Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (101976) > Сторінка 242 з 1700
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SD2675TL | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 30V 1A TSMT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 2988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2SD2704KT146 | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 20V 0.3A SMT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 4ma, 2V Frequency - Transition: 35MHz Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 4844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DTA143ZMT2L | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 5593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DTB143TKT146 | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS PNP 40V 0.5A SMT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 Only |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
DTB513ZETL | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS PNP 12V 0.5A EMT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: EMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 260 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
на замовлення 5852 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DTB713ZMT2L | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3 |
на замовлення 12624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
DTC614TKT146 | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.6A SMT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms |
на замовлення 3975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DTC614TUT106 | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms |
на замовлення 299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
EM6K6T2R | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 150mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: EMT6 Part Status: Active |
на замовлення 3302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
EMD29T2R | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP EMT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 120mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 12V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz, 260MHz Resistor - Base (R1): 1kOhms, 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: EMT6 |
на замовлення 1505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
EMD4T2R | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: EMT6 |
на замовлення 5974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
EMD5T2R | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 |
на замовлення 22781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
EMX18T2R | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS 2NPN DUAL 12V 500MA EMT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: EMT6 Part Status: Active |
на замовлення 6725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
EMZ7T2R | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN/PNP 12V 0.5A 6EMTPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz, 260MHz Supplier Device Package: EMT6 Part Status: Active |
на замовлення 7721 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IMD3AT108 | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SMT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SMT6 |
на замовлення 4597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
RSF010P03TL | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 30V 1A TUMT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Supplier Device Package: TUMT3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RTR020N05TL | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V |
на замовлення 3779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
RTR040N03TL | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RUE003N02TL | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V |
на замовлення 48574 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
RUM003N02T2L | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V |
на замовлення 194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
UMX18NTN | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS 2NPN DUAL 12V 500MA UMT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: UMT6 Part Status: Active |
на замовлення 102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
US5U3TR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TUMT5 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): 12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V |
на замовлення 2639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DTB713ZMT2L | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3 |
на замовлення 12624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
EMD5T2R | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 |
на замовлення 22781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
MCR006YZPF1502 | Rohm Semiconductor |
Description: RES SMD 15K OHM 1% 1/20W 0201 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
MCR006YZPF3002 | Rohm Semiconductor |
Description: RES SMD 30K OHM 1% 1/20W 0201 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
MCR006YZPF1003 | Rohm Semiconductor |
Description: RES SMD 100K OHM 1% 1/20W 0201 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
MCR006YZPF4701 | Rohm Semiconductor |
Description: RES SMD 4.7K OHM 1% 1/20W 0201 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
MCR006YZPF8200 | Rohm Semiconductor |
Description: RES SMD 820 OHM 1% 1/20W 0201 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
MCR006YZPF4532 | Rohm Semiconductor |
Description: RES SMD 45.3K OHM 1% 1/20W 0201 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TCA0G226M8R | Rohm Semiconductor |
Description: CAP TANT 22UF 4V 20% 1206 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TCA0G336M8R | Rohm Semiconductor |
Description: CAP TANT 33UF 4V 20% 1206 |
на замовлення 1732 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TCP0J335M8R | Rohm Semiconductor |
Description: CAP TANT 3.3UF 6.3V 20% 0805 |
на замовлення 4440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TCA0J685M8R | Rohm Semiconductor |
Description: CAP TANT 6.8UF 6.3V 20% 1206 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TCA1A155M8R | Rohm Semiconductor |
Description: CAP TANT 1.5UF 10V 20% 1206 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BA028LBSG2-TR | Rohm Semiconductor |
Description: IC REG LDO 2.8V 0.15A SMP5 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BA029LBSG2-TR | Rohm Semiconductor |
Description: IC REG LDO 2.9V 0.15A SMP5 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BA038LBSG2-TR | Rohm Semiconductor |
Description: IC REG LDO 3.8V 0.15A SMP5 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BA040LBSG2-TR | Rohm Semiconductor |
Description: IC REG LDO 4V 0.15A SMP5 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BA2902F-E2 | Rohm Semiconductor |
Description: IC OPAMP GP 500KHZ 14SOP |
на замовлення 8040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BH1JLB1WHFV-TR | Rohm Semiconductor |
Description: IC REG LDO 1.85V 0.15A 5HVSOF |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BH25FB1WG-TR | Rohm Semiconductor |
Description: IC REG LDO 2.5V 0.15A 5SSOP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BH25FB1WHFV-TR | Rohm Semiconductor |
Description: IC REG LDO 2.5V 0.15A 5HVSOF |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BH25MA3WHFV-TR | Rohm Semiconductor |
Description: IC REG LDO 2.5V 0.3A 6HVSOF |
на замовлення 194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BH29FB1WG-TR | Rohm Semiconductor |
Description: IC REG LDO 2.9V 0.15A 5SSOP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BH29FB1WHFV-TR | Rohm Semiconductor |
Description: IC REG LDO 2.9V 0.15A 5HVSOF |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BH29MA3WHFV-TR | Rohm Semiconductor |
Description: IC REG LDO 2.9V 0.3A 6HVSOF |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BH29NB1WHFV-TR | Rohm Semiconductor |
Description: IC REG LDO 2.9V 0.15A 5HVSOF |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BH2JNB1WHFV-TR | Rohm Semiconductor |
Description: IC REG LDO 2.85V 0.15A 5HVSOF |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BH31FB1WG-TR | Rohm Semiconductor |
Description: IC REG LDO 3.1V 0.15A 5SSOP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BH31FB1WHFV-TR | Rohm Semiconductor |
Description: IC REG LDO 3.1V 0.15A 5HVSOF |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BH31MA3WHFV-TR | Rohm Semiconductor |
Description: IC REG LDO 3.1V 0.3A 6HVSOF |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BH31NB1WHFV-TR | Rohm Semiconductor |
Description: IC REG LDO 3.1V 0.15A 5HVSOF |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BR93L66FV-WE2 | Rohm Semiconductor |
Description: IC EEPROM 4KBIT 2MHZ 8SSOPB |
на замовлення 4790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BR93L66F-WE2 | Rohm Semiconductor |
Description: IC EEPROM 4KBIT 2MHZ 8SOP |
на замовлення 5709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BR93L66RFVM-WTR | Rohm Semiconductor |
Description: IC EEPROM 4KBIT 2MHZ 8MSOP |
на замовлення 1557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BR93L76F-WE2 | Rohm Semiconductor |
Description: IC EEPROM 8KBIT 2MHZ 8SOP |
на замовлення 1435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IMX2T108 | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A 6SMT |
на замовлення 2229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
MNR02M0AJ000 | Rohm Semiconductor |
Description: RES ARRAY 2 RES ZERO OHM 0404 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
MNR02M0AJ100 | Rohm Semiconductor |
Description: RES ARRAY 2 RES 10 OHM 0404 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SD2675TL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 1A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 30V 1A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 57.33 грн |
| 10+ | 34.11 грн |
| 100+ | 22.02 грн |
| 500+ | 15.77 грн |
| 1000+ | 14.19 грн |
| 2SD2704KT146 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 20V 0.3A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 4ma, 2V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 200 mW
Description: TRANS NPN 20V 0.3A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 4ma, 2V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 4844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 29.95 грн |
| 19+ | 17.55 грн |
| 100+ | 11.03 грн |
| 500+ | 7.72 грн |
| 1000+ | 6.86 грн |
| DTA143ZMT2L |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 22.25 грн |
| 26+ | 12.85 грн |
| 100+ | 8.03 грн |
| 500+ | 5.56 грн |
| 1000+ | 4.91 грн |
| 2000+ | 4.37 грн |
| DTB143TKT146 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 40V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
Description: TRANS PREBIAS PNP 40V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DTB513ZETL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Description: TRANS PREBIAS PNP 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 5852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 39.36 грн |
| 15+ | 23.32 грн |
| 100+ | 14.78 грн |
| 500+ | 10.40 грн |
| 1000+ | 9.27 грн |
| DTB713ZMT2L |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
на замовлення 12624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| DTC614TKT146 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.6A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Description: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.6A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 36.79 грн |
| 14+ | 25.13 грн |
| 100+ | 12.66 грн |
| 500+ | 10.53 грн |
| 1000+ | 8.19 грн |
| DTC614TUT106 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 32.52 грн |
| 13+ | 25.54 грн |
| 100+ | 17.38 грн |
| EM6K6T2R |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 3302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 46.21 грн |
| 13+ | 27.19 грн |
| 100+ | 17.39 грн |
| 500+ | 12.34 грн |
| 1000+ | 11.06 грн |
| 2000+ | 9.98 грн |
| EMD29T2R |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz, 260MHz
Resistor - Base (R1): 1kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz, 260MHz
Resistor - Base (R1): 1kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 1505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 43.64 грн |
| 13+ | 25.87 грн |
| 100+ | 16.49 грн |
| 500+ | 11.68 грн |
| 1000+ | 10.45 грн |
| EMD4T2R |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 5974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 29.95 грн |
| 15+ | 22.25 грн |
| 100+ | 13.36 грн |
| 500+ | 11.61 грн |
| 1000+ | 7.89 грн |
| 2000+ | 7.27 грн |
| EMD5T2R |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
на замовлення 22781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| EMX18T2R |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN DUAL 12V 500MA EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
Description: TRANS 2NPN DUAL 12V 500MA EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 6725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 61.61 грн |
| 10+ | 36.75 грн |
| 100+ | 23.77 грн |
| 500+ | 17.07 грн |
| 1000+ | 15.38 грн |
| 2000+ | 13.96 грн |
| EMZ7T2R |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP 12V 0.5A 6EMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz, 260MHz
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
Description: TRANS NPN/PNP 12V 0.5A 6EMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz, 260MHz
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 7721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 68.45 грн |
| 10+ | 41.03 грн |
| 100+ | 26.55 грн |
| 500+ | 19.06 грн |
| 1000+ | 17.18 грн |
| 2000+ | 15.59 грн |
| IMD3AT108 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SMT6
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 4597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 41.07 грн |
| 14+ | 24.22 грн |
| 100+ | 15.42 грн |
| 500+ | 10.87 грн |
| 1000+ | 9.71 грн |
| RSF010P03TL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 1A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 30V 1A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RTR020N05TL |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
на замовлення 3779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 106.10 грн |
| 10+ | 64.27 грн |
| 100+ | 42.47 грн |
| 500+ | 31.06 грн |
| 1000+ | 28.23 грн |
| RTR040N03TL | ![]() |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RUE003N02TL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 48574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 32.52 грн |
| 18+ | 19.03 грн |
| 100+ | 12.01 грн |
| 500+ | 8.42 грн |
| 1000+ | 7.49 грн |
| RUM003N02T2L |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.23 грн |
| 13+ | 26.45 грн |
| 100+ | 18.00 грн |
| UMX18NTN |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN DUAL 12V 500MA UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
Description: TRANS 2NPN DUAL 12V 500MA UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 50.48 грн |
| 11+ | 29.99 грн |
| 100+ | 19.29 грн |
| US5U3TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V
на замовлення 2639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.63 грн |
| 10+ | 41.78 грн |
| 100+ | 28.93 грн |
| 500+ | 22.68 грн |
| 1000+ | 19.31 грн |
| DTB713ZMT2L |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
на замовлення 12624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| EMD5T2R |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
на замовлення 22781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| MCR006YZPF1502 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 15K OHM 1% 1/20W 0201
Description: RES SMD 15K OHM 1% 1/20W 0201
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MCR006YZPF3002 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 30K OHM 1% 1/20W 0201
Description: RES SMD 30K OHM 1% 1/20W 0201
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MCR006YZPF1003 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 100K OHM 1% 1/20W 0201
Description: RES SMD 100K OHM 1% 1/20W 0201
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MCR006YZPF4701 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 4.7K OHM 1% 1/20W 0201
Description: RES SMD 4.7K OHM 1% 1/20W 0201
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MCR006YZPF8200 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 820 OHM 1% 1/20W 0201
Description: RES SMD 820 OHM 1% 1/20W 0201
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MCR006YZPF4532 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 45.3K OHM 1% 1/20W 0201
Description: RES SMD 45.3K OHM 1% 1/20W 0201
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TCA0G226M8R |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: CAP TANT 22UF 4V 20% 1206
Description: CAP TANT 22UF 4V 20% 1206
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TCA0G336M8R |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: CAP TANT 33UF 4V 20% 1206
Description: CAP TANT 33UF 4V 20% 1206
на замовлення 1732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TCP0J335M8R |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: CAP TANT 3.3UF 6.3V 20% 0805
Description: CAP TANT 3.3UF 6.3V 20% 0805
на замовлення 4440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TCA0J685M8R |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: CAP TANT 6.8UF 6.3V 20% 1206
Description: CAP TANT 6.8UF 6.3V 20% 1206
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TCA1A155M8R |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: CAP TANT 1.5UF 10V 20% 1206
Description: CAP TANT 1.5UF 10V 20% 1206
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BA028LBSG2-TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.8V 0.15A SMP5
Description: IC REG LDO 2.8V 0.15A SMP5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BA029LBSG2-TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.9V 0.15A SMP5
Description: IC REG LDO 2.9V 0.15A SMP5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BA038LBSG2-TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 3.8V 0.15A SMP5
Description: IC REG LDO 3.8V 0.15A SMP5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BA040LBSG2-TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 4V 0.15A SMP5
Description: IC REG LDO 4V 0.15A SMP5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BA2902F-E2 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC OPAMP GP 500KHZ 14SOP
Description: IC OPAMP GP 500KHZ 14SOP
на замовлення 8040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BH1JLB1WHFV-TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 1.85V 0.15A 5HVSOF
Description: IC REG LDO 1.85V 0.15A 5HVSOF
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BH25FB1WG-TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.5V 0.15A 5SSOP
Description: IC REG LDO 2.5V 0.15A 5SSOP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BH25FB1WHFV-TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.5V 0.15A 5HVSOF
Description: IC REG LDO 2.5V 0.15A 5HVSOF
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BH25MA3WHFV-TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.5V 0.3A 6HVSOF
Description: IC REG LDO 2.5V 0.3A 6HVSOF
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BH29FB1WG-TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.9V 0.15A 5SSOP
Description: IC REG LDO 2.9V 0.15A 5SSOP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BH29FB1WHFV-TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.9V 0.15A 5HVSOF
Description: IC REG LDO 2.9V 0.15A 5HVSOF
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BH29MA3WHFV-TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.9V 0.3A 6HVSOF
Description: IC REG LDO 2.9V 0.3A 6HVSOF
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BH29NB1WHFV-TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.9V 0.15A 5HVSOF
Description: IC REG LDO 2.9V 0.15A 5HVSOF
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BH2JNB1WHFV-TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.85V 0.15A 5HVSOF
Description: IC REG LDO 2.85V 0.15A 5HVSOF
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BH31FB1WG-TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 3.1V 0.15A 5SSOP
Description: IC REG LDO 3.1V 0.15A 5SSOP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BH31FB1WHFV-TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 3.1V 0.15A 5HVSOF
Description: IC REG LDO 3.1V 0.15A 5HVSOF
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BH31MA3WHFV-TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 3.1V 0.3A 6HVSOF
Description: IC REG LDO 3.1V 0.3A 6HVSOF
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BH31NB1WHFV-TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 3.1V 0.15A 5HVSOF
Description: IC REG LDO 3.1V 0.15A 5HVSOF
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR93L66FV-WE2 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 4KBIT 2MHZ 8SSOPB
Description: IC EEPROM 4KBIT 2MHZ 8SSOPB
на замовлення 4790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BR93L66F-WE2 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 4KBIT 2MHZ 8SOP
Description: IC EEPROM 4KBIT 2MHZ 8SOP
на замовлення 5709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BR93L66RFVM-WTR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 4KBIT 2MHZ 8MSOP
Description: IC EEPROM 4KBIT 2MHZ 8MSOP
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BR93L76F-WE2 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 8KBIT 2MHZ 8SOP
Description: IC EEPROM 8KBIT 2MHZ 8SOP
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IMX2T108 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A 6SMT
Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A 6SMT
на замовлення 2229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| MNR02M0AJ000 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES ARRAY 2 RES ZERO OHM 0404
Description: RES ARRAY 2 RES ZERO OHM 0404
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MNR02M0AJ100 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES ARRAY 2 RES 10 OHM 0404
Description: RES ARRAY 2 RES 10 OHM 0404
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.


















-1206-pkg.jpg)
-2012-pkg.jpg)









