Результат пошуку "012n03" : 9
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDMC012N03 | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 1271 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
ISC012N03LF2SATMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3430 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
VUO30-12N03 | IXYS | CDH4-1 |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
VUO50-12N03 | IXYS |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
VUO50-12N03 | IXYS | J3-1 |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
VUO60-12N03 | MODULE |
на замовлення 153 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
FDMC012N03 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 117A; Idm: 688A; 64W; Power33 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 117A Pulsed drain current: 688A Power dissipation: 64W Case: Power33 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 1.77mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDMC012N03 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 117A; Idm: 688A; 64W; Power33 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 117A Pulsed drain current: 688A Power dissipation: 64W Case: Power33 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 1.77mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
FDMC012N03 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs PT9 N-ch 30V/12V Power Trench MOSFET
MOSFETs PT9 N-ch 30V/12V Power Trench MOSFET
на замовлення 1271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 135.58 грн |
10+ | 101.53 грн |
100+ | 68.59 грн |
500+ | 61.65 грн |
1000+ | 57.20 грн |
3000+ | 44.52 грн |
6000+ | 39.54 грн |
ISC012N03LF2SATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
TRENCH <= 40V
TRENCH <= 40V
на замовлення 3430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 103.00 грн |
10+ | 71.51 грн |
100+ | 48.37 грн |
500+ | 40.98 грн |
1000+ | 33.43 грн |
2500+ | 31.47 грн |
5000+ | 29.96 грн |
VUO30-12N03 |
Виробник: IXYS
CDH4-1
CDH4-1
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
VUO50-12N03 |
Виробник: IXYS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
VUO50-12N03 |
Виробник: IXYS
J3-1
J3-1
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
VUO60-12N03 |
MODULE
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
FDMC012N03 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 117A; Idm: 688A; 64W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 117A
Pulsed drain current: 688A
Power dissipation: 64W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 117A; Idm: 688A; 64W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 117A
Pulsed drain current: 688A
Power dissipation: 64W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMC012N03 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 117A; Idm: 688A; 64W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 117A
Pulsed drain current: 688A
Power dissipation: 64W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 117A; Idm: 688A; 64W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 117A
Pulsed drain current: 688A
Power dissipation: 64W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.