Продукція > QORVO > Всі товари виробника QORVO (5614) > Сторінка 92 з 94

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 36 45 54 63 72 81 87 88 89 90 91 92 93 94  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UJ4C075033K4S UJ4C075033K4S QORVO 3971381.pdf Description: QORVO - UJ4C075033K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 33 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 33mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+821.98 грн
5+768.34 грн
10+713.87 грн
50+642.19 грн
100+573.69 грн
250+554.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K4S UJ4C075018K4S QORVO 3971379.pdf Description: QORVO - UJ4C075018K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 18 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1327.06 грн
5+1240.40 грн
10+1153.75 грн
50+1029.19 грн
100+911.82 грн
250+872.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009K4S UJ4SC075009K4S QORVO 3971377.pdf Description: QORVO - UJ4SC075009K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 106 A, 750 V, 9 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4064.52 грн
5+3556.15 грн
10+2947.09 грн
50+2453.04 грн
100+2090.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011K4S UJ4SC075011K4S QORVO uj4sc075011k4s-d.pdf Description: QORVO - UJ4SC075011K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 750 V, 11 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3169.09 грн
5+2772.95 грн
10+2297.59 грн
50+1912.77 грн
100+1629.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K4S UJ4C075044K4S QORVO 3971382.pdf Description: QORVO - UJ4C075044K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37.4 A, 750 V, 44 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 44mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+776.59 грн
5+742.76 грн
10+708.92 грн
50+626.86 грн
100+499.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120070K3S UF4C120070K3S QORVO da008657 Description: QORVO - UF4C120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27.5 A, 1.2 kV, 72 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1234.62 грн
5+1080.30 грн
10+895.43 грн
50+745.64 грн
100+635.23 грн
250+592.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC065040B7S UF3SC065040B7S QORVO 3971369.pdf Description: QORVO - UF3SC065040B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 650 V, 42 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 42mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+893.78 грн
5+835.19 грн
10+776.59 грн
50+696.60 грн
100+619.67 грн
250+597.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF4SC120023K4S UF4SC120023K4S QORVO 3971399.pdf Description: QORVO - UF4SC120023K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 1.2 kV, 23 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2122.63 грн
5+1993.89 грн
10+1865.14 грн
50+1713.53 грн
100+1564.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7S UJ4SC075009B7S QORVO 3971384.pdf Description: QORVO - UJ4SC075009B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 106 A, 750 V, 9 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3880.49 грн
5+3395.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065030B3 UF3C065030B3 QORVO 3750881.pdf Description: QORVO - UF3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1313.85 грн
5+1228.02 грн
10+1142.19 грн
50+1016.93 грн
100+897.67 грн
250+857.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065030B3 UF3C065030B3 QORVO 3750881.pdf Description: QORVO - UF3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B3 UF3C065080B3 QORVO 3750889.pdf Description: QORVO - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+474.54 грн
5+443.18 грн
10+411.82 грн
50+368.61 грн
100+326.81 грн
250+314.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B3 UF3C065080B3 QORVO 3750889.pdf Description: QORVO - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+411.82 грн
50+368.61 грн
100+326.81 грн
250+314.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K3S UJ4C075033K3S QORVO da008708 Description: QORVO - UJ4C075033K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 33 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 33mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+788.15 грн
5+753.48 грн
10+719.65 грн
50+636.06 грн
100+507.20 грн
250+499.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UF3N170400B7S UF3N170400B7S QORVO uf3n170400b7s-d.pdf Description: QORVO - UF3N170400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6.8 A, 1.7 kV, 400 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -6.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+576.05 грн
5+550.46 грн
10+525.71 грн
50+464.40 грн
100+420.19 грн
250+411.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K3S UJ4C075060K3S QORVO uj4c075060k3s-d.pdf Description: QORVO - UJ4C075060K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 750 V, 58 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 58mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+611.54 грн
5+585.13 грн
10+557.89 грн
50+493.52 грн
100+392.60 грн
250+372.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060B7S UJ4C075060B7S QORVO da008713 Description: QORVO - UJ4C075060B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25.8 A, 750 V, 58 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 58mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+521.58 грн
5+498.47 грн
10+476.19 грн
50+420.72 грн
100+334.59 грн
250+316.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B7S UF3C065080B7S QORVO 3971370.pdf Description: QORVO - UF3C065080B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27 A, 650 V, 85 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136.4W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 85mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+572.75 грн
5+547.99 грн
10+522.40 грн
50+462.10 грн
100+368.55 грн
250+361.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C170400K3S UF3C170400K3S QORVO da008644 Description: QORVO - UF3C170400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+563.67 грн
5+538.91 грн
10+514.98 грн
50+455.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C170400B7S UF3C170400B7S QORVO uf3c170400b7s-d.pdf Description: QORVO - UF3C170400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 410 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+478.66 грн
5+458.03 грн
10+437.40 грн
50+387.00 грн
100+307.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120400B7S UF3C120400B7S QORVO UF3C120400B7S-D.PDF Description: QORVO - UF3C120400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 410 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+365.60 грн
5+349.92 грн
10+333.41 грн
50+295.04 грн
100+234.85 грн
250+222.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120080B7S UF3C120080B7S QORVO 3971394.pdf Description: QORVO - UF3C120080B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28.8 A, 1.2 kV, 85 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 85mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+930.10 грн
5+869.02 грн
10+807.95 грн
50+724.19 грн
100+644.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N120035K3S UJ3N120035K3S QORVO 3750933.pdf Description: QORVO - UJ3N120035K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 1.2 kV, 0.031 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2495.66 грн
5+2308.32 грн
10+2120.98 грн
50+1795.52 грн
100+1574.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018B7S UJ4SC075018B7S QORVO 3971386.pdf Description: QORVO - UJ4SC075018B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 72 A, 750 V, 18 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 259W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1280.02 грн
5+1195.84 грн
10+1111.66 грн
50+991.64 грн
100+878.57 грн
250+841.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06506TS UJ3D06506TS QORVO DS_UJ3D06506TS.pdf Description: QORVO - UJ3D06506TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 14.5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.77 грн
10+124.62 грн
100+98.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1250K UJ3D1250K QORVO 3750920.pdf Description: QORVO - UJ3D1250K - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Anode, 1.2 kV, 50 A, 240 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 240nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1768.58 грн
5+1503.67 грн
10+1306.42 грн
50+1138.77 грн
100+982.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210K2 UJ3D1210K2 QORVO 3971406.pdf Description: QORVO - UJ3D1210K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+370.55 грн
5+349.10 грн
10+327.64 грн
50+284.31 грн
100+243.34 грн
250+236.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06504TS UJ3D06504TS QORVO 3750921.pdf Description: QORVO - UJ3D06504TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 9.3 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 9.3nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.41 грн
10+97.38 грн
100+76.50 грн
500+68.66 грн
1000+61.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120150B7S UF3C120150B7S QORVO 3971395.pdf Description: QORVO - UF3C120150B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 150 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 150mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+519.93 грн
5+486.09 грн
10+451.43 грн
50+404.62 грн
100+360.77 грн
250+347.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06516TS UJ3D06516TS QORVO DS_UJ3D06516TS.pdf Description: QORVO - UJ3D06516TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 38 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 38nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+284.72 грн
10+249.24 грн
100+213.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018L8S UJ4SC075018L8S QORVO 3971391.pdf Description: QORVO - UJ4SC075018L8S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 750 V, 18 mohm, MO-299
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: MO-299
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1260.21 грн
5+1239.58 грн
10+1219.77 грн
50+1113.49 грн
100+1010.86 грн
250+993.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K3S UJ4C075023K3S QORVO da008705 Description: QORVO - UJ4C075023K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 750 V, 23 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1078.65 грн
5+1031.61 грн
10+983.74 грн
50+869.79 грн
100+710.92 грн
250+696.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06520TS UJ3D06520TS QORVO 3750928.pdf Description: QORVO - UJ3D06520TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 46 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+326.81 грн
5+306.18 грн
10+284.72 грн
50+238.33 грн
100+188.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1250K2 UJ3D1250K2 QORVO 3971408.pdf Description: QORVO - UJ3D1250K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 240 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 240nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1770.23 грн
5+1654.69 грн
10+1538.33 грн
50+1361.01 грн
100+1193.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1220KSD UJ3D1220KSD QORVO 3750919.pdf Description: QORVO - UJ3D1220KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 102 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 102nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+708.92 грн
5+662.70 грн
10+616.49 грн
50+559.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1725K2 UJ3D1725K2 QORVO 3971409.pdf Description: QORVO - UJ3D1725K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.7 kV, 25 A, 184 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 184nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1146.32 грн
5+1072.04 грн
10+996.94 грн
50+896.61 грн
100+800.05 грн
250+773.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06560KSD UJ3D06560KSD QORVO 3750930.pdf Description: QORVO - UJ3D06560KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 60 A, 144 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 144nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1023.35 грн
5+956.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1220K2 UJ3D1220K2 QORVO 3971407.pdf Description: QORVO - UJ3D1220K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 83 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 83nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+620.61 грн
5+580.17 грн
10+538.91 грн
50+484.32 грн
100+432.92 грн
250+418.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N120065K3S UJ3N120065K3S QORVO 3971404.pdf Description: QORVO - UJ3N120065K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 66 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 66mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1140.54 грн
5+1066.27 грн
10+991.17 грн
50+851.40 грн
100+678.38 грн
250+623.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1205TS UJ3D1205TS QORVO 3750915.pdf Description: QORVO - UJ3D1205TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 5 A, 27 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 27nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+215.40 грн
10+186.51 грн
100+179.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120053K3S UF4C120053K3S QORVO da008655 Description: QORVO - UF4C120053K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 53 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 53mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+825.28 грн
5+813.73 грн
10+803.00 грн
50+734.92 грн
100+669.19 грн
250+659.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC065030B7S UF3SC065030B7S QORVO 3971368.pdf Description: QORVO - UF3SC065030B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 62 A, 650 V, 27 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 27mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1289.09 грн
5+1204.91 грн
10+1119.91 грн
50+994.70 грн
100+875.74 грн
250+834.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011B7S UJ4SC075011B7S QORVO uj4sc075011b7s-d.pdf Description: QORVO - UJ4SC075011B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 750 V, 11 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1826.35 грн
5+1818.10 грн
10+1809.02 грн
50+1672.14 грн
100+1535.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K3S UJ4C075044K3S QORVO da008711 Description: QORVO - UJ4C075044K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37.4 A, 750 V, 44 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 44mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+743.58 грн
5+711.39 грн
10+679.21 грн
50+600.81 грн
100+493.05 грн
250+483.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K3S UJ4C075018K3S QORVO uj4c075018k3s-d.pdf Description: QORVO - UJ4C075018K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 18 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1324.58 грн
5+1266.81 грн
10+1208.22 грн
50+1068.27 грн
100+850.99 грн
250+838.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023B7S UJ4C075023B7S QORVO 3971387.pdf Description: QORVO - UJ4C075023B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 750 V, 23 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1038.21 грн
5+970.53 грн
10+902.86 грн
50+805.42 грн
100+713.05 грн
250+682.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ACT30BHT-1119 Qorvo ACT30.pdf ACT30BHT-1119
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ACT30AHT Qorvo nods.pdf High Performance Off-Line Controller
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ACT30BHT Qorvo nods.pdf High Performance Off-Line Controller
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ACT412US-T Qorvo act412_rev_1.pdf AC/DC Converters Quasi-Resonant PWM Controller
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQP7M9104 Qorvo tqp7m9104datasheet.pdf RF Amp Single Driver Amp 2.2GHz 5.25V 24-Pin QFN EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQP7M9101 Qorvo tqp7m9101datasheet.pdf RF Amp Single Driver Amp 5GHz 5.25V 4-Pin(3+Tab) SOT-89
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EP-HYDRA-X23S-1 Qorvo pgurl_hydra.pdf PAC5223 Power Supply Controller and Monitor Evaluation Kit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EP-HYDRA-X23-1 Qorvo pgurl_hydra.pdf PAC5223 Power Supply Controller and Monitor Evaluation Kit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ACT410US-T Qorvo 45053324668852864act410_datasheet.pdf Quasi-Resonant PWM Controller
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ACT413AUS-T Qorvo 224260865946813act413_datasheet.pdf Quasi-Resonant PWM Controller
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ACT520SH-T Qorvo 9act520_datasheet.pdf ActiveQRTM Quasi-Resonant PWM Controller
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ACT513US-T Qorvo 22act513_datasheet.pdf ActiveQRTM Quasi-Resonant PWM Controller
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ACT2813QY-T0435 Qorvo act2813datasheet.pdf Battery Back Up Li-Ion 2400mA 4.35V 20-Pin CQFN EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ET-COLINK-1 Qorvo 3ep525xhvm_user_guide.pdf USB to SWD adapter for programming and debugging of the PAC525X IC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K4S 3971381.pdf
UJ4C075033K4S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4C075033K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 33 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 33mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+821.98 грн
5+768.34 грн
10+713.87 грн
50+642.19 грн
100+573.69 грн
250+554.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K4S 3971379.pdf
UJ4C075018K4S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4C075018K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 18 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1327.06 грн
5+1240.40 грн
10+1153.75 грн
50+1029.19 грн
100+911.82 грн
250+872.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009K4S 3971377.pdf
UJ4SC075009K4S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4SC075009K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 106 A, 750 V, 9 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4064.52 грн
5+3556.15 грн
10+2947.09 грн
50+2453.04 грн
100+2090.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011K4S uj4sc075011k4s-d.pdf
UJ4SC075011K4S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4SC075011K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 750 V, 11 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3169.09 грн
5+2772.95 грн
10+2297.59 грн
50+1912.77 грн
100+1629.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K4S 3971382.pdf
UJ4C075044K4S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4C075044K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37.4 A, 750 V, 44 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 44mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+776.59 грн
5+742.76 грн
10+708.92 грн
50+626.86 грн
100+499.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120070K3S da008657
UF4C120070K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF4C120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27.5 A, 1.2 kV, 72 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1234.62 грн
5+1080.30 грн
10+895.43 грн
50+745.64 грн
100+635.23 грн
250+592.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC065040B7S 3971369.pdf
UF3SC065040B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3SC065040B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 650 V, 42 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 42mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+893.78 грн
5+835.19 грн
10+776.59 грн
50+696.60 грн
100+619.67 грн
250+597.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF4SC120023K4S 3971399.pdf
UF4SC120023K4S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF4SC120023K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 1.2 kV, 23 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2122.63 грн
5+1993.89 грн
10+1865.14 грн
50+1713.53 грн
100+1564.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7S 3971384.pdf
UJ4SC075009B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4SC075009B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 106 A, 750 V, 9 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3880.49 грн
5+3395.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065030B3 3750881.pdf
UF3C065030B3
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1313.85 грн
5+1228.02 грн
10+1142.19 грн
50+1016.93 грн
100+897.67 грн
250+857.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065030B3 3750881.pdf
UF3C065030B3
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B3 3750889.pdf
UF3C065080B3
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+474.54 грн
5+443.18 грн
10+411.82 грн
50+368.61 грн
100+326.81 грн
250+314.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B3 3750889.pdf
UF3C065080B3
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+411.82 грн
50+368.61 грн
100+326.81 грн
250+314.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K3S da008708
UJ4C075033K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4C075033K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 33 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 33mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+788.15 грн
5+753.48 грн
10+719.65 грн
50+636.06 грн
100+507.20 грн
250+499.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UF3N170400B7S uf3n170400b7s-d.pdf
UF3N170400B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3N170400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6.8 A, 1.7 kV, 400 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -6.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+576.05 грн
5+550.46 грн
10+525.71 грн
50+464.40 грн
100+420.19 грн
250+411.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K3S uj4c075060k3s-d.pdf
UJ4C075060K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4C075060K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 750 V, 58 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 58mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+611.54 грн
5+585.13 грн
10+557.89 грн
50+493.52 грн
100+392.60 грн
250+372.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060B7S da008713
UJ4C075060B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4C075060B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25.8 A, 750 V, 58 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 58mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+521.58 грн
5+498.47 грн
10+476.19 грн
50+420.72 грн
100+334.59 грн
250+316.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B7S 3971370.pdf
UF3C065080B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065080B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27 A, 650 V, 85 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136.4W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 85mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+572.75 грн
5+547.99 грн
10+522.40 грн
50+462.10 грн
100+368.55 грн
250+361.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C170400K3S da008644
UF3C170400K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C170400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+563.67 грн
5+538.91 грн
10+514.98 грн
50+455.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C170400B7S uf3c170400b7s-d.pdf
UF3C170400B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C170400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 410 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+478.66 грн
5+458.03 грн
10+437.40 грн
50+387.00 грн
100+307.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120400B7S UF3C120400B7S-D.PDF
UF3C120400B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C120400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 410 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+365.60 грн
5+349.92 грн
10+333.41 грн
50+295.04 грн
100+234.85 грн
250+222.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120080B7S 3971394.pdf
UF3C120080B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C120080B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28.8 A, 1.2 kV, 85 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 85mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+930.10 грн
5+869.02 грн
10+807.95 грн
50+724.19 грн
100+644.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N120035K3S 3750933.pdf
UJ3N120035K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3N120035K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 1.2 kV, 0.031 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2495.66 грн
5+2308.32 грн
10+2120.98 грн
50+1795.52 грн
100+1574.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018B7S 3971386.pdf
UJ4SC075018B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4SC075018B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 72 A, 750 V, 18 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 259W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1280.02 грн
5+1195.84 грн
10+1111.66 грн
50+991.64 грн
100+878.57 грн
250+841.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06506TS DS_UJ3D06506TS.pdf
UJ3D06506TS
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D06506TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 14.5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+142.77 грн
10+124.62 грн
100+98.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1250K 3750920.pdf
UJ3D1250K
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1250K - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Anode, 1.2 kV, 50 A, 240 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 240nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1768.58 грн
5+1503.67 грн
10+1306.42 грн
50+1138.77 грн
100+982.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210K2 3971406.pdf
UJ3D1210K2
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1210K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+370.55 грн
5+349.10 грн
10+327.64 грн
50+284.31 грн
100+243.34 грн
250+236.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06504TS 3750921.pdf
UJ3D06504TS
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D06504TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 9.3 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 9.3nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+111.41 грн
10+97.38 грн
100+76.50 грн
500+68.66 грн
1000+61.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120150B7S 3971395.pdf
UF3C120150B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C120150B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 150 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 150mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+519.93 грн
5+486.09 грн
10+451.43 грн
50+404.62 грн
100+360.77 грн
250+347.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06516TS DS_UJ3D06516TS.pdf
UJ3D06516TS
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D06516TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 38 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 38nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+284.72 грн
10+249.24 грн
100+213.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018L8S 3971391.pdf
UJ4SC075018L8S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4SC075018L8S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 750 V, 18 mohm, MO-299
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: MO-299
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1260.21 грн
5+1239.58 грн
10+1219.77 грн
50+1113.49 грн
100+1010.86 грн
250+993.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K3S da008705
UJ4C075023K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4C075023K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 750 V, 23 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1078.65 грн
5+1031.61 грн
10+983.74 грн
50+869.79 грн
100+710.92 грн
250+696.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06520TS 3750928.pdf
UJ3D06520TS
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D06520TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 46 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+326.81 грн
5+306.18 грн
10+284.72 грн
50+238.33 грн
100+188.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1250K2 3971408.pdf
UJ3D1250K2
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1250K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 240 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 240nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1770.23 грн
5+1654.69 грн
10+1538.33 грн
50+1361.01 грн
100+1193.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1220KSD 3750919.pdf
UJ3D1220KSD
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1220KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 102 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 102nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+708.92 грн
5+662.70 грн
10+616.49 грн
50+559.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1725K2 3971409.pdf
UJ3D1725K2
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1725K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.7 kV, 25 A, 184 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 184nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1146.32 грн
5+1072.04 грн
10+996.94 грн
50+896.61 грн
100+800.05 грн
250+773.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06560KSD 3750930.pdf
UJ3D06560KSD
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D06560KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 60 A, 144 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 144nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1023.35 грн
5+956.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1220K2 3971407.pdf
UJ3D1220K2
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1220K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 83 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 83nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+620.61 грн
5+580.17 грн
10+538.91 грн
50+484.32 грн
100+432.92 грн
250+418.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N120065K3S 3971404.pdf
UJ3N120065K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3N120065K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 66 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 66mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1140.54 грн
5+1066.27 грн
10+991.17 грн
50+851.40 грн
100+678.38 грн
250+623.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1205TS 3750915.pdf
UJ3D1205TS
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1205TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 5 A, 27 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 27nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+215.40 грн
10+186.51 грн
100+179.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120053K3S da008655
UF4C120053K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF4C120053K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 53 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 53mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+825.28 грн
5+813.73 грн
10+803.00 грн
50+734.92 грн
100+669.19 грн
250+659.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC065030B7S 3971368.pdf
UF3SC065030B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3SC065030B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 62 A, 650 V, 27 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 27mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1289.09 грн
5+1204.91 грн
10+1119.91 грн
50+994.70 грн
100+875.74 грн
250+834.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011B7S uj4sc075011b7s-d.pdf
UJ4SC075011B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4SC075011B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 750 V, 11 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1826.35 грн
5+1818.10 грн
10+1809.02 грн
50+1672.14 грн
100+1535.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K3S da008711
UJ4C075044K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4C075044K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37.4 A, 750 V, 44 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 44mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+743.58 грн
5+711.39 грн
10+679.21 грн
50+600.81 грн
100+493.05 грн
250+483.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K3S uj4c075018k3s-d.pdf
UJ4C075018K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4C075018K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 18 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1324.58 грн
5+1266.81 грн
10+1208.22 грн
50+1068.27 грн
100+850.99 грн
250+838.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023B7S 3971387.pdf
UJ4C075023B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4C075023B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 750 V, 23 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1038.21 грн
5+970.53 грн
10+902.86 грн
50+805.42 грн
100+713.05 грн
250+682.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ACT30BHT-1119 ACT30.pdf
Виробник: Qorvo
ACT30BHT-1119
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ACT30AHT nods.pdf
Виробник: Qorvo
High Performance Off-Line Controller
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ACT30BHT nods.pdf
Виробник: Qorvo
High Performance Off-Line Controller
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ACT412US-T act412_rev_1.pdf
Виробник: Qorvo
AC/DC Converters Quasi-Resonant PWM Controller
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQP7M9104 tqp7m9104datasheet.pdf
Виробник: Qorvo
RF Amp Single Driver Amp 2.2GHz 5.25V 24-Pin QFN EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQP7M9101 tqp7m9101datasheet.pdf
Виробник: Qorvo
RF Amp Single Driver Amp 5GHz 5.25V 4-Pin(3+Tab) SOT-89
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EP-HYDRA-X23S-1 pgurl_hydra.pdf
Виробник: Qorvo
PAC5223 Power Supply Controller and Monitor Evaluation Kit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EP-HYDRA-X23-1 pgurl_hydra.pdf
Виробник: Qorvo
PAC5223 Power Supply Controller and Monitor Evaluation Kit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ACT410US-T 45053324668852864act410_datasheet.pdf
Виробник: Qorvo
Quasi-Resonant PWM Controller
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ACT413AUS-T 224260865946813act413_datasheet.pdf
Виробник: Qorvo
Quasi-Resonant PWM Controller
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ACT520SH-T 9act520_datasheet.pdf
Виробник: Qorvo
ActiveQRTM Quasi-Resonant PWM Controller
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ACT513US-T 22act513_datasheet.pdf
Виробник: Qorvo
ActiveQRTM Quasi-Resonant PWM Controller
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ACT2813QY-T0435 act2813datasheet.pdf
Виробник: Qorvo
Battery Back Up Li-Ion 2400mA 4.35V 20-Pin CQFN EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ET-COLINK-1 3ep525xhvm_user_guide.pdf
Виробник: Qorvo
USB to SWD adapter for programming and debugging of the PAC525X IC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 36 45 54 63 72 81 87 88 89 90 91 92 93 94  [ Наступна Сторінка >> ]