Продукція > QORVO > Всі товари виробника QORVO (5784) > Сторінка 94 з 97

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 36 45 54 63 72 81 89 90 91 92 93 94 95 96 97  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
Мікросхема RF5110G Qorvo ИМС RF QFN16 GSM Power Amplifier, Vs=2,7-4,8 V, Pout=34,5 dBm
на замовлення 72 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+550.62 грн
10+468.23 грн
100+441.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема RFPA2545 Qorvo ИМС DFN-12(5x4x0,85mm) 1400MHz to 2700MHz Broadband 4W GaAs HBT Power Amplifier
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+1854.72 грн
10+1506.96 грн
100+1399.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема RFSA2023 Qorvo ИМС QFN16 50-4000 MHz Voltage Controlled Attenuator, 30dB Attenuation Range
на замовлення 16 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+666.54 грн
10+538.20 грн
100+492.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема RFSA2033 Qorvo ИМС QFN16 50-6000 MHz Low Loss Voltage Controlled Attenuator, 25dB Attenuation Range, Vs=3-5 V
на замовлення 439 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+347.76 грн
10+269.10 грн
100+242.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема RFSA2113 Qorvo ИМС QFN16 50-18000 MHz Wide Bandwidth Voltage Controlled Attenuator, 30dB Attenuation Range, Vs=3-5 V
на замовлення 63 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+2260.44 грн
10+2069.38 грн
100+1883.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема RFSA3513 Qorvo ИМС QFN16 5-6000 MHz Digital Step Attenuator, 5-Bit, 31dB Range, 1.0dB Step
на замовлення 186 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+558.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема RFSW6042 Qorvo ИМС QFN12 5-6000 MHz Low Insertion High Isolation SP4T Switch
на замовлення 246 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+179.68 грн
10+150.70 грн
100+137.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема SBA-5089Z Qorvo СВЧ усилитель DC-5 GHz, Gss=17,2 dB, P1dB=19,5 dBm, Nf=4,5 dB, Ud=4,5...5,3 V, Id=80 mA, корп. Р86
на замовлення 83 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+330.37 грн
10+279.86 грн
100+258.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема SBB-1089Z Qorvo ИМС ВЧ SOT-89 50-850 MHz InGaP HBT MMIC Amplifier, Gss=15,5 dB, P1dB=19 dBm, Nf=4,2 dB, Ud=5 V, Id=90 mA
на замовлення 6 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+869.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема SBB-3089Z Qorvo ИМС ВЧ SOT-89 50-6000 MHz InGaP HBT MMIC Amplifier, Gss=16,4 dB, P1dB=15,2 dBm, Nf=3,9 dB, Ud=4,2 V, Id=42 mA
на замовлення 163 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+434.70 грн
10+349.83 грн
100+322.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема SBB-5089Z Qorvo СВЧ усилитель с акт. смещением 0,05-6 GHz, S21=20 dB, P1dB=20,5 dBm, Nf=4,2 dB, Ud=5 V, Id=75 mA, SOT-89
на замовлення 48 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+312.98 грн
10+261.03 грн
100+242.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема SPF-5043Z Qorvo GaAs pHEMT Low Noise MMIC Amplifier 50 - 4000 MHz, Gain=18,2 dB,Nf=0,8 dB@900MHz, OIP3=35 dBm, P1dB=21 dBm@1900 MHz, Vd=5 V, Id=46 mA
на замовлення 495 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+191.27 грн
10+153.39 грн
100+139.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема SPF-5122Z Qorvo GaAs pHEMT Low Noise MMIC Amplifier 50 - 4000 MHz, Gain=18,9 dB,Nf=0,6 dB@900MHz, OIP3=40,5 dBm, P1dB=23,4 dBm@1900 MHz, Vd=5 V, Id=90 mA
на замовлення 90 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+423.11 грн
10+357.90 грн
100+322.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема SZA-3044Z Qorvo ИМС СВЧ 2.7-3,8GHz 1W HBT усилитель мощности P1dB=31dBm; Pout=24dBm; Gain=25dB; Vd=5V; Id=365mA; NF=5,0dB
на замовлення 61 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+360.51 грн
10+305.70 грн
100+290.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TGA2227-SM Qorvo ИМС СВЧ 2-22 GHz GaN Low Noise Amplifier
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+17388.00 грн
10+15338.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TGL2206-SM Qorvo ИМС ВЧ QFN-32 (5x5mm) Wideband Dual VPIN Limiter 2-5,5 GHz 100 Watt
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+9273.60 грн
10+8073.00 грн
100+7750.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TGL2209-SM Qorvo Limiter, 8.0 - 12.0 GHz, 50 W, VPIN, 4.0 x 4.0 mm
на замовлення 48 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+4636.80 грн
10+4197.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TGL2210-SM Qorvo ІМС НВЧ QFN-20 (4x4x0,85mm) 100 Watt VPIN Limiter 0,05-6 GHz
на замовлення 23 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+7245.00 грн
10+5382.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TGL2217-SM Qorvo ИМС СВЧ QFN-14 (3,5x3,5x1,64mm) 10 Watt VPIN Limiter 0,1-20 GHz
на замовлення 7 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+3187.80 грн
10+2583.36 грн
100+2314.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TGL2223-SM Qorvo ИМС ВЧ QFN (3x3mm) 1–31 GHz 5-Bit Digital Attenuator AttenuationStep Size (LSB): 0.5 dB
на замовлення 6 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+5216.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQL9092 Qorvo ІМС DFN-8 (2x2mm) 0,6-4,2 GHz Ultra Low Noise, Flat Gain LNA
на замовлення 76 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+339.07 грн
10+274.48 грн
100+250.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQL9093 Qorvo ИМС DFN-8 (2x2mm) 0,6-4,2 GHz Ultra Low Noise, Flat Gain LNA
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+521.64 грн
10+403.65 грн
100+360.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP369181 Qorvo ИМС ВЧ SOT-363 InGaP/GaAs HBT Gain Block DC-6 GHz
на замовлення 118 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+168.08 грн
10+137.24 грн
100+123.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP369184 Qorvo ИМС ВЧ SOT-363 InGaP/GaAs HBT Gain Block DC-6 GHz, Gain=20,3dB, P1dB=+15,5dBm. IP3out=+28,5dBm, Nf=3,9dB @ 1,9 GHz
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+156.49 грн
10+131.86 грн
100+121.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP369185 Qorvo InGaP/GaAs HBT Gain Block DC-6 GHz SOT-89 P1dB=19,6 dBm G=19 dB, NF=4,7 dB @ 1,9 GHz V=5 V I=75 mA
на замовлення 62 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+347.76 грн
10+269.10 грн
100+242.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP3M9007 Qorvo ИМС SOT-89 100-4000 MHz LNA Gain Block, Nf=1,3 dB, G=13 dB @ 1,9 GHz
на замовлення 81 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+811.44 грн
10+718.50 грн
100+672.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP3M9009 Qorvo ИМС SOT-89 50-4000 MHz High Linearity LNA Gain Block, Nf=1,3 dB, G=21,4 dB @ 1,9 GHz
на замовлення 110 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+695.52 грн
10+592.02 грн
100+538.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP3M9028 Qorvo ИМС ВЧ SOT-89 50-4000 MHz High Linearity LNA Gain Block
на замовлення 75 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+457.88 грн
10+368.67 грн
100+336.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP3M9036 Qorvo ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 100-2000 MHz Ultra Low Noise, High Linearity Low Noise Amplifier
на замовлення 142 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+318.78 грн
10+261.03 грн
100+242.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP3M9037 Qorvo ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 0,7-6 GHz Ultra Low Noise, High Linearity Low Noise Amplifier
на замовлення 33 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+405.72 грн
10+349.83 грн
100+322.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP3M9038 Qorvo ИМС ВЧ SOT-89 50-4000 MHz High Linearity LNA Gain Block
на замовлення 175 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+440.50 грн
10+360.59 грн
100+322.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP5523 Qorvo ИМС ВЧ QFN-20 (4x4mm) High Power 5 GHz WLAN Power Amplifier
на замовлення 40 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+397.03 грн
10+320.23 грн
100+296.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP7M9101 Qorvo ИМС SOT-89 1/4 W 400-5000 MHz High Linearity Amplifier, P1dB=25 dBm, G=17,5 dB @ 2,14 GHz, Vcc=5 V, Icq=87 mA
на замовлення 96 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+463.68 грн
10+376.74 грн
100+322.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP7M9103 Qorvo ИМС SOT-89 1 W 400-4000 MHz High Linearity Amplifier, Nf=4,4 dB, Gp=16,5 dB @ 2,14 GHz, Vcc=5 V, Icq=235 mA
на замовлення 88 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+944.75 грн
10+815.37 грн
100+753.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP7M9104 Qorvo ИМС QFN-24 2 W 700-2700 MHz High Linearity Amplifier, Nf=4,4 dB, Gp=15,8 dB @ 2,14 GHz, Vcc=5 V, Icq=435 mA
на замовлення 53 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+1449.00 грн
10+1210.95 грн
100+1076.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DWM1000 QORVO dwm1000-datasheet-1.pdf IR-UWB; SPI; 3.5GHz~6.5GHz; 2.8V~3.6V; -40°C~85°C; RF TXRX MODULE 802.15.4 CHIP ANT DWM1000 DECAWAVE LIMITED RF DWM1000
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+1055.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DWM1000 QORVO dwm1000-datasheet-1.pdf IR-UWB; SPI; 3.5GHz~6.5GHz; 2.8V~3.6V; -40°C~85°C; RF TXRX MODULE 802.15.4 CHIP ANT DWM1000 DECAWAVE LIMITED RF DWM1000
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+1055.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DWM1000 QORVO dwm1000-datasheet-1.pdf IR-UWB; SPI; 3.5GHz~6.5GHz; 2.8V~3.6V; -40°C~85°C; RF TXRX MODULE 802.15.4 CHIP ANT DWM1000 DECAWAVE LIMITED RF DWM1000
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+1055.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120080K3S UJ3C120080K3S QORVO 3750912.pdf Description: QORVO - UJ3C120080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1108.06 грн
5+1059.47 грн
10+1011.74 грн
50+894.36 грн
100+712.32 грн
250+669.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120400K3S UF3C120400K3S QORVO UF3C120400K3S-D.PDF Description: QORVO - UF3C120400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+476.47 грн
5+456.01 грн
10+435.55 грн
50+385.45 грн
100+306.85 грн
250+301.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N065025K3S UJ3N065025K3S QORVO 3750931.pdf Description: QORVO - UJ3N065025K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1394.45 грн
5+1303.25 грн
10+1211.19 грн
50+1077.98 грн
100+951.96 грн
250+908.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KSD UJ3D1210KSD QORVO 3750917.pdf Description: QORVO - UJ3D1210KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 10 A, 54 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 54nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+311.11 грн
5+303.44 грн
10+296.62 грн
50+268.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KS UJ3D1210KS QORVO 3750916.pdf Description: QORVO - UJ3D1210KS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+404.02 грн
5+377.59 грн
10+351.17 грн
50+293.64 грн
100+233.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080B3 UJ3C065080B3 QORVO 3750907.pdf Description: QORVO - UJ3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+490.10 грн
5+457.71 грн
10+425.32 грн
50+380.70 грн
100+337.53 грн
250+324.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080B3 UJ3C065080B3 QORVO 3750907.pdf Description: QORVO - UJ3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+425.32 грн
50+380.70 грн
100+337.53 грн
250+324.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120150K3S UJ3C120150K3S QORVO 3750913.pdf Description: QORVO - UJ3C120150K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+633.30 грн
5+592.39 грн
10+550.62 грн
50+489.13 грн
100+431.05 грн
250+410.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N120070K3S UJ3N120070K3S QORVO 3750934.pdf Description: QORVO - UJ3N120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33.5 A, 1.2 kV, 0.063 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1108.06 грн
5+1059.47 грн
10+1011.74 грн
50+894.36 грн
100+712.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06508TS UJ3D06508TS QORVO 3750923.pdf Description: QORVO - UJ3D06508TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 19 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.89 грн
10+114.22 грн
100+105.69 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06512TS UJ3D06512TS QORVO 3750925.pdf Description: QORVO - UJ3D06512TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 29 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 29nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+239.51 грн
10+234.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1202TS UJ3D1202TS QORVO 3750914.pdf Description: QORVO - UJ3D1202TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 12 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+91.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N065080K3S UJ3N065080K3S QORVO 3750932.pdf Description: QORVO - UJ3N065080K3S - JFET-Transistor, TO-247, 175 °C
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+536.98 грн
5+513.97 грн
10+490.10 грн
50+433.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC120040B7S UF3SC120040B7S QORVO UF3SC120040B7S-D.PDF Description: QORVO - UF3SC120040B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 35 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1986.83 грн
5+1857.28 грн
10+1727.72 грн
50+1494.30 грн
100+1277.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06510TS UJ3D06510TS QORVO 3750924.pdf Description: QORVO - UJ3D06510TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 23 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 23nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+196.89 грн
10+172.18 грн
100+147.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210TS UJ3D1210TS QORVO 3750918.pdf Description: QORVO - UJ3D1210TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+366.51 грн
5+350.32 грн
10+334.12 грн
50+295.22 грн
100+255.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120070K3S UF4C120070K3S QORVO da008657 Description: QORVO - UF4C120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27.5 A, 1.2 kV, 72 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1275.12 грн
5+1115.73 грн
10+924.80 грн
50+770.10 грн
100+656.07 грн
250+612.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7S UJ4SC075009B7S QORVO 3971384.pdf Description: QORVO - UJ4SC075009B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 106 A, 750 V, 9 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4007.76 грн
5+3506.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B3 UF3C065080B3 QORVO 3750889.pdf Description: QORVO - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+490.10 грн
5+457.71 грн
10+425.32 грн
50+380.70 грн
100+337.53 грн
250+324.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B3 UF3C065080B3 QORVO 3750889.pdf Description: QORVO - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+425.32 грн
50+380.70 грн
100+337.53 грн
250+324.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C170400K3S UF3C170400K3S QORVO UF3C170400K3S-D.PDF Description: QORVO - UF3C170400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+582.16 грн
5+556.59 грн
10+531.87 грн
50+470.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C170400B7S UF3C170400B7S QORVO UF3C170400B7S-D.PDF Description: QORVO - UF3C170400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 410 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+494.36 грн
5+473.06 грн
10+451.75 грн
50+399.69 грн
100+317.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема RF5110G
Виробник: Qorvo
ИМС RF QFN16 GSM Power Amplifier, Vs=2,7-4,8 V, Pout=34,5 dBm
на замовлення 72 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+550.62 грн
10+468.23 грн
100+441.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема RFPA2545
Виробник: Qorvo
ИМС DFN-12(5x4x0,85mm) 1400MHz to 2700MHz Broadband 4W GaAs HBT Power Amplifier
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1854.72 грн
10+1506.96 грн
100+1399.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема RFSA2023
Виробник: Qorvo
ИМС QFN16 50-4000 MHz Voltage Controlled Attenuator, 30dB Attenuation Range
на замовлення 16 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+666.54 грн
10+538.20 грн
100+492.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема RFSA2033
Виробник: Qorvo
ИМС QFN16 50-6000 MHz Low Loss Voltage Controlled Attenuator, 25dB Attenuation Range, Vs=3-5 V
на замовлення 439 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+347.76 грн
10+269.10 грн
100+242.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема RFSA2113
Виробник: Qorvo
ИМС QFN16 50-18000 MHz Wide Bandwidth Voltage Controlled Attenuator, 30dB Attenuation Range, Vs=3-5 V
на замовлення 63 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2260.44 грн
10+2069.38 грн
100+1883.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема RFSA3513
Виробник: Qorvo
ИМС QFN16 5-6000 MHz Digital Step Attenuator, 5-Bit, 31dB Range, 1.0dB Step
на замовлення 186 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+558.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема RFSW6042
Виробник: Qorvo
ИМС QFN12 5-6000 MHz Low Insertion High Isolation SP4T Switch
на замовлення 246 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.68 грн
10+150.70 грн
100+137.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема SBA-5089Z
Виробник: Qorvo
СВЧ усилитель DC-5 GHz, Gss=17,2 dB, P1dB=19,5 dBm, Nf=4,5 dB, Ud=4,5...5,3 V, Id=80 mA, корп. Р86
на замовлення 83 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+330.37 грн
10+279.86 грн
100+258.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема SBB-1089Z
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ SOT-89 50-850 MHz InGaP HBT MMIC Amplifier, Gss=15,5 dB, P1dB=19 dBm, Nf=4,2 dB, Ud=5 V, Id=90 mA
на замовлення 6 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+869.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема SBB-3089Z
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ SOT-89 50-6000 MHz InGaP HBT MMIC Amplifier, Gss=16,4 dB, P1dB=15,2 dBm, Nf=3,9 dB, Ud=4,2 V, Id=42 mA
на замовлення 163 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+434.70 грн
10+349.83 грн
100+322.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема SBB-5089Z
Виробник: Qorvo
СВЧ усилитель с акт. смещением 0,05-6 GHz, S21=20 dB, P1dB=20,5 dBm, Nf=4,2 dB, Ud=5 V, Id=75 mA, SOT-89
на замовлення 48 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+312.98 грн
10+261.03 грн
100+242.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема SPF-5043Z
Виробник: Qorvo
GaAs pHEMT Low Noise MMIC Amplifier 50 - 4000 MHz, Gain=18,2 dB,Nf=0,8 dB@900MHz, OIP3=35 dBm, P1dB=21 dBm@1900 MHz, Vd=5 V, Id=46 mA
на замовлення 495 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.27 грн
10+153.39 грн
100+139.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема SPF-5122Z
Виробник: Qorvo
GaAs pHEMT Low Noise MMIC Amplifier 50 - 4000 MHz, Gain=18,9 dB,Nf=0,6 dB@900MHz, OIP3=40,5 dBm, P1dB=23,4 dBm@1900 MHz, Vd=5 V, Id=90 mA
на замовлення 90 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+423.11 грн
10+357.90 грн
100+322.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема SZA-3044Z
Виробник: Qorvo
ИМС СВЧ 2.7-3,8GHz 1W HBT усилитель мощности P1dB=31dBm; Pout=24dBm; Gain=25dB; Vd=5V; Id=365mA; NF=5,0dB
на замовлення 61 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+360.51 грн
10+305.70 грн
100+290.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TGA2227-SM
Виробник: Qorvo
ИМС СВЧ 2-22 GHz GaN Low Noise Amplifier
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+17388.00 грн
10+15338.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TGL2206-SM
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ QFN-32 (5x5mm) Wideband Dual VPIN Limiter 2-5,5 GHz 100 Watt
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9273.60 грн
10+8073.00 грн
100+7750.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TGL2209-SM
Виробник: Qorvo
Limiter, 8.0 - 12.0 GHz, 50 W, VPIN, 4.0 x 4.0 mm
на замовлення 48 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4636.80 грн
10+4197.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TGL2210-SM
Виробник: Qorvo
ІМС НВЧ QFN-20 (4x4x0,85mm) 100 Watt VPIN Limiter 0,05-6 GHz
на замовлення 23 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7245.00 грн
10+5382.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TGL2217-SM
Виробник: Qorvo
ИМС СВЧ QFN-14 (3,5x3,5x1,64mm) 10 Watt VPIN Limiter 0,1-20 GHz
на замовлення 7 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3187.80 грн
10+2583.36 грн
100+2314.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TGL2223-SM
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ QFN (3x3mm) 1–31 GHz 5-Bit Digital Attenuator AttenuationStep Size (LSB): 0.5 dB
на замовлення 6 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5216.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQL9092
Виробник: Qorvo
ІМС DFN-8 (2x2mm) 0,6-4,2 GHz Ultra Low Noise, Flat Gain LNA
на замовлення 76 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+339.07 грн
10+274.48 грн
100+250.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQL9093
Виробник: Qorvo
ИМС DFN-8 (2x2mm) 0,6-4,2 GHz Ultra Low Noise, Flat Gain LNA
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+521.64 грн
10+403.65 грн
100+360.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP369181
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ SOT-363 InGaP/GaAs HBT Gain Block DC-6 GHz
на замовлення 118 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.08 грн
10+137.24 грн
100+123.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP369184
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ SOT-363 InGaP/GaAs HBT Gain Block DC-6 GHz, Gain=20,3dB, P1dB=+15,5dBm. IP3out=+28,5dBm, Nf=3,9dB @ 1,9 GHz
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
2+156.49 грн
10+131.86 грн
100+121.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP369185
Виробник: Qorvo
InGaP/GaAs HBT Gain Block DC-6 GHz SOT-89 P1dB=19,6 dBm G=19 dB, NF=4,7 dB @ 1,9 GHz V=5 V I=75 mA
на замовлення 62 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+347.76 грн
10+269.10 грн
100+242.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP3M9007
Виробник: Qorvo
ИМС SOT-89 100-4000 MHz LNA Gain Block, Nf=1,3 dB, G=13 dB @ 1,9 GHz
на замовлення 81 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+811.44 грн
10+718.50 грн
100+672.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP3M9009
Виробник: Qorvo
ИМС SOT-89 50-4000 MHz High Linearity LNA Gain Block, Nf=1,3 dB, G=21,4 dB @ 1,9 GHz
на замовлення 110 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+695.52 грн
10+592.02 грн
100+538.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP3M9028
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ SOT-89 50-4000 MHz High Linearity LNA Gain Block
на замовлення 75 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+457.88 грн
10+368.67 грн
100+336.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP3M9036
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 100-2000 MHz Ultra Low Noise, High Linearity Low Noise Amplifier
на замовлення 142 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+318.78 грн
10+261.03 грн
100+242.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP3M9037
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 0,7-6 GHz Ultra Low Noise, High Linearity Low Noise Amplifier
на замовлення 33 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+405.72 грн
10+349.83 грн
100+322.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP3M9038
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ SOT-89 50-4000 MHz High Linearity LNA Gain Block
на замовлення 175 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+440.50 грн
10+360.59 грн
100+322.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP5523
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ QFN-20 (4x4mm) High Power 5 GHz WLAN Power Amplifier
на замовлення 40 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+397.03 грн
10+320.23 грн
100+296.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP7M9101
Виробник: Qorvo
ИМС SOT-89 1/4 W 400-5000 MHz High Linearity Amplifier, P1dB=25 dBm, G=17,5 dB @ 2,14 GHz, Vcc=5 V, Icq=87 mA
на замовлення 96 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+463.68 грн
10+376.74 грн
100+322.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP7M9103
Виробник: Qorvo
ИМС SOT-89 1 W 400-4000 MHz High Linearity Amplifier, Nf=4,4 dB, Gp=16,5 dB @ 2,14 GHz, Vcc=5 V, Icq=235 mA
на замовлення 88 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+944.75 грн
10+815.37 грн
100+753.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP7M9104
Виробник: Qorvo
ИМС QFN-24 2 W 700-2700 MHz High Linearity Amplifier, Nf=4,4 dB, Gp=15,8 dB @ 2,14 GHz, Vcc=5 V, Icq=435 mA
на замовлення 53 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1449.00 грн
10+1210.95 грн
100+1076.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DWM1000 dwm1000-datasheet-1.pdf
Виробник: QORVO
IR-UWB; SPI; 3.5GHz~6.5GHz; 2.8V~3.6V; -40°C~85°C; RF TXRX MODULE 802.15.4 CHIP ANT DWM1000 DECAWAVE LIMITED RF DWM1000
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+1055.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DWM1000 dwm1000-datasheet-1.pdf
Виробник: QORVO
IR-UWB; SPI; 3.5GHz~6.5GHz; 2.8V~3.6V; -40°C~85°C; RF TXRX MODULE 802.15.4 CHIP ANT DWM1000 DECAWAVE LIMITED RF DWM1000
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+1055.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DWM1000 dwm1000-datasheet-1.pdf
Виробник: QORVO
IR-UWB; SPI; 3.5GHz~6.5GHz; 2.8V~3.6V; -40°C~85°C; RF TXRX MODULE 802.15.4 CHIP ANT DWM1000 DECAWAVE LIMITED RF DWM1000
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+1055.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120080K3S 3750912.pdf
UJ3C120080K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3C120080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1108.06 грн
5+1059.47 грн
10+1011.74 грн
50+894.36 грн
100+712.32 грн
250+669.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120400K3S UF3C120400K3S-D.PDF
UF3C120400K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C120400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+476.47 грн
5+456.01 грн
10+435.55 грн
50+385.45 грн
100+306.85 грн
250+301.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N065025K3S 3750931.pdf
UJ3N065025K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3N065025K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1394.45 грн
5+1303.25 грн
10+1211.19 грн
50+1077.98 грн
100+951.96 грн
250+908.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KSD 3750917.pdf
UJ3D1210KSD
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1210KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 10 A, 54 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 54nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+311.11 грн
5+303.44 грн
10+296.62 грн
50+268.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KS 3750916.pdf
UJ3D1210KS
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1210KS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+404.02 грн
5+377.59 грн
10+351.17 грн
50+293.64 грн
100+233.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080B3 3750907.pdf
UJ3C065080B3
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+490.10 грн
5+457.71 грн
10+425.32 грн
50+380.70 грн
100+337.53 грн
250+324.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080B3 3750907.pdf
UJ3C065080B3
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+425.32 грн
50+380.70 грн
100+337.53 грн
250+324.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120150K3S 3750913.pdf
UJ3C120150K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3C120150K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+633.30 грн
5+592.39 грн
10+550.62 грн
50+489.13 грн
100+431.05 грн
250+410.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N120070K3S 3750934.pdf
UJ3N120070K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3N120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33.5 A, 1.2 kV, 0.063 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1108.06 грн
5+1059.47 грн
10+1011.74 грн
50+894.36 грн
100+712.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06508TS 3750923.pdf
UJ3D06508TS
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D06508TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 19 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+121.89 грн
10+114.22 грн
100+105.69 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06512TS 3750925.pdf
UJ3D06512TS
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D06512TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 29 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 29nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+239.51 грн
10+234.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1202TS 3750914.pdf
UJ3D1202TS
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1202TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 12 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+91.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N065080K3S 3750932.pdf
UJ3N065080K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3N065080K3S - JFET-Transistor, TO-247, 175 °C
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+536.98 грн
5+513.97 грн
10+490.10 грн
50+433.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC120040B7S UF3SC120040B7S-D.PDF
UF3SC120040B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3SC120040B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 35 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1986.83 грн
5+1857.28 грн
10+1727.72 грн
50+1494.30 грн
100+1277.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06510TS 3750924.pdf
UJ3D06510TS
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D06510TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 23 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 23nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+196.89 грн
10+172.18 грн
100+147.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210TS 3750918.pdf
UJ3D1210TS
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1210TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+366.51 грн
5+350.32 грн
10+334.12 грн
50+295.22 грн
100+255.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120070K3S da008657
UF4C120070K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF4C120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27.5 A, 1.2 kV, 72 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1275.12 грн
5+1115.73 грн
10+924.80 грн
50+770.10 грн
100+656.07 грн
250+612.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7S 3971384.pdf
UJ4SC075009B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4SC075009B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 106 A, 750 V, 9 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4007.76 грн
5+3506.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B3 3750889.pdf
UF3C065080B3
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+490.10 грн
5+457.71 грн
10+425.32 грн
50+380.70 грн
100+337.53 грн
250+324.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B3 3750889.pdf
UF3C065080B3
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+425.32 грн
50+380.70 грн
100+337.53 грн
250+324.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C170400K3S UF3C170400K3S-D.PDF
UF3C170400K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C170400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+582.16 грн
5+556.59 грн
10+531.87 грн
50+470.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C170400B7S UF3C170400B7S-D.PDF
UF3C170400B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C170400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 410 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+494.36 грн
5+473.06 грн
10+451.75 грн
50+399.69 грн
100+317.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 36 45 54 63 72 81 89 90 91 92 93 94 95 96 97  [ Наступна Сторінка >> ]