грн
2000+49.50 грн
3000+48.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TADiodes IncorporatedMOSFETs 60V UMOS H-Bridge
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.11 грн
10+121.54 грн
100+72.70 грн
500+59.03 грн
1000+52.69 грн
2000+48.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TADIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 60/-60V; 1.4/-1.2A; 1.3W
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 1.4/-1.2A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT223-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2748 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+182.92 грн
10+114.65 грн
50+86.81 грн
100+85.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+59.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07T8TA - Dual-MOSFET, H-Brücke, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.8 A, 1.8 A, 1.5 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+123.64 грн
200+92.79 грн
500+68.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+67.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TADIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 60/-60V; 1.4/-1.2A; 1.3W
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 1.4/-1.2A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT223-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
на замовлення 2748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.43 грн
10+92.00 грн
50+72.34 грн
100+71.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.6A SM8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A, 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 233pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8
на замовлення 23233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.57 грн
10+108.75 грн
100+74.42 грн
500+56.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07T8TA - Dual-MOSFET, H-Brücke, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.8 A, 1.8 A, 1.5 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+226.11 грн
10+146.50 грн
50+123.64 грн
200+92.79 грн
500+68.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+63.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHN6A07T8ZETEXSM-8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHN6A07T8ZETEX07+ SM-8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHN6A07T8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHN6A07T8TADiodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 1.6A 8-Pin SM8 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHN6A07T8TADiodes IncorporatedMOSFETs 60V 1.6A N-Channel MOSFET H-Bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN
на замовлення 13870 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN0545FFTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN0545FFTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN0545FFTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN0545G4ZETEXSOT223
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN0545G4ZETEX07+ SOT223
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN0545G4TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 450V 0.14A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN0545G4TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN0545G4TADiodes IncorporatedMOSFET 450V 140mA N-Channel Enhancement MOSFET
на замовлення 5004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN0545G4TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN0545G4TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 450V 0.14A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+107.29 грн
10+95.08 грн
25+69.40 грн
100+66.25 грн
250+45.60 грн
500+43.34 грн
1000+43.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN0545G4TA
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN0545GTA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A07F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 640 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 640mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.06 грн
500+19.58 грн
1500+16.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A07F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 640 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 640mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+67.83 грн
50+44.46 грн
100+30.06 грн
500+19.58 грн
1500+16.33 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTA
на замовлення 35800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.08 грн
6000+8.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 213000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.27 грн
6000+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A07FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 800 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+45.05 грн
50+32.01 грн
100+23.03 грн
500+15.81 грн
1500+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADIODES INCORPORATEDZXMN10A07FTA SMD N channel transistors
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.64 грн
75+14.91 грн
206+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADiodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
388+31.95 грн
547+22.65 грн
551+22.49 грн
730+16.36 грн
1000+12.80 грн
Мінімальне замовлення: 388
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 213000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.08 грн
6000+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V
на замовлення 2088776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+40.01 грн
12+27.52 грн
100+19.11 грн
500+13.63 грн
1000+12.25 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.24 грн
6000+9.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1788000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADiodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Chnl UMOS
на замовлення 27392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.39 грн
12+31.17 грн
100+19.25 грн
500+14.64 грн
1000+12.68 грн
3000+9.89 грн
6000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADIODES INCORPORATEDZXMN10A07F SMD N channel transistors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+76.22 грн
76+14.83 грн
207+14.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.27 грн
6000+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A07FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 800 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.03 грн
500+15.81 грн
1500+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.49 грн
6000+9.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V
на замовлення 2088000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.52 грн
6000+9.51 грн
9000+8.89 грн
15000+8.08 грн
21000+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+48.53 грн
21+34.23 грн
100+24.27 грн
250+23.23 грн
500+16.23 грн
1000+13.16 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07ZZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07ZTADiodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Chnl UMOS
на замовлення 25973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.81 грн
11+33.77 грн
100+20.16 грн
500+16.76 грн
1000+11.70 грн
2000+11.63 грн
5000+11.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07ZTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V
на замовлення 105608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.63 грн
11+31.22 грн
100+21.37 грн
500+15.30 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07ZTADIODES INCORPORATEDZXMN10A07ZTA SMD N channel transistors
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+58.84 грн
54+20.85 грн
147+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+20.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+20.77 грн
2000+18.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07ZTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+13.18 грн
2000+11.99 грн
3000+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
277+44.77 грн
371+33.44 грн
374+33.12 грн
500+24.99 грн
1000+17.74 грн
3000+15.38 грн
Мінімальне замовлення: 277
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07ZTADiodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+13.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08N/A
на замовлення 459 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8ZETEX07+ SO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8ZETEXSO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TADIODES/ZETEXTransistor 2xN-Channel MOSFET; 100V; 20V; 300mOhm; 2,1A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; ZXMN10A08DN8TA TZXMN10a08dn8
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+28.49 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 82006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.34 грн
10+63.54 грн
100+42.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TADiodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs 100V 2.1A N-Channel Enhancement MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.64 грн
11+70.06 грн
100+55.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 81500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+34.12 грн
1000+29.90 грн
1500+28.39 грн
2500+25.05 грн
3500+24.10 грн
5000+23.19 грн
12500+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6Diodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6QTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6QTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6QTADiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V SOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TADiodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.53 грн
6000+13.44 грн
9000+13.01 грн
15000+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+59.02 грн
23+37.51 грн
100+28.20 грн
500+24.69 грн
1000+21.49 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 5139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+33.74 грн
371+33.40 грн
444+27.91 грн
447+26.72 грн
534+20.72 грн
1000+18.66 грн
3000+17.43 грн
Мінімальне замовлення: 367
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TA
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TADiodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Chnl UMOS
на замовлення 10824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+57.07 грн
10+37.68 грн
100+25.29 грн
500+19.70 грн
1000+17.66 грн
3000+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 5139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+38.64 грн
20+36.15 грн
25+35.79 грн
100+28.83 грн
250+26.51 грн
500+21.32 грн
1000+19.99 грн
3000+18.67 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V
на замовлення 142431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.63 грн
10+32.55 грн
100+25.09 грн
500+18.36 грн
1000+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.20 грн
500+24.69 грн
1000+21.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TA-50Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TA-50Diodes Zetex100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TCDiodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Chnl UMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TCDiodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08GT
на замовлення 20500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V
на замовлення 108013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.38 грн
10+52.53 грн
100+34.49 грн
500+25.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08GTADiodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V
на замовлення 107000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+22.84 грн
2000+20.27 грн
3000+19.38 грн
5000+17.25 грн
7000+17.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08GTA
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08GTADiodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Channel 2A MOSFET
на замовлення 12700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+66.58 грн
10+44.19 грн
100+25.14 грн
500+21.74 грн
1000+19.10 грн
2000+17.36 грн
5000+17.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08T6TA
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A09KZETEXDPAK
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A09KZETEX07+ DPAK
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A09KZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A09KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1313 pF @ 50 V
на замовлення 1377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.82 грн
10+120.31 грн
100+96.73 грн
500+74.58 грн
1000+61.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A09KTCDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET N-CH 100V
на замовлення 2514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+171.74 грн
10+117.20 грн
100+72.09 грн
500+57.83 грн
1000+56.47 грн
2500+48.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A09KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+82.70 грн
10+79.04 грн
100+71.60 грн
500+63.40 грн
1000+52.68 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A09KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1313 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A09KTCDiodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A09KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A11G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 3.9
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.16 грн
500+30.20 грн
1000+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A11G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.90 грн
17+52.25 грн
100+31.08 грн
500+26.66 грн
1000+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GFTA
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 43000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+20.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GTADiodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GTA
Код товару: 131543
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V
на замовлення 111874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.56 грн
10+52.14 грн
100+34.25 грн
500+24.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+28.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GTADIODES INCORPORATEDZXMN10A11GTA SMD N channel transistors
на замовлення 303 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+89.73 грн
39+28.59 грн
108+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+22.67 грн
2000+20.12 грн
3000+19.24 грн
5000+17.13 грн
7000+17.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GTADiodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Chnl UMOS
на замовлення 1171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.02 грн
10+55.30 грн
100+31.55 грн
500+24.84 грн
1000+21.82 грн
2000+18.95 грн
5000+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11KDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11KDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11KDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11KT
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.11 грн
5000+18.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11KTCDiodes IncorporatedMOSFETs N-Chan 100V MOSFET (UMOS)
на замовлення 1287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+85.61 грн
10+71.71 грн
100+49.75 грн
500+38.42 грн
1000+34.88 грн
2500+19.55 грн
5000+19.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11KTCDiodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25ZETEXSOT-223
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+39.52 грн
2000+35.82 грн
5000+34.12 грн
10000+30.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25GTADiodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Channel 2.9A MOSFET
на замовлення 3160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.45 грн
10+64.59 грн
100+33.14 грн
500+32.76 грн
1000+30.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A25GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.125 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.66 грн
500+42.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25GTADiodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+96.50 грн
10+87.22 грн
25+86.31 грн
100+65.94 грн
250+60.50 грн
500+48.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25GTADIODES INCORPORATEDZXMN10A25GTA SMD N channel transistors
на замовлення 971 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+118.90 грн
20+57.56 грн
50+55.86 грн
53+54.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V
на замовлення 20480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.83 грн
10+70.85 грн
100+55.11 грн
500+43.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A25GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.125 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+115.17 грн
13+70.12 грн
100+46.66 грн
500+42.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
153+81.40 грн
154+80.55 грн
194+63.83 грн
250+60.98 грн
500+47.00 грн
Мінімальне замовлення: 153
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25KDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25KDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25KTCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A25KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.4 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.40 грн
10+86.38 грн
100+60.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V
на замовлення 7009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.54 грн
10+73.13 грн
100+50.59 грн
500+41.10 грн
1000+38.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25KTCDiodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25KTC
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25KTCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A25KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.4 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25KTCDiodes IncorporatedMOSFETs N-Chan 100V MOSFET (UMOS)
на замовлення 4356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.28 грн
10+79.87 грн
100+48.01 грн
500+42.12 грн
1000+39.41 грн
2500+33.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6ZETEX09+ SOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6QTADiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V 100V SOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6QTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6QTADiodes IncZXMN10B08E6QTA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6TADIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.5A; 1.1W; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+83.33 грн
10+58.40 грн
25+46.80 грн
39+28.59 грн
108+26.99 грн
500+26.80 грн
1000+25.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6TADIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.5A; 1.1W; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+69.44 грн
10+46.87 грн
25+39.00 грн
39+23.83 грн
108+22.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10B08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.23 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.20 грн
500+22.49 грн
1500+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 6-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497 pF @ 50 V
на замовлення 306000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.33 грн
6000+19.46 грн
9000+18.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6TADiodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 6-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10B08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.23 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+48.10 грн
50+40.65 грн
100+33.20 грн
500+22.49 грн
1500+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497 pF @ 50 V
на замовлення 308033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.35 грн
10+46.87 грн
100+32.43 грн
500+25.43 грн
1000+21.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6TADiodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Chnl UMOS
на замовлення 3717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.04 грн
10+48.09 грн
100+28.84 грн
500+23.02 грн
1000+21.06 грн
3000+20.23 грн
6000+20.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6TA 10B8DIODES/ZETEXN-MOSFET 1.6A 100V 1.1W 0.23Ω ZXMN10B08E6 TZXMN10b08e6
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+19.23 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN15A27KT
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN15A27KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 150V 1.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN15A27KTCDiodes IncorporatedMOSFET ENHANCE MODE MOSFET 150V N-CHANNEL
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN15A27KTC
на замовлення 6070 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN15A27KTCDiodes IncTrans MOSFET N-CH 150V 2.55A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2069FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH SOT23-3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2088DE6
на замовлення 123800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2088DE6TADiodes IncorporatedMOSFETs 20V DUAL SOT23-6 20V VBR MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2088DE6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2088DE6TADiodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 6-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2088DE6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 6-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN20B28KDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN20B28K-13
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN20B28KT
на замовлення 20500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN20B28KTCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN20B28KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.5 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.65 грн
500+27.68 грн
1000+21.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN20B28KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 200V 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN20B28KTCDiodes IncTrans MOSFET N-CH 200V 2.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN20B28KTCZetex10+ SOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN20B28KTCDiodes IncorporatedMOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 200V N-CHANNEL
на замовлення 24466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+58.30 грн
10+46.97 грн
100+28.23 грн
500+24.23 грн
1000+22.04 грн
2500+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN20B28KTCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN20B28KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.5 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.57 грн
50+46.15 грн
100+35.65 грн
500+27.68 грн
1000+21.70 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN20B28KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 200V 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN20B28KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 358 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN20B28KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 200V 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.39 грн
5000+28.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN20B28KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 358 pF @ 25 V
на замовлення 1579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.71 грн
10+43.01 грн
100+29.74 грн
500+23.50 грн
1000+21.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN20B28KTC-13
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01E6ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01E6Diodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01E6TA
на замовлення 967 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN2A01E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.12 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.82 грн
500+17.93 грн
1000+16.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01E6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.5A 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+15.14 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01E6TADiodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Chnl UMOS
на замовлення 4133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.46 грн
14+26.22 грн
100+17.66 грн
500+16.31 грн
1000+15.32 грн
3000+13.74 грн
6000+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN2A01E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.12 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+32.52 грн
30+28.45 грн
100+19.82 грн
500+17.93 грн
1000+16.11 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V
на замовлення 1633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.36 грн
10+39.95 грн
100+30.60 грн
500+22.70 грн
1000+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01E6TADiodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 2.5A 6-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01E6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.5A 6-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01E6TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.02 грн
6000+8.60 грн
9000+8.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FTADIODES INCORPORATEDZXMN2A01FTA SMD N channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+45.93 грн
132+8.40 грн
363+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FTADiodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN2A01FTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.21 грн
500+12.11 грн
1500+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 137
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V
на замовлення 445886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.20 грн
12+26.89 грн
100+18.90 грн
500+13.07 грн
1000+10.95 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FTADiodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Chnl UMOS
на замовлення 9767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+43.60 грн
12+30.38 грн
100+17.21 грн
500+12.83 грн
1000+11.47 грн
3000+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.73 грн
6000+9.21 грн
9000+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN2A01FTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+44.37 грн
50+26.51 грн
100+13.21 грн
500+12.11 грн
1500+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V
на замовлення 445500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.45 грн
6000+8.81 грн
9000+8.61 грн
15000+7.91 грн
21000+7.15 грн
30000+6.89 грн
75000+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 189000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FTA 7N2DIODES/ZETEXTrans MOSFET N-CH 20V 2.2A Automotive 3-Pin SOT-23 ZXMN2A01FTA TZXMN2a01fta
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02
на замовлення 938 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02N8ZETEX07+ SO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02N8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02N8ZETEXSO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC
на замовлення 749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02N8TADiodes IncorporatedMOSFET 20V N Chnl UMOS
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02N8TADiodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02X8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02X8ZETEXMSOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02X8ZETEX07+ MSOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02X8TA
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02X8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02X8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02X8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02X8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A03ZETEX
на замовлення 1126 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A03E6ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A03E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 837 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.92 грн
6000+21.83 грн
9000+20.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A03E6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.6A Automotive 6-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A03E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 837 pF @ 10 V
на замовлення 18409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.69 грн
10+52.53 грн
100+36.38 грн
500+28.52 грн
1000+24.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A03E6TADiodes IncorporatedMOSFETs N Channel
на замовлення 1764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+68.78 грн
10+58.43 грн
100+34.73 грн
500+27.55 грн
1000+24.61 грн
3000+22.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A03E6TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 837 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DZETEX09+ SO-8
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DZETEX
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DN8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 7.7A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs Dl 20V N-Chnl UMOS
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.12 грн
10+126.75 грн
100+87.57 грн
500+65.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 12579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.62 грн
10+118.58 грн
100+94.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 7.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+79.90 грн
11+67.91 грн
100+65.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DN8TAZETEXSOP 08+PBF
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+82.95 грн
1000+67.77 грн
2500+64.38 грн
5000+58.15 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 7.7A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DN8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A14FTOSHIBA
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A14FZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A14FTADiodes IncorporatedMOSFETs N Channel
на замовлення 74263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.53 грн
10+34.73 грн
100+20.23 грн
500+15.10 грн
1000+13.89 грн
3000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A14FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 10 V
на замовлення 95454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.28 грн
11+30.59 грн
100+20.51 грн
500+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A14FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A14FTAZetexN-MOSFET 20V 3.4A ZXMN2A14FTA DIODES TZXMN2a14f
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A14FTADiodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A14FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 10 V
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.85 грн
6000+12.17 грн
9000+11.86 грн
15000+10.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A14FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+44.86 грн
19+39.11 грн
25+38.71 грн
100+29.18 грн
250+26.77 грн
500+21.01 грн
1000+16.61 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A14FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
343+36.13 грн
439+28.25 грн
443+27.98 грн
541+22.06 грн
1000+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 343
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2AM832ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2AM832TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2AM832TA
на замовлення 746 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2AM832TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP
на замовлення 3401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2AMCTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 299pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2AMCTADiodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 2.9A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2AMCTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.7A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2AMCTADiodes IncorporatedMOSFET 20V DUAL N-CH ENH 12V VGS 3.7 IDS
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2AMCTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 299pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2AN8
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B01FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN2B01F - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.24 грн
500+32.16 грн
1500+28.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B01F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B01FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN2B01F - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+48.69 грн
50+34.89 грн
100+25.15 грн
500+19.34 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
498+24.87 грн
684+18.10 грн
690+17.94 грн
890+13.42 грн
1099+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 498
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B01FTADiodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Channel MOSFET w/low gate drive cap
на замовлення 18309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+46.06 грн
13+28.47 грн
100+16.08 грн
500+12.30 грн
1000+11.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B01FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.64 грн
6000+10.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+31.96 грн
27+26.65 грн
100+18.70 грн
250+17.16 грн
500+12.78 грн
1000+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B01FTADIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; Idm: 11.8A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 11.8A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+47.76 грн
11+28.12 грн
71+15.66 грн
195+14.81 грн
500+14.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B01FTADiodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B01FTADIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; Idm: 11.8A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 11.8A
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+39.80 грн
18+22.57 грн
71+13.05 грн
195+12.35 грн
500+11.87 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B01FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
на замовлення 82203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.65 грн
13+25.56 грн
100+16.82 грн
500+12.28 грн
1000+10.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B03E6
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B03E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.88 грн
10+53.16 грн
100+40.76 грн
500+30.24 грн
1000+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B03E6TADiodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 5.4A 6-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B03E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B03E6TA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B03E6TADiodes IncorporatedMOSFET 20V N-Ch 4.6 MOSFET w/low gate drive cap
на замовлення 8780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B03E6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 5.4A Automotive 6-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B14FH
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B14FHDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B14FHTADiodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Channel MOSFET w/low gate drive cap
на замовлення 5691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.23 грн
10+43.32 грн
100+24.84 грн
500+22.50 грн
1000+21.14 грн
3000+17.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B14FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+68.84 грн
12+60.38 грн
25+59.80 грн
100+44.08 грн
250+40.41 грн
500+30.46 грн
1000+24.21 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B14FHTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 872 pF @ 10 V
на замовлення 33397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+64.51 грн
10+54.81 грн
100+42.00 грн
500+31.16 грн
1000+24.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B14FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B14FHTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 872 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.00 грн
6000+22.41 грн
15000+21.58 грн
30000+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B14FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+56.36 грн
222+55.81 грн
291+42.67 грн
294+40.73 грн
500+29.62 грн
1000+22.60 грн
Мінімальне замовлення: 220
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FH
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHQTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN2F30FHQTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.94 грн
500+10.38 грн
1000+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHQTADiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.08 грн
15+23.18 грн
100+9.81 грн
3000+7.25 грн
6000+6.79 грн
9000+6.49 грн
24000+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHQTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.11 грн
12+27.44 грн
100+18.68 грн
500+13.15 грн
1000+9.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHQTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN2F30FHQTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+38.79 грн
35+24.64 грн
100+11.94 грн
500+10.38 грн
1000+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHQTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHQTADiodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 4.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHTADIODES/ZETEXTransistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 65mOhm; 4,9A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; ZXMN2F30FHTA TZXMN2f30fh
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+11.79 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V
на замовлення 183000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.88 грн
6000+8.20 грн
9000+7.38 грн
30000+6.82 грн
75000+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHTADIODES INCORPORATEDZXMN2F30FHTA SMD N channel transistors
на замовлення 2898 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+35.77 грн
94+11.89 грн
257+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHTADiodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V
на замовлення 184462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.66 грн
13+24.61 грн
100+14.75 грн
500+12.82 грн
1000+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1776+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 1776
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHTADiodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET
на замовлення 82759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.59 грн
17+21.44 грн
100+9.36 грн
500+7.32 грн
1000+6.42 грн
3000+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1167+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 1167
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34FHDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34FH
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34FHTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 277 pF @ 10 V
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.00 грн
6000+9.05 грн
15000+8.46 грн
30000+7.29 грн
75000+7.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
428+28.94 грн
597+20.76 грн
642+19.31 грн
784+15.24 грн
1107+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 428
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34FHTADIODES INCORPORATEDZXMN2F34FHTA SMD N channel transistors
на замовлення 738 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.15 грн
86+13.02 грн
235+12.36 грн
500+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34FHTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN2F34FHTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+26.51 грн
50+19.48 грн
100+13.80 грн
500+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+40.18 грн
22+33.48 грн
25+31.01 грн
100+21.45 грн
250+18.47 грн
500+14.51 грн
1000+10.28 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34FHTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 277 pF @ 10 V
на замовлення 112155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.11 грн
12+27.44 грн
100+18.68 грн
500+13.15 грн
1000+9.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34FHTADiodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET
на замовлення 76804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+25.72 грн
25+14.06 грн
100+9.89 грн
500+7.32 грн
3000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34MATADiodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 8.5A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34MATADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34MATADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2N02
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3804
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01E6Diodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01E6ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
на замовлення 282397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.83 грн
10+34.28 грн
100+23.72 грн
500+18.60 грн
1000+15.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01E6TADiodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Chnl UMOS
на замовлення 7976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+43.42 грн
10+36.90 грн
100+23.10 грн
500+19.63 грн
1000+17.06 грн
3000+15.40 грн
6000+15.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.60 грн
6000+14.23 грн
9000+13.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01E6TADiodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 2.4A 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01E6TA
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01E6TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT23-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN3A01F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.43 грн
500+23.83 грн
1500+20.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN3A01F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.99 грн
50+42.09 грн
100+29.47 грн
500+18.87 грн
1500+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FQTADiodes IncMOSFET BVDSS, 25V to 30V SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FTADIODES INCORPORATEDZXMN3A01FTA SMD N channel transistors
на замовлення 4665 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+41.46 грн
71+15.76 грн
195+14.91 грн
3000+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
на замовлення 507000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.29 грн
6000+9.07 грн
9000+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
445+27.87 грн
Мінімальне замовлення: 445
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+36.68 грн
24+30.17 грн
25+29.86 грн
100+23.99 грн
250+22.02 грн
500+13.83 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FTADiodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Chnl UMOS
на замовлення 75564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.09 грн
16+21.79 грн
100+12.53 грн
500+10.80 грн
1000+10.27 грн
3000+9.59 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.77 грн
6000+10.55 грн
9000+10.40 грн
15000+9.88 грн
30000+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FTADiodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
на замовлення 508393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+40.01 грн
12+28.23 грн
100+19.87 грн
500+14.20 грн
1000+12.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.95 грн
6000+12.11 грн
15000+11.28 грн
30000+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FTCDiodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01ZTADiodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01ZTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 970mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 186 pF @ 25 V
на замовлення 26579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.11 грн
11+28.78 грн
100+19.67 грн
500+14.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01ZTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN3A01ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.106 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 970mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+42.85 грн
26+33.20 грн
100+22.10 грн
500+15.73 грн
1000+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1143+10.83 грн
Мінімальне замовлення: 1143
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01ZTADiodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch ENH Mode 120mOhm 10VGS 3.3A
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.29 грн
12+31.25 грн
100+18.87 грн
500+14.64 грн
1000+11.78 грн
2000+9.74 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01ZTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 970mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 186 pF @ 25 V
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+12.82 грн
2000+10.79 грн
3000+10.47 грн
5000+9.82 грн
7000+9.35 грн
10000+8.88 грн
25000+8.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01ZTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN3A01ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.106 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 970mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.10 грн
500+15.73 грн
1000+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A02N8ZETEX07+ SO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A02N8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A02N8ZETEXSO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A02N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A02N8TA
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A02N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A02N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A02X8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A02X8ZETEXMSOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A02X8ZETEX07+ MSOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A02X8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+50.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A02X8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN3A02X8TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.025 ohm, MSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: MSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.32 грн
10+88.07 грн
100+61.73 грн
500+55.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A02X8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A02X8TA
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A02X8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN3A02X8TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.025 ohm, MSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: MSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.73 грн
500+55.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A02X8TADiodes IncorporatedMOSFETs 30V N Chnl UMOS
на замовлення 13859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+110.97 грн
10+85.08 грн
100+51.71 грн
500+44.31 грн
1000+37.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A02X8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A03E6DIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN3A03E6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.11 грн
500+25.32 грн
1000+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A03E6ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A03E6DIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN3A03E6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+83.50 грн
14+61.99 грн
100+33.11 грн
500+25.32 грн
1000+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A03E6Diodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A03E6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
461+26.88 грн
Мінімальне замовлення: 461
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A03E6TADiodes IncorporatedMOSFETs 30V N Chnl UMOS
на замовлення 64484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+47.47 грн
10+41.58 грн
100+26.35 грн
500+22.57 грн
1000+21.29 грн
3000+20.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A03E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 37420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.93 грн
10+55.44 грн
100+36.61 грн
500+26.74 грн
1000+24.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A03E6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A03E6TADiodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A03E6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A03E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.42 грн
6000+20.88 грн
9000+20.61 грн
15000+19.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A03E6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+28.80 грн
500+26.40 грн
1000+25.00 грн
Мінімальне замовлення: 307
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A03E6TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DZETEX09+ SO-8
на замовлення 1109 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DZETEX
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DZXMN04+ SMD8
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN/A
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN8ZETEXSO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN8ZETEX07+ SO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN8TA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN8TADiodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.81W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 23886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.02 грн
10+108.20 грн
100+73.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.81W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 23500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+55.20 грн
1000+50.81 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs Dl 30V N-Chnl UMOS
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.68 грн
10+113.73 грн
100+70.21 грн
250+70.05 грн
500+54.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN8TC
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.81W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04KZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04KZETEXDPAK
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04KZETEX07+ DPAK
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.98 грн
10+122.20 грн
100+84.15 грн
500+64.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04KTC
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04KTCDiodes IncorporatedMOSFET N-Ch 30 Volt 18.4A
на замовлення 1549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+172.62 грн
10+153.66 грн
100+107.20 грн
500+88.32 грн
1000+73.07 грн
2500+67.71 грн
10000+63.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A05N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A06DN/A
на замовлення 367 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A06DN8ZETEXSO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A06DN8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A06DN8Zetex09+
на замовлення 397 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A06DN8ZETEX07+ SO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A06DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+53.76 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A06DN8TAZetexDual N-Channel 30 V 0.035 Ohm Power MOSFET ZXMN3A06DN8TA DIODES TZXMN3a06dn8
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+56.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A06DN8TADiodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 6.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+37.87 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A06DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.09 грн
10+80.37 грн
100+62.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A06DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs Dl 30V N-Chnl UMOS
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+111.85 грн
10+73.96 грн
100+52.54 грн
500+36.24 грн
1000+35.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A06DN8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A06N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A13FTA
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FZETEXSOT23
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FZETEX07+ SOT23
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FPBF
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FQTADiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS 25V-30V
на замовлення 19671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.30 грн
10+53.04 грн
100+35.40 грн
500+27.93 грн
1000+22.34 грн
3000+21.21 грн
9000+19.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.24 грн
10+51.58 грн
100+39.56 грн
500+29.35 грн
1000+23.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FQTADIODES INCORPORATEDZXMN3A14FQTA SMD N channel transistors
на замовлення 2748 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+52.94 грн
39+28.97 грн
106+27.36 грн
3000+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FQTADiodes Inc30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FTADiodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+47.91 грн
17+42.82 грн
25+41.28 грн
100+32.86 грн
250+28.73 грн
500+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN3A14FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.048 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.93 грн
500+21.39 грн
1000+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V
на замовлення 485495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.66 грн
14+22.80 грн
100+19.04 грн
500+17.23 грн
1000+16.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FTAZETEXSOT23 08+
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN3A14FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.048 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+43.44 грн
21+40.56 грн
100+26.93 грн
500+21.39 грн
1000+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FTADiodes IncorporatedMOSFETs N Channel
на замовлення 43670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.58 грн
15+24.22 грн
100+18.34 грн
3000+13.97 грн
6000+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V
на замовлення 483000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.53 грн
6000+14.88 грн
9000+14.73 грн
15000+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FTAZETEX08+ SOP8
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
322+38.53 грн
390+31.81 грн
413+30.04 грн
500+24.05 грн
Мінімальне замовлення: 322
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3AM832ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3AM832TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3AM832TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3AM832TAZETEX2004
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3AM832TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP
на замовлення 3169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3AMCTADiodes IncorporatedMOSFET 30V DUAL N-CH ENH 20V VGS 3.7 IDS
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3AMCTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3AMCTADiodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 2.9A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3AMCTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.33 грн
10+54.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B01FZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B01FTADiodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.