Результат пошуку "2sk30" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SK30A 2SK30A
Код товару: 42734
Додати до обраних Обраний товар

Toshiba Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-92
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,01A
Ciss, pF/Qg, nC: 8.2/
Монтаж: THT
у наявності: 89 шт
23 шт - склад
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
30 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
21 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+14.00 грн
10+11.60 грн
100+9.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3000ZY-90TL-E Renesas Silicon N Channel Mos Fet Low Frequency Power Switching
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
495+61.96 грн
550+55.77 грн
1000+51.43 грн
10000+44.21 грн
Мінімальне замовлення: 495
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3017(F) 2SK3017(F) Toshiba 2sk3017_datasheet_en_20131101.pdf Trans MOSFET N-CH Si 900V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(N)IS
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018 2SK3018 Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 5399_2SK3018%20SOT-23.PDF Description: 30V 100MA 8@4.5V,50MA 200MW 2V 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.08 грн
6000+0.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018 HT Jinyu Semiconductor 5399_2SK3018%20SOT-23.PDF N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 393000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9091+1.35 грн
60000+1.17 грн
300000+1.03 грн
Мінімальне замовлення: 9091
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018 kuu semiconductor 5399_2SK3018%20SOT-23.PDF Transistor N-MOSFET; 30V; 20V; 13Ohm; 100mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: K2SK3018-7-F; 2SK3018 KUU T2SK3018 KUU
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
400+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018-TP
+1
 		2SK3018-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB8DB570705B760C7&compId=2SK3018.pdf?ci_sign=b98e97833ccebf7e8de4bea56d2e746c0df9fda2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 0.2W; SOT323; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
On-state resistance: 13Ω
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+21.46 грн
34+11.96 грн
100+7.49 грн
181+5.18 грн
497+4.86 грн
1000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018-TP
+1
 		2SK3018-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB8DB570705B760C7&compId=2SK3018.pdf?ci_sign=b98e97833ccebf7e8de4bea56d2e746c0df9fda2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 0.2W; SOT323; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
On-state resistance: 13Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+25.76 грн
20+14.90 грн
100+8.99 грн
181+6.22 грн
497+5.84 грн
1000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018-TP 2SK3018-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS 2SK3018(SOT-323).pdf Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - 2SK3018-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018-TP 2SK3018-TP MCC (Micro Commercial Components) 2SK3018(SOT-323).pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 33905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.66 грн
22+14.99 грн
100+9.43 грн
500+6.57 грн
1000+5.83 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018-TP 2SK3018-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS 2SK3018(SOT-323).pdf Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - 2SK3018-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+30.13 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018-TP 2SK3018-TP Micro Commercial Components (MCC) 2SK3018_SOT_323_-3364975.pdf MOSFETs N-Channel MOSFET
на замовлення 13433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+28.93 грн
21+17.34 грн
100+9.49 грн
500+7.12 грн
1000+6.12 грн
3000+4.74 грн
6000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018-TP 2SK3018-TP MCC (Micro Commercial Components) 2SK3018(SOT-323).pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.01 грн
6000+4.47 грн
9000+3.77 грн
15000+3.48 грн
21000+3.47 грн
30000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018-TP Micro Commercial Components Corp. 2SK3018(SOT-323).pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.1A 3-Pin SOT-323 2SK3018-TP T2SK3018-TP
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018T106 2SK3018T106 ROHM ROHM-S-A0002830596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - 2SK3018T106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 22575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+20.00 грн
65+13.22 грн
102+8.44 грн
500+6.40 грн
1500+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018T106 2SK3018T106 ROHM ROHM-S-A0002830596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - 2SK3018T106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 22575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.40 грн
1500+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018W 2SK3018W Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 5399_2SK3018W%20SOT-323-3.PDF Description: 30V 300MA 350MW 1 N-CHANNEL SOT-
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+8.28 грн
62+5.18 грн
100+3.19 грн
500+2.16 грн
1000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019 2SK3019 Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 2SK3019%20SOT-523.PDF Description: 30V 100MA 8@4V,10MA 150MW 1.5V 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019-TP 2SK3019-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS 2SK3019(SOT-523).pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100mA; 0.15W; SOT523; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
On-state resistance: 13Ω
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+18.03 грн
41+9.89 грн
100+6.02 грн
282+3.32 грн
774+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019-TP 2SK3019-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS 2SK3019(SOT-523).pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100mA; 0.15W; SOT523; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
On-state resistance: 13Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+21.63 грн
25+12.32 грн
100+7.22 грн
282+3.99 грн
774+3.77 грн
3000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019-TP 2SK3019-TP Micro Commercial Components (MCC) 2SK3019_SOT_523_-3365668.pdf MOSFETs N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 2077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+21.70 грн
28+12.85 грн
100+7.04 грн
500+5.20 грн
1000+4.52 грн
3000+3.37 грн
6000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019-TP 2SK3019-TP MCC (Micro Commercial Components) 2SK3019(SOT-523).pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 4833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+19.04 грн
29+11.08 грн
100+6.94 грн
500+4.78 грн
1000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019-TP 2SK3019-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS 2SK3019(SOT-523).pdf Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - 2SK3019-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.71 грн
1000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019-TP 2SK3019-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS 2SK3019(SOT-523).pdf Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - 2SK3019-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+22.15 грн
65+13.31 грн
103+8.36 грн
500+5.71 грн
1000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019-TP 2SK3019-TP MCC (Micro Commercial Components) 2SK3019(SOT-523).pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019A-TP 2SK3019A-TP MCC (Micro Commercial Components) 2SK3019A(SOT-523).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.01 грн
23+14.19 грн
100+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019HE3-TP 2SK3019HE3-TP Micro Commercial Components 2sk3019he3sot-523.pdf N-Channel MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019TL 2SK3019TL ROHM ROHM-S-A0002831017-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ROHM - 2SK3019TL - Leistungs-MOSFET, Low-Gate-Drive, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 13 ohm, EMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: EMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019TL 2SK3019TL Rohm Semiconductor 2sk3019.pdf description Description: MOSFET N-CH 30V 100MA EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.83 грн
6000+4.19 грн
9000+3.96 грн
15000+3.47 грн
21000+3.32 грн
30000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019TL 2SK3019TL ROHM ROHM-S-A0002831017-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ROHM - 2SK3019TL - Leistungs-MOSFET, Low-Gate-Drive, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 13 ohm, EMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: EMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+25.41 грн
55+15.71 грн
100+9.87 грн
500+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019TL 2SK3019TL Rohm Semiconductor 2sk3019.pdf description Description: MOSFET N-CH 30V 100MA EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 47381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.35 грн
24+13.55 грн
100+8.50 грн
500+5.90 грн
1000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3020-TP 2SK3020-TP MCC (Micro Commercial Components) 2SK3020(SOT-723).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 15 V
на замовлення 2556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.56 грн
34+9.65 грн
100+5.99 грн
500+4.12 грн
1000+3.58 грн
2000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3020-TP 2SK3020-TP Micro Commercial Components (MCC) 2SK3020_SOT_723_-3365131.pdf MOSFETs
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+18.48 грн
32+11.18 грн
100+6.05 грн
500+4.52 грн
1000+3.52 грн
2500+3.14 грн
8000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
2SK303-3-TB-E onsemi Description: NCH J-FET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1214+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 1214
В кошику  од. на суму  грн.
2SK303-3-TB-E ON Semiconductor 2SK303-3-TB-E
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1521+20.16 грн
10000+17.97 грн
Мінімальне замовлення: 1521
В кошику  од. на суму  грн.
2SK303-3-TB-E ON Semiconductor 2SK303-3-TB-E
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1521+20.16 грн
Мінімальне замовлення: 1521
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3054-T1-A 2SK3054-T1-A Renesas 452d14209ej2v0ds00.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.1A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2381+12.87 грн
10000+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 2381
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3054-T1-A 2SK3054-T1-A Renesas Electronics Corporation RNCCS17503-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 50V 100MA SC70-3 SSP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
Supplier Device Package: SC-70-3, SSP, Miniature Mini Mold
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 3 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1901+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 1901
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3054-T1-A 2SK3054-T1-A Renesas 452d14209ej2v0ds00.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.1A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3055(1)-AZ Renesas RNCCS07170-1.pdf 2SK3055(1)-AZ
на замовлення 100257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+214.55 грн
500+203.31 грн
1000+192.07 грн
10000+174.37 грн
Мінімальне замовлення: 143
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3055(1)-AZ 2SK3055(1)-AZ Renesas Electronics Corporation RNCCS07170-1.pdf Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 100257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+163.62 грн
Мінімальне замовлення: 131
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3055-AZ 2SK3055-AZ Renesas Electronics Corporation RNCCS07170-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+163.62 грн
Мінімальне замовлення: 131
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3057-AZ 2SK3057-AZ Renesas Electronics Corporation RNCCS18576-1.pdf Description: 2SK3057 - POWER TRS2
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+150.10 грн
Мінімальне замовлення: 143
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3058-Z-E1-AZ 2SK3058-Z-E1-AZ NEC Corporation RNCCS17485-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263, TO-220SMD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 10 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
165+129.47 грн
Мінімальне замовлення: 165
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3058-Z-E1-AZ NEC Corporation RNCCS17485-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2SK3058-Z-E1-AZ
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+169.59 грн
500+161.42 грн
1000+152.23 грн
Мінімальне замовлення: 181
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3060-Z-E1-AZ 2SK3060-Z-E1-AZ Renesas Electronics Corporation RNCCS07173-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+422.57 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3060-Z-E1-AZ Renesas RNCCS07173-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+583.36 грн
100+553.73 грн
500+525.13 грн
1000+477.80 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3065T100 2SK3065T100 ROHM ROHMS30086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - 2SK3065T100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.25 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+59.75 грн
20+45.16 грн
50+43.27 грн
200+31.41 грн
500+24.28 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3065T100 2SK3065T100 Rohm Semiconductor 2sk3065.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
на замовлення 21994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.98 грн
10+39.30 грн
100+29.42 грн
500+23.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3065T100 2SK3065T100 Rohm Semiconductor 2sk3065.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.65 грн
2000+17.26 грн
3000+16.91 грн
5000+15.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3065T100 2SK3065T100 ROHM ROHMS30086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - 2SK3065T100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.25 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.27 грн
200+31.41 грн
500+24.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3065T100 2SK3065T100 ROHM Semiconductor rohm semiconductor_rohms30086-1.pdf MOSFETs N-CH 60V 2A
на замовлення 65627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+59.47 грн
10+44.62 грн
25+36.05 грн
100+29.01 грн
250+28.39 грн
500+24.72 грн
1000+17.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3065T100 2SK3065T100 Rohm Semiconductor 2sk3065.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 2A 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+29.34 грн
4000+26.81 грн
6000+24.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3072-TB-E 2SK3072-TB-E onsemi 2156_enn7224ad.pdf Description: NCH 4V DRIVE SERIES
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1040+20.63 грн
Мінімальне замовлення: 1040
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3072-TB-E 2SK3072-TB-E ON Semiconductor enn7224a_d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.03A 3-Pin CP
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1304+23.52 грн
Мінімальне замовлення: 1304
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3075(TE12L,Q) 2SK3075(TE12L,Q) TOSHIBA TOSCS49853-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - 2SK3075(TE12L,Q) - HF-FET-Transistor, 30 V, 5 A, 20 W, 520 MHz, SMD
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 520MHz
Betriebsfrequenz, min.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+525.42 грн
5+483.35 грн
10+441.28 грн
50+377.08 грн
100+281.84 грн
250+275.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3075(TE12L,Q) 2SK3075(TE12L,Q) TOSHIBA TOSCS49853-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - 2SK3075(TE12L,Q) - HF-FET-Transistor, 30 V, 5 A, 20 W, 520 MHz, SMD
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 520MHz
Betriebsfrequenz, min.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+525.42 грн
5+483.35 грн
10+441.28 грн
50+377.08 грн
100+281.84 грн
250+275.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3084(Q) Toshiba Trans MOSFET N-CH Si 100V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FL
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3090(Q) Toshiba Trans MOSFET N-CH Si 30V 45A 3-Pin(3+Tab)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3092-TL-E 2SK3092-TL-E ON Semiconductor enn6788_d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 400V 3A 3-Pin(2+Tab) TP-FA
на замовлення 23100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+83.68 грн
500+75.31 грн
1000+69.46 грн
10000+59.71 грн
Мінімальне замовлення: 367
В кошику  од. на суму  грн.
2SK30A
Код товару: 42734
Додати до обраних Обраний товар

2SK30A
Виробник: Toshiba
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-92
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,01A
Ciss, pF/Qg, nC: 8.2/
Монтаж: THT
у наявності: 89 шт
23 шт - склад
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
30 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
21 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+14.00 грн
10+11.60 грн
100+9.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3000ZY-90TL-E
Виробник: Renesas
Silicon N Channel Mos Fet Low Frequency Power Switching
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
495+61.96 грн
550+55.77 грн
1000+51.43 грн
10000+44.21 грн
Мінімальне замовлення: 495
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3017(F) 2sk3017_datasheet_en_20131101.pdf
2SK3017(F)
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(N)IS
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018 5399_2SK3018%20SOT-23.PDF
2SK3018
Виробник: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 30V 100MA 8@4.5V,50MA 200MW 2V 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.08 грн
6000+0.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018 5399_2SK3018%20SOT-23.PDF
Виробник: HT Jinyu Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 393000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9091+1.35 грн
60000+1.17 грн
300000+1.03 грн
Мінімальне замовлення: 9091
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018 5399_2SK3018%20SOT-23.PDF
Виробник: kuu semiconductor
Transistor N-MOSFET; 30V; 20V; 13Ohm; 100mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: K2SK3018-7-F; 2SK3018 KUU T2SK3018 KUU
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
400+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018-TP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB8DB570705B760C7&compId=2SK3018.pdf?ci_sign=b98e97833ccebf7e8de4bea56d2e746c0df9fda2
2SK3018-TP
+1
Виробник: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 0.2W; SOT323; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
On-state resistance: 13Ω
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+21.46 грн
34+11.96 грн
100+7.49 грн
181+5.18 грн
497+4.86 грн
1000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018-TP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB8DB570705B760C7&compId=2SK3018.pdf?ci_sign=b98e97833ccebf7e8de4bea56d2e746c0df9fda2
2SK3018-TP
+1
Виробник: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 0.2W; SOT323; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
On-state resistance: 13Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+25.76 грн
20+14.90 грн
100+8.99 грн
181+6.22 грн
497+5.84 грн
1000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018-TP 2SK3018(SOT-323).pdf
2SK3018-TP
Виробник: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - 2SK3018-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018-TP 2SK3018(SOT-323).pdf
2SK3018-TP
Виробник: MCC (Micro Commercial Components)
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 33905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.66 грн
22+14.99 грн
100+9.43 грн
500+6.57 грн
1000+5.83 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018-TP 2SK3018(SOT-323).pdf
2SK3018-TP
Виробник: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - 2SK3018-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+30.13 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018-TP 2SK3018_SOT_323_-3364975.pdf
2SK3018-TP
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
MOSFETs N-Channel MOSFET
на замовлення 13433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+28.93 грн
21+17.34 грн
100+9.49 грн
500+7.12 грн
1000+6.12 грн
3000+4.74 грн
6000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018-TP 2SK3018(SOT-323).pdf
2SK3018-TP
Виробник: MCC (Micro Commercial Components)
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.01 грн
6000+4.47 грн
9000+3.77 грн
15000+3.48 грн
21000+3.47 грн
30000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018-TP 2SK3018(SOT-323).pdf
Виробник: Micro Commercial Components Corp.
Trans MOSFET N-CH 30V 0.1A 3-Pin SOT-323 2SK3018-TP T2SK3018-TP
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018T106 ROHM-S-A0002830596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SK3018T106
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SK3018T106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 22575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+20.00 грн
65+13.22 грн
102+8.44 грн
500+6.40 грн
1500+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018T106 ROHM-S-A0002830596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SK3018T106
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SK3018T106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 22575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.40 грн
1500+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018W 5399_2SK3018W%20SOT-323-3.PDF
2SK3018W
Виробник: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 30V 300MA 350MW 1 N-CHANNEL SOT-
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+8.28 грн
62+5.18 грн
100+3.19 грн
500+2.16 грн
1000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019 2SK3019%20SOT-523.PDF
2SK3019
Виробник: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 30V 100MA 8@4V,10MA 150MW 1.5V 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019-TP 2SK3019(SOT-523).pdf
2SK3019-TP
Виробник: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100mA; 0.15W; SOT523; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
On-state resistance: 13Ω
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+18.03 грн
41+9.89 грн
100+6.02 грн
282+3.32 грн
774+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019-TP 2SK3019(SOT-523).pdf
2SK3019-TP
Виробник: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100mA; 0.15W; SOT523; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
On-state resistance: 13Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.63 грн
25+12.32 грн
100+7.22 грн
282+3.99 грн
774+3.77 грн
3000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019-TP 2SK3019_SOT_523_-3365668.pdf
2SK3019-TP
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
MOSFETs N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 2077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+21.70 грн
28+12.85 грн
100+7.04 грн
500+5.20 грн
1000+4.52 грн
3000+3.37 грн
6000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019-TP 2SK3019(SOT-523).pdf
2SK3019-TP
Виробник: MCC (Micro Commercial Components)
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 4833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+19.04 грн
29+11.08 грн
100+6.94 грн
500+4.78 грн
1000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019-TP 2SK3019(SOT-523).pdf
2SK3019-TP
Виробник: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - 2SK3019-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.71 грн
1000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019-TP 2SK3019(SOT-523).pdf
2SK3019-TP
Виробник: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - 2SK3019-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+22.15 грн
65+13.31 грн
103+8.36 грн
500+5.71 грн
1000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019-TP 2SK3019(SOT-523).pdf
2SK3019-TP
Виробник: MCC (Micro Commercial Components)
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019A-TP 2SK3019A(SOT-523).pdf
2SK3019A-TP
Виробник: MCC (Micro Commercial Components)
Description: N-CHANNEL MOSFET SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.01 грн
23+14.19 грн
100+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019HE3-TP 2sk3019he3sot-523.pdf
2SK3019HE3-TP
Виробник: Micro Commercial Components
N-Channel MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019TL description ROHM-S-A0002831017-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SK3019TL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SK3019TL - Leistungs-MOSFET, Low-Gate-Drive, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 13 ohm, EMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: EMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019TL description 2sk3019.pdf
2SK3019TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.83 грн
6000+4.19 грн
9000+3.96 грн
15000+3.47 грн
21000+3.32 грн
30000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019TL description ROHM-S-A0002831017-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SK3019TL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SK3019TL - Leistungs-MOSFET, Low-Gate-Drive, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 13 ohm, EMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: EMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+25.41 грн
55+15.71 грн
100+9.87 грн
500+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019TL description 2sk3019.pdf
2SK3019TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 47381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.35 грн
24+13.55 грн
100+8.50 грн
500+5.90 грн
1000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3020-TP 2SK3020(SOT-723).pdf
2SK3020-TP
Виробник: MCC (Micro Commercial Components)
Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 15 V
на замовлення 2556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.56 грн
34+9.65 грн
100+5.99 грн
500+4.12 грн
1000+3.58 грн
2000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3020-TP 2SK3020_SOT_723_-3365131.pdf
2SK3020-TP
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
MOSFETs
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+18.48 грн
32+11.18 грн
100+6.05 грн
500+4.52 грн
1000+3.52 грн
2500+3.14 грн
8000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
2SK303-3-TB-E
Виробник: onsemi
Description: NCH J-FET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1214+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 1214
В кошику  од. на суму  грн.
2SK303-3-TB-E
Виробник: ON Semiconductor
2SK303-3-TB-E
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1521+20.16 грн
10000+17.97 грн
Мінімальне замовлення: 1521
В кошику  од. на суму  грн.
2SK303-3-TB-E
Виробник: ON Semiconductor
2SK303-3-TB-E
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1521+20.16 грн
Мінімальне замовлення: 1521
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3054-T1-A 452d14209ej2v0ds00.pdf
2SK3054-T1-A
Виробник: Renesas
Trans MOSFET N-CH 50V 0.1A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2381+12.87 грн
10000+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 2381
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3054-T1-A RNCCS17503-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SK3054-T1-A
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 50V 100MA SC70-3 SSP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
Supplier Device Package: SC-70-3, SSP, Miniature Mini Mold
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 3 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1901+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 1901
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3054-T1-A 452d14209ej2v0ds00.pdf
2SK3054-T1-A
Виробник: Renesas
Trans MOSFET N-CH 50V 0.1A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3055(1)-AZ RNCCS07170-1.pdf
Виробник: Renesas
2SK3055(1)-AZ
на замовлення 100257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
143+214.55 грн
500+203.31 грн
1000+192.07 грн
10000+174.37 грн
Мінімальне замовлення: 143
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3055(1)-AZ RNCCS07170-1.pdf
2SK3055(1)-AZ
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 100257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
131+163.62 грн
Мінімальне замовлення: 131
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3055-AZ RNCCS07170-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SK3055-AZ
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
131+163.62 грн
Мінімальне замовлення: 131
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3057-AZ RNCCS18576-1.pdf
2SK3057-AZ
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: 2SK3057 - POWER TRS2
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
143+150.10 грн
Мінімальне замовлення: 143
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3058-Z-E1-AZ RNCCS17485-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SK3058-Z-E1-AZ
Виробник: NEC Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263, TO-220SMD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 10 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
165+129.47 грн
Мінімальне замовлення: 165
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3058-Z-E1-AZ RNCCS17485-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: NEC Corporation
2SK3058-Z-E1-AZ
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
181+169.59 грн
500+161.42 грн
1000+152.23 грн
Мінімальне замовлення: 181
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3060-Z-E1-AZ RNCCS07173-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SK3060-Z-E1-AZ
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
51+422.57 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3060-Z-E1-AZ RNCCS07173-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Renesas
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
53+583.36 грн
100+553.73 грн
500+525.13 грн
1000+477.80 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3065T100 ROHMS30086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SK3065T100
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SK3065T100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.25 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+59.75 грн
20+45.16 грн
50+43.27 грн
200+31.41 грн
500+24.28 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3065T100 2sk3065.pdf
2SK3065T100
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
на замовлення 21994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.98 грн
10+39.30 грн
100+29.42 грн
500+23.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3065T100 2sk3065.pdf
2SK3065T100
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+18.65 грн
2000+17.26 грн
3000+16.91 грн
5000+15.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3065T100 ROHMS30086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SK3065T100
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SK3065T100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.25 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+43.27 грн
200+31.41 грн
500+24.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3065T100 rohm semiconductor_rohms30086-1.pdf
2SK3065T100
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs N-CH 60V 2A
на замовлення 65627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+59.47 грн
10+44.62 грн
25+36.05 грн
100+29.01 грн
250+28.39 грн
500+24.72 грн
1000+17.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3065T100 2sk3065.pdf
2SK3065T100
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 2A 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+29.34 грн
4000+26.81 грн
6000+24.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3072-TB-E 2156_enn7224ad.pdf
2SK3072-TB-E
Виробник: onsemi
Description: NCH 4V DRIVE SERIES
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1040+20.63 грн
Мінімальне замовлення: 1040
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3072-TB-E enn7224a_d.pdf
2SK3072-TB-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.03A 3-Pin CP
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1304+23.52 грн
Мінімальне замовлення: 1304
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3075(TE12L,Q) TOSCS49853-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SK3075(TE12L,Q)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK3075(TE12L,Q) - HF-FET-Transistor, 30 V, 5 A, 20 W, 520 MHz, SMD
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 520MHz
Betriebsfrequenz, min.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+525.42 грн
5+483.35 грн
10+441.28 грн
50+377.08 грн
100+281.84 грн
250+275.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3075(TE12L,Q) TOSCS49853-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SK3075(TE12L,Q)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK3075(TE12L,Q) - HF-FET-Transistor, 30 V, 5 A, 20 W, 520 MHz, SMD
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 520MHz
Betriebsfrequenz, min.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+525.42 грн
5+483.35 грн
10+441.28 грн
50+377.08 грн
100+281.84 грн
250+275.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3084(Q)
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 100V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FL
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3090(Q)
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 45A 3-Pin(3+Tab)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3092-TL-E enn6788_d.pdf
2SK3092-TL-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 400V 3A 3-Pin(2+Tab) TP-FA
на замовлення 23100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
367+83.68 грн
500+75.31 грн
1000+69.46 грн
10000+59.71 грн
Мінімальне замовлення: 367
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]