Результат пошуку "1016V" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 35
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 10000
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 30
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
100uF 16V KR1 5x11mm (KR1-016V101MC110-Koshin) (електролітичний конденсатор) Код товару: 33885 |
Koshin |
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні Ємність: 100 µF Номін.напруга: 16 V Серія: KR1 Тип: загального призначення мініатюрні з температурою 85С Темп.діап.: -40...+85°C Габарити: 5х11mm |
у наявності: 12 шт
|
|
|||||||||||||||
DMG1016V-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.63/-0.46A; 0.53W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.63/-0.46A Power dissipation: 0.53W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 0.4/0.7Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 2674 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMG1016V-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.63/-0.46A; 0.53W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.63/-0.46A Power dissipation: 0.53W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 0.4/0.7Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2674 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMG1016V-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 530mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
на замовлення 76835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMG1016V-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563 |
на замовлення 322195 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMG1016V-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 530mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMG1016V-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMG1016VQ-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 530mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMG1016VQ-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 530mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
на замовлення 185455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMG1016VQ-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMG1016VQ-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 530mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
на замовлення 183000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMG1016VQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET Comp Pair Enh FET 20Vdss 6Vgss |
на замовлення 11866 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
K6R1016V1D-UI10 | Мікросхема пам'яті High-Speed CMOS Static RAM, 64Kx16 Bit, 3.3V TSSOP-44 |
на замовлення 355 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
LA4445; SIPM12; (10-16V) 2x5.5/4 Ohm УНЧ |
на замовлення 2 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STR-10-16V-BLDC-MDK-GEVB | onsemi |
Description: EVAL BOARD NCP1034 NTMFS4C302N Packaging: Box Function: Motor Controller/Driver Type: Power Management Utilized IC / Part: NCP1034, NTMFS4C302N Supplied Contents: Board(s) Primary Attributes: 10V ~ 16V Input Voltage Embedded: No Part Status: Active |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STR-10-16V-BLDC-MDK-GEVK | onsemi | Power Management IC Development Tools MV MOSFET 3-PHASE BLDC MOTOR DRIVER |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STR-10-16V-BLDC-MDK-GEVK | onsemi |
Description: EVAL KIT NCP1034 NTMFS4C302N Packaging: Box Function: Motor Controller/Driver Type: Power Management Utilized IC / Part: NCP1034, NTMFS4C302N Supplied Contents: Board(s) Primary Attributes: 10V ~ 16V Input Voltage Embedded: No Part Status: Active |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WCFS1016V1C-TC12 | Ampleon USA Inc. |
Description: WCFS1StatRAM Packaging: Bulk |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
C3216X7R1C105KT1UF1016VX7R | TDK | 10+ |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
CD110-16V-4.7?F±20? | NOVA | N/A |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
K6R1016V1B-JC10 | SAMSUNG | 04+ SOJ44 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
K6R1016V1B-JC10T |
на замовлення 3280 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
K6R1016V1B-JC12 | SAMSUNG | 04+ SOJ44 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
K6R1016V1B-JC12T |
на замовлення 1560 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
K6R1016V1B-JC8 | SAMSUNG | 04+ SOJ44 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
K6R1016V1B-JC8T |
на замовлення 1330 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
K6R1016V1B-JI10 | SAMSUNG | 04+ SOJ44 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
K6R1016V1B-JI10T |
на замовлення 869 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
K6R1016V1B-JI12 | SAMSUNG | 04+ SOJ44 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
K6R1016V1B-JI12T |
на замовлення 1340 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
K6R1016V1B-JI8 | SAMSUNG | 04+ SOJ44 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
K6R1016V1B-JI8T |
на замовлення 3080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
K6R1016V1B-JL10 |
на замовлення 1280 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
K6R1016V1B-JL10T |
на замовлення 880 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
K6R1016V1B-JL12 |
на замовлення 980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
K6R1016V1B-JL12T |
на замовлення 869 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
K6R1016V1B-JL8 |
на замовлення 738 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
K6R1016V1B-JL8T |
на замовлення 780 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
K6R1016V1B-JP10 |
на замовлення 1080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
K6R1016V1B-JP10T |
на замовлення 880 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
K6R1016V1B-JP12 |
на замовлення 980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
K6R1016V1B-JP12T |
на замовлення 869 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
K6R1016V1B-JP8 |
на замовлення 738 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
K6R1016V1B-JP8T |
на замовлення 1316 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
K6R1016V1B-TC10 | SAMSUNG | 04+ TSOP44 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
K6R1016V1B-TC10T |
на замовлення 1310 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
K6R1016V1B-TC12 | SAMSUNG | 04+ TSOP44 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
K6R1016V1B-TC12T |
на замовлення 1440 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
K6R1016V1B-TC8 | SAMSUNG | 04+ TSOP44 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
K6R1016V1B-TI10 | SAMSUNG | 04+ TSOP44 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
K6R1016V1B-TI10T |
на замовлення 1558 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
K6R1016V1B-TI12 | SAMSUNG | 04+ TSOP44 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
K6R1016V1B-TI12T |
на замовлення 980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
K6R1016V1B-TI8 | SAMSUNG | 04+ TSOP44 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
K6R1016V1B-TI8T |
на замовлення 2620 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
K6R1016V1B-TL10 |
на замовлення 1569 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
K6R1016V1B-TL10T |
на замовлення 2530 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
K6R1016V1B-TL12 |
на замовлення 1316 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
K6R1016V1B-TL12T |
на замовлення 2440 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
K6R1016V1B-TL8 |
на замовлення 1530 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
100uF 16V KR1 5x11mm (KR1-016V101MC110-Koshin) (електролітичний конденсатор) Код товару: 33885 |
Виробник: Koshin
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: KR1
Тип: загального призначення мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 5х11mm
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: KR1
Тип: загального призначення мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 5х11mm
у наявності: 12 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 1.5 грн |
10+ | 1.1 грн |
DMG1016V-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.63/-0.46A; 0.53W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.63/-0.46A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.4/0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.63/-0.46A; 0.53W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.63/-0.46A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.4/0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
35+ | 11.78 грн |
55+ | 6.94 грн |
100+ | 6.1 грн |
150+ | 5.61 грн |
405+ | 5.33 грн |
DMG1016V-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.63/-0.46A; 0.53W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.63/-0.46A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.4/0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.63/-0.46A; 0.53W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.63/-0.46A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.4/0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 14.14 грн |
35+ | 8.65 грн |
100+ | 7.32 грн |
150+ | 6.73 грн |
405+ | 6.4 грн |
3000+ | 6.14 грн |
DMG1016V-7 |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 76835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 22.57 грн |
19+ | 15.5 грн |
100+ | 7.81 грн |
500+ | 6.5 грн |
1000+ | 5.06 грн |
DMG1016V-7 |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
MOSFET MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
на замовлення 322195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 33.61 грн |
17+ | 18.35 грн |
100+ | 7.94 грн |
1000+ | 5.79 грн |
3000+ | 5.18 грн |
9000+ | 4.85 грн |
24000+ | 4.71 грн |
DMG1016V-7 |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 5.01 грн |
6000+ | 4.74 грн |
DMG1016V-7 |
Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 4.42 грн |
DMG1016VQ-13 |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 9.4 грн |
30000+ | 8.84 грн |
50000+ | 8.62 грн |
DMG1016VQ-7 |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 185455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 31.31 грн |
11+ | 26.09 грн |
100+ | 18.1 грн |
500+ | 13.26 грн |
1000+ | 10.78 грн |
DMG1016VQ-7 |
Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 7.85 грн |
DMG1016VQ-7 |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 183000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 10.67 грн |
6000+ | 9.75 грн |
9000+ | 9.05 грн |
30000+ | 8.3 грн |
75000+ | 8.09 грн |
DMG1016VQ-7 |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET Comp Pair Enh FET 20Vdss 6Vgss
MOSFET Comp Pair Enh FET 20Vdss 6Vgss
на замовлення 11866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 33.61 грн |
11+ | 28.57 грн |
100+ | 17.3 грн |
500+ | 13.53 грн |
1000+ | 10.97 грн |
3000+ | 9.42 грн |
K6R1016V1D-UI10 |
Мікросхема пам'яті High-Speed CMOS Static RAM, 64Kx16 Bit, 3.3V TSSOP-44
на замовлення 355 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 87.34 грн |
LA4445; SIPM12; (10-16V) 2x5.5/4 Ohm УНЧ |
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 333.48 грн |
STR-10-16V-BLDC-MDK-GEVB |
Виробник: onsemi
Description: EVAL BOARD NCP1034 NTMFS4C302N
Packaging: Box
Function: Motor Controller/Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: NCP1034, NTMFS4C302N
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 10V ~ 16V Input Voltage
Embedded: No
Part Status: Active
Description: EVAL BOARD NCP1034 NTMFS4C302N
Packaging: Box
Function: Motor Controller/Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: NCP1034, NTMFS4C302N
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 10V ~ 16V Input Voltage
Embedded: No
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 12409.14 грн |
STR-10-16V-BLDC-MDK-GEVK |
Виробник: onsemi
Power Management IC Development Tools MV MOSFET 3-PHASE BLDC MOTOR DRIVER
Power Management IC Development Tools MV MOSFET 3-PHASE BLDC MOTOR DRIVER
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 31547.51 грн |
STR-10-16V-BLDC-MDK-GEVK |
Виробник: onsemi
Description: EVAL KIT NCP1034 NTMFS4C302N
Packaging: Box
Function: Motor Controller/Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: NCP1034, NTMFS4C302N
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 10V ~ 16V Input Voltage
Embedded: No
Part Status: Active
Description: EVAL KIT NCP1034 NTMFS4C302N
Packaging: Box
Function: Motor Controller/Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: NCP1034, NTMFS4C302N
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 10V ~ 16V Input Voltage
Embedded: No
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 27183.44 грн |
WCFS1016V1C-TC12 |
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 691.35 грн |
C3216X7R1C105KT1UF1016VX7R |
Виробник: TDK
10+
10+
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)K6R1016V1B-JC10 |
Виробник: SAMSUNG
04+ SOJ44
04+ SOJ44
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)K6R1016V1B-JC12 |
Виробник: SAMSUNG
04+ SOJ44
04+ SOJ44
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)K6R1016V1B-JI10 |
Виробник: SAMSUNG
04+ SOJ44
04+ SOJ44
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)K6R1016V1B-JI12 |
Виробник: SAMSUNG
04+ SOJ44
04+ SOJ44
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)K6R1016V1B-TC10 |
Виробник: SAMSUNG
04+ TSOP44
04+ TSOP44
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)K6R1016V1B-TC12 |
Виробник: SAMSUNG
04+ TSOP44
04+ TSOP44
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)K6R1016V1B-TC8 |
Виробник: SAMSUNG
04+ TSOP44
04+ TSOP44
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)K6R1016V1B-TI10 |
Виробник: SAMSUNG
04+ TSOP44
04+ TSOP44
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)K6R1016V1B-TI12 |
Виробник: SAMSUNG
04+ TSOP44
04+ TSOP44
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)K6R1016V1B-TI8 |
Виробник: SAMSUNG
04+ TSOP44
04+ TSOP44
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]