Результат пошуку "IRFZ44N" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF
Код товару: 35403
Додати до обраних Обраний товар

IR irfz44npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b3a9f220d Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: THT
у наявності: 580 шт
454 шт - склад
43 шт - РАДІОМАГ-Київ
33 шт - РАДІОМАГ-Львів
50 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 1000 шт
1000 шт - очікується 18.05.2025
1+18.00 грн
10+16.00 грн
100+13.50 грн
1000+11.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF
Код товару: 122891
Додати до обраних Обраний товар

IR irfz44nspbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,017 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: SMD
у наявності: 196 шт
150 шт - склад
46 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+23.50 грн
10+21.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFZ44NS
Код товару: 152487
Додати до обраних Обраний товар

infineon-auirfz44ns-ds-v02_02-en.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: SMD
у наявності: 5 шт
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+54.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44N International Rectifier a2d981f02a82712386b830ebbbca8b43.pdf N-MOSFET 53A 55V 107W 0.017? IRFZ44N IRFZ44N TIRFZ44n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 5008 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44N UMW a2d981f02a82712386b830ebbbca8b43.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 21mOhm; 50A; 105W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFZ44; IRFZ44-BE3; IRFZ44N; SP001565354; IRFZ44N UMW TIRFZ44n UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.66 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44N International Rectifier a2d981f02a82712386b830ebbbca8b43.pdf N-MOSFET 53A 55V 107W 0.017? IRFZ44N IRFZ44N TIRFZ44n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44N International Rectifier a2d981f02a82712386b830ebbbca8b43.pdf N-MOSFET 53A 55V 107W 0.017? IRFZ44N IRFZ44N TIRFZ44n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NLPBF IR irfz44nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b43a5220f Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO262 Udss=55V; Id=49A; Pdmax=110W; Rds=0,022 Ohm
на замовлення 157 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
13+21.58 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz44nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b43a5220f IRFZ44NLPBF THT N channel transistors
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+100.02 грн
18+60.69 грн
49+57.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NPBF International Rectifier/Infineon irfz44npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b3a9f220d N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 49 А; Ptot, Вт = 94; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 1470 @ 25; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 17,5 мОм @ 25 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
на замовлення 197 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
34+18.70 грн
36+17.46 грн
100+16.21 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFZ44Npbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF Infineon Technologies infineon-irfz44n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+29.86 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF Infineon Technologies irfz44npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b3a9f220d Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
на замовлення 32099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.68 грн
50+47.02 грн
100+44.76 грн
500+34.27 грн
1000+30.24 грн
2000+28.45 грн
5000+26.35 грн
10000+20.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF INFINEON INFN-S-A0012838105-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFZ44NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 41 A, 0.0175 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+117.19 грн
10+108.94 грн
100+55.54 грн
500+43.83 грн
1000+35.44 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF Infineon Technologies infineon-irfz44n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
380+32.15 грн
Мінімальне замовлення: 380
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF Infineon Technologies infineon-irfz44n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 21715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
184+66.62 грн
230+53.28 грн
500+41.56 грн
1000+35.22 грн
2000+31.16 грн
4000+28.31 грн
8000+26.84 грн
Мінімальне замовлення: 184
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF Infineon Technologies infineon-irfz44n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+22.76 грн
4000+22.54 грн
10000+22.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF Infineon Technologies infineon-irfz44n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+24.52 грн
4000+24.27 грн
10000+24.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF Infineon Technologies infineon-irfz44n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+54.29 грн
16+39.80 грн
100+37.83 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF Infineon Technologies infineon-irfz44n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NS UMW 31c8597328d46609722301d7056aa6eb.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 21mOhm; 50A; 105W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFZ44NS; IRFZ44NSTRL; IRFZ44NSTRR; SP001560684; SP001578598; SP001567882; IRFZ44NS UMW TIRFZ44ns UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+23.55 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSPBF IR irfz44nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b43a5220f description Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2PAK Udss=55V; Id=49A; Pdmax=110W; Rds=0,022 Ohm
на замовлення 65 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
8+41.20 грн
10+34.56 грн
100+33.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSTRL Infineon N-MOSFET 49A 55V 94W 0.017Ω IRFZ44NS IRFZ44NS smd TIRFZ44ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+37.31 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSTRL Infineon N-MOSFET 49A 55V 94W 0.017Ω IRFZ44NS IRFZ44NS smd TIRFZ44ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+37.31 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012813799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.48 грн
12+71.63 грн
50+63.71 грн
100+51.73 грн
250+46.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF Infineon Technologies irfz44nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b43a5220f Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
на замовлення 8919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.43 грн
10+90.04 грн
100+61.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012813799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.73 грн
250+46.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irfz44ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+162.68 грн
118+104.12 грн
200+94.35 грн
1600+68.16 грн
3200+58.97 грн
6400+39.74 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irfz44ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF Infineon Technologies irfz44nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b43a5220f Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+46.09 грн
1600+40.93 грн
2400+39.17 грн
4000+35.33 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSTRRPBF IRFZ44NSTRRPBF International Rectifier IRSDS10439-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
310+67.87 грн
Мінімальне замовлення: 310
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NPBF irfz44npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b3a9f220d IRFZ44NPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NPBF irfz44npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b3a9f220d IRFZ44NPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 103 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NS IR 31c8597328d46609722301d7056aa6eb.pdf description 07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NS IR 31c8597328d46609722301d7056aa6eb.pdf description 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NS IR 31c8597328d46609722301d7056aa6eb.pdf description TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSTRPBF IR TO220 10+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFZ44N AUIRFZ44N International Rectifier INFN-S-A0003614934-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+79.76 грн
Мінімальне замовлення: 263
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFZ44N International Rectifier INFN-S-A0003614934-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFET N-CH 55V 31A Automotive AUIRFZ44N International Rectifier TAUIRFZ44n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+67.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFZ44NS AUIRFZ44NS International Rectifier INFN-S-A0008053269-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
222+94.46 грн
Мінімальне замовлення: 222
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFZ44NSTRL AUIRFZ44NSTRL International Rectifier INFN-S-A0008053269-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+98.65 грн
Мінімальне замовлення: 213
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFZ44NSTRL AUIRFZ44NSTRL Infineon Technologies AUIRFZ44NS%2CNL.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+98.65 грн
Мінімальне замовлення: 213
В кошику  од. на суму  грн.
UMWIRFZ44N UMWIRFZ44N UMW a2d981f02a82712386b830ebbbca8b43.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220
Packaging: Tube
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.36 грн
10+51.27 грн
100+33.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
UMWIRFZ44NS UMWIRFZ44NS UMW 31c8597328d46609722301d7056aa6eb.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.82 грн
10+66.82 грн
100+44.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRFZ44NPBF 49A 55V N-ch TO-220AB
на замовлення 19 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
19+31.89 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRFZ44NS D2PAK
на замовлення 50 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
21+29.49 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44 JSMicro Semiconductor Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6mOhm; 110A; 358W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFZ44; IRFZ44-BE3; IRFZ44N; SP001565354; IRFZ44N JSMICRO TIRFZ44n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+19.79 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44N IRFZ44N
Код товару: 1322
Додати до обраних Обраний товар

IR datasheet_irfz44n.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+19.50 грн
10+15.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSPBF IRFZ44NSPBF
Код товару: 37486
Додати до обраних Обраний товар

irfz44nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b43a5220f description Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSTRRPBF IRFZ44NSTRRPBF
Код товару: 31849
Додати до обраних Обраний товар

IR IRSDS10439-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,0175 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+23.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44N,127 IRFZ44N,127 NXP USA Inc. IRFZ44N_Rev1.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NL IRFZ44NL Infineon Technologies irfz44nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b43a5220f Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NLPBF IRFZ44NLPBF Infineon Technologies infineon-irfz44ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NLPBF IRFZ44NLPBF Infineon Technologies irfz44nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b43a5220f Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFZ44Npbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF Infineon Technologies infineon-irfz44n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSPBF IRFZ44NSPBF Infineon Technologies irfz44nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b43a5220f description Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz44nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irfz44ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSTRR IRFZ44NSTRR Infineon Technologies irfz44nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b43a5220f Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NPBF
Код товару: 35403
Додати до обраних Обраний товар

irfz44npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b3a9f220d
IRFZ44NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: THT
у наявності: 580 шт
454 шт - склад
43 шт - РАДІОМАГ-Київ
33 шт - РАДІОМАГ-Львів
50 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 1000 шт
1000 шт - очікується 18.05.2025
Кількість Ціна
1+18.00 грн
10+16.00 грн
100+13.50 грн
1000+11.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSTRLPBF
Код товару: 122891
Додати до обраних Обраний товар

irfz44nspbf-datasheet.pdf
IRFZ44NSTRLPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,017 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: SMD
у наявності: 196 шт
150 шт - склад
46 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+23.50 грн
10+21.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFZ44NS
Код товару: 152487
Додати до обраних Обраний товар

infineon-auirfz44ns-ds-v02_02-en.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: SMD
у наявності: 5 шт
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+54.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44N a2d981f02a82712386b830ebbbca8b43.pdf
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 53A 55V 107W 0.017? IRFZ44N IRFZ44N TIRFZ44n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 5008 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44N a2d981f02a82712386b830ebbbca8b43.pdf
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 21mOhm; 50A; 105W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFZ44; IRFZ44-BE3; IRFZ44N; SP001565354; IRFZ44N UMW TIRFZ44n UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+18.66 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44N a2d981f02a82712386b830ebbbca8b43.pdf
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 53A 55V 107W 0.017? IRFZ44N IRFZ44N TIRFZ44n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44N a2d981f02a82712386b830ebbbca8b43.pdf
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 53A 55V 107W 0.017? IRFZ44N IRFZ44N TIRFZ44n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NLPBF irfz44nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b43a5220f
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO262 Udss=55V; Id=49A; Pdmax=110W; Rds=0,022 Ohm
на замовлення 157 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
13+21.58 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NLPBF irfz44nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b43a5220f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFZ44NLPBF THT N channel transistors
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+100.02 грн
18+60.69 грн
49+57.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NPBF irfz44npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b3a9f220d
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 49 А; Ptot, Вт = 94; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 1470 @ 25; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 17,5 мОм @ 25 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
на замовлення 197 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна
34+18.70 грн
36+17.46 грн
100+16.21 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NPBF IRFZ44Npbf.pdf
IRFZ44NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NPBF infineon-irfz44n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ44NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+29.86 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NPBF irfz44npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b3a9f220d
IRFZ44NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
на замовлення 32099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.68 грн
50+47.02 грн
100+44.76 грн
500+34.27 грн
1000+30.24 грн
2000+28.45 грн
5000+26.35 грн
10000+20.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NPBF INFN-S-A0012838105-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFZ44NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ44NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 41 A, 0.0175 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+117.19 грн
10+108.94 грн
100+55.54 грн
500+43.83 грн
1000+35.44 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NPBF infineon-irfz44n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ44NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
380+32.15 грн
Мінімальне замовлення: 380
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NPBF infineon-irfz44n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ44NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 21715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
184+66.62 грн
230+53.28 грн
500+41.56 грн
1000+35.22 грн
2000+31.16 грн
4000+28.31 грн
8000+26.84 грн
Мінімальне замовлення: 184
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NPBF infineon-irfz44n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ44NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+22.76 грн
4000+22.54 грн
10000+22.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NPBF infineon-irfz44n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ44NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+24.52 грн
4000+24.27 грн
10000+24.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NPBF infineon-irfz44n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ44NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+54.29 грн
16+39.80 грн
100+37.83 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NPBF infineon-irfz44n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ44NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NS description 31c8597328d46609722301d7056aa6eb.pdf
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 21mOhm; 50A; 105W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFZ44NS; IRFZ44NSTRL; IRFZ44NSTRR; SP001560684; SP001578598; SP001567882; IRFZ44NS UMW TIRFZ44ns UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+23.55 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSPBF description irfz44nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b43a5220f
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2PAK Udss=55V; Id=49A; Pdmax=110W; Rds=0,022 Ohm
на замовлення 65 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.20 грн
10+34.56 грн
100+33.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSTRL
Виробник: Infineon
N-MOSFET 49A 55V 94W 0.017Ω IRFZ44NS IRFZ44NS smd TIRFZ44ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+37.31 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSTRL
Виробник: Infineon
N-MOSFET 49A 55V 94W 0.017Ω IRFZ44NS IRFZ44NS smd TIRFZ44ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+37.31 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSTRLPBF INFN-S-A0012813799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFZ44NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+87.48 грн
12+71.63 грн
50+63.71 грн
100+51.73 грн
250+46.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSTRLPBF irfz44nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b43a5220f
IRFZ44NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
на замовлення 8919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.43 грн
10+90.04 грн
100+61.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSTRLPBF INFN-S-A0012813799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFZ44NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.73 грн
250+46.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSTRLPBF infineon-irfz44ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ44NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+162.68 грн
118+104.12 грн
200+94.35 грн
1600+68.16 грн
3200+58.97 грн
6400+39.74 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSTRLPBF infineon-irfz44ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ44NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSTRLPBF irfz44nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b43a5220f
IRFZ44NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+46.09 грн
1600+40.93 грн
2400+39.17 грн
4000+35.33 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSTRRPBF description IRSDS10439-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFZ44NSTRRPBF
Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
310+67.87 грн
Мінімальне замовлення: 310
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NPBF irfz44npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b3a9f220d
IRFZ44NPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NPBF irfz44npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b3a9f220d
IRFZ44NPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 103 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NS description 31c8597328d46609722301d7056aa6eb.pdf
Виробник: IR
07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NS description 31c8597328d46609722301d7056aa6eb.pdf
Виробник: IR
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NS description 31c8597328d46609722301d7056aa6eb.pdf
Виробник: IR
TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSTRPBF
Виробник: IR
TO220 10+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFZ44N INFN-S-A0003614934-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRFZ44N
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
263+79.76 грн
Мінімальне замовлення: 263
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFZ44N INFN-S-A0003614934-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CH 55V 31A Automotive AUIRFZ44N International Rectifier TAUIRFZ44n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+67.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFZ44NS INFN-S-A0008053269-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRFZ44NS
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
222+94.46 грн
Мінімальне замовлення: 222
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFZ44NSTRL INFN-S-A0008053269-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRFZ44NSTRL
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
213+98.65 грн
Мінімальне замовлення: 213
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFZ44NSTRL AUIRFZ44NS%2CNL.pdf
AUIRFZ44NSTRL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
213+98.65 грн
Мінімальне замовлення: 213
В кошику  од. на суму  грн.
UMWIRFZ44N a2d981f02a82712386b830ebbbca8b43.pdf
UMWIRFZ44N
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220
Packaging: Tube
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.36 грн
10+51.27 грн
100+33.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
UMWIRFZ44NS 31c8597328d46609722301d7056aa6eb.pdf
UMWIRFZ44NS
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.82 грн
10+66.82 грн
100+44.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRFZ44NPBF 49A 55V N-ch TO-220AB
на замовлення 19 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
19+31.89 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRFZ44NS D2PAK
на замовлення 50 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
21+29.49 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6mOhm; 110A; 358W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFZ44; IRFZ44-BE3; IRFZ44N; SP001565354; IRFZ44N JSMICRO TIRFZ44n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+19.79 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44N
Код товару: 1322
Додати до обраних Обраний товар

datasheet_irfz44n.pdf
IRFZ44N
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+19.50 грн
10+15.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSPBF
Код товару: 37486
Додати до обраних Обраний товар

description irfz44nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b43a5220f
IRFZ44NSPBF
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSTRRPBF
Код товару: 31849
Додати до обраних Обраний товар

description IRSDS10439-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFZ44NSTRRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,0175 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+23.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44N,127 IRFZ44N_Rev1.pdf
IRFZ44N,127
Виробник: NXP USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NL irfz44nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b43a5220f
IRFZ44NL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NLPBF infineon-irfz44ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ44NLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NLPBF irfz44nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b43a5220f
IRFZ44NLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NPBF IRFZ44Npbf.pdf
IRFZ44NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NPBF infineon-irfz44n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ44NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSPBF description irfz44nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b43a5220f
IRFZ44NSPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSTRLPBF irfz44nspbf.pdf
IRFZ44NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSTRLPBF infineon-irfz44ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ44NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSTRR irfz44nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b43a5220f
IRFZ44NSTRR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]