Результат пошуку "BSS84" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 21
Мінімальне замовлення: 445
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 24
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 6000
Мінімальне замовлення: 15000
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 9375
Мінімальне замовлення: 19
Мінімальне замовлення: 31
Мінімальне замовлення: 795
Мінімальне замовлення: 23
Мінімальне замовлення: 31
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 29
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 9434
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 115
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 200
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 200
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 19
Мінімальне замовлення: 18
Мінімальне замовлення: 68
Мінімальне замовлення: 41
Мінімальне замовлення: 3732
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3732
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 46
Мінімальне замовлення: 3741
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 220
Мінімальне замовлення: 45
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 100
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSS84 Код товару: 187507 |
UMW |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() Корпус: SOT-23 Uds,V: 50 V Id,A: 0,13 A |
у наявності: 1532 шт
|
|
||||||||||||||||||
BSS84LT1G (SOT-23, JSCJ) Код товару: 188580 |
JSCJ |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SOT-23 Uds,V: 50 V Id,A: 0,13 A Rds(on),Om: 4,7 Ohm Монтаж: SMD |
у наявності: 1830 шт
|
|
|||||||||||||||||||
![]() |
BSS84P Код товару: 122858 |
Infineon |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SOT-23 Uds,V: 60 V Id,A: 0,17 A Rds(on),Om: 8 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 15/1 Монтаж: SMD |
у наявності: 22 шт
|
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -130mA Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 7005 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
BSS84 | Fairchild/ON Semiconductor |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
BSS84 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -130mA Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7005 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84 | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 13222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84 | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1098000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V |
на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84 | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1098000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84 | MDD |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V |
на замовлення 240000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84 | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84 | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 226964 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
BSS84 | HT Jinyu Semiconductor |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
BSS84 | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 91548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84 | EVVO |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84 | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 14631 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V |
на замовлення 5449 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84 | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 14631 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84 | onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V |
на замовлення 119217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84 | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 91548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84 | Good-Ark Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 225mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84 | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1098000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84 | onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V |
на замовлення 119359 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84 | Good-Ark Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 225mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V |
на замовлення 219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84 | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
BSS84 | Microdiode Electronics |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 1371000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
BSS84 | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 330000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84 | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 13222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
BSS84 | JSMicro Semiconductor |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS84 | AnBon |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 1684 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS84 | ON-Semicoductor |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 5960 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS84 | SHIKUES |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS84 | GALAXY |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS84 | ON-Semicoductor |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1929 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS84 | SLKOR |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS84 | HOTTECH |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 1290 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS84 | YY |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 900 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS84 | HXY MOSFET |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS84 | AnBon |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 216 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS84 | NXP |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 14500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
BSS84 RFG | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 357mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 30 V |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84 RFG | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 357mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 30 V |
на замовлення 13974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84 RFG | Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1101 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -130mA Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 11288 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -130mA Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11288 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Nexperia |
![]() |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 130mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V |
на замовлення 207000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Nexperia |
![]() |
на замовлення 138000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Nexperia |
![]() |
на замовлення 1538256 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 363487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Nexperia |
![]() |
на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 130mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V |
на замовлення 208262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Nexperia |
![]() |
на замовлення 615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Nexperia |
![]() |
на замовлення 363000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Nexperia |
![]() |
на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 363487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Nexperia |
![]() |
на замовлення 507000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
BSS84 Код товару: 187507 |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
у наявності: 1532 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 2.5 грн |
10+ | 2.1 грн |
100+ | 1.8 грн |
1000+ | 1.5 грн |
BSS84LT1G (SOT-23, JSCJ) Код товару: 188580 |
Виробник: JSCJ
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 50 V
Id,A: 0,13 A
Rds(on),Om: 4,7 Ohm
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 50 V
Id,A: 0,13 A
Rds(on),Om: 4,7 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності: 1830 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 2 грн |
10+ | 1.6 грн |
100+ | 1.35 грн |
BSS84P Код товару: 122858 |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 60 V
Id,A: 0,17 A
Rds(on),Om: 8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 15/1
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 60 V
Id,A: 0,17 A
Rds(on),Om: 8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 15/1
Монтаж: SMD
у наявності: 22 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 3.5 грн |
10+ | 2.8 грн |
BSS84 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 7005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
21+ | 18.38 грн |
27+ | 13.37 грн |
33+ | 10.81 грн |
100+ | 9.73 грн |
224+ | 3.66 грн |
615+ | 3.46 грн |
BSS84 |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: Fairchild/ON Semiconductor
P-канальний ПТ; Udss, В = 50; Id = 130 мА; Ptot, Вт = 0,36; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 73 @ 25; Qg, нКл = 1,3 @ 5 В; Rds = 10 Ом @ 100 мА, 5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 1 мА; SOT-23
P-канальний ПТ; Udss, В = 50; Id = 130 мА; Ptot, Вт = 0,36; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 73 @ 25; Qg, нКл = 1,3 @ 5 В; Rds = 10 Ом @ 100 мА, 5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 1 мА; SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
445+ | 1.4 грн |
477+ | 1.31 грн |
513+ | 1.22 грн |
BSS84 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7005 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 22.06 грн |
16+ | 16.66 грн |
25+ | 12.97 грн |
100+ | 11.67 грн |
224+ | 4.39 грн |
615+ | 4.15 грн |
BSS84 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
24+ | 25.36 грн |
25+ | 25.1 грн |
50+ | 23.79 грн |
100+ | 14.65 грн |
250+ | 6.19 грн |
BSS84 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1098000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 8.81 грн |
6000+ | 6.48 грн |
9000+ | 6.41 грн |
24000+ | 5.8 грн |
30000+ | 5.14 грн |
45000+ | 4.72 грн |
75000+ | 4.69 грн |
99000+ | 4.63 грн |
BSS84 |
![]() |
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V
Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.21 грн |
6000+ | 2.01 грн |
9000+ | 1.71 грн |
30000+ | 1.48 грн |
75000+ | 1.28 грн |
BSS84 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1098000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 8.89 грн |
6000+ | 7.98 грн |
9000+ | 7.85 грн |
24000+ | 7.27 грн |
30000+ | 6.34 грн |
48000+ | 6.03 грн |
75000+ | 5.96 грн |
99000+ | 5.9 грн |
BSS84 |
![]() |
Виробник: MDD
Description: MOSFET SOT-23 P Channel 50V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V
Description: MOSFET SOT-23 P Channel 50V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V
на замовлення 240000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6000+ | 4.67 грн |
BSS84 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15000+ | 6.86 грн |
30000+ | 5.83 грн |
45000+ | 5.59 грн |
BSS84 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET SOT-23 P-CH ENHANCE
MOSFET SOT-23 P-CH ENHANCE
на замовлення 226964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 34.09 грн |
13+ | 25.2 грн |
100+ | 13.18 грн |
1000+ | 8.94 грн |
3000+ | 7.85 грн |
9000+ | 7.03 грн |
24000+ | 6.96 грн |
BSS84 |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: HT Jinyu Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode MOSFET
P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9375+ | 1.28 грн |
BSS84 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 91548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
19+ | 40.82 грн |
25+ | 31.55 грн |
100+ | 18.15 грн |
500+ | 16.5 грн |
BSS84 |
![]() |
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
31+ | 9.6 грн |
45+ | 6.4 грн |
100+ | 3.48 грн |
500+ | 2.56 грн |
BSS84 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 14631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
795+ | 15.06 грн |
1301+ | 9.2 грн |
1324+ | 9.04 грн |
1348+ | 8.56 грн |
1374+ | 7.78 грн |
3000+ | 7.33 грн |
6000+ | 7.19 грн |
BSS84 |
![]() |
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V
Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V
на замовлення 5449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
23+ | 13.29 грн |
33+ | 8.75 грн |
100+ | 4.71 грн |
500+ | 3.47 грн |
1000+ | 2.41 грн |
BSS84 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 14631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
31+ | 19.41 грн |
39+ | 15.27 грн |
43+ | 13.99 грн |
100+ | 8.24 грн |
250+ | 7.49 грн |
500+ | 7.07 грн |
1000+ | 6.93 грн |
3000+ | 6.81 грн |
6000+ | 6.68 грн |
BSS84 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
на замовлення 119217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 8.84 грн |
6000+ | 8.16 грн |
9000+ | 7.34 грн |
30000+ | 6.79 грн |
75000+ | 6.38 грн |
BSS84 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 91548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 16.5 грн |
BSS84 |
![]() |
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.13A, -5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.13A, -5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 1.79 грн |
6000+ | 1.56 грн |
15000+ | 1.35 грн |
30000+ | 1.14 грн |
BSS84 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1098000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.52 грн |
BSS84 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
на замовлення 119359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 32.49 грн |
12+ | 24.46 грн |
100+ | 14.68 грн |
500+ | 12.76 грн |
1000+ | 8.67 грн |
BSS84 |
![]() |
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.13A, -5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.13A, -5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
29+ | 10.34 грн |
32+ | 8.89 грн |
34+ | 8.45 грн |
100+ | 4.54 грн |
BSS84 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 4.92 грн |
BSS84 |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: Microdiode Electronics
BSS84
BSS84
на замовлення 1371000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9434+ | 1.27 грн |
BSS84 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 330000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 7.58 грн |
BSS84 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
115+ | 2.77 грн |
BSS84 |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 130mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 JSMICRO TBSS84 JSM
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 130mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 JSMICRO TBSS84 JSM
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 0.91 грн |
BSS84 |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: AnBon
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; +/-20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C~150°C; BSS84P TBSS84p ANB
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; +/-20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C~150°C; BSS84P TBSS84p ANB
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1684 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 1.22 грн |
BSS84 |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: ON-Semicoductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive 3-Pin SOT-23 BSS84-TP MCCSEMI; BSS84LT1G BSS84 ONS TBSS84
кількість в упаковці: 100 шт
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive 3-Pin SOT-23 BSS84-TP MCCSEMI; BSS84LT1G BSS84 ONS TBSS84
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
200+ | 4.08 грн |
BSS84 |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: SHIKUES
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6Ohm; 130mA; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 SHIKUES TBSS84 SHK
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6Ohm; 130mA; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 SHIKUES TBSS84 SHK
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 1 грн |
BSS84 |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: GALAXY
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 12V; 10Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 GALAXY TBSS84 GAL
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 12V; 10Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 GALAXY TBSS84 GAL
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 0.98 грн |
BSS84 |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: ON-Semicoductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive 3-Pin SOT-23 BSS84-TP MCCSEMI; BSS84LT1G BSS84 ONS TBSS84
кількість в упаковці: 100 шт
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive 3-Pin SOT-23 BSS84-TP MCCSEMI; BSS84LT1G BSS84 ONS TBSS84
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1929 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
200+ | 4.08 грн |
BSS84 |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: SLKOR
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 SLKOR TBSS84 SLK
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 SLKOR TBSS84 SLK
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 0.86 грн |
BSS84 |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: HOTTECH
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; BSS84 TBSS84 c
кількість в упаковці: 500 шт
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; BSS84 TBSS84 c
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 1.14 грн |
BSS84 |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: YY
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 9,9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84-F2-0000HF; BSS84 TBSS84 YY
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 9,9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84-F2-0000HF; BSS84 TBSS84 YY
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 0.64 грн |
BSS84 |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: HXY MOSFET
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 130mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 HXY MOSFET TBSS84 HXY
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 130mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 HXY MOSFET TBSS84 HXY
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 1.05 грн |
BSS84 |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: AnBon
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; +/-20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C~150°C; BSS84P TBSS84p ANB
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; +/-20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C~150°C; BSS84P TBSS84p ANB
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 216 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 1.22 грн |
BSS84 |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: NXP
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84; BSS84LT1G; BSS84-7-F; BSS84,215; BSS84AK,215 (AUTOMOTIVE); BSS84 smd NXP; BSS84,215 TBSS84 NXP
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84; BSS84LT1G; BSS84-7-F; BSS84,215; BSS84AK,215 (AUTOMOTIVE); BSS84 smd NXP; BSS84,215 TBSS84 NXP
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.23 грн |
BSS84 RFG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: -60, -0.15, SINGLE P-CHANNEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 357mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 30 V
Description: -60, -0.15, SINGLE P-CHANNEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 357mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.74 грн |
6000+ | 2.45 грн |
9000+ | 2.03 грн |
BSS84 RFG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: -60, -0.15, SINGLE P-CHANNEL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 357mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 30 V
Description: -60, -0.15, SINGLE P-CHANNEL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 357mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 30 V
на замовлення 13974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
19+ | 16.25 грн |
27+ | 10.74 грн |
100+ | 5.26 грн |
500+ | 4.11 грн |
1000+ | 2.86 грн |
BSS84 RFG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFET -60, -0.15, Single P-Channel
MOSFET -60, -0.15, Single P-Channel
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 17.76 грн |
27+ | 12.01 грн |
100+ | 6.62 грн |
1000+ | 3 грн |
3000+ | 2.53 грн |
9000+ | 1.91 грн |
99000+ | 1.71 грн |
BSS84,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 11288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
68+ | 5.67 грн |
111+ | 3.23 грн |
250+ | 2.86 грн |
364+ | 2.24 грн |
1001+ | 2.12 грн |
BSS84,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11288 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
41+ | 6.8 грн |
67+ | 4.02 грн |
250+ | 3.43 грн |
364+ | 2.69 грн |
1001+ | 2.54 грн |
BSS84,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3732+ | 3.21 грн |
6000+ | 2.93 грн |
12000+ | 2.73 грн |
18000+ | 2.48 грн |
BSS84,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 130mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 130mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 3.59 грн |
6000+ | 3.21 грн |
9000+ | 2.66 грн |
30000+ | 2.45 грн |
75000+ | 2.2 грн |
150000+ | 1.91 грн |
BSS84,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3732+ | 3.21 грн |
33000+ | 2.93 грн |
66000+ | 2.73 грн |
99000+ | 2.48 грн |
BSS84,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSS84,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: NEXPERIA - BSS84,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.6 грн |
9000+ | 2.53 грн |
BSS84,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFET BSS84/SOT23/TO-236AB
MOSFET BSS84/SOT23/TO-236AB
на замовлення 1538256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 22.94 грн |
25+ | 12.72 грн |
100+ | 5.39 грн |
1000+ | 3.89 грн |
3000+ | 2.32 грн |
9000+ | 2.05 грн |
24000+ | 1.98 грн |
BSS84,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSS84,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: NEXPERIA - BSS84,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 363487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
46+ | 17 грн |
65+ | 11.95 грн |
111+ | 6.91 грн |
500+ | 4.13 грн |
1500+ | 3.74 грн |
BSS84,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3741+ | 3.2 грн |
9000+ | 2.77 грн |
24000+ | 2.68 грн |
45000+ | 2.51 грн |
BSS84,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 130mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 130mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
на замовлення 208262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 21.42 грн |
21+ | 14.08 грн |
100+ | 6.88 грн |
500+ | 5.39 грн |
1000+ | 3.74 грн |
BSS84,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
220+ | 1.45 грн |
BSS84,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
45+ | 13.46 грн |
51+ | 11.73 грн |
105+ | 5.67 грн |
BSS84,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 363000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.5 грн |
9000+ | 2.18 грн |
24000+ | 2.07 грн |
45000+ | 1.81 грн |
BSS84,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.61 грн |
9000+ | 2.27 грн |
24000+ | 2.17 грн |
45000+ | 1.89 грн |
BSS84,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSS84,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: NEXPERIA - BSS84,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 363487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 11.95 грн |
111+ | 6.91 грн |
500+ | 4.13 грн |
1500+ | 3.74 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]