Продукція > ZXM

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM41N10FTA

07+ SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM41N10FTA

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM41N10FTA

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM41N10FTA

SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM41N10FTA

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM41N10FTC

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM6

на замовлення 11670 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02F

Description: DIODES INC. - ZXM61N02F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2351 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	38.71 грн
50+	27.24 грн
100+	19.28 грн
500+	14.72 грн
1500+	12.02 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02F

на замовлення 2426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	20.47 грн
500+	14.50 грн
1500+	12.90 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02F

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02F

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTA

MOSFETs 20V N-Chnl HDMOS

на замовлення 3315 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	52.09 грн
10+	31.56 грн
100+	17.55 грн
500+	13.25 грн
1000+	11.95 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

496+	21.15 грн
500+	16.03 грн
1000+	14.21 грн

Мінімальне замовлення: 496

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTA

ZXM61N02FTA SMD N channel transistors

на замовлення 1611 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

6+	53.42 грн
111+	10.55 грн
304+	9.96 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 930mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V

на замовлення 57215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.48 грн
12+	24.85 грн
100+	15.90 грн
500+	11.29 грн
1000+	10.12 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTA
Код товару: 127179

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 930mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V

на замовлення 57000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.70 грн
6000+	11.06 грн
9000+	7.04 грн
15000+	6.30 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.70 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTA N02

Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 240mOhm; 1,7A; 806mW; -55°C ~ 150°C; ZXM61N02FTA TZXM61n02f
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 169 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	6.65 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTA/P02

на замовлення 1747 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTC

Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 930mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	11.02 грн
20000+	10.24 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTC

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	11.74 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTC

Description: DIODES INC. - ZXM61N02FTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 9795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	41.02 грн
26+	31.62 грн
100+	21.59 грн
500+	15.83 грн
1000+	11.95 грн
5000+	10.92 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTC

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	12.55 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTC

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTC

Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 930mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V

на замовлення 49781 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	36.87 грн
11+	27.59 грн
100+	18.84 грн
500+	14.72 грн
1000+	11.94 грн
2000+	11.76 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTC

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	13.58 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTC

на замовлення 9795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	21.59 грн
500+	15.83 грн
1000+	11.95 грн
5000+	10.92 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N02FTC

MOSFETs 20V N Chnl HDMOS

на замовлення 84137 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	57.51 грн
10+	35.25 грн
100+	19.94 грн
500+	15.23 грн
1000+	12.43 грн
5000+	11.13 грн
10000+	10.58 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03F

Description: DIODES INC. - ZXM61N03F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4621 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	16.33 грн
500+	14.65 грн
1500+	13.25 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03F

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03F

на замовлення 4066 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	50.74 грн
50+	35.69 грн
100+	25.25 грн
500+	19.38 грн
1500+	15.70 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03F

MOSFETs Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTA

MOSFETs 30V N-Chnl HDMOS

на замовлення 10828 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	50.02 грн
11+	30.46 грн
100+	17.34 грн
500+	13.25 грн
1000+	11.88 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.11 грн
6000+	8.40 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTA
Код товару: 72846

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTA

Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V

на замовлення 54000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.92 грн
6000+	9.63 грн
9000+	9.18 грн
15000+	8.14 грн
21000+	7.86 грн
30000+	7.73 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.12 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTA

ZXM61N03FTA SMD N channel transistors

на замовлення 2113 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

16+	20.18 грн
108+	10.85 грн
297+	10.26 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 315000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.94 грн
6000+	9.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTA

Diodes Inc./Zetex

N-CH SOT-23

на замовлення 2190 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTA

Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V

на замовлення 57364 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	48.39 грн
11+	28.70 грн
100+	18.48 грн
500+	13.21 грн
1000+	11.87 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.12 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTA

N-MOSFET 30V 1.4A 220mΩ 625mW ZXM61N03FTA Diodes Inc TZXM61N03FTA
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 290 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	10.85 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTC

Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03FTR

на замовлення 1850 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03GTA

на замовлення 31000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM61N03TFA

на замовлення 1960 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02F

Description: DIODES INC. - ZXM61P02F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 7536 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	15.85 грн
500+	14.35 грн
1500+	13.04 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02F

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02F

SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02F

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02F

Description: DIODES INC. - ZXM61P02F - MOSFET, P-KANAL, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 5516 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	50.58 грн
50+	34.81 грн
100+	25.33 грн
500+	18.71 грн
1500+	15.09 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02F

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02F

07+ SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02FTA

ZXM61P02FTA SMD P channel transistors

на замовлення 899 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

19+	16.89 грн
81+	14.50 грн
223+	13.71 грн
1000+	13.62 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02FTA

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1393 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

735+	10.70 грн

Мінімальне замовлення: 735

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02FTA

MOSFETs 20V P-Chnl HDMOS

на замовлення 108423 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	37.68 грн
14+	23.08 грн
100+	13.25 грн
500+	10.58 грн
1000+	9.42 грн
3000+	7.78 грн
6000+	7.03 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02FTA

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1393 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1296+	9.99 грн

Мінімальне замовлення: 1296

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02FTA

Description: MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V

на замовлення 23631 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.17 грн
13+	23.15 грн
100+	14.81 грн
500+	10.50 грн
1000+	9.40 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02FTA

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02FTA

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 513000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02FTA

Description: MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V

на замовлення 23175 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.86 грн
6000+	7.78 грн
9000+	7.40 грн
15000+	6.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02FTA/P

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P02FTC

Description: MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P03F

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P03F

Description: DIODES INC. - ZXM61P03F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.35 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 13374 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	22.30 грн
500+	15.75 грн
1500+	13.04 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P03F

на замовлення 13374 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	41.26 грн
50+	25.65 грн
100+	22.30 грн
500+	15.75 грн
1500+	13.04 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P03F

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P03FTA

Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 550mOhm; 1,1A; 806mW; -55°C ~ 150°C; ZXM61P03FTA TZXM61p03f
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 48 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	11.83 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P03FTA

Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P03FTA

Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V

на замовлення 255735 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.78 грн
12+	26.48 грн
100+	16.98 грн
500+	12.10 грн
1000+	10.86 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P03FTA

MOSFETs 30V P-Chnl HDMOS

на замовлення 15782 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	46.60 грн
11+	28.66 грн
100+	15.98 грн
500+	12.15 грн
1000+	10.92 грн
3000+	10.58 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P03FTA

ZXM61P03FTA SMD P channel transistors

на замовлення 2528 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

8+	40.25 грн
92+	12.72 грн
253+	12.03 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P03FTA

Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 73 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

73+	13.71 грн

Мінімальне замовлення: 73

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P03FTA

Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V

на замовлення 255000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.97 грн
6000+	8.78 грн
9000+	8.36 грн
15000+	7.40 грн
21000+	7.14 грн
30000+	6.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P03FTA
Код товару: 72847

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

1+	20.00 грн
10+	6.90 грн
100+	6.00 грн

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P03FTA

Diodes Inc./Zetex

P-CH SOT-23

на замовлення 2590 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P03FTA-P03

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM61P03FTC

Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM62M02E6

на замовлення 19892 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62N02E6

SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62N02E6

07+ SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62N02E6

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62N02E6TA

MOSFET 20V N-Chnl HDMOS

на замовлення 2515 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62N02E6TAPBF

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62N03E6

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62N03E6TA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-23-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM62N03E6TA

на замовлення 26100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62N03E6TAPBF

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62N03G

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62N03G

SOT223

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62N03G

07+ SOT223

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62N03GTA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A/4.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM62N03GTA

MOSFET 30V N-Chnl HDMOS

на замовлення 152 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62N03GTA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A/4.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM62N03GTA

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P02E6

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P02E6T

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P02E6TA

MOSFETs 20V P-Chnl HDMOS

на замовлення 3514 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	80.45 грн
10+	49.47 грн
100+	28.33 грн
500+	21.98 грн
1000+	19.94 грн
3000+	16.73 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P02E6TA

Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V

на замовлення 84000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.42 грн
6000+	16.57 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P02E6TA

03/04+ SOT23-6

на замовлення 21100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P02E6TA

Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V

на замовлення 88362 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	50.69 грн
10+	42.16 грн
100+	29.22 грн
500+	22.92 грн
1000+	19.50 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P02E6TAPBF

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03E6

07+ SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03E6

Description: DIODES INC. - ZXM62P03E6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.6 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1607 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	73.92 грн
500+	50.15 грн
1500+	45.34 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03E6

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03E6

SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03E6

на замовлення 1414 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	97.18 грн
50+	84.43 грн
100+	58.71 грн
500+	45.56 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03E6TA

Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V

на замовлення 13539 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	50.69 грн
10+	42.16 грн
100+	29.22 грн
500+	22.92 грн
1000+	19.50 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03E6TA

Description: DIODES INC. - ZXM62P03E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.15 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2972 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.15 грн
500+	23.08 грн
1000+	21.23 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03E6TA

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.625W; SOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

на замовлення 795 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	54.87 грн
10+	43.97 грн
100+	31.89 грн
500+	25.15 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03E6TA

Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.85 грн
6000+	17.66 грн
9000+	16.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03E6TA

на замовлення 795 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	65.85 грн
10+	54.79 грн
100+	38.26 грн
500+	30.18 грн
1000+	27.42 грн
3000+	27.22 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03E6TA

на замовлення 2972 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	63.96 грн
18+	45.16 грн
100+	31.15 грн
500+	23.08 грн
1000+	21.23 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03E6TA

MOSFETs 30V P-Chnl HDMOS

на замовлення 4101 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	80.45 грн
10+	49.47 грн
100+	28.33 грн
500+	21.98 грн
1000+	19.94 грн
3000+	16.73 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03E6TC

MOSFET 30V P Chnl HDMOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03E6TC

Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03G

07+ SOT223

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03G

SOT223

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03GTA

Description: MOSFET P-CH 30V 2.9A SOT223

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM62P03GTA

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM63C02

2004

на замовлення 744 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM63C02X8

на замовлення 700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM63C02XTA

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM63C03

2004

на замовлення 811 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM63C03XTA

на замовлення 2600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM63N02

на замовлення 102 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM63N02E6TA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM63N02E6TA

Diodes Inc.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM63N02XTA

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM63N03XTA

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM63P02

на замовлення 2380 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM63P02E6TA

2004

на замовлення 429 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM63P02XTA

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM63P03XTA

на замовлення 320 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N02

на замовлення 648 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N02X

07+ MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N02X

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N02X

MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N02XTA

09+

на замовлення 3681 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N02XTA

Description: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-MSOP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N02XTA

05+

на замовлення 77 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N02XTA

Description: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-MSOP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N02XTA

MOSFET 20V P-Chnl HDMOS

на замовлення 1321 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N02XTA

TSSOP8

на замовлення 14694 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N02XTC

Description: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N035

02+ TO-220

на замовлення 134 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N035G

07+ SOT223

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N035G

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N035G

SOT223

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N035GT

на замовлення 1100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N035GTA

SOT223

на замовлення 23790 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N035GTA

Description: MOSFET N-CH 35V 6.7A SOT223

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N035GTA

Description: MOSFET N-CH 35V 6.7A SOT223

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N035GTA12A/35V

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N035L3

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N035L3

Description: MOSFET N-CH 35V 13A TO-220-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N035L3

TO-220 02 29

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N03X

07+ MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N03X

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N03X

MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N03XTA

Description: MOSFET N-CH 30V 5A 8-MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N03XTA

на замовлення 441 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N03XTC

Description: MOSFET N-CH 30V 5A 8MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM64N03XTR-ND

2004

на замовлення 446 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P02X

05+ SOP

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P02X

07+ MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P02X

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P02X

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P02X

MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P02XTA

MOSFETs 20V P-Chnl HDMOS

на замовлення 1598 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	137.01 грн
10+	86.37 грн
100+	50.73 грн
500+	40.28 грн
1000+	35.84 грн
2000+	35.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P02XTA

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 15 V

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	42.36 грн
2000+	37.66 грн
3000+	36.07 грн
5000+	32.82 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P02XTA

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 15 V

на замовлення 9645 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.71 грн
10+	74.04 грн
100+	57.57 грн
500+	45.80 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P02XTC

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P035

на замовлення 1366 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P035G

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P035G

SOT223

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P035G

07+ SOT223

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P035GT

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P035GTA

Description: MOSFET P-CH 35V 3.8A SOT223

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P035GTA

SOT223

на замовлення 5990 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P035GTA

Description: MOSFET P-CH 35V 3.8A SOT223

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P035GTA12A/35V

на замовлення 6200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P035L3

Description: MOSFET P-CH 35V 12A TO-220-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P035L3

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P03X

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P03X

Description: DIODES INC. - ZXM64P03X - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.075 ohm, MSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 620 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	125.86 грн
10+	94.79 грн
100+	68.74 грн
500+	54.59 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P03X

MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P03X

MOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P03X

07+ MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P03X

на замовлення 620 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	68.74 грн
500+	54.51 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P03XTA

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	49.80 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P03XTA

MOSFETs 30V P Chnl HDMOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P03XTA

Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V

на замовлення 7884 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	102.93 грн
10+	81.21 грн
100+	63.17 грн
500+	50.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P03XTA

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P03XTA

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	60.45 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P03XTA

Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	45.79 грн
2000+	40.76 грн
3000+	39.07 грн
5000+	36.01 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P03XTA

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	43.09 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P03XTC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM64P03XTR-ND

2004

на замовлення 679 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM66N02

09+ SO-8

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM66N02

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM66N02N8TA

Description: MOSFET N-CH 20V 9A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM66N03

09+ SO-8

на замовлення 2580 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM66N03

на замовлення 1615 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM66N03N8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM66P02

SO-8

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM66P02N8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM66P02N8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM66P02N8

на замовлення 2152 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM66P02N8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM66P02N8TA

Description: MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2068 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM66P02N8TA

Description: MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2068 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM66P02N8TA

MOSFET 20V P-Chnl HDMOS

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM66P02N8TA

на замовлення 694 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM66P02N8TC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM66P03

на замовлення 291 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM66P03

на замовлення 65 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM66P03

09+ SO-8

на замовлення 1291 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM66P03N8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM66P03N8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM66P03N8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXM66P03N8TA

Description: MOSFET P-CH 30V 6.25A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1979 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXM66P03N8TA

Description: MOSFET P-CH 30V 6.25A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1979 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC10A816N8

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC10A816N8TA

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC10A816N8TA

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	34.06 грн
5000+	33.15 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMC10A816N8TC

Description: DIODES INC. - ZXMC10A816N8TC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.1 A, 2.1 A, 0.23 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.235ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.23ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 327 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	116.30 грн
11+	72.88 грн
100+	47.55 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXMC10A816N8TC

MOSFETs 100V COMPLEMENTARY DUAL ENHANCEMNT MODE

на замовлення 7705 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	105.94 грн
10+	65.25 грн
25+	56.12 грн
100+	37.42 грн
250+	37.35 грн
500+	30.04 грн
1000+	27.45 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMC10A816N8TC

Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497pF @ 50V, 717pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 2814 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	102.93 грн
10+	62.43 грн
100+	41.59 грн
500+	30.64 грн
1000+	27.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

на замовлення 313 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC10A816N8TC
Код товару: 184010

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	34.35 грн
5000+	33.44 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMC10A816N8TC

Description: DIODES INC. - ZXMC10A816N8TC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.1 A, 2.1 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	46.12 грн
500+	36.32 грн
1000+	26.70 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	32.06 грн
5000+	31.21 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMC10A816N8TC

Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497pF @ 50V, 717pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	26.86 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

на замовлення 313 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

248+	41.39 грн

Мінімальне замовлення: 248

В кошику од. на суму грн.

ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	36.41 грн
5000+	35.44 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16

03+ SMD8

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16DN8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16DN8

09+

на замовлення 34 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16DN8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16DN8QTA

MOSFET BVDSS, 25V to 30V SO-8 0.5K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16DN8QTA

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 T&R 0.5K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16DN8TA

MOSFETs N and P Channel

на замовлення 1354 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	137.01 грн
10+	86.37 грн
100+	50.59 грн
500+	34.14 грн
1000+	32.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, 4.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 44290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	142.87 грн
10+	87.87 грн
100+	59.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, 4.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 44075 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	48.93 грн
1000+	43.19 грн
1500+	41.19 грн
2500+	36.54 грн
3500+	35.29 грн
5000+	34.96 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16DN8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16DN8TC

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	40.44 грн
5000+	37.26 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16DN8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16DN8TC

на замовлення 22877 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	142.87 грн
10+	87.87 грн
100+	59.34 грн
500+	44.22 грн
1000+	40.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A16DN8TC

MOSFETs Cmp 30V NP Ch UMOS

на замовлення 3242 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	137.01 грн
10+	86.37 грн
100+	50.59 грн
500+	40.21 грн
1000+	37.07 грн
2500+	32.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A17

на замовлення 75 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A17DN8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A17DN8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A17DN8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A17DN8TA

ZXMC3A17DN8TA Multi channel transistors

на замовлення 85 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	103.66 грн
23+	52.37 грн
62+	49.51 грн
1000+	49.36 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A17DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 14756 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	110.61 грн
10+	67.31 грн
100+	44.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A17DN8TA

Description: DIODES INC. - ZXMC3A17DN8TA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.4 A, 4.4 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 363 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	42.90 грн
250+	38.78 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A17DN8TA

MOSFETs 30V Enhancement Mode

на замовлення 908 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	105.94 грн
10+	65.95 грн
100+	38.23 грн
500+	29.09 грн
1000+	25.19 грн
2500+	24.65 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A17DN8TA

на замовлення 168 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	117.09 грн
11+	73.92 грн
50+	61.57 грн
100+	45.71 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A17DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 14500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	36.54 грн
1000+	32.09 грн
1500+	30.51 грн
2500+	26.96 грн
3500+	25.98 грн
5000+	25.02 грн
12500+	24.07 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A17DN8TC

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A18

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A18DN8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A18DN8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A18DN8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A18DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3A18DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3AM832

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3AM832TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3AM832TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP

на замовлення 563 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3AM832TA

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3AM832TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3AMCTA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Part Status: Active

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.57 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3AMCTA

MOSFETs 30V COMP ENH MODE 20V VGS 3.7 IDS

на замовлення 12431 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	88.42 грн
10+	61.09 грн
100+	33.59 грн
250+	28.40 грн
500+	25.47 грн
1000+	25.33 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3AMCTA

ZXMC3AMCTA Multi channel transistors

на замовлення 2921 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	134.25 грн
31+	38.66 грн
84+	36.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3AMCTA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8-Pin DFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3AMCTA

Description: DIODES INC. - ZXMC3AMCTA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.45W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN3020B
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.45W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	36.08 грн
500+	28.70 грн
1000+	25.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3AMCTA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Part Status: Active

на замовлення 18690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	102.93 грн
10+	62.57 грн
100+	33.31 грн
500+	27.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3AMCTA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8-Pin DFN EP T/R

на замовлення 1026 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3AMCTA

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	82.04 грн
14+	61.02 грн
100+	36.08 грн
500+	28.70 грн
1000+	25.47 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3F31DN8

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3F31DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 23000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	25.57 грн
1000+	22.31 грн
1500+	21.14 грн
2500+	18.59 грн
3500+	17.86 грн
5000+	17.14 грн
12500+	15.48 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3F31DN8TA

MOSFETs 30V S08 Dual MOSFET 20V VBR 4.5V Gate

на замовлення 3722 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	52.25 грн
10+	42.48 грн
100+	25.40 грн
500+	17.96 грн
1000+	16.39 грн
2500+	15.98 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3F31DN8TA

ZXMC3F31DN8TA Multi channel transistors

на замовлення 444 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	95.69 грн
39+	29.98 грн
108+	28.40 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3F31DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 23500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	80.65 грн
10+	48.45 грн
100+	31.79 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559

SO-8

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V, 1021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	98.15 грн
10+	89.55 грн
25+	88.66 грн
100+	69.77 грн
250+	43.84 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

155+	83.58 грн
157+	82.75 грн
192+	67.53 грн
283+	44.19 грн

Мінімальне замовлення: 155

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	36.94 грн
1000+	34.79 грн
2500+	26.44 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V, 1021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 158 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	118.29 грн
10+	72.41 грн
100+	48.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8TA

MOSFETs Comp. 60V NP-Chnl

на замовлення 3569 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	125.06 грн
10+	78.36 грн
100+	44.04 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	35.85 грн
1000+	32.76 грн
2000+	30.49 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8TA

ZXMC4559DN8TA Multi channel transistors

на замовлення 137 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	155.27 грн
33+	36.10 грн
90+	34.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8TC

MOSFETs 60V TRENCH MOSFET 20V VGS P-Channel

на замовлення 3417 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	164.09 грн
10+	103.64 грн
100+	61.04 грн
500+	50.93 грн
1000+	44.79 грн
2500+	44.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	56.60 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8TC

Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 1480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1480+	35.68 грн

Мінімальне замовлення: 1480

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8TC

Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4559DN8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4A16DN8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4A16DN8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

на замовлення 2946 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4A16DN8TA

MOSFET 40V N/P-Channel Enhancement MOSFET

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

на замовлення 2946 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC4A16DN8TC

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC6A07T8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC6A09DN8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC6A09DN8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC6A09DN8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC6A09DN8TA

MOSFETs Comp. 60V NP-Chnl

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC6A09DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMC6A09DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V, 1580pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 182 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	133.65 грн
10+	107.10 грн
100+	85.24 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMC6A09DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R

на замовлення 590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

76+	170.36 грн
84+	154.81 грн
85+	153.26 грн
102+	123.13 грн
250+	112.87 грн
500+	91.14 грн

Мінімальне замовлення: 76

В кошику од. на суму грн.

ZXMC6A09DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R

на замовлення 590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	182.53 грн
10+	165.87 грн
25+	164.20 грн
100+	131.92 грн
250+	120.93 грн
500+	97.65 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ZXMC6A09DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V, 1580pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63C02X

MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63C02X

07+ MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63C02XTA

MSOP

на замовлення 15100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63C02XTA

Diodes Inc

Description: MOSFET N+P 20V 1.7A 8-MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63C02XTA

Description: MOSFET N/P-CH 20V 8-MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63C02XTA

09+

на замовлення 15018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63C02XTA

Description: MOSFET N/P-CH 20V 8-MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63C02XTC

Description: MOSFET N/P-CH 20V 8MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63C03X

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63C03X

MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63C03X

07+ MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63C03XTA

на замовлення 2600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63C03XTA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP

на замовлення 13602000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63C03XTA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63C03XTA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP

на замовлення 13603000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63C03XTA

MOSFET 30V N&P Chnl HDMOS

на замовлення 1305 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63C03XTC

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63N02X

2004

на замовлення 1894 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63N02X

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63N02X

MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63N02XTA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP

на замовлення 483345000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63N02XTA

MOSFET Dual 20V N Chl HDMOS

на замовлення 695 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63N02XTA

на замовлення 14000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63N02XTA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP

на замовлення 483345000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63N02XTA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP

на замовлення 400045000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63N02XTC

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63N03X

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63N03X

MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63N03X

07+ MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63N03XTA

MOSFET Dual 30V N Chl HDMOS

на замовлення 944 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63N03XTA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	80.93 грн
2000+	72.56 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63N03XTA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP

на замовлення 4715 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	165.14 грн
10+	142.46 грн
100+	114.48 грн
500+	88.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63N03XTC

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63N03XTC

на замовлення 6500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63P02X

07+ MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63P02X

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63P02X

MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63P02XTA

Description: MOSFET 2P-CH 20V 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.25nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63P02XTA

07+ SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63P02XTA

MOSFET Dual 20V P Chl HDMOS

на замовлення 843 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63P02XTA

SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63P02XTC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63P03X

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63P03X

MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63P03X

07+ MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63P03XTA

TSSOP8

на замовлення 3351 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63P03XTA

MOSFET Dual 30V P Chl HDMOS

на замовлення 1530 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63P03XTA

Description: MOSFET 2P-CH 30V 8-MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD63P03XTC

Description: MOSFET 2P-CH 30V 8MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65N02

09+ SO-8

на замовлення 1149 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65N02

на замовлення 149 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65N02N8TA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65N03

09+ SO-8

на замовлення 1073 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65N03

на замовлення 73 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65N03N8

на замовлення 5200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65N03N8TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65P02

на замовлення 275 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65P02

на замовлення 250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65P02

09+ SO-8

на замовлення 1275 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65P02N8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65P02N8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65P02N8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65P02N8TA

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65P02N8TA

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65P02N8TA

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65P02N8TC

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65P03

на замовлення 1793 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65P03

09+ SO-8

на замовлення 2793 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65P03N8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMD65P03N8TA

Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.8A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07N8TC

Diodes INC.

Транзистор польовий 2N+2P; Udss, В = 100; Id = 800 мА; Ciss, пФ @ Uds, В = 138 @ 60; Qg, нКл = 2,9 @ 10 В; Rds = 700 мОм @ 1,5 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 0,87; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; Id2 = 680 мА; SOICN-8

на замовлення 5 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 0.8A/0.68A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V 0.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA, 680mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 59286 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	122.90 грн
10+	74.48 грн
100+	48.62 грн
500+	36.13 грн
1000+	34.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 0.8A/0.68A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V 0.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA, 680mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 57500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	33.06 грн
5000+	29.87 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07N8TC

ZXMHC10A07N8TC Multi channel transistors

на замовлення 2054 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	91.02 грн
21+	58.28 грн
56+	55.13 грн
1000+	55.00 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07N8TC

MOSFETs Mosfet H-Bridge 100/-100 1.1/-0.9

на замовлення 23143 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	119.48 грн
10+	78.36 грн
100+	45.54 грн
500+	35.98 грн
1000+	32.98 грн
2500+	28.33 грн
5000+	28.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07T8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07T8

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07T8

SM-8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07T8

07+ SM-8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07T8TA

MOSFETs 100V 1.4A N-Channel MOSFET H-Bridge

на замовлення 1085 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	184.00 грн
10+	109.92 грн
100+	68.96 грн
500+	58.10 грн
1000+	53.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07T8TA

Description: DIODES INC. - ZXMHC10A07T8TA - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 100 V, 100 V, 1 A, 1 A, 0.7 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 738 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	91.60 грн
500+	68.57 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07T8TA

Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V SM8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A, 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8

на замовлення 27446 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	176.66 грн
10+	110.13 грн
100+	75.64 грн
500+	57.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07T8TA

Description: DIODES INC. - ZXMHC10A07T8TA - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 100 V, 100 V, 1 A, 1 A, 0.7 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 738 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	205.51 грн
10+	133.02 грн
100+	91.60 грн
500+	68.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 100V 1A/0.8A 8-Pin SM8 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07T8TA

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; complementary pair; 1.3W
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 1.4/-1.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SM8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 700mΩ/1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9/3.5nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC10A07T8TA

Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A, 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	56.56 грн
2000+	50.59 грн
3000+	50.08 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01N8

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01N8DICT

Diodes Inc./Zetex

MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC

на замовлення 2 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01N8TA

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01N8TC

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.17A/1.64A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.17A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A, 1.64A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 54962 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	107.53 грн
10+	65.76 грн
100+	43.90 грн
500+	32.42 грн
1000+	29.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.17A/1.64A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.17A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A, 1.64A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 52500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	28.48 грн
5000+	25.47 грн
7500+	25.15 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01N8TC

MOSFETs Mosfet H-Bridge 30/-30V 2.7/-2.1A

на замовлення 29715 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.06 грн
10+	53.23 грн
100+	30.86 грн
500+	27.92 грн
1000+	26.97 грн
2500+	24.10 грн
5000+	24.03 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01T8

SM-8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01T8

07+ SM-8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01T8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R

на замовлення 1080 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	104.30 грн
10+	94.48 грн
25+	93.98 грн
100+	80.30 грн
250+	73.54 грн
500+	63.71 грн
1000+	58.66 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01T8TA

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8
Part Status: Active

на замовлення 29000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	53.75 грн
2000+	48.03 грн
3000+	46.94 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R

на замовлення 1080 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

133+	97.35 грн
147+	88.18 грн
148+	87.71 грн
167+	74.94 грн
250+	68.64 грн
500+	59.46 грн
1000+	54.75 грн

Мінімальне замовлення: 133

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	67.48 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01T8TA

MOSFETs 30/30V 3.1/2.3A N & P Channel

на замовлення 3645 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	129.04 грн
10+	91.87 грн
100+	59.40 грн
250+	59.06 грн
500+	51.34 грн
1000+	48.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01T8TA

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	62.98 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01T8TA

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8
Part Status: Active

на замовлення 30169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	170.52 грн
10+	101.78 грн
100+	69.79 грн
500+	54.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3A01T8TA
Код товару: 163888

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3F381N8TC

MOSFETs MOSFET H-BRIDGE SOP-8L

на замовлення 9026 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	109.13 грн
10+	69.57 грн
100+	40.35 грн
500+	31.75 грн
1000+	29.02 грн
2500+	25.19 грн
5000+	24.03 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3F381N8TC

Description: DIODES INC. - ZXMHC3F381N8TC - Dual-MOSFET, H-Brücke, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.98 A, 3.98 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.98A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 870mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 870mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1425 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	129.04 грн
50+	82.04 грн
100+	55.20 грн
500+	41.57 грн
1000+	34.96 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3F381N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.98A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.98A, 3.36A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430pF @ 15V, 670pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 70000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	27.97 грн
5000+	25.01 грн
7500+	24.70 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3F381N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.98A/3.36A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3F381N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.98A/3.36A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3F381N8TC

Description: DIODES INC. - ZXMHC3F381N8TC - Dual-MOSFET, H-Brücke, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.98 A, 3.98 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.98A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 870mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 870mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1425 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	55.20 грн
500+	41.57 грн
1000+	34.96 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC3F381N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.98A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.98A, 3.36A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430pF @ 15V, 670pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 71982 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	105.23 грн
10+	64.57 грн
100+	43.11 грн
500+	31.83 грн
1000+	29.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07N8

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	45.70 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07N8TC

Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07N8TC - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.39 A, 1.39 A
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 870mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 870mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5214 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	97.18 грн
13+	62.69 грн
100+	44.13 грн
500+	31.07 грн
1000+	26.15 грн
5000+	24.58 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.39A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 289923 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	115.98 грн
10+	69.82 грн
100+	46.02 грн
500+	34.71 грн
1000+	31.68 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07N8TC

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	35.72 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07N8TC

MOSFETs Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A

на замовлення 42870 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101.16 грн
10+	64.38 грн
100+	38.44 грн
500+	31.13 грн
1000+	28.54 грн
2500+	26.42 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	38.12 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07N8TC

на замовлення 5214 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.13 грн
500+	31.07 грн
1000+	26.15 грн
5000+	24.58 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.39A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 287500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	31.44 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	42.65 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R

на замовлення 95000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	38.03 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07T8

SM-8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07T8

07+ SM-8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07T8

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07T8TA

Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07T8TA - Dual-MOSFET, H-Brücke, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.8 A, 1.8 A, 1.5 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 369 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	116.30 грн
200+	87.28 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07T8TA

Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.6A SM8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A, 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 233pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8

на замовлення 5881 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	165.91 грн
10+	102.81 грн
100+	70.33 грн
500+	52.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07T8TA

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 1.4/-1.2A
Power dissipation: 1.36W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 250/400mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.2/5.1nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge

на замовлення 2735 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	158.43 грн
10+	96.16 грн
50+	75.61 грн
100+	74.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	66.06 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07T8TA

MOSFETs 60V UMOS H-Bridge

на замовлення 3207 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	172.85 грн
10+	109.92 грн
100+	65.75 грн
500+	52.37 грн
1000+	48.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07T8TA

Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07T8TA - Dual-MOSFET, H-Brücke, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.8 A, 1.8 A, 1.5 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 369 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	212.68 грн
10+	137.80 грн
50+	116.30 грн
200+	87.28 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07T8TA

Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.6A SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A, 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 233pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	52.35 грн
2000+	46.78 грн
3000+	45.72 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R

на замовлення 38000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	62.26 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07T8TA

на замовлення 2735 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	190.11 грн
10+	119.82 грн
50+	90.73 грн
100+	89.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ZXMHC6A07T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	70.50 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMHN6A07T8

SM-8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMHN6A07T8

07+ SM-8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMHN6A07T8TA

MOSFETs 60V 1.6A N-Channel MOSFET H-Bridge

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMHN6A07T8TA

Description: MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN

на замовлення 13870 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN0545FFTA

Description: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN0545FFTA

Description: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN0545FFTA

Description: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN0545G4

07+ SOT223

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN0545G4

SOT223

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN0545G4TA

Trans MOSFET N-CH 450V 0.14A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 1114 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	112.13 грн
10+	99.37 грн
25+	72.53 грн
100+	69.24 грн
250+	47.66 грн
500+	45.29 грн
1000+	45.18 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXMN0545G4TA

Description: MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN0545G4TA

на замовлення 11000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN0545G4TA

Trans MOSFET N-CH 450V 0.14A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN0545G4TA

MOSFET 450V 140mA N-Channel Enhancement MOSFET

на замовлення 5004 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN0545G4TA

Description: MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN0545GTA

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07F

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07F

Description: DIODES INC. - ZXMN10A07F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 640 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 640mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1695 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	30.83 грн
500+	21.89 грн
1500+	17.68 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07F

Description: DIODES INC. - ZXMN10A07F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 640 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 640mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1695 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	61.18 грн
50+	41.10 грн
100+	30.83 грн
500+	21.89 грн
1500+	17.68 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V

на замовлення 51251 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.09 грн
11+	27.44 грн
100+	17.66 грн
500+	12.60 грн
1000+	11.32 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

Description: DIODES INC. - ZXMN10A07FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 800 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 3239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	48.91 грн
50+	32.42 грн
100+	21.91 грн
500+	15.46 грн
1500+	12.77 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.78 грн
6000+	7.98 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.8A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 527 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

7+	48.86 грн
10+	33.28 грн
50+	21.80 грн
100+	18.15 грн
500+	15.29 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.01 грн
6000+	9.51 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	50.72 грн
21+	35.78 грн
100+	25.36 грн
250+	24.28 грн
500+	16.96 грн
1000+	13.76 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V

на замовлення 51000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.72 грн
6000+	9.45 грн
9000+	9.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.62 грн
6000+	8.55 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	110.63 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 213000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.78 грн
6000+	9.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

Description: DIODES INC. - ZXMN10A07FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 800 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 3239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	21.91 грн
500+	15.46 грн
1500+	12.77 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

на замовлення 35800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

388+	33.39 грн
547+	23.67 грн
551+	23.50 грн
730+	17.10 грн
1000+	13.37 грн

Мінімальне замовлення: 388

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 213000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.62 грн
6000+	10.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

на замовлення 527 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

7+	48.86 грн
10+	33.28 грн
50+	21.80 грн
100+	18.15 грн
500+	15.29 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

MOSFETs 100V N-Chnl UMOS

на замовлення 22786 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	44.53 грн
12+	27.95 грн
100+	16.39 грн
500+	12.08 грн
1000+	11.06 грн
3000+	8.81 грн
6000+	8.40 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.79 грн
6000+	10.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

на замовлення 527 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	40.71 грн
16+	26.71 грн
50+	18.16 грн
100+	15.12 грн
500+	12.74 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1788000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.73 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07FTC

Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07Z

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	21.70 грн
2000+	19.63 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07ZTA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.1A; 1.5W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1659 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

6+	61.60 грн
10+	40.56 грн
100+	24.85 грн
250+	21.10 грн
500+	20.02 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07ZTA

на замовлення 1659 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	51.33 грн
13+	32.54 грн
100+	20.71 грн
250+	17.59 грн
500+	16.68 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07ZTA

Description: MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	16.14 грн
2000+	14.12 грн
3000+	13.40 грн
5000+	11.81 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07ZTA

Description: DIODES INC. - ZXMN10A07ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.7 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1132 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.40 грн
500+	19.53 грн
1000+	15.70 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 3002 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

277+	46.79 грн
371+	34.95 грн
374+	34.62 грн
500+	26.12 грн
1000+	18.54 грн
3000+	16.08 грн

Мінімальне замовлення: 277

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	14.71 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07ZTA

MOSFETs 100V N-Chnl UMOS

на замовлення 20044 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.94 грн
10+	37.37 грн
100+	21.17 грн
500+	16.18 грн
1000+	14.13 грн
2000+	12.22 грн
5000+	11.47 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07ZTA

Description: MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V

на замовлення 5887 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	57.61 грн
10+	34.62 грн
100+	22.46 грн
500+	16.17 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07ZTA

Description: DIODES INC. - ZXMN10A07ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.7 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1132 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	67.71 грн
19+	42.14 грн
100+	27.40 грн
500+	19.53 грн
1000+	15.70 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	21.83 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08

на замовлення 459 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08DN8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08DN8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08DN8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 82006 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	99.09 грн
10+	59.76 грн
100+	39.56 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08DN8TA

Transistor 2xN-Channel MOSFET; 100V; 20V; 300mOhm; 2,1A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; ZXMN10A08DN8TA TZXMN10a08dn8
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	30.80 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08DN8TA

MOSFETs 100V 2.1A N-Channel Enhancement MOSFET

на замовлення 920 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.79 грн
10+	58.10 грн
100+	33.52 грн
500+	26.42 грн
1000+	22.05 грн
2500+	21.03 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08DN8TA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	81.15 грн
11+	73.22 грн
100+	58.46 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 81500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	32.10 грн
1000+	28.12 грн
1500+	26.70 грн
2500+	23.56 грн
3500+	22.67 грн
5000+	21.81 грн
12500+	20.52 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08DN8TA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08DN8TA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08DN8TA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08DN8TC

Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6QTA

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-26 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6QTA

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6QTA

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V SOT26 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6TA

Description: DIODES INC. - ZXMN10A08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1267 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.53 грн
500+	23.23 грн
1000+	20.21 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6TA

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R

на замовлення 5139 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	40.38 грн
20+	37.78 грн
25+	37.40 грн
100+	30.13 грн
250+	27.70 грн
500+	22.28 грн
1000+	20.89 грн
3000+	19.51 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6TA

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6TA

Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V

на замовлення 9123 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	61.45 грн
10+	36.69 грн
100+	23.87 грн
500+	17.21 грн
1000+	15.54 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6TA

на замовлення 1267 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	55.52 грн
23+	35.29 грн
100+	26.53 грн
500+	23.23 грн
1000+	20.21 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6TA

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6TA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.9A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 7.7nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6TA

Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.40 грн
6000+	12.76 грн
9000+	12.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6TA

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R

на замовлення 5139 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

367+	35.26 грн
371+	34.91 грн
444+	29.17 грн
447+	27.93 грн
534+	21.66 грн
1000+	19.50 грн
3000+	18.21 грн

Мінімальне замовлення: 367

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6TA

MOSFETs 100V N-Chnl UMOS

на замовлення 6234 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	63.72 грн
10+	39.10 грн
100+	22.12 грн
500+	17.00 грн
1000+	15.36 грн
3000+	12.77 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6TA-50

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6TA-50

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6TC

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6TC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.5A; 1.1W; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT26
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6TC

MOSFETs 100V N-Chnl UMOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6TC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08E6TC

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08GT

на замовлення 20500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08GTA

MOSFETs 100V N-Channel 2A MOSFET

на замовлення 7051 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.78 грн
10+	48.84 грн
100+	27.92 грн
500+	21.64 грн
1000+	19.94 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08GTA

Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	21.30 грн
2000+	18.74 грн
3000+	17.83 грн
5000+	15.78 грн
7000+	15.21 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08GTA

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08GTA

Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V

на замовлення 9394 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.27 грн
10+	45.78 грн
100+	30.08 грн
500+	21.89 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08GTA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A08T6TA

на замовлення 2525 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A09K

07+ DPAK

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A09K

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A09K

DPAK

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A09KTC

Description: MOSFET N-CH 100V 5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1313 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A09KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A09KTC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.1A; 4.31W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 4.31W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A09KTC

MOSFETs MOSFET N-CH 100V

на замовлення 2509 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	172.85 грн
10+	109.92 грн
100+	65.75 грн
500+	52.37 грн
1000+	49.30 грн
2500+	48.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A09KTC

Description: MOSFET N-CH 100V 5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1313 pF @ 50 V

на замовлення 823 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	163.61 грн
10+	101.33 грн
100+	69.33 грн
500+	52.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A09KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2255 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	86.43 грн
10+	82.61 грн
100+	74.83 грн
500+	66.26 грн
1000+	55.06 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11G

Description: DIODES INC. - ZXMN10A11G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 3.9
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 1290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	38.71 грн
500+	28.40 грн
1000+	25.67 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11G

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11G

Description: DIODES INC. - ZXMN10A11G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 1920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	62.93 грн
17+	49.15 грн
100+	29.23 грн
500+	25.07 грн
1000+	21.10 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11GFTA

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11GTA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.9A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

на замовлення 303 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	72.57 грн
10+	41.91 грн
100+	27.45 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11GTA

Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V

на замовлення 90619 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	74.51 грн
10+	44.90 грн
100+	29.46 грн
500+	21.43 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	31.54 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11GTA

MOSFETs 100V N-Chnl UMOS

на замовлення 3156 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.78 грн
10+	48.52 грн
100+	27.72 грн
500+	21.51 грн
1000+	18.84 грн
2000+	17.14 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	29.43 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11GTA

Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	20.85 грн
2000+	18.34 грн
3000+	17.45 грн
5000+	15.44 грн
7000+	14.89 грн
10000+	14.35 грн
25000+	14.00 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11GTA
Код товару: 131543

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11GTA

на замовлення 303 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	87.09 грн
10+	52.23 грн
100+	32.94 грн
500+	27.12 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 43000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	20.95 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11GTC

Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11K

Description: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11K

Description: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11K

Description: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11KT

на замовлення 78000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11KTC

Description: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	18.73 грн
5000+	16.64 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11KTC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.1A; 4.06W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 4.06W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11KTC

MOSFETs N-Chan 100V MOSFET (UMOS)

на замовлення 787 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	82.04 грн
10+	50.41 грн
100+	28.68 грн
500+	22.19 грн
1000+	20.07 грн
2500+	16.93 грн
5000+	16.59 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A11KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25

SOT-223

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 603 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	100.85 грн
10+	91.15 грн
25+	90.20 грн
100+	68.92 грн
250+	63.23 грн
500+	50.53 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25GTA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.7A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

на замовлення 971 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	92.93 грн
8+	58.19 грн
10+	50.21 грн
25+	45.20 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25GTA

Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V

на замовлення 22216 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	115.98 грн
10+	71.15 грн
100+	47.77 грн
500+	35.43 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 603 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

153+	85.08 грн
154+	84.19 грн
194+	66.71 грн
250+	63.73 грн
500+	49.13 грн

Мінімальне замовлення: 153

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25GTA

на замовлення 971 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	111.52 грн
5+	72.51 грн
10+	60.26 грн
25+	54.24 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25GTA

MOSFETs 100V N-Channel 2.9A MOSFET

на замовлення 1655 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	122.67 грн
10+	76.95 грн
100+	44.99 грн
500+	35.50 грн
1000+	30.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25GTA

Description: DIODES INC. - ZXMN10A25GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.125 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 742 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	43.89 грн
500+	40.39 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25GTA

Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V

на замовлення 22000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	34.79 грн
2000+	30.87 грн
3000+	29.53 грн
5000+	26.45 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25GTA

на замовлення 742 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	108.33 грн
13+	65.95 грн
100+	43.89 грн
500+	40.39 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25K

Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25K

Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25KTC

MOSFETs N-Chan 100V MOSFET (UMOS)

на замовлення 4336 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	131.43 грн
10+	83.23 грн
100+	48.48 грн
500+	38.37 грн
1000+	35.71 грн
2500+	33.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25KTC

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	33.89 грн
5000+	30.98 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25KTC

Description: DIODES INC. - ZXMN10A25KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.4 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 309 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	101.96 грн
10+	81.25 грн
100+	56.56 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25KTC

на замовлення 7009 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	124.43 грн
10+	76.33 грн
100+	51.46 грн
500+	38.28 грн
1000+	35.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25KTC

на замовлення 309 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	56.56 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10A25KTC

на замовлення 78000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10B08E6

09+ SOP

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10B08E6

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10B08E6QTA

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10B08E6QTA

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V 100V SOT26 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10B08E6TA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 6-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10B08E6TA

MOSFETs 100V N-Chnl UMOS

на замовлення 3717 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.16 грн
10+	43.50 грн
100+	26.08 грн
500+	20.82 грн
1000+	19.05 грн
3000+	18.30 грн
6000+	18.23 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10B08E6TA

Description: DIODES INC. - ZXMN10B08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.23 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 8504 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.22 грн
500+	21.15 грн
1500+	19.12 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10B08E6TA

Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497 pF @ 50 V

на замовлення 12583 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	77.58 грн
10+	47.04 грн
100+	30.90 грн
500+	22.50 грн
1000+	20.40 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10B08E6TA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 6-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10B08E6TA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.5A; 1.1W; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 72 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	86.03 грн
10+	58.38 грн
25+	47.14 грн
50+	41.03 грн
100+	35.80 грн
500+	27.12 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10B08E6TA

Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497 pF @ 50 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.05 грн
6000+	16.96 грн
9000+	16.25 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10B08E6TA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.5A; 1.1W; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	71.69 грн
10+	46.84 грн
25+	39.28 грн
50+	34.19 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10B08E6TA

на замовлення 8504 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	45.24 грн
50+	38.23 грн
100+	31.22 грн
500+	21.15 грн
1500+	19.12 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10B08E6TA 10B8

N-MOSFET 1.6A 100V 1.1W 0.23Ω ZXMN10B08E6 TZXMN10b08e6
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 36 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	20.79 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

ZXMN10B08E6TC

Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN15A27KT

на замовлення 78000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN15A27KTC

на замовлення 6070 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN15A27KTC

Description: MOSFET N-CH 150V 1.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN15A27KTC

MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 150V N-CHANNEL

на замовлення 136 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2069FTA

Description: MOSFET N-CH SOT23-3

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2088DE6

на замовлення 123800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2088DE6TA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 6-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2088DE6TA

MOSFETs 20V DUAL SOT23-6 20V VBR MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2088DE6TA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN20B28K

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN20B28K-13

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN20B28KT

на замовлення 20500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN20B28KTC

Description: MOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 358 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN20B28KTC

Trans MOSFET N-CH 200V 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	29.67 грн
5000+	29.37 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMN20B28KTC

Description: DIODES INC. - ZXMN20B28KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.5 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 3290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	33.53 грн
500+	26.04 грн
1000+	20.41 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN20B28KTC

Description: MOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 358 pF @ 25 V

на замовлення 1549 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	77.58 грн
10+	46.82 грн
100+	30.77 грн
500+	22.40 грн
1000+	20.31 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN20B28KTC

Trans MOSFET N-CH 200V 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	24.26 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMN20B28KTC

на замовлення 3290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	53.21 грн
50+	43.41 грн
100+	33.53 грн
500+	26.04 грн
1000+	20.41 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

ZXMN20B28KTC

MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 200V N-CHANNEL

на замовлення 24466 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	52.73 грн
10+	42.48 грн
100+	25.54 грн
500+	21.92 грн
1000+	19.94 грн
2500+	15.29 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXMN20B28KTC

Trans MOSFET N-CH 200V 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN20B28KTC

10+ SOT-23

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN20B28KTC-13

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01E6

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01E6

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01E6TA

Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V

на замовлення 1633 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	44.55 грн
10+	37.57 грн
100+	28.79 грн
500+	21.35 грн
1000+	17.08 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01E6TA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 6-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01E6TA

Description: DIODES INC. - ZXMN2A01E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.12 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	18.64 грн
500+	16.86 грн
1000+	15.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01E6TA

Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01E6TA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 6-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 7266 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

47+	15.82 грн

Мінімальне замовлення: 47

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01E6TA

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	30.59 грн
30+	26.76 грн
100+	18.64 грн
500+	16.86 грн
1000+	15.16 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01E6TA

на замовлення 967 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01E6TA

MOSFETs 20V N-Chnl UMOS

на замовлення 4133 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	31.54 грн
14+	22.61 грн
100+	15.23 грн
500+	11.81 грн
1000+	11.68 грн
3000+	11.61 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01E6TC

Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01F

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01F

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.22 грн
6000+	9.63 грн
9000+	9.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V

на замовлення 159000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.26 грн
6000+	8.14 грн
9000+	7.75 грн
15000+	6.85 грн
21000+	6.61 грн
30000+	6.37 грн
75000+	6.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 189000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01FTA

Description: DIODES INC. - ZXMN2A01FTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 8155 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	12.43 грн
500+	11.39 грн
1500+	9.97 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.47 грн
6000+	8.99 грн
9000+	8.90 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

137+	17.37 грн

Мінімальне замовлення: 137

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01FTA

на замовлення 8155 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	41.74 грн
50+	24.93 грн
100+	12.43 грн
500+	11.39 грн
1500+	9.97 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01FTA

ZXMN2A01FTA SMD N channel transistors

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

7+	47.69 грн
133+	8.78 грн
366+	8.28 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V

на замовлення 159870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.48 грн
12+	24.85 грн
100+	15.90 грн
500+	11.29 грн
1000+	10.12 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01FTA

MOSFETs 20V N-Chnl UMOS

на замовлення 9767 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	39.43 грн
12+	27.48 грн
100+	15.57 грн
500+	11.61 грн
1000+	10.38 грн
3000+	9.22 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01FTA 7N2

Trans MOSFET N-CH 20V 2.2A Automotive 3-Pin SOT-23 ZXMN2A01FTA TZXMN2a01fta
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

200+	5.10 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A01FTC

Description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A02

на замовлення 938 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A02F

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A02N8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A02N8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A02N8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A02N8TA

Description: MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A02N8TA

MOSFET 20V N Chnl UMOS

на замовлення 416 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A02N8TA

Description: MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC

на замовлення 749 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A02X8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A02X8

MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A02X8

07+ MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A02X8TA

Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A02X8TA

Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

на замовлення 93 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A02X8TA

на замовлення 2080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A02X8TA

Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A02X8TC

Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A03

на замовлення 1126 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A03E6

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A03E6TA

MOSFETs N Channel

на замовлення 1764 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.21 грн
10+	52.84 грн
100+	31.41 грн
500+	24.92 грн
1000+	22.26 грн
3000+	20.00 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A03E6TA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 837 pF @ 10 V

на замовлення 18409 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	59.91 грн
10+	49.41 грн
100+	34.22 грн
500+	26.83 грн
1000+	22.83 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A03E6TA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 837 pF @ 10 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.50 грн
6000+	20.53 грн
9000+	19.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A03E6TA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A Automotive 6-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A03E6TC

Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 837 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A04D

09+ SO-8

на замовлення 1021 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A04D

на замовлення 21 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A04DN8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A04DN8TA

Trans MOSFET N-CH 20V 7.7A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	83.51 грн
11+	70.97 грн
100+	68.40 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A04DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 12579 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	139.79 грн
10+	111.54 грн
100+	88.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A04DN8TA

SOP 08+PBF

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A04DN8TA

Trans MOSFET N-CH 20V 7.7A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A04DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	78.02 грн
1000+	63.75 грн
2500+	60.56 грн
5000+	54.70 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A04DN8TA

Trans MOSFET N-CH 20V 7.7A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A04DN8TA

MOSFETs Dl 20V N-Chnl UMOS

на замовлення 494 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	139.40 грн
10+	114.64 грн
100+	79.20 грн
500+	59.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A04DN8TC

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A14F

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A14F

TOSHIBA

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A14FTA

N-MOSFET 20V 3.4A ZXMN2A14FTA DIODES TZXMN2a14f
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	7.29 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A14FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2696 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	46.88 грн
19+	40.88 грн
25+	40.46 грн
100+	30.50 грн
250+	27.98 грн
500+	21.96 грн
1000+	17.36 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A14FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 10 V

на замовлення 66000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.37 грн
6000+	11.83 грн
9000+	11.30 грн
15000+	10.04 грн
21000+	9.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A14FTA

MOSFETs N Channel

на замовлення 74263 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.89 грн
10+	31.41 грн
100+	18.30 грн
500+	13.66 грн
1000+	12.56 грн
3000+	11.61 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A14FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2696 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

343+	37.76 грн
439+	29.52 грн
443+	29.24 грн
541+	23.06 грн
1000+	16.88 грн

Мінімальне замовлення: 343

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A14FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2A14FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 10 V

на замовлення 66824 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	57.61 грн
10+	34.47 грн
100+	22.32 грн
500+	16.04 грн
1000+	14.46 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2AM832

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2AM832TA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2AM832TA

на замовлення 746 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2AM832TA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP

на замовлення 3401 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2AMCTA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 299pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2AMCTA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 299pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2AMCTA

MOSFET 20V DUAL N-CH ENH 12V VGS 3.7 IDS

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2AMCTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A Automotive 8-Pin DFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	37.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2AN8

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B01F

Description: DIODES INC. - ZXMN2B01F - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 853 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	45.80 грн
50+	32.82 грн
100+	23.66 грн
500+	18.20 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B01F

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B01F

на замовлення 1919 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	34.09 грн
500+	30.25 грн
1500+	26.56 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B01FTA

ZXMN2B01FTA SMD N channel transistors

на замовлення 2405 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

7+	51.51 грн
72+	16.37 грн
197+	15.48 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B01FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V

на замовлення 61570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.17 грн
13+	23.15 грн
100+	14.81 грн
500+	10.50 грн
1000+	9.40 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B01FTA

MOSFETs 20V N-Channel MOSFET w/low gate drive cap

на замовлення 18309 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	41.66 грн
13+	25.75 грн
100+	14.54 грн
500+	11.13 грн
1000+	10.65 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2022 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

498+	25.99 грн
684+	18.91 грн
690+	18.75 грн
890+	14.02 грн
1099+	10.52 грн

Мінімальне замовлення: 498

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2022 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	33.40 грн
27+	27.85 грн
100+	19.54 грн
250+	17.94 грн
500+	13.35 грн
1000+	10.82 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B01FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V

на замовлення 61570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.59 грн
6000+	7.55 грн
9000+	7.18 грн
15000+	6.34 грн
21000+	6.11 грн
30000+	5.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B03E6

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B03E6TA

Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B03E6TA

MOSFET 20V N-Ch 4.6 MOSFET w/low gate drive cap

на замовлення 8780 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B03E6TA

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B03E6TA

Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A Automotive 6-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B03E6TA

Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V

на замовлення 2994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	59.14 грн
10+	50.00 грн
100+	38.34 грн
500+	28.45 грн
1000+	22.76 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B14FH

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B14FH

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B14FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2668 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

220+	58.90 грн
222+	58.33 грн
291+	44.59 грн
294+	42.57 грн
500+	30.95 грн
1000+	23.62 грн

Мінімальне замовлення: 220

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B14FHTA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 872 pF @ 10 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.51 грн
6000+	21.08 грн
15000+	20.30 грн
30000+	18.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B14FHTA

MOSFETs 20V N-Channel MOSFET w/low gate drive cap

на замовлення 5691 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.24 грн
10+	39.18 грн
100+	22.46 грн
500+	20.35 грн
1000+	19.12 грн
3000+	16.18 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B14FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2668 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	71.94 грн
12+	63.11 грн
25+	62.50 грн
100+	46.07 грн
250+	42.23 грн
500+	31.84 грн
1000+	25.30 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B14FHTA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 872 pF @ 10 V

на замовлення 33397 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	60.68 грн
10+	51.55 грн
100+	39.50 грн
500+	29.31 грн
1000+	23.45 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2B14FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FH

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FH

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FHQTA

Description: MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V

на замовлення 2970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.03 грн
12+	25.81 грн
100+	17.57 грн
500+	12.37 грн
1000+	9.28 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FHQTA

Description: DIODES INC. - ZXMN2F30FHQTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	11.23 грн
500+	9.76 грн
1000+	8.33 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FHQTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FHQTA

Description: MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FHQTA

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 614 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.53 грн
15+	20.96 грн
100+	8.88 грн
3000+	6.55 грн
6000+	6.14 грн
9000+	5.87 грн
24000+	5.60 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FHQTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.28 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FHQTA

на замовлення 2750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	36.48 грн
35+	23.18 грн
100+	11.23 грн
500+	9.76 грн
1000+	8.33 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FHTA

MOSFETs 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET

на замовлення 82289 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	29.47 грн
17+	19.39 грн
100+	8.47 грн
500+	6.62 грн
1000+	5.80 грн
3000+	5.60 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FHTA

ZXMN2F30FHTA SMD N channel transistors

на замовлення 2898 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

9+	39.72 грн
94+	12.43 грн
258+	11.74 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1776+	7.29 грн

Мінімальне замовлення: 1776

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FHTA

Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V

на замовлення 184462 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.72 грн
13+	23.15 грн
100+	13.88 грн
500+	12.06 грн
1000+	8.20 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1167+	7.81 грн

Мінімальне замовлення: 1167

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FHTA

Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V

на замовлення 183000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.36 грн
6000+	7.71 грн
9000+	6.94 грн
30000+	6.42 грн
75000+	6.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FHTA

Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 65mOhm; 4,9A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; ZXMN2F30FHTA TZXMN2f30fh
кількість в упаковці: 25 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	12.74 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F34FH

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F34FH

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F34FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.60 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F34FHTA

MOSFETs 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET

на замовлення 74331 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	23.26 грн
25+	12.72 грн
100+	8.94 грн
500+	6.62 грн
3000+	6.49 грн
6000+	6.28 грн
9000+	6.14 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F34FHTA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 277 pF @ 10 V

на замовлення 112155 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.03 грн
12+	25.81 грн
100+	17.57 грн
500+	12.37 грн
1000+	9.28 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F34FHTA

Description: DIODES INC. - ZXMN2F34FHTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1173 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	24.93 грн
50+	18.32 грн
100+	12.98 грн
500+	10.87 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F34FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F34FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

428+	30.24 грн
597+	21.70 грн
642+	20.18 грн
784+	15.93 грн
1107+	10.44 грн

Мінімальне замовлення: 428

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F34FHTA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 277 pF @ 10 V

на замовлення 108000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.41 грн
6000+	8.51 грн
15000+	7.96 грн
30000+	6.85 грн
75000+	6.60 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F34FHTA

ZXMN2F34FHTA SMD N channel transistors

на замовлення 738 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

11+	30.80 грн
86+	13.71 грн
235+	12.92 грн
3000+	12.90 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F34FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	42.00 грн
22+	34.99 грн
25+	32.40 грн
100+	22.42 грн
250+	19.30 грн
500+	15.17 грн
1000+	10.74 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F34MATA

Description: MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2F34MATA

Description: MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN2N02

на замовлення 128 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3804

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01E6

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01E6

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01E6TA

Description: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V

на замовлення 270000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.67 грн
6000+	13.39 грн
9000+	12.65 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01E6TA

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01E6TA

MOSFETs 30V N-Chnl UMOS

на замовлення 9348 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	54.09 грн
10+	37.53 грн
100+	16.18 грн
500+	12.77 грн
1000+	11.61 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01E6TA

Description: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V

на замовлення 282397 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	38.41 грн
10+	32.25 грн
100+	22.31 грн
500+	17.50 грн
1000+	14.89 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01E6TC

Description: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT23-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01F

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01F

Description: DIODES INC. - ZXMN3A01F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2724 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	53.61 грн
50+	39.59 грн
100+	27.72 грн
500+	17.75 грн
1500+	14.61 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01F

на замовлення 4876 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	30.51 грн
500+	22.41 грн
1500+	18.91 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 516 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	38.34 грн
24+	31.53 грн
25+	31.21 грн
100+	25.07 грн
250+	23.01 грн
500+	14.45 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01FTA

MOSFETs 30V N-Chnl UMOS

на замовлення 75564 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	28.12 грн
16+	19.71 грн
100+	11.33 грн
500+	9.76 грн
1000+	9.29 грн
3000+	8.67 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 72000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.25 грн
6000+	11.02 грн
9000+	10.87 грн
15000+	10.33 грн
30000+	9.29 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 72000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.54 грн
6000+	12.66 грн
15000+	11.79 грн
30000+	10.42 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01FTA

Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V

на замовлення 508393 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	37.64 грн
12+	26.55 грн
100+	18.69 грн
500+	13.36 грн
1000+	12.01 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01FTA

ZXMN3A01FTA SMD N channel transistors

на замовлення 4147 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

8+	43.23 грн
71+	16.47 грн
195+	15.58 грн
3000+	15.57 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 516 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

445+	29.13 грн

Мінімальне замовлення: 445

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01FTA

Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V

на замовлення 507000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.68 грн
6000+	8.54 грн
9000+	8.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01FTC

Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01ZTA

Description: DIODES INC. - ZXMN3A01ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.106 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 970mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	40.31 грн
26+	31.22 грн
100+	20.79 грн
500+	14.79 грн
1000+	11.20 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01ZTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01ZTA

Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 970mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 186 pF @ 25 V

на замовлення 13000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	12.16 грн
2000+	9.70 грн
3000+	9.56 грн
5000+	8.60 грн
7000+	7.81 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01ZTA

MOSFETs 30V N-Ch ENH Mode 120mOhm 10VGS 3.3A

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	30.11 грн
12+	28.27 грн
100+	17.07 грн
500+	13.25 грн
1000+	10.65 грн
2000+	8.81 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01ZTA

Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 970mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 186 pF @ 25 V

на замовлення 13792 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	27.66 грн
100+	18.68 грн
500+	13.35 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01ZTA

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	20.79 грн
500+	14.79 грн
1000+	11.20 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A01ZTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1143+	11.32 грн

Мінімальне замовлення: 1143

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A02N8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A02N8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A02N8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A02N8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A02N8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A02N8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A02N8TA

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A02X8

07+ MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A02X8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A02X8

MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A02X8TA

Description: DIODES INC. - ZXMN3A02X8TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.025 ohm, MSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: MSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	58.07 грн
500+	52.52 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A02X8TA

MOSFETs 30V N Chnl UMOS

на замовлення 13692 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	100.37 грн
10+	76.95 грн
100+	46.77 грн
500+	40.08 грн
1000+	34.00 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A02X8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	107.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A02X8TA

на замовлення 780 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A02X8TA

на замовлення 988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	107.53 грн
10+	82.84 грн
100+	58.07 грн
500+	52.52 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A02X8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	47.22 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A02X8TC

Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A03E6

Description: DIODES INC. - ZXMN3A03E6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2582 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.15 грн
500+	23.82 грн
1000+	20.76 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A03E6

на замовлення 2582 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	78.86 грн
15+	56.40 грн
100+	40.70 грн
500+	31.29 грн
1000+	26.49 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A03E6

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A03E6

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A03E6TA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A03E6TA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V

на замовлення 37420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	79.88 грн
10+	52.15 грн
100+	34.44 грн
500+	25.15 грн
1000+	22.84 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A03E6TA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A03E6TA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1927 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

307+	30.09 грн
500+	27.59 грн
1000+	26.13 грн

Мінімальне замовлення: 307

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A03E6TA

MOSFETs 30V N Chnl UMOS

на замовлення 20954 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	70.57 грн
10+	51.59 грн
100+	20.41 грн
500+	18.71 грн
1000+	18.23 грн
3000+	16.86 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A03E6TA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.03 грн
6000+	19.64 грн
9000+	19.39 грн
15000+	17.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A03E6TA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1927 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

461+	28.09 грн

Мінімальне замовлення: 461

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A03E6TC

Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04D

на замовлення 109 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04D

ZXMN

04+ SMD8

на замовлення 1120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04D

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04D

09+ SO-8

на замовлення 1109 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04DN8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04DN8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04DN8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04DN8TA

MOSFETs Dl 30V N-Chnl UMOS

на замовлення 930 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	129.04 грн
10+	102.86 грн
100+	63.50 грн
250+	63.36 грн
500+	49.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.81W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 23500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	51.93 грн
1000+	47.80 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04DN8TA

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.81W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 23886 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	167.45 грн
10+	101.78 грн
100+	68.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04DN8TC

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04DN8TC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04K

DPAK

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04K

07+ DPAK

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04K

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04KTC

Description: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	55.08 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04KTC

MOSFET N-Ch 30 Volt 18.4A

на замовлення 1549 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	156.12 грн
10+	138.98 грн
100+	96.95 грн
500+	79.88 грн
1000+	66.09 грн
2500+	61.24 грн
10000+	57.42 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04KTC

Description: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	184.34 грн
10+	114.94 грн
100+	79.15 грн
500+	60.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04KTC

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A04KTC

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A05N8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A06D

на замовлення 367 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A06DN8

09+

на замовлення 397 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A06DN8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A06DN8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A06DN8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A06DN8TA

MOSFETs Dl 30V N-Chnl UMOS

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101.16 грн
10+	66.90 грн
100+	47.52 грн
500+	32.77 грн
1000+	32.09 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A06DN8TA

Dual N-Channel 30 V 0.035 Ohm Power MOSFET ZXMN3A06DN8TA DIODES TZXMN3a06dn8
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 8 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	59.14 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A06DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 514 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.56 грн
10+	75.59 грн
100+	58.95 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A06DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	50.57 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A06DN8TC

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A06N8TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A13FTA

на замовлення 1503 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14F

07+ SOT23

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14F

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14F

SOT23

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14F

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14FPBF

на замовлення 700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14FQTA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14FQTA

MOSFET MOSFET BVDSS 25V-30V

на замовлення 19671 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	55.44 грн
10+	47.97 грн
100+	32.02 грн
500+	25.26 грн
1000+	20.21 грн
3000+	19.19 грн
9000+	17.21 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14FQTA

ZXMN3A14FQTA SMD N channel transistors

на замовлення 2748 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

6+	55.12 грн
39+	30.38 грн
106+	28.70 грн
3000+	28.68 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14FQTA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V

на замовлення 2975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	57.61 грн
10+	48.52 грн
100+	37.21 грн
500+	27.61 грн
1000+	22.09 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14FTA

MOSFETs N Channel

на замовлення 42565 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	32.18 грн
15+	21.91 грн
100+	16.59 грн
3000+	12.43 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 525 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

322+	40.27 грн
390+	33.25 грн
413+	31.39 грн
500+	25.13 грн

Мінімальне замовлення: 322

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14FTA

Description: DIODES INC. - ZXMN3A14FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.048 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2931 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.33 грн
500+	20.12 грн
1000+	17.27 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14FTA

08+ SOP8

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14FTA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V

на замовлення 483000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.60 грн
6000+	14.00 грн
9000+	13.85 грн
15000+	12.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 525 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	50.07 грн
17+	44.75 грн
25+	43.14 грн
100+	34.35 грн
250+	30.03 грн
500+	23.93 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14FTA

на замовлення 2931 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	40.86 грн
21+	38.15 грн
100+	25.33 грн
500+	20.12 грн
1000+	17.27 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14FTA

SOT23 08+

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3A14FTA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V

на замовлення 485495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.72 грн
14+	21.45 грн
100+	17.91 грн
500+	16.20 грн
1000+	15.24 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3AM832

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3AM832TA

2004

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3AM832TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3AM832TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP

на замовлення 3169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3AM832TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3AMCTA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 41 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	61.45 грн
10+	51.11 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3AMCTA

MOSFET 30V DUAL N-CH ENH 20V VGS 3.7 IDS

на замовлення 625 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3AMCTA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B01F

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B01FTA

Description: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.93 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 15 V

на замовлення 538991 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	38.41 грн
10+	31.58 грн
100+	21.97 грн
500+	16.10 грн
1000+	13.08 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.44 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B01FTA

MOSFETs 30V N Chnl UMOS

на замовлення 4572 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	48.43 грн
10+	34.86 грн
100+	21.10 грн
500+	15.98 грн
1000+	13.31 грн
3000+	10.92 грн
6000+	10.65 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B01FTA

Description: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.93 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 15 V

на замовлення 537000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.94 грн
6000+	11.83 грн
9000+	10.98 грн
30000+	10.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B01FTC

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B04N8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B04N8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B04N8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B04N8TA

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B04N8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 15 V

на замовлення 2697 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	81.42 грн
10+	64.50 грн
100+	50.19 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B04N8TA

MOSFETs 30V N-Chnl UMOS

на замовлення 672 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	105.14 грн
10+	70.19 грн
100+	43.49 грн
500+	32.64 грн
1000+	29.09 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B04N8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 15 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	44.17 грн
1000+	34.65 грн
2500+	32.62 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B04N8TAPBF

на замовлення 467 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B04N8TC

Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B14F

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B14F

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B14FTA

Description: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 568 pF @ 15 V

на замовлення 137439 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	54.54 грн
10+	34.84 грн
100+	23.92 грн
500+	17.78 грн
1000+	16.24 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B14FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.17 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B14FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B14FTA

Description: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 568 pF @ 15 V

на замовлення 135000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.78 грн
6000+	14.12 грн
9000+	13.99 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B14FTA

MOSFETs 30V N Chnl UMOS

на замовлення 63317 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.22 грн
10+	42.63 грн
100+	24.17 грн
500+	18.64 грн
1000+	16.93 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B14FTA

Description: DIODES INC. - ZXMN3B14FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.9 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1561 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.80 грн
500+	22.34 грн
1500+	18.71 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B14FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.29 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B14FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3B14FTA

на замовлення 1561 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	47.63 грн
50+	37.36 грн
100+	27.80 грн
500+	22.34 грн
1500+	18.71 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3F30FH

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.30 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3F30FHTA

MOSFETs 30V N-Channel Enhance. Mode MOSFET

на замовлення 14677 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	34.97 грн
18+	18.45 грн
100+	13.93 грн
500+	8.19 грн
1000+	7.99 грн
3000+	7.78 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3F30FHTA

Description: DIODES INC. - ZXMN3F30FHTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.047 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	44.13 грн
50+	26.45 грн
100+	18.24 грн
500+	14.05 грн
1500+	9.97 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3F30FHTA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 318 pF @ 15 V

на замовлення 366845 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	35.33 грн
15+	20.71 грн
100+	15.53 грн
500+	10.89 грн
1000+	9.52 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

435+	29.75 грн
578+	22.41 грн
729+	17.77 грн
1000+	13.41 грн
3000+	10.66 грн
6000+	9.45 грн

Мінімальне замовлення: 435

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3147 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	42.00 грн
22+	33.77 грн
25+	33.53 грн
100+	24.47 грн
250+	22.41 грн
500+	17.15 грн
1000+	13.87 грн
3000+	11.25 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3F30FHTA

ZXMN3F30FHTA SMD N channel transistors

на замовлення 745 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

7+	47.26 грн
81+	14.60 грн
221+	13.81 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	38.67 грн
24+	31.88 грн
100+	24.01 грн
500+	18.35 грн
1000+	13.31 грн
3000+	10.97 грн
6000+	10.12 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3F30FHTA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 318 pF @ 15 V

на замовлення 366000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.89 грн
6000+	8.42 грн
9000+	8.29 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3F30FHTA

на замовлення 3890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	19.36 грн
500+	10.87 грн
1500+	9.83 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3147 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

414+	31.30 грн
547+	23.68 грн
553+	23.42 грн
693+	18.01 грн
1000+	13.48 грн
3000+	10.50 грн

Мінімальне замовлення: 414

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3F30FHTA KNA

Trans MOSFET N-CH 30V 4.6A Automotive 3-Pin SOT-23 ZXMN3F30FHTA TZXMN3f30fhta
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 480 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	9.24 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3F318DN8

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3F31DN8

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3F31DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 10669 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.17 грн
10+	55.92 грн
100+	36.86 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3F31DN8TA

на замовлення 15774 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.94 грн
10+	56.21 грн
100+	37.14 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3F31DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 15500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	30.05 грн
1000+	26.30 грн
1500+	24.95 грн
2500+	22.00 грн
3500+	21.16 грн
5000+	20.34 грн
12500+	18.91 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3F31DN8TA

MOSFETs 30V Dual N-channel Enhance. Mode MOSFET

на замовлення 634 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	92.40 грн
10+	57.00 грн
100+	32.84 грн
500+	24.99 грн
1000+	21.58 грн
2500+	20.28 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3G32DN8

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3G32DN8TA

MOSFETs 30V Dual N-Channel Enhance. Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3G32DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 472pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 64000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	30.05 грн
1000+	26.30 грн
1500+	24.95 грн
2500+	22.00 грн
3500+	21.16 грн
5000+	20.34 грн
12500+	18.91 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3G32DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 472pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 63509 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.17 грн
10+	55.92 грн
100+	36.86 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3G32DN8TA

на замовлення 64279 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.94 грн
10+	56.21 грн
100+	37.14 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN3G32DN8TC

09+

на замовлення 484 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMN4A06GQTA

Trans MOSFET N-CH 40V 5A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN4A06GQTA

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V SOT223 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 746 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN4A06GQTA

MOSFET MOSFET BVDSS: 31V 40V SOT223 T&R 1K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ZXMN4A06GTA

Trans MOSFET N-CH 40V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	32.60 грн
2000+	28.37 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN4A06GTA

Description: MOSFET N-CH 40V 5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 40 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	25.82 грн
2000+	22.79 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN4A06GTA

Trans MOSFET N-CH 40V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

364+	35.61 грн

Мінімальне замовлення: 364

В кошику од. на суму грн.

ZXMN4A06GTA

Trans MOSFET N-CH 40V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	31.35 грн
2000+	30.74 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN4A06GTA

ZXMN4A06GTA SMD N channel transistors

на замовлення 384 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	99.41 грн
21+	57.69 грн
56+	54.54 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN4A06GTA

MOSFETs 40V N-Chnl UMOS

на замовлення 28711 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	67.39 грн
10+	54.02 грн
100+	33.73 грн
500+	25.74 грн
1000+	23.76 грн
2000+	21.64 грн
5000+	20.96 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ZXMN4A06GTA

Description: DIODES INC. - ZXMN4A06GTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 40 V, 7 A, 0.05 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 1632 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	71.37 грн
16+	51.78 грн
100+	48.67 грн
500+	42.31 грн
1000+	36.32 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

ZXMN4A06GTA

Trans MOSFET N-CH 40V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	33.30 грн
2000+	32.66 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

ZXMN4A06GTA

Trans MOSFET N-CH 40V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

242+	38.15 грн
250+	37.77 грн
500+	32.83 грн

Мінімальне замовлення: 242

В кошику од. на суму грн.

ZXMN4A06GTA

Description: MOSFET N-CH 40V 5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 40 V

на замовлення 3575 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.87 грн
10+	54.44 грн
100+	36.09 грн
500+	26.45 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ZXMN4A06GTA