Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (102585) > Сторінка 247 з 1710
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DTC614TUT106 | Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms |
на замовлення 299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
EM6K6T2R | Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 150mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: EMT6 Part Status: Active |
на замовлення 5176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
EMD29T2R | Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 120mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 12V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz, 260MHz Resistor - Base (R1): 1kOhms, 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: EMT6 |
на замовлення 1505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
EMD4T2R | Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: EMT6 |
на замовлення 5974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
EMD5T2R | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 22781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
EMX18T2R | Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: EMT6 Part Status: Active |
на замовлення 9617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
EMZ7T2R | Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz, 260MHz Supplier Device Package: EMT6 Part Status: Active |
на замовлення 7721 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IMD3AT108 | Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SMT6 |
на замовлення 4597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
RSF010P03TL | Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Supplier Device Package: TUMT3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
RSL020P03TR | Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Supplier Device Package: TUMT6 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 10 V |
на замовлення 8261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
RTR020N05TL | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V |
на замовлення 3779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
RTR040N03TL | Rohm Semiconductor |
![]() ![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
RUE003N02TL | Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V |
на замовлення 66946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
RUM003N02T2L | Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V |
на замовлення 194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
UMX18NTN | Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: UMT6 Part Status: Active |
на замовлення 103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
US5U3TR | Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TUMT5 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): 12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V |
на замовлення 2639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
DTB713ZMT2L | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
EMD5T2R | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 22781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
MCR006YZPF1502 | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
MCR006YZPF3002 | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
MCR006YZPF1003 | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
MCR006YZPF4701 | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
MCR006YZPF8200 | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
MCR006YZPF4532 | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
TCA0G226M8R | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
TCA0G336M8R | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1732 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
TCP0J335M8R | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
TCA0J685M8R | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
TCA1A155M8R | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
BA028LBSG2-TR | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
BA029LBSG2-TR | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
BA038LBSG2-TR | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
BA040LBSG2-TR | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
BA2902F-E2 | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 8040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
BH1JLB1WHFV-TR | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
BH25FB1WG-TR | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
BH25FB1WHFV-TR | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
BH25MA3WHFV-TR | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
BH29FB1WG-TR | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
BH29FB1WHFV-TR | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
BH29MA3WHFV-TR | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
BH29NB1WHFV-TR | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
BH2JNB1WHFV-TR | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
BH31FB1WG-TR | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
BH31FB1WHFV-TR | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
BH31MA3WHFV-TR | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
BH31NB1WHFV-TR | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
BR93L66FV-WE2 | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
BR93L66F-WE2 | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
BR93L66RFVM-WTR | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
BR93L76F-WE2 | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IMX2T108 | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
MNR02M0AJ000 | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
MNR02M0AJ100 | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
MNR02M0AJ101 | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
MNR02M0AJ103 | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
MNR02M0AJ220 | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
MNR02M0AJ330 | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
MNR02M0AJ472 | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
MNR02M0AJ473 | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
DTC614TUT106 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 30.17 грн |
13+ | 23.70 грн |
100+ | 16.12 грн |
EM6K6T2R |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 5176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 45.25 грн |
12+ | 26.91 грн |
100+ | 17.23 грн |
500+ | 12.23 грн |
1000+ | 10.92 грн |
2000+ | 9.53 грн |
EMD29T2R |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz, 260MHz
Resistor - Base (R1): 1kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz, 260MHz
Resistor - Base (R1): 1kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 1505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 43.66 грн |
12+ | 26.07 грн |
100+ | 16.66 грн |
500+ | 11.79 грн |
1000+ | 10.55 грн |
EMD4T2R |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 5974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 27.79 грн |
15+ | 20.64 грн |
100+ | 12.40 грн |
500+ | 10.77 грн |
1000+ | 7.32 грн |
2000+ | 6.74 грн |
EMD5T2R |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
на замовлення 22781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
EMX18T2R |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN DUAL 12V 500MA EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
Description: TRANS 2NPN DUAL 12V 500MA EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 9617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 63.51 грн |
10+ | 38.30 грн |
100+ | 24.77 грн |
500+ | 17.79 грн |
1000+ | 16.03 грн |
2000+ | 14.55 грн |
EMZ7T2R |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP 12V 0.5A 6EMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz, 260MHz
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
Description: TRANS NPN/PNP 12V 0.5A 6EMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz, 260MHz
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 7721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 63.51 грн |
10+ | 38.07 грн |
100+ | 24.63 грн |
500+ | 17.69 грн |
1000+ | 15.94 грн |
2000+ | 14.47 грн |
IMD3AT108 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SMT6
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 4597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 38.11 грн |
14+ | 22.48 грн |
100+ | 14.31 грн |
500+ | 10.09 грн |
1000+ | 9.01 грн |
RSF010P03TL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 1A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 30V 1A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSL020P03TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 2A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 30V 2A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 10 V
на замовлення 8261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 39.69 грн |
10+ | 32.80 грн |
100+ | 22.80 грн |
500+ | 16.71 грн |
1000+ | 13.58 грн |
RTR020N05TL |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
на замовлення 3779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 98.44 грн |
10+ | 59.63 грн |
100+ | 39.40 грн |
500+ | 28.82 грн |
1000+ | 26.19 грн |
RTR040N03TL | ![]() |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RUE003N02TL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 66946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 30.96 грн |
18+ | 17.97 грн |
100+ | 11.35 грн |
500+ | 7.95 грн |
1000+ | 7.08 грн |
RUM003N02T2L |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 31.76 грн |
13+ | 24.54 грн |
100+ | 16.70 грн |
UMX18NTN |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN DUAL 12V 500MA UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
Description: TRANS 2NPN DUAL 12V 500MA UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 48.43 грн |
11+ | 28.59 грн |
100+ | 18.36 грн |
US5U3TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V
на замовлення 2639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 46.05 грн |
10+ | 38.76 грн |
100+ | 26.84 грн |
500+ | 21.05 грн |
1000+ | 17.91 грн |
DTB713ZMT2L |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
на замовлення 12624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
EMD5T2R |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
на замовлення 22781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
MCR006YZPF1502 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 15K OHM 1% 1/20W 0201
Description: RES SMD 15K OHM 1% 1/20W 0201
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MCR006YZPF3002 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 30K OHM 1% 1/20W 0201
Description: RES SMD 30K OHM 1% 1/20W 0201
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MCR006YZPF1003 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 100K OHM 1% 1/20W 0201
Description: RES SMD 100K OHM 1% 1/20W 0201
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MCR006YZPF4701 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 4.7K OHM 1% 1/20W 0201
Description: RES SMD 4.7K OHM 1% 1/20W 0201
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MCR006YZPF8200 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 820 OHM 1% 1/20W 0201
Description: RES SMD 820 OHM 1% 1/20W 0201
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MCR006YZPF4532 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 45.3K OHM 1% 1/20W 0201
Description: RES SMD 45.3K OHM 1% 1/20W 0201
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TCA0G226M8R |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: CAP TANT 22UF 4V 20% 1206
Description: CAP TANT 22UF 4V 20% 1206
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TCA0G336M8R |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: CAP TANT 33UF 4V 20% 1206
Description: CAP TANT 33UF 4V 20% 1206
на замовлення 1732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
TCP0J335M8R |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: CAP TANT 3.3UF 6.3V 20% 0805
Description: CAP TANT 3.3UF 6.3V 20% 0805
на замовлення 4440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
TCA0J685M8R |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: CAP TANT 6.8UF 6.3V 20% 1206
Description: CAP TANT 6.8UF 6.3V 20% 1206
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TCA1A155M8R |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: CAP TANT 1.5UF 10V 20% 1206
Description: CAP TANT 1.5UF 10V 20% 1206
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BA028LBSG2-TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.8V 0.15A SMP5
Description: IC REG LDO 2.8V 0.15A SMP5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BA029LBSG2-TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.9V 0.15A SMP5
Description: IC REG LDO 2.9V 0.15A SMP5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BA038LBSG2-TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 3.8V 0.15A SMP5
Description: IC REG LDO 3.8V 0.15A SMP5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BA040LBSG2-TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 4V 0.15A SMP5
Description: IC REG LDO 4V 0.15A SMP5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BA2902F-E2 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC OPAMP GP 500KHZ 14SOP
Description: IC OPAMP GP 500KHZ 14SOP
на замовлення 8040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
BH1JLB1WHFV-TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 1.85V 0.15A 5HVSOF
Description: IC REG LDO 1.85V 0.15A 5HVSOF
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BH25FB1WG-TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.5V 0.15A 5SSOP
Description: IC REG LDO 2.5V 0.15A 5SSOP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BH25FB1WHFV-TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.5V 0.15A 5HVSOF
Description: IC REG LDO 2.5V 0.15A 5HVSOF
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BH25MA3WHFV-TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.5V 0.3A 6HVSOF
Description: IC REG LDO 2.5V 0.3A 6HVSOF
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
BH29FB1WG-TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.9V 0.15A 5SSOP
Description: IC REG LDO 2.9V 0.15A 5SSOP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BH29FB1WHFV-TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.9V 0.15A 5HVSOF
Description: IC REG LDO 2.9V 0.15A 5HVSOF
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BH29MA3WHFV-TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.9V 0.3A 6HVSOF
Description: IC REG LDO 2.9V 0.3A 6HVSOF
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BH29NB1WHFV-TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.9V 0.15A 5HVSOF
Description: IC REG LDO 2.9V 0.15A 5HVSOF
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
BH2JNB1WHFV-TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.85V 0.15A 5HVSOF
Description: IC REG LDO 2.85V 0.15A 5HVSOF
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BH31FB1WG-TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 3.1V 0.15A 5SSOP
Description: IC REG LDO 3.1V 0.15A 5SSOP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BH31FB1WHFV-TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 3.1V 0.15A 5HVSOF
Description: IC REG LDO 3.1V 0.15A 5HVSOF
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BH31MA3WHFV-TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 3.1V 0.3A 6HVSOF
Description: IC REG LDO 3.1V 0.3A 6HVSOF
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BH31NB1WHFV-TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 3.1V 0.15A 5HVSOF
Description: IC REG LDO 3.1V 0.15A 5HVSOF
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BR93L66FV-WE2 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 4KBIT 2MHZ 8SSOPB
Description: IC EEPROM 4KBIT 2MHZ 8SSOPB
на замовлення 4790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
BR93L66F-WE2 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 4KBIT 2MHZ 8SOP
Description: IC EEPROM 4KBIT 2MHZ 8SOP
на замовлення 5709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
BR93L66RFVM-WTR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 4KBIT 2MHZ 8MSOP
Description: IC EEPROM 4KBIT 2MHZ 8MSOP
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
BR93L76F-WE2 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 8KBIT 2MHZ 8SOP
Description: IC EEPROM 8KBIT 2MHZ 8SOP
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IMX2T108 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A 6SMT
Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A 6SMT
на замовлення 2229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
MNR02M0AJ000 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES ARRAY 2 RES ZERO OHM 0404
Description: RES ARRAY 2 RES ZERO OHM 0404
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MNR02M0AJ100 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES ARRAY 2 RES 10 OHM 0404
Description: RES ARRAY 2 RES 10 OHM 0404
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MNR02M0AJ101 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES ARRAY 2 RES 100 OHM 0404
Description: RES ARRAY 2 RES 100 OHM 0404
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MNR02M0AJ103 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES ARRAY 2 RES 10K OHM 0404
Description: RES ARRAY 2 RES 10K OHM 0404
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MNR02M0AJ220 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES ARRAY 2 RES 22 OHM 0404
Description: RES ARRAY 2 RES 22 OHM 0404
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MNR02M0AJ330 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES ARRAY 2 RES 33 OHM 0404
Description: RES ARRAY 2 RES 33 OHM 0404
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MNR02M0AJ472 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES ARRAY 2 RES 4.7K OHM 0404
Description: RES ARRAY 2 RES 4.7K OHM 0404
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MNR02M0AJ473 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES ARRAY 2 RES 47K OHM 0404
Description: RES ARRAY 2 RES 47K OHM 0404
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.