Результат пошуку "012n03" : 22

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSB012N03LX3G Infineon Technologies INFNS16701-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 15 V
на замовлення 4233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+107.58 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
BSB012N03LX3GXUMA1 Infineon Technologies INFNS16701-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 4398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+107.58 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03 FDMC012N03 onsemi fdmc012n03-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A/185A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8183 pF @ 15 V
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.81 грн
10+179.35 грн
100+125.92 грн
500+98.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N03LF2SATMA1 ISC012N03LF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC012N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001938c251bd61bd4 Description: ISC012N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.18 грн
10+47.69 грн
25+43.06 грн
100+35.59 грн
250+33.30 грн
500+31.92 грн
1000+30.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03 ONN fdmc012n03-d.pdf
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VUO30-12N03 IXYS CDH4-1
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VUO50-12N03 IXYS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VUO60-12N03 MODULE
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSB012N03LX3 G BSB012N03LX3 G Infineon Technologies BSB012N03LX3G.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 39A/180A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03 ONSEMI fdmc012n03-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 117A; Idm: 688A; 64W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 117A
Pulsed drain current: 688A
Power dissipation: 64W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03 FDMC012N03 onsemi fdmc012n03-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A/185A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8183 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03 FDMC012N03 onsemi fdmc012n03-d.pdf MOSFETs PT9 N-ch 30V/12V Power Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE012N03LM5CGATMA1 IQE012N03LM5CGATMA1 Infineon Technologies infineon-iqe012n03lm5cg-datasheet-en.pdf Description: IQE012N03LM5CGATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 224A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE012N03LM5CGATMA1 IQE012N03LM5CGATMA1 Infineon Technologies infineon-iqe012n03lm5cg-datasheet-en.pdf Description: IQE012N03LM5CGATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 224A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE012N03LM5CGATMA1 IQE012N03LM5CGATMA1 Infineon Technologies infineon_iqe012n03lm5cg_datasheet_en.pdf MOSFETs OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE012N03LM5CGSCATMA1 IQE012N03LM5CGSCATMA1 Infineon Technologies infineon-iqe012n03lm5cgsc-datasheet-en.pdf Description: IQE012N03LM5CGSCATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 224A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE012N03LM5CGSCATMA1 IQE012N03LM5CGSCATMA1 Infineon Technologies infineon-iqe012n03lm5cgsc-datasheet-en.pdf Description: IQE012N03LM5CGSCATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 224A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE012N03LM5CGSCATMA1 IQE012N03LM5CGSCATMA1 Infineon Technologies infineon_iqe012n03lm5cgsc_datasheet_en.pdf MOSFETs OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N03LF2SATMA1 ISC012N03LF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC012N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001938c251bd61bd4 Description: ISC012N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HYG012N03LR1C2 Hangzhou Huayi Electronic N-Channel Enhancement Mode MOSFET 30V/180A PDFN8L(5x6) Група товару: Мікросхеми електроживлення Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HYG012N03LR1TA Hangzhou Huayi Electronic N-Channel Enhancement Mode MOSFET 30V/380A TOLL Група товару: Мікросхеми електроживлення Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VUO50-12NO3 VUO50-12NO3 IXYS VUO50.pdf Description: BRIDGE RECT 3P 1.2KV 58A FO-F-B
Packaging: Box
Package / Case: FO-F-B
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: FO-F-B
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 58 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB012N03LX3G INFNS16701-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 15 V
на замовлення 4233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
189+107.58 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
BSB012N03LX3GXUMA1 INFNS16701-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 4398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
189+107.58 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03 fdmc012n03-d.pdf
FDMC012N03
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 35A/185A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8183 pF @ 15 V
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+283.81 грн
10+179.35 грн
100+125.92 грн
500+98.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N03LF2SATMA1 Infineon-ISC012N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001938c251bd61bd4
ISC012N03LF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: ISC012N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.18 грн
10+47.69 грн
25+43.06 грн
100+35.59 грн
250+33.30 грн
500+31.92 грн
1000+30.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03 fdmc012n03-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VUO30-12N03
Виробник: IXYS
CDH4-1
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VUO50-12N03
Виробник: IXYS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VUO60-12N03
MODULE
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSB012N03LX3 G BSB012N03LX3G.pdf
BSB012N03LX3 G
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 39A/180A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03 fdmc012n03-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 117A; Idm: 688A; 64W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 117A
Pulsed drain current: 688A
Power dissipation: 64W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03 fdmc012n03-d.pdf
FDMC012N03
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 35A/185A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8183 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03 fdmc012n03-d.pdf
FDMC012N03
Виробник: onsemi
MOSFETs PT9 N-ch 30V/12V Power Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE012N03LM5CGATMA1 infineon-iqe012n03lm5cg-datasheet-en.pdf
IQE012N03LM5CGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IQE012N03LM5CGATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 224A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE012N03LM5CGATMA1 infineon-iqe012n03lm5cg-datasheet-en.pdf
IQE012N03LM5CGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IQE012N03LM5CGATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 224A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE012N03LM5CGATMA1 infineon_iqe012n03lm5cg_datasheet_en.pdf
IQE012N03LM5CGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE012N03LM5CGSCATMA1 infineon-iqe012n03lm5cgsc-datasheet-en.pdf
IQE012N03LM5CGSCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IQE012N03LM5CGSCATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 224A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE012N03LM5CGSCATMA1 infineon-iqe012n03lm5cgsc-datasheet-en.pdf
IQE012N03LM5CGSCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IQE012N03LM5CGSCATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 224A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE012N03LM5CGSCATMA1 infineon_iqe012n03lm5cgsc_datasheet_en.pdf
IQE012N03LM5CGSCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N03LF2SATMA1 Infineon-ISC012N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001938c251bd61bd4
ISC012N03LF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: ISC012N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HYG012N03LR1C2
Виробник: Hangzhou Huayi Electronic
N-Channel Enhancement Mode MOSFET 30V/180A PDFN8L(5x6) Група товару: Мікросхеми електроживлення Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HYG012N03LR1TA
Виробник: Hangzhou Huayi Electronic
N-Channel Enhancement Mode MOSFET 30V/380A TOLL Група товару: Мікросхеми електроживлення Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VUO50-12NO3 VUO50.pdf
VUO50-12NO3
Виробник: IXYS
Description: BRIDGE RECT 3P 1.2KV 58A FO-F-B
Packaging: Box
Package / Case: FO-F-B
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: FO-F-B
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 58 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.