Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (101744) > Сторінка 436 з 1696
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PTZTE2527A | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 27V 1W PMDS |
на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
PTZTE2533A | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 33V 1W PMDS |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
PTZTE2536A | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 36V 1W PMDS |
на замовлення 1275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
PTZTE2539A | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 39V 1W PMDS |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
PTZTE253.6B | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 3.8V 1W PMDS |
на замовлення 6187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
PTZTE2543A | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 43V 1W PMDS |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
PTZTE254.7B | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 4.9V 1W PMDSTolerance: ±5% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.9 V Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms Supplier Device Package: PMDS Power - Max: 1 W Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
PTZTE255.1A | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 5.1V 1W PMDS |
на замовлення 1399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
PTZTE255.6A | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 5.6V 1W PMDS |
на замовлення 3290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
PTZTE256.2A | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 6.2V 1W PMDS |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
PTZTE256.8A | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 6.8V 1W PMDS |
на замовлення 388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
PTZTE257.5A | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 7.5V 1W PMDS |
на замовлення 741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
PTZTE258.2A | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 8.2V 1W PMDS |
на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
PTZTE259.1B | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 9.8V 1W PMDSTolerance: ±6% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.8 V Impedance (Max) (Zzt): 6 Ohms Supplier Device Package: PMDS Power - Max: 1 W Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 6 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
QSH29TR | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 1.25W TSMT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 1.25W Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 200mA, 5V Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Part Status: Active |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
QSZ2TR | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN/PNP 30V 1.5A 5TSMTPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN, PNP (Emitter Coupled) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 1.25W Current - Collector (Ic) (Max): 1.5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A / 370mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 300MHz, 280MHz Supplier Device Package: TSMT5 |
на замовлення 2473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
QSZ4TR | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN/PNP 30V 2A 5TSMT |
на замовлення 1670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RB160L-90TE25 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 90V 1A PMDS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: PMDS Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Not For New Designs Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 730 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 90 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RB162VA-20TR | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A TUMD2 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RB411VA-50TR | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 500MA TUMD2Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: TUMD2 Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Part Status: Not For New Designs Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 10 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RB450FT106 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA UMD3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 100mA Supplier Device Package: UMD3 Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 10 V |
на замовлення 3719 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
RB496EATR | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 20V 1A TSMD5Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 1A Supplier Device Package: TSMD5 Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 10 V |
на замовлення 8155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
RB520SM-40T2R | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 200MA EMD2Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-79, SOD-523 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: EMD2 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 40 V |
на замовлення 37930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
RB551V-30TE-17 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 500MA UMD2Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-90, SOD-323F Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: UMD2 Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Part Status: Not For New Designs Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 20 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RF051VA2STR | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 200V 500MA TUMD2Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: TUMD2 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Not For New Designs Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RF073M2STR | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 200V 700MA PMDU |
на замовлення 7083 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RF103L2STE25 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A PMDSPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 20 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: PMDS Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RN739DT146 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE PIN HF SW 50V 50MA SOT-346 |
на замовлення 2969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
RPM841-H11E2A | Rohm Semiconductor |
Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 7-SMD Packaging: Cut Tape (CT) Orientation: Side View Operating Temperature: -30°C ~ 85°C Size: 6.8mm x 2.4mm x 1.5mm Data Rate: 115.2kbs (SIR) Standards: IrDA 1.2 Link Range, Low Power: 20cm, 60cm Voltage - Supply: 2.4 V ~ 3.6 V Idle Current, Typ @ 25°C: 90 µA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
RPM872-H14E2A | Rohm Semiconductor |
Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RQ1E050RPTR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V |
на замовлення 427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
RRR015P03TL | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V |
на замовлення 4692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
RRR040P03TL | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RSR020N06TL | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RW1A020ZPT2R | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: 6-WEMT Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V |
на замовлення 6720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
RZF020P01TL | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 12V 2A TUMT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: TUMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V |
на замовлення 9540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
RZR020P01TL | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V |
на замовлення 6603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SST3904T116 | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 40V 0.2A SST3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 350 mW |
на замовлення 12264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SST3906T116 | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SST3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 350 mW |
на замовлення 14606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STZ6.8TT146 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER ARRAY 6.8V SMD3 |
на замовлення 2678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TDZTR10 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 10V 500MW TUMD2 |
на замовлення 1413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TDZTR11 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 11V 500MW TUMD2 |
на замовлення 2377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TDZTR12 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 12V 500MW TUMD2 |
на замовлення 5981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TDZTR13 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 13V 500MW TUMD2 |
на замовлення 1649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TDZTR15 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 15V 500MW TUMD2 |
на замовлення 4584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TDZTR16 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 16V 500MW TUMD2 |
на замовлення 8541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TDZTR18 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 18V 500MW TUMD2 |
на замовлення 1922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TDZTR20 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 20V 500MW TUMD2 |
на замовлення 1916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TDZTR22 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 22V 500MW TUMD2 |
на замовлення 2558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TDZTR24 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 24V 500MW TUMD2 |
на замовлення 1767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TDZTR27 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 27V 500MW TUMD2 |
на замовлення 241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TDZTR30 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 30V 500MW TUMD2 |
на замовлення 5175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TDZTR5.1 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW TUMD2Tolerance: ±10% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V Supplier Device Package: TUMD2 Power - Max: 500 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1.5 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TDZTR5.6 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW TUMD2Tolerance: ±10% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V Supplier Device Package: TUMD2 Power - Max: 500 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 2.5 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TDZTR6.2 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW TUMD2 |
на замовлення 1070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TDZTR6.8 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW TUMD2 |
на замовлення 2167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TDZTR7.5 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW TUMD2 |
на замовлення 1374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TDZTR8.2 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 8.2V 500MW TUMD2 |
на замовлення 2395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
UDZSTE-172.0B | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 2V 200MW UMD2Tolerance: ±4% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-90, SOD-323F Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2 V Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms Supplier Device Package: UMD2 Part Status: Not For New Designs Power - Max: 200 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 500 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
UDZTE-175.6B | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 5.6V 200MW UMD2 |
на замовлення 5995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PTZTE2527A |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 27V 1W PMDS
Description: DIODE ZENER 27V 1W PMDS
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PTZTE2533A |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 33V 1W PMDS
Description: DIODE ZENER 33V 1W PMDS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PTZTE2536A |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 36V 1W PMDS
Description: DIODE ZENER 36V 1W PMDS
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PTZTE2539A |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 39V 1W PMDS
Description: DIODE ZENER 39V 1W PMDS
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PTZTE253.6B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 3.8V 1W PMDS
Description: DIODE ZENER 3.8V 1W PMDS
на замовлення 6187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PTZTE2543A |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 43V 1W PMDS
Description: DIODE ZENER 43V 1W PMDS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PTZTE254.7B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 4.9V 1W PMDS
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: PMDS
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1 V
Description: DIODE ZENER 4.9V 1W PMDS
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: PMDS
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PTZTE255.1A |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.1V 1W PMDS
Description: DIODE ZENER 5.1V 1W PMDS
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PTZTE255.6A |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.6V 1W PMDS
Description: DIODE ZENER 5.6V 1W PMDS
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PTZTE256.2A |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 6.2V 1W PMDS
Description: DIODE ZENER 6.2V 1W PMDS
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PTZTE256.8A |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 6.8V 1W PMDS
Description: DIODE ZENER 6.8V 1W PMDS
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PTZTE257.5A |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 7.5V 1W PMDS
Description: DIODE ZENER 7.5V 1W PMDS
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PTZTE258.2A |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 8.2V 1W PMDS
Description: DIODE ZENER 8.2V 1W PMDS
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PTZTE259.1B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 9.8V 1W PMDS
Tolerance: ±6%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 6 Ohms
Supplier Device Package: PMDS
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 6 V
Description: DIODE ZENER 9.8V 1W PMDS
Tolerance: ±6%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 6 Ohms
Supplier Device Package: PMDS
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| QSH29TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 1.25W TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 1.25W
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 200mA, 5V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 1.25W TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 1.25W
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 200mA, 5V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 65.33 грн |
| 10+ | 54.34 грн |
| 100+ | 37.60 грн |
| 500+ | 29.48 грн |
| 1000+ | 25.09 грн |
| QSZ2TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP 30V 1.5A 5TSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP (Emitter Coupled)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 1.25W
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A / 370mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz, 280MHz
Supplier Device Package: TSMT5
Description: TRANS NPN/PNP 30V 1.5A 5TSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP (Emitter Coupled)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 1.25W
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A / 370mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz, 280MHz
Supplier Device Package: TSMT5
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 44.10 грн |
| 10+ | 36.33 грн |
| 100+ | 27.13 грн |
| 500+ | 20.00 грн |
| 1000+ | 15.46 грн |
| QSZ4TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP 30V 2A 5TSMT
Description: TRANS NPN/PNP 30V 2A 5TSMT
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| RB160L-90TE25 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 90V 1A PMDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: PMDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 730 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 90 V
Description: DIODE SCHOTTKY 90V 1A PMDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: PMDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 730 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 90 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RB162VA-20TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A TUMD2
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A TUMD2
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RB411VA-50TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 500MA TUMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: TUMD2
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 10 V
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 500MA TUMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: TUMD2
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RB450FT106 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA UMD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: UMD3
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 10 V
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA UMD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: UMD3
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 10 V
на замовлення 3719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.00 грн |
| 11+ | 29.17 грн |
| 100+ | 18.68 грн |
| 500+ | 13.28 грн |
| 1000+ | 11.90 грн |
| RB496EATR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 20V 1A TSMD5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 1A
Supplier Device Package: TSMD5
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 10 V
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 20V 1A TSMD5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 1A
Supplier Device Package: TSMD5
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 10 V
на замовлення 8155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 45.73 грн |
| 10+ | 37.43 грн |
| 100+ | 26.04 грн |
| 500+ | 19.08 грн |
| 1000+ | 15.51 грн |
| RB520SM-40T2R |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 200MA EMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: EMD2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 40 V
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 200MA EMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: EMD2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 40 V
на замовлення 37930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 21.23 грн |
| 25+ | 12.82 грн |
| 100+ | 8.01 грн |
| 500+ | 5.55 грн |
| 1000+ | 4.78 грн |
| 2000+ | 4.37 грн |
| RB551V-30TE-17 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 500MA UMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: UMD2
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 20 V
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 500MA UMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: UMD2
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RF051VA2STR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 500MA TUMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: TUMD2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Description: DIODE GEN PURP 200V 500MA TUMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: TUMD2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| RF073M2STR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 700MA PMDU
Description: DIODE GEN PURP 200V 700MA PMDU
на замовлення 7083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| RF103L2STE25 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: PMDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: PMDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN739DT146 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE PIN HF SW 50V 50MA SOT-346
Description: DIODE PIN HF SW 50V 50MA SOT-346
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| RPM841-H11E2A |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 7-SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Orientation: Side View
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Size: 6.8mm x 2.4mm x 1.5mm
Data Rate: 115.2kbs (SIR)
Standards: IrDA 1.2
Link Range, Low Power: 20cm, 60cm
Voltage - Supply: 2.4 V ~ 3.6 V
Idle Current, Typ @ 25°C: 90 µA
Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 7-SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Orientation: Side View
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Size: 6.8mm x 2.4mm x 1.5mm
Data Rate: 115.2kbs (SIR)
Standards: IrDA 1.2
Link Range, Low Power: 20cm, 60cm
Voltage - Supply: 2.4 V ~ 3.6 V
Idle Current, Typ @ 25°C: 90 µA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RPM872-H14E2A |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RQ1E050RPTR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 98.81 грн |
| 10+ | 56.85 грн |
| 100+ | 40.62 грн |
| RRR015P03TL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
на замовлення 4692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 60.43 грн |
| 10+ | 36.01 грн |
| 100+ | 23.18 грн |
| 500+ | 16.59 грн |
| 1000+ | 14.93 грн |
| RRR040P03TL |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RSR020N06TL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RW1A020ZPT2R |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-WEMT
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V
Description: MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-WEMT
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V
на замовлення 6720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.00 грн |
| 10+ | 31.77 грн |
| 100+ | 21.68 грн |
| 500+ | 16.01 грн |
| 1000+ | 14.57 грн |
| 2000+ | 13.35 грн |
| RZF020P01TL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 2A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V
Description: MOSFET P-CH 12V 2A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V
на замовлення 9540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 65.33 грн |
| 10+ | 39.00 грн |
| 100+ | 25.22 грн |
| 500+ | 18.11 грн |
| 1000+ | 16.31 грн |
| RZR020P01TL |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V
Description: MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V
на замовлення 6603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 62.06 грн |
| 10+ | 36.88 грн |
| 100+ | 23.82 грн |
| 500+ | 17.06 грн |
| 1000+ | 15.35 грн |
| SST3904T116 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 40V 0.2A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
Description: TRANS NPN 40V 0.2A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 12264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 21.23 грн |
| 26+ | 12.50 грн |
| 100+ | 7.79 грн |
| 500+ | 5.40 грн |
| 1000+ | 4.78 грн |
| SST3906T116 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 14606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 17.97 грн |
| 30+ | 10.62 грн |
| 100+ | 6.62 грн |
| 500+ | 4.56 грн |
| 1000+ | 4.03 грн |
| STZ6.8TT146 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER ARRAY 6.8V SMD3
Description: DIODE ZENER ARRAY 6.8V SMD3
на замовлення 2678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TDZTR10 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 10V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 10V 500MW TUMD2
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TDZTR11 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 11V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 11V 500MW TUMD2
на замовлення 2377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TDZTR12 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 12V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 12V 500MW TUMD2
на замовлення 5981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TDZTR13 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 13V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 13V 500MW TUMD2
на замовлення 1649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TDZTR15 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 15V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 15V 500MW TUMD2
на замовлення 4584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TDZTR16 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 16V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 16V 500MW TUMD2
на замовлення 8541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TDZTR18 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 18V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 18V 500MW TUMD2
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TDZTR20 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 20V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 20V 500MW TUMD2
на замовлення 1916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TDZTR22 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 22V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 22V 500MW TUMD2
на замовлення 2558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TDZTR24 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 24V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 24V 500MW TUMD2
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TDZTR27 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 27V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 27V 500MW TUMD2
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TDZTR30 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 30V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 30V 500MW TUMD2
на замовлення 5175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TDZTR5.1 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW TUMD2
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Supplier Device Package: TUMD2
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1.5 V
Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW TUMD2
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Supplier Device Package: TUMD2
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1.5 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDZTR5.6 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW TUMD2
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Supplier Device Package: TUMD2
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 2.5 V
Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW TUMD2
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Supplier Device Package: TUMD2
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 2.5 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDZTR6.2 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW TUMD2
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TDZTR6.8 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW TUMD2
на замовлення 2167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TDZTR7.5 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW TUMD2
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TDZTR8.2 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 8.2V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 8.2V 500MW TUMD2
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| UDZSTE-172.0B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 2V 200MW UMD2
Tolerance: ±4%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: UMD2
Part Status: Not For New Designs
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 500 V
Description: DIODE ZENER 2V 200MW UMD2
Tolerance: ±4%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: UMD2
Part Status: Not For New Designs
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| UDZTE-175.6B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.6V 200MW UMD2
Description: DIODE ZENER 5.6V 200MW UMD2
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.






















