Продукція > QORVO > Всі товари виробника QORVO (5675) > Сторінка 92 з 95

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 36 45 54 63 72 81 87 88 89 90 91 92 93 94 95  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TGA2227-SM Qorvo ИМС СВЧ 2-22 GHz GaN Low Noise Amplifier
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+17388.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AG201-63G Qorvo ИМС ВЧ SOT-363 DC-6 GHz InGaP HBT Gain Block Gain=11 dB, P1dB=6,5 dBm, OIP3=19 dBm@900 MHz, Vd=4,0 V, Id=20 mA
на замовлення 215 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+139.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
QPL9503 Qorvo ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 0,6-6 GHz Ultra Low Noise Flat Gain LNA
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+312.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QPA4463A Qorvo QPA4463A.pdf ИМС ВЧ SOT-363 DC-3500 MHz Silicon Germanium MMIC amplifier
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+156.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
QPA4263A Qorvo ИМС ВЧ SOT-363 DC-3500 MHz Silicon Germanium MMIC amplifier
на замовлення 571 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+176.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AG203-63G Qorvo da003290 ИМС ВЧ SOT-363 DC-6 GHz InGaP HBT Gain Block Gain=20 dB, P1dB=8 dBm, OIP3=20 dBm@900 MHz, Vd=4,05 V, Id=20 mA
на замовлення 91 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+121.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TQP369184 Qorvo da005471 ИМС ВЧ SOT-363 InGaP/GaAs HBT Gain Block DC-6 GHz, Gain=20,3dB, P1dB=+15,5dBm. IP3out=+28,5dBm, Nf=3,9dB @ 1,9 GHz
на замовлення 555 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+156.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
QPA6489A Qorvo QPA6489A_Preliminary.pdf ИМС ВЧ SOT-89 DC-3500 MHz Cascadable SiGe HBT Amplifier, Gss=19,2 dB, P1dB=19,4 dBm, IP3=31,9 dBm, Nf=3,4 dB @ 1950 MHz, Id=75 mA, Vd=4,7-5,5 V
на замовлення 223 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+208.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TQP5523 Qorvo ИМС ВЧ QFN-20 (4x4mm) High Power 5 GHz WLAN Power Amplifier
на замовлення 40 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+397.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RFSA3513 Qorvo ИМС QFN16 5-6000 MHz Digital Step Attenuator, 5-Bit, 31dB Range, 1.0dB Step
на замовлення 190 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+558.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TQP9111 Qorvo da005717 ИМС QFN-20 1,8-2,7 MHz 2 Watt Power Amplifier, Nf=6,2 dB, G=29,8 dB @ 2140 MHz
на замовлення 66 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+1738.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TQP7M9101 Qorvo da005640 ИМС SOT-89 1/4 W 400-5000 MHz High Linearity Amplifier, P1dB=25 dBm, G=17,5 dB @ 2,14 GHz, Vcc=5 V, Icq=87 mA
на замовлення 96 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+463.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QPC6054 Qorvo ИМС СВЧ QFN-24 (4x4mm) 5MHz to 6GHz Absorptive High Isolation SP5T Switch
на замовлення 92 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+753.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TGL2206-SM Qorvo ИМС ВЧ QFN-32 (5x5mm) Wideband Dual VPIN Limiter 2-5,5 GHz 100 Watt
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+9273.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QPC1217Q Qorvo ИМС СВЧ RF Switch, 0,7 to 6,0 ГГц, DPDT, 0,33 dB IL, 33,6 dB ISO, 2,8 В, DFN, 1.1 x 1.5
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+208.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CMD170P4 Qorvo da007380 ИМС RF Amplifier, Driver, GaAs, 7.5 to 9 GHz, 30 dB, 28.3 dBm, 4 x 4 mm, QFN
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+8694.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QPL9098 Qorvo ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 4-6 GHz, 19 dB, 16 dBm, Ultra Low Noise Flat Gain LNA
на замовлення 15 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+724.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QPA9121 Qorvo ИМС ВЧ SMT-16 2,3-5 GHz Variable Gain Driver Amplifier, Gss=28 dB, P1dB=25.5 dBm, 5 V
на замовлення 17 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+588.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CMD305P3 Qorvo ИМС RF Amplifier, Driver, 6 to 14 GHz, 18 dB, 19 dBm, QFN, 3 x 3 mm
на замовлення 8 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+6085.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QPA4586A Qorvo ИМС ВЧ SOT-86 DC-4000 MHz Cascadable SiGe HBT Amplifier, Gss=19,9 dB, P1dB=16,3 dBm, IP3=30,1 dBm, Nf=2,7 dB @ 1950 MHz, Id=45 mA, Vd=3,2-3,8 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+260.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TQP3M9037 Qorvo da005549 ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 0,7-6 GHz Ultra Low Noise, High Linearity Low Noise Amplifier
на замовлення 38 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+405.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TGL2223-SM Qorvo ИМС ВЧ QFN (3x3mm) 1–31 GHz 5-Bit Digital Attenuator AttenuationStep Size (LSB): 0.5 dB
на замовлення 6 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+5216.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QPL9058 Qorvo ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 0,5-6 GHz Ultra Low-Noise LNA, 0,6dB NF @ 3,6 GHz
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+521.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QPB7425 Qorvo CATV Amplifier 50-1220 MHz, Gss=25 dB, P1dB=+15,4 dBm, Ud=3 V, Id=40 mA, SOT-89
на замовлення 25 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+811.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QPA2598 Qorvo da006952 ИМС ВЧ QFN-20 (4x4mm) 6-12 GHz2.5 W GaN Driver Amplifier
на замовлення 22 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+7245.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QPB2328SR Qorvo ИМС SOIC-8 5 – 210 MHz 17.5 dB Balanced Return Path Amplifier
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+1043.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TQP3M9007 Qorvo ИМС SOT-89 100-4000 MHz LNA Gain Block, Nf=1,3 dB, G=13 dB @ 1,9 GHz
на замовлення 81 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+811.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QPA2610 Qorvo ИМС ВЧ QFN-24 (5x5mm) 8,5-10,5 2 Watt X-Band Power Amplifier
на замовлення 92 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+4347.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QPP0100 Qorvo RF Power Limiter 8 to 11.5 GHz, 100 W, 1 dB IL, QFN, 4 x 4 mm
на замовлення 14 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+14490.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QPA9501TR13 Qorvo da005897 ІМС ВЧ QFN-20 (4x4mm) 4,9-5,9 GHz RF Power MMIC Amplifier, Gss=32 dB, P1dB=33 dBm, Vs=5 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+405.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QPB7420 Qorvo CATV Amplifier 75 Ω 5-1218 MHz, Gss=20 dB, P1dB=+15,3 dBm, Ud=3 V, Id=35 mA, SOT-89
на замовлення 523 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+472.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QPM6000 Qorvo ІМС НВЧ QFN-34 (8,5x6mm) RF Limiter/LNA, 8 to 14 GHz, 23 dB, 18 dBm
на замовлення 15 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+28980.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CMD297P34 Qorvo da007687 ІМС НВЧ QFN-20 (3x4mm) 5-18 GHz Analog Phase Shifter
на замовлення 25 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+7824.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CMD271P3 Qorvo da007588 ІМС RF Amplifier, LNA, 6 to 11 GHz, 20 dB, 16.5 dBm, QFN, 3 x 3 mm
на замовлення 12 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+5796.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QPC2108 Qorvo ІМС НВЧ QFN-28 (6x6mm) 2.5-4GHz 6-Bit Digital Phase Shifter
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+15939.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QPC6614 Qorvo ІМС НВЧ QFN-24 (4x4mm) 5 MHz to 6000 MHz Digital Step Attenuator 6-Bit, 31.5 dB, 0.5dB Step Vs=3-5V
на замовлення 94 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+521.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TGA2976-SM Qorvo da004437 ІМС Power Amplifier, 0.1 - 3.0 GHz, 40 dBm, 20 dB, GaN, 4.0 x 4.0
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+14490.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CMD253C3 Qorvo da007564 RF Mixer 6-14 GHz, 23 dBm IP3, 6 dB Conv Loss, QFN, 3 x 3 mm
на замовлення 20 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+9853.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QPA2237 Qorvo da003587 ІМС НВЧ QFN-20 (4x4х0,85mm) 0,03-2,5 GHz 10 W GaN Power Amplifier
на замовлення 14 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+11881.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QPA9442 Qorvo RF Amplifier, Driver, 1.35 to 2.8 GHz, 19 dB , 30 dBm, SMT Laminate, 4 x 4
на замовлення 95 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+1680.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TGL2210-SM Qorvo ІМС НВЧ QFN-20 (4x4x0,85mm) 100 Watt VPIN Limiter 0,05-6 GHz
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+6955.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QPA9126 Qorvo ІМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 1-6 GHz High Linearity Gain Block, Gain=16 dB, P1dB=20 dBm, IP3+35 dBm, Bf=1,4 dB @ 3,5 GHz, Vs=5 V, Id+68 mA
на замовлення 96 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+521.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TGA2599-SM Qorvo ИМС QFN-20 5 to 8 GHz 2W GaN Driver Amplifier
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+14490.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QPC4043TR7 Qorvo Атенюатор 75 ohm VCA - Low Insertion Loss
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+1014.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DWM1000 QORVO dwm1000-datasheet-1.pdf IR-UWB; SPI; 3.5GHz~6.5GHz; 2.8V~3.6V; -40°C~85°C; RF TXRX MODULE 802.15.4 CHIP ANT DWM1000 DECAWAVE LIMITED RF DWM1000
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+1360.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120080K3S UJ3C120080K3S QORVO 3750912.pdf Description: QORVO - UJ3C120080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1082.59 грн
5+1035.12 грн
10+988.48 грн
50+873.80 грн
100+695.95 грн
250+653.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120400K3S UF3C120400K3S QORVO UF3C120400K3S-D.PDF Description: QORVO - UF3C120400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+465.51 грн
5+445.53 грн
10+425.54 грн
50+376.59 грн
100+299.79 грн
250+294.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N065025K3S UJ3N065025K3S QORVO 3750931.pdf Description: QORVO - UJ3N065025K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1362.39 грн
5+1273.29 грн
10+1183.35 грн
50+1053.20 грн
100+930.07 грн
250+887.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KSD UJ3D1210KSD QORVO 3750917.pdf Description: QORVO - UJ3D1210KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 10 A, 54 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 54nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+303.96 грн
5+296.46 грн
10+289.80 грн
50+262.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KS UJ3D1210KS QORVO 3750916.pdf Description: QORVO - UJ3D1210KS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+394.73 грн
5+368.91 грн
10+343.10 грн
50+286.89 грн
100+228.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC120009K4S UF3SC120009K4S QORVO 3750901.pdf Description: QORVO - UF3SC120009K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0086 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 789W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8803.09 грн
5+7702.18 грн
10+6382.26 грн
50+5313.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120150K4S UF3C120150K4S QORVO 3750897.pdf Description: QORVO - UF3C120150K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+618.74 грн
5+578.77 грн
10+537.96 грн
50+477.88 грн
100+421.14 грн
250+401.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080B3 UJ3C065080B3 QORVO 3750907.pdf Description: QORVO - UJ3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+478.84 грн
5+447.19 грн
10+415.55 грн
50+371.95 грн
100+329.77 грн
250+316.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080B3 UJ3C065080B3 QORVO 3750907.pdf Description: QORVO - UJ3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+415.55 грн
50+371.95 грн
100+329.77 грн
250+316.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120150K3S UJ3C120150K3S QORVO 3750913.pdf Description: QORVO - UJ3C120150K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+618.74 грн
5+578.77 грн
10+537.96 грн
50+477.88 грн
100+421.14 грн
250+401.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N120070K3S UJ3N120070K3S QORVO 3750934.pdf Description: QORVO - UJ3N120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33.5 A, 1.2 kV, 0.063 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1082.59 грн
5+1035.12 грн
10+988.48 грн
50+873.80 грн
100+695.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06508TS UJ3D06508TS QORVO 3750923.pdf Description: QORVO - UJ3D06508TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 19 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.08 грн
10+111.59 грн
100+103.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120070K4S UF4C120070K4S QORVO 3971402.pdf Description: QORVO - UF4C120070K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27.5 A, 1.2 kV, 72 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1330.75 грн
5+1164.20 грн
10+965.17 грн
50+803.43 грн
100+684.53 грн
250+638.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K4S UJ4C075023K4S QORVO 3971380.pdf Description: QORVO - UJ4C075023K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 750 V, 23 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1119.23 грн
5+1045.94 грн
10+972.66 грн
50+874.58 грн
100+781.60 грн
250+755.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120053K4S UF4C120053K4S QORVO da008656 Description: QORVO - UF4C120053K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 53 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 53mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+850.25 грн
5+841.09 грн
10+831.93 грн
50+764.77 грн
100+698.09 грн
250+690.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TGA2227-SM
Виробник: Qorvo
ИМС СВЧ 2-22 GHz GaN Low Noise Amplifier
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+17388.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AG201-63G
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ SOT-363 DC-6 GHz InGaP HBT Gain Block Gain=11 dB, P1dB=6,5 dBm, OIP3=19 dBm@900 MHz, Vd=4,0 V, Id=20 mA
на замовлення 215 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
QPL9503
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 0,6-6 GHz Ultra Low Noise Flat Gain LNA
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+312.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QPA4463A QPA4463A.pdf
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ SOT-363 DC-3500 MHz Silicon Germanium MMIC amplifier
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
2+156.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
QPA4263A
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ SOT-363 DC-3500 MHz Silicon Germanium MMIC amplifier
на замовлення 571 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AG203-63G da003290
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ SOT-363 DC-6 GHz InGaP HBT Gain Block Gain=20 dB, P1dB=8 dBm, OIP3=20 dBm@900 MHz, Vd=4,05 V, Id=20 mA
на замовлення 91 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TQP369184 da005471
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ SOT-363 InGaP/GaAs HBT Gain Block DC-6 GHz, Gain=20,3dB, P1dB=+15,5dBm. IP3out=+28,5dBm, Nf=3,9dB @ 1,9 GHz
на замовлення 555 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
2+156.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
QPA6489A QPA6489A_Preliminary.pdf
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ SOT-89 DC-3500 MHz Cascadable SiGe HBT Amplifier, Gss=19,2 dB, P1dB=19,4 dBm, IP3=31,9 dBm, Nf=3,4 dB @ 1950 MHz, Id=75 mA, Vd=4,7-5,5 V
на замовлення 223 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TQP5523
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ QFN-20 (4x4mm) High Power 5 GHz WLAN Power Amplifier
на замовлення 40 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+397.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RFSA3513
Виробник: Qorvo
ИМС QFN16 5-6000 MHz Digital Step Attenuator, 5-Bit, 31dB Range, 1.0dB Step
на замовлення 190 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+558.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TQP9111 da005717
Виробник: Qorvo
ИМС QFN-20 1,8-2,7 MHz 2 Watt Power Amplifier, Nf=6,2 dB, G=29,8 dB @ 2140 MHz
на замовлення 66 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1738.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TQP7M9101 da005640
Виробник: Qorvo
ИМС SOT-89 1/4 W 400-5000 MHz High Linearity Amplifier, P1dB=25 dBm, G=17,5 dB @ 2,14 GHz, Vcc=5 V, Icq=87 mA
на замовлення 96 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+463.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QPC6054
Виробник: Qorvo
ИМС СВЧ QFN-24 (4x4mm) 5MHz to 6GHz Absorptive High Isolation SP5T Switch
на замовлення 92 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+753.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TGL2206-SM
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ QFN-32 (5x5mm) Wideband Dual VPIN Limiter 2-5,5 GHz 100 Watt
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9273.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QPC1217Q
Виробник: Qorvo
ИМС СВЧ RF Switch, 0,7 to 6,0 ГГц, DPDT, 0,33 dB IL, 33,6 dB ISO, 2,8 В, DFN, 1.1 x 1.5
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CMD170P4 da007380
Виробник: Qorvo
ИМС RF Amplifier, Driver, GaAs, 7.5 to 9 GHz, 30 dB, 28.3 dBm, 4 x 4 mm, QFN
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8694.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QPL9098
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 4-6 GHz, 19 dB, 16 dBm, Ultra Low Noise Flat Gain LNA
на замовлення 15 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+724.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QPA9121
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ SMT-16 2,3-5 GHz Variable Gain Driver Amplifier, Gss=28 dB, P1dB=25.5 dBm, 5 V
на замовлення 17 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+588.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CMD305P3
Виробник: Qorvo
ИМС RF Amplifier, Driver, 6 to 14 GHz, 18 dB, 19 dBm, QFN, 3 x 3 mm
на замовлення 8 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6085.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QPA4586A
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ SOT-86 DC-4000 MHz Cascadable SiGe HBT Amplifier, Gss=19,9 dB, P1dB=16,3 dBm, IP3=30,1 dBm, Nf=2,7 dB @ 1950 MHz, Id=45 mA, Vd=3,2-3,8 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
2+260.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TQP3M9037 da005549
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 0,7-6 GHz Ultra Low Noise, High Linearity Low Noise Amplifier
на замовлення 38 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+405.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TGL2223-SM
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ QFN (3x3mm) 1–31 GHz 5-Bit Digital Attenuator AttenuationStep Size (LSB): 0.5 dB
на замовлення 6 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5216.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QPL9058
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 0,5-6 GHz Ultra Low-Noise LNA, 0,6dB NF @ 3,6 GHz
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+521.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QPB7425
Виробник: Qorvo
CATV Amplifier 50-1220 MHz, Gss=25 dB, P1dB=+15,4 dBm, Ud=3 V, Id=40 mA, SOT-89
на замовлення 25 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+811.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QPA2598 da006952
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ QFN-20 (4x4mm) 6-12 GHz2.5 W GaN Driver Amplifier
на замовлення 22 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7245.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QPB2328SR
Виробник: Qorvo
ИМС SOIC-8 5 – 210 MHz 17.5 dB Balanced Return Path Amplifier
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1043.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TQP3M9007
Виробник: Qorvo
ИМС SOT-89 100-4000 MHz LNA Gain Block, Nf=1,3 dB, G=13 dB @ 1,9 GHz
на замовлення 81 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+811.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QPA2610
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ QFN-24 (5x5mm) 8,5-10,5 2 Watt X-Band Power Amplifier
на замовлення 92 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4347.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QPP0100
Виробник: Qorvo
RF Power Limiter 8 to 11.5 GHz, 100 W, 1 dB IL, QFN, 4 x 4 mm
на замовлення 14 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+14490.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QPA9501TR13 da005897
Виробник: Qorvo
ІМС ВЧ QFN-20 (4x4mm) 4,9-5,9 GHz RF Power MMIC Amplifier, Gss=32 dB, P1dB=33 dBm, Vs=5 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+405.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QPB7420
Виробник: Qorvo
CATV Amplifier 75 Ω 5-1218 MHz, Gss=20 dB, P1dB=+15,3 dBm, Ud=3 V, Id=35 mA, SOT-89
на замовлення 523 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+472.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QPM6000
Виробник: Qorvo
ІМС НВЧ QFN-34 (8,5x6mm) RF Limiter/LNA, 8 to 14 GHz, 23 dB, 18 dBm
на замовлення 15 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+28980.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CMD297P34 da007687
Виробник: Qorvo
ІМС НВЧ QFN-20 (3x4mm) 5-18 GHz Analog Phase Shifter
на замовлення 25 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7824.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CMD271P3 da007588
Виробник: Qorvo
ІМС RF Amplifier, LNA, 6 to 11 GHz, 20 dB, 16.5 dBm, QFN, 3 x 3 mm
на замовлення 12 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5796.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QPC2108
Виробник: Qorvo
ІМС НВЧ QFN-28 (6x6mm) 2.5-4GHz 6-Bit Digital Phase Shifter
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+15939.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QPC6614
Виробник: Qorvo
ІМС НВЧ QFN-24 (4x4mm) 5 MHz to 6000 MHz Digital Step Attenuator 6-Bit, 31.5 dB, 0.5dB Step Vs=3-5V
на замовлення 94 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+521.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TGA2976-SM da004437
Виробник: Qorvo
ІМС Power Amplifier, 0.1 - 3.0 GHz, 40 dBm, 20 dB, GaN, 4.0 x 4.0
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+14490.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CMD253C3 da007564
Виробник: Qorvo
RF Mixer 6-14 GHz, 23 dBm IP3, 6 dB Conv Loss, QFN, 3 x 3 mm
на замовлення 20 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9853.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QPA2237 da003587
Виробник: Qorvo
ІМС НВЧ QFN-20 (4x4х0,85mm) 0,03-2,5 GHz 10 W GaN Power Amplifier
на замовлення 14 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11881.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QPA9442
Виробник: Qorvo
RF Amplifier, Driver, 1.35 to 2.8 GHz, 19 dB , 30 dBm, SMT Laminate, 4 x 4
на замовлення 95 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1680.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TGL2210-SM
Виробник: Qorvo
ІМС НВЧ QFN-20 (4x4x0,85mm) 100 Watt VPIN Limiter 0,05-6 GHz
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6955.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QPA9126
Виробник: Qorvo
ІМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 1-6 GHz High Linearity Gain Block, Gain=16 dB, P1dB=20 dBm, IP3+35 dBm, Bf=1,4 dB @ 3,5 GHz, Vs=5 V, Id+68 mA
на замовлення 96 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+521.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TGA2599-SM
Виробник: Qorvo
ИМС QFN-20 5 to 8 GHz 2W GaN Driver Amplifier
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+14490.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QPC4043TR7
Виробник: Qorvo
Атенюатор 75 ohm VCA - Low Insertion Loss
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1014.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DWM1000 dwm1000-datasheet-1.pdf
Виробник: QORVO
IR-UWB; SPI; 3.5GHz~6.5GHz; 2.8V~3.6V; -40°C~85°C; RF TXRX MODULE 802.15.4 CHIP ANT DWM1000 DECAWAVE LIMITED RF DWM1000
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+1360.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120080K3S 3750912.pdf
UJ3C120080K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3C120080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1082.59 грн
5+1035.12 грн
10+988.48 грн
50+873.80 грн
100+695.95 грн
250+653.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120400K3S UF3C120400K3S-D.PDF
UF3C120400K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C120400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+465.51 грн
5+445.53 грн
10+425.54 грн
50+376.59 грн
100+299.79 грн
250+294.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N065025K3S 3750931.pdf
UJ3N065025K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3N065025K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1362.39 грн
5+1273.29 грн
10+1183.35 грн
50+1053.20 грн
100+930.07 грн
250+887.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KSD 3750917.pdf
UJ3D1210KSD
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1210KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 10 A, 54 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 54nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+303.96 грн
5+296.46 грн
10+289.80 грн
50+262.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KS 3750916.pdf
UJ3D1210KS
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1210KS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+394.73 грн
5+368.91 грн
10+343.10 грн
50+286.89 грн
100+228.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC120009K4S 3750901.pdf
UF3SC120009K4S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3SC120009K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0086 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 789W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8803.09 грн
5+7702.18 грн
10+6382.26 грн
50+5313.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120150K4S 3750897.pdf
UF3C120150K4S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C120150K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+618.74 грн
5+578.77 грн
10+537.96 грн
50+477.88 грн
100+421.14 грн
250+401.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080B3 3750907.pdf
UJ3C065080B3
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+478.84 грн
5+447.19 грн
10+415.55 грн
50+371.95 грн
100+329.77 грн
250+316.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080B3 3750907.pdf
UJ3C065080B3
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+415.55 грн
50+371.95 грн
100+329.77 грн
250+316.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120150K3S 3750913.pdf
UJ3C120150K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3C120150K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+618.74 грн
5+578.77 грн
10+537.96 грн
50+477.88 грн
100+421.14 грн
250+401.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N120070K3S 3750934.pdf
UJ3N120070K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3N120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33.5 A, 1.2 kV, 0.063 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1082.59 грн
5+1035.12 грн
10+988.48 грн
50+873.80 грн
100+695.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06508TS 3750923.pdf
UJ3D06508TS
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D06508TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 19 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+119.08 грн
10+111.59 грн
100+103.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120070K4S 3971402.pdf
UF4C120070K4S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF4C120070K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27.5 A, 1.2 kV, 72 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1330.75 грн
5+1164.20 грн
10+965.17 грн
50+803.43 грн
100+684.53 грн
250+638.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K4S 3971380.pdf
UJ4C075023K4S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4C075023K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 750 V, 23 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1119.23 грн
5+1045.94 грн
10+972.66 грн
50+874.58 грн
100+781.60 грн
250+755.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120053K4S da008656
UF4C120053K4S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF4C120053K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 53 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 53mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+850.25 грн
5+841.09 грн
10+831.93 грн
50+764.77 грн
100+698.09 грн
250+690.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 36 45 54 63 72 81 87 88 89 90 91 92 93 94 95  [ Наступна Сторінка >> ]