Результат пошуку "012n03" : 25

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
BSB012N03LX3 Infineon Technologies INFNS16701-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+60.13 грн
Мінімальне замовлення: 335
BSB012N03LX3G Infineon Technologies INFNS16701-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 15 V
на замовлення 5508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+69.53 грн
Мінімальне замовлення: 278
BSB012N03LX3GXUMA1 Infineon Technologies INFNS16701-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 4398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
277+72.15 грн
Мінімальне замовлення: 277
FDMC012N03 FDMC012N03 onsemi / Fairchild FDMC012N03_D-2312443.pdf MOSFET PT9 N-ch 30V/12V Power Trench MOSFET
на замовлення 4070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+185.36 грн
10+ 164.74 грн
25+ 142.6 грн
100+ 119.81 грн
250+ 117.85 грн
500+ 102.88 грн
1000+ 89.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMC012N03 FDMC012N03 onsemi fdmc012n03-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A/185A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8183 pF @ 15 V
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.06 грн
10+ 163.05 грн
100+ 133.63 грн
500+ 106.76 грн
1000+ 90.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
VUO30-12N03 IXYS CDH4-1
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VUO50-12N03 IXYS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VUO50-12N03 IXYS J3-1
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VUO60-12N03 MODULE
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
10094012-N0300YYLF Amphenol ICC (FCI) 10094012.pdf Description: CBL ASSY DENSISHD 16P-RJ45 9.84'
Packaging: Bulk
Connector Type: DensiShield™ 16 pos to RJ45, 8p8c
Length: 9.84' (3.00m)
Shielding: Shielded
Cable Type: Round
Part Status: Active
товар відсутній
10094012-N0300YYLF Amphenol FCI FRCIS66678_1-2537048.pdf Specialised Cables 10094012-N0300YYLF DENSI-SHLD-RJ45
товар відсутній
BSB012N03LX3 G BSB012N03LX3 G Infineon Technologies BSB012N03LX3G.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 39A/180A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 15 V
товар відсутній
BSB012N03LX3GXUMA1 BSB012N03LX3GXUMA1 Infineon Technologies bsb012n03lx3_g_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304320d39d590121a011.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 39A 7-Pin WDSON T/R
товар відсутній
BSN012N03LSIXUSA1 Infineon Technologies bsn012n03lsi_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 6-Pin USON
товар відсутній
BSN012N03LSXUSA1 Infineon Technologies bsn012n03ls_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 6-Pin USON
товар відсутній
FDMC012N03 ONSEMI fdmc012n03-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 117A; Idm: 688A; 64W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 117A
Pulsed drain current: 688A
Power dissipation: 64W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDMC012N03 ONSEMI fdmc012n03-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 117A; Idm: 688A; 64W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 117A
Pulsed drain current: 688A
Power dissipation: 64W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMC012N03 FDMC012N03 onsemi fdmc012n03-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A/185A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8183 pF @ 15 V
товар відсутній
FDMC012N03 FDMC012N03 ON Semiconductor 3655474119776768fdmc012n03.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin Power 33 EP T/R
товар відсутній
M-2012N-036B-G NKK Switches Description: SWITCH
Packaging: Bulk
товар відсутній
M2012SA2G30 M2012SA2G30 NKK Switches MtogglesAnglePC-1663562.pdf Toggle Switches SPDT ON-NONE-ON
товар відсутній
USB-A-PLUG RECTANGULAR Panstrong Company Ltd. USB-A-STECKER 90
товар відсутній
USB-A-PLUG RECTANGULAR SMT Panstrong Company Ltd. USBAM0301-2N03
товар відсутній
VUO50-12NO3 VUO50-12NO3 IXYS VUO50.pdf Description: BRIDGE RECT 3P 1.2KV 58A FO-F-B
Packaging: Box
Package / Case: FO-F-B
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: FO-F-B
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 58 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1200 V
товар відсутній
BSB012N03LX3 INFNS16701-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
335+60.13 грн
Мінімальне замовлення: 335
BSB012N03LX3G INFNS16701-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 15 V
на замовлення 5508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
278+69.53 грн
Мінімальне замовлення: 278
BSB012N03LX3GXUMA1 INFNS16701-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 4398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
277+72.15 грн
Мінімальне замовлення: 277
FDMC012N03 FDMC012N03_D-2312443.pdf
FDMC012N03
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET PT9 N-ch 30V/12V Power Trench MOSFET
на замовлення 4070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+185.36 грн
10+ 164.74 грн
25+ 142.6 грн
100+ 119.81 грн
250+ 117.85 грн
500+ 102.88 грн
1000+ 89.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMC012N03 fdmc012n03-d.pdf
FDMC012N03
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 35A/185A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8183 pF @ 15 V
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+188.06 грн
10+ 163.05 грн
100+ 133.63 грн
500+ 106.76 грн
1000+ 90.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
VUO30-12N03
Виробник: IXYS
CDH4-1
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VUO50-12N03
Виробник: IXYS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VUO50-12N03
Виробник: IXYS
J3-1
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VUO60-12N03
MODULE
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
10094012-N0300YYLF 10094012.pdf
Виробник: Amphenol ICC (FCI)
Description: CBL ASSY DENSISHD 16P-RJ45 9.84'
Packaging: Bulk
Connector Type: DensiShield™ 16 pos to RJ45, 8p8c
Length: 9.84' (3.00m)
Shielding: Shielded
Cable Type: Round
Part Status: Active
товар відсутній
10094012-N0300YYLF FRCIS66678_1-2537048.pdf
Виробник: Amphenol FCI
Specialised Cables 10094012-N0300YYLF DENSI-SHLD-RJ45
товар відсутній
BSB012N03LX3 G BSB012N03LX3G.pdf
BSB012N03LX3 G
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 39A/180A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 15 V
товар відсутній
BSB012N03LX3GXUMA1 bsb012n03lx3_g_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304320d39d590121a011.pdf
BSB012N03LX3GXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 39A 7-Pin WDSON T/R
товар відсутній
BSN012N03LSIXUSA1 bsn012n03lsi_rev2.0.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 6-Pin USON
товар відсутній
BSN012N03LSXUSA1 bsn012n03ls_rev2.0.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 6-Pin USON
товар відсутній
FDMC012N03 fdmc012n03-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 117A; Idm: 688A; 64W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 117A
Pulsed drain current: 688A
Power dissipation: 64W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDMC012N03 fdmc012n03-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 117A; Idm: 688A; 64W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 117A
Pulsed drain current: 688A
Power dissipation: 64W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMC012N03 fdmc012n03-d.pdf
FDMC012N03
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 35A/185A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8183 pF @ 15 V
товар відсутній
FDMC012N03 3655474119776768fdmc012n03.pdf
FDMC012N03
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin Power 33 EP T/R
товар відсутній
M-2012N-036B-G
Виробник: NKK Switches
Description: SWITCH
Packaging: Bulk
товар відсутній
M2012SA2G30 MtogglesAnglePC-1663562.pdf
M2012SA2G30
Виробник: NKK Switches
Toggle Switches SPDT ON-NONE-ON
товар відсутній
USB-A-PLUG RECTANGULAR
Виробник: Panstrong Company Ltd.
USB-A-STECKER 90
товар відсутній
USB-A-PLUG RECTANGULAR SMT
Виробник: Panstrong Company Ltd.
USBAM0301-2N03
товар відсутній
VUO50-12NO3 VUO50.pdf
VUO50-12NO3
Виробник: IXYS
Description: BRIDGE RECT 3P 1.2KV 58A FO-F-B
Packaging: Box
Package / Case: FO-F-B
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: FO-F-B
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 58 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1200 V
товар відсутній