Результат пошуку "BSS138" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 14
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 236
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 37
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 12932
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 500
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 35
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 29
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 45
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 15
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 15
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 65
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 400
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 500
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 670
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 500
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 400
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1295
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 55
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 21
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 47
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 32
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 55
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 51
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3632
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSS138 Код товару: 197212
Додати до обраних
Обраний товар
|
UMW |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: SOT-23 Uds,V: 50 V Idd,A: 0,2 A Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 50/ Монтаж: SMD |
у наявності: 8720 шт
7094 шт - склад
630 шт - РАДІОМАГ-Київ 317 шт - РАДІОМАГ-Львів 679 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||||
|
BSS138 (CJ, SOT-23) Код товару: 186257
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
CJ |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: SOT-23 Uds,V: 50 V Idd,A: 0,2 A Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 27/ Монтаж: SMD |
у наявності: 4406 шт
3569 шт - склад
250 шт - РАДІОМАГ-Київ 200 шт - РАДІОМАГ-Львів 180 шт - РАДІОМАГ-Харків 207 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||||
|
BSS138W Код товару: 49988
Додати до обраних
Обраний товар
|
Fairchild |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: SOT-323 Uds,V: 50 V Idd,A: 0,2 A Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 50/ Монтаж: SMD |
у наявності: 95106 шт
84957 шт - склад
2522 шт - РАДІОМАГ-Київ 2018 шт - РАДІОМАГ-Львів 2887 шт - РАДІОМАГ-Харків 2722 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||||
|
BSS138 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS138 | ONS/FAI |
N-Channel 50 V 220mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 Транзистори |
на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| BSS138 | --- |
Транзистори |
на замовлення 400 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
BSS138 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED |
Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS138 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 3.5 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm |
на замовлення 522000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS138 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23 |
на замовлення 1014 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS138 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED |
Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE |
на замовлення 1462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| BSS138 | HT Jinyu Semiconductor |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
на замовлення 711000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
BSS138 | GOODWORK |
Description: 50V 220MA 1.7@10V N SOT-23 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| BSS138 | Microdiode Electronics (MDD) |
BSS138 |
на замовлення 222000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
BSS138 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 3.5 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm |
на замовлення 173601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS138 | NextGen Components |
Description: MOSFET N-CH 50V 0.34A SOT23 |
на замовлення 297000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS138 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 3.5 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm |
на замовлення 173601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS138 | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: 50V 220MA 3.5@10V,220MA 225MW N |
на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS138 | EVVO |
Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3 |
на замовлення 4082 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS138 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 306000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS138 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V |
на замовлення 695960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS138 | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 2.5 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm |
на замовлення 35205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS138 | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: 50V 220MA 3.5@10V,220MA 225MW N |
на замовлення 2151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS138 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS138 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V |
на замовлення 695960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS138 | onsemi |
MOSFETs SOT-23 N-CH LOGIC |
на замовлення 831693 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS138 | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 2.5 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm |
на замовлення 35205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS138 | ON-Semiconductor |
N-MOSFET 50V 220mA 3.5Ω 360mW BSS138 Fairchild TBSS138 FAIкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1340 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS138 | SLKOR |
Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 SLKOR TBSS138 SLкількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 1970 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS138 | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 JSMICRO TBSS138 кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS138 | LGE |
Transistor N-MOSFET; 50V; 10V; 3,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138 SOT23 LGE TBSS138 LGEкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 670 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS138 | FUXINSEMI |
Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138-TP-ES; BSS138-TP; BSS138 SOT23-3(T/R) FUXIN TBSS138 FUXкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS138 | JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH |
Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 3,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138 SOT23-3 CJ TBSS138 CJкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS138 | MDD(Microdiode Electronics) |
50V 500mA 1.1?@4.5V,0.3A 500mW 1.5V 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs BSS138 SOT-23 MDD(MICRODIODE) TBSS138 MDDкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS138 | GALAXY |
Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 200mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 GALAXY TBкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2600 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS138 | UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 300mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 UMW TBSS1кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 1705 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS138 | JUXING |
Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 JUXING TBSS138 Jкількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS138 | REALCHIP |
Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; BSS138 SOT23 RealChip TBSS138 REAкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS138 | KINGTRONICS |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Similar to: BSS138PW,115; BSS138BW SOT323 KINGTRONICS TBSS138pw KTкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS138 | HT SEMI |
Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2,5Ohm; 340mA; 350mW; -55°C~150°C; similar to: BSS138-TP BSS138 SOT23 HT SEMI TBSS138 HTSEMIкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 5900 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS138 | YFW |
Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; BSS138 SOT23 YFW TBSS138 YFWкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS138 | LGE |
Transistor N-MOSFET; 50V; 10V; 3,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138 SOT23 LGE TBSS138 LGEкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS138 | HXY MOSFET |
Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 HXY MOSFET TBSS1кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 1300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS138 SOT23 | LGE |
Transistor N-MOSFET; 50V; 10V; 3,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138 SOT23 LGE TBSS138 LGEкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 1295 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS138 SS | SHIKUES |
Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 200mA; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 SHIKUES TBSS138 SHKкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS138"SS" | JUXING |
Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 JUXING TBSS138 Jкількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS138-13-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSS138-13-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm |
на замовлення 2386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V |
на замовлення 2539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
BSS138-13-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSS138-13-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm |
на замовлення 2386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS138-13-F | Diodes Incorporated |
MOSFETs BSS Family |
на замовлення 505748 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS138-13-F | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS138-13-F | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS138-13-F-W | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| BSS138-13-F-W | Diodes Incorporated |
BSS Family SOT23 T&R 10K |
на замовлення 6482 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
|
BSS138-13-F-W | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V |
на замовлення 98449 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS138-7-F | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 6997 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| BSS138-7-F | Diodes INC. |
N-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 200 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10, Rds = 3,5 Ом @ 220 мA, 10 В, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
BSS138-7-F | Diodes |
N-кан. MOSFET 50V, 0.2A, 0.225Вт, 3.5Ом, SOT-23 (SMD) Транзистори |
на замовлення 55 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS138-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSS138-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm |
на замовлення 337085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS138-7-F | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 333000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS138-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSS138-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm |
на замовлення 337085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BSS138 Код товару: 197212
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: UMW
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/
Монтаж: SMD
у наявності: 8720 шт
7094 шт - склад
630 шт - РАДІОМАГ-Київ
317 шт - РАДІОМАГ-Львів
679 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
630 шт - РАДІОМАГ-Київ
317 шт - РАДІОМАГ-Львів
679 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 2.50 грн |
| 11+ | 1.90 грн |
| 100+ | 1.40 грн |
| 1000+ | 0.90 грн |
| BSS138 (CJ, SOT-23) Код товару: 186257
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: CJ
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 27/
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 27/
Монтаж: SMD
у наявності: 4406 шт
3569 шт - склад
250 шт - РАДІОМАГ-Київ
200 шт - РАДІОМАГ-Львів
180 шт - РАДІОМАГ-Харків
207 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
250 шт - РАДІОМАГ-Київ
200 шт - РАДІОМАГ-Львів
180 шт - РАДІОМАГ-Харків
207 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 16+ | 1.30 грн |
| 100+ | 1.20 грн |
| BSS138W Код товару: 49988
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Fairchild
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-323
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-323
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/
Монтаж: SMD
у наявності: 95106 шт
84957 шт - склад
2522 шт - РАДІОМАГ-Київ
2018 шт - РАДІОМАГ-Львів
2887 шт - РАДІОМАГ-Харків
2722 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2522 шт - РАДІОМАГ-Київ
2018 шт - РАДІОМАГ-Львів
2887 шт - РАДІОМАГ-Харків
2722 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 3.50 грн |
| 10+ | 3.10 грн |
| 100+ | 2.70 грн |
| 1000+ | 1.90 грн |
| BSS138 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 455.81 грн |
| BSS138 |
![]() |
Виробник: ONS/FAI
N-Channel 50 V 220mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 Транзистори
N-Channel 50 V 220mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 Транзистори
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 312.00 грн |
| BSS138 |
![]() |
Виробник: ---
Транзистори
Транзистори
на замовлення 400 шт:
термін постачання 5 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 236+ | 1.33 грн |
| BSS138 |
![]() |
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.72 грн |
| 6000+ | 1.47 грн |
| 9000+ | 1.37 грн |
| 15000+ | 1.19 грн |
| 21000+ | 1.13 грн |
| 30000+ | 1.07 грн |
| BSS138 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
Description: ONSEMI - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
на замовлення 522000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.64 грн |
| 9000+ | 4.32 грн |
| BSS138 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23
Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 16.61 грн |
| 32+ | 9.68 грн |
| 100+ | 6.00 грн |
| 500+ | 4.12 грн |
| 1000+ | 3.63 грн |
| BSS138 |
![]() |
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 37+ | 8.70 грн |
| 58+ | 5.26 грн |
| 100+ | 3.22 грн |
| 500+ | 2.18 грн |
| 1000+ | 1.91 грн |
| BSS138 |
![]() |
Виробник: HT Jinyu Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
на замовлення 711000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12932+ | 1.09 грн |
| 60000+ | 0.95 грн |
| 300000+ | 0.84 грн |
| BSS138 |
![]() |
Виробник: GOODWORK
Description: 50V 220MA 1.7@10V N SOT-23
Description: 50V 220MA 1.7@10V N SOT-23
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 0.75 грн |
| BSS138 |
![]() |
Виробник: Microdiode Electronics (MDD)
BSS138
BSS138
на замовлення 222000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6000+ | 2.78 грн |
| 114000+ | 2.54 грн |
| 171000+ | 2.36 грн |
| BSS138 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
Description: ONSEMI - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
на замовлення 173601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 6.89 грн |
| 1500+ | 5.44 грн |
| BSS138 |
![]() |
Виробник: NextGen Components
Description: MOSFET N-CH 50V 0.34A SOT23
Description: MOSFET N-CH 50V 0.34A SOT23
на замовлення 297000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6000+ | 4.60 грн |
| BSS138 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
Description: ONSEMI - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
на замовлення 173601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 35+ | 24.12 грн |
| 82+ | 10.09 грн |
| 100+ | 8.78 грн |
| 500+ | 6.89 грн |
| 1500+ | 5.44 грн |
| BSS138 |
![]() |
Виробник: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 50V 220MA 3.5@10V,220MA 225MW N
Description: 50V 220MA 3.5@10V,220MA 225MW N
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.44 грн |
| 6000+ | 1.23 грн |
| 9000+ | 1.14 грн |
| 15000+ | 0.98 грн |
| 21000+ | 0.93 грн |
| 30000+ | 0.88 грн |
| BSS138 |
![]() |
Виробник: EVVO
Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
на замовлення 4082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 29+ | 11.08 грн |
| 48+ | 6.48 грн |
| 100+ | 3.98 грн |
| 500+ | 2.71 грн |
| 1000+ | 2.38 грн |
| BSS138 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 306000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.49 грн |
| 6000+ | 6.83 грн |
| 12000+ | 6.02 грн |
| 27000+ | 5.41 грн |
| 51000+ | 5.00 грн |
| BSS138 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V
на замовлення 695960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.05 грн |
| 6000+ | 3.50 грн |
| BSS138 |
![]() |
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
Description: MULTICOMP PRO - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
на замовлення 35205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 8.45 грн |
| 174+ | 4.73 грн |
| 500+ | 3.18 грн |
| 1000+ | 2.54 грн |
| 5000+ | 1.82 грн |
| BSS138 |
![]() |
Виробник: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 50V 220MA 3.5@10V,220MA 225MW N
Description: 50V 220MA 3.5@10V,220MA 225MW N
на замовлення 2151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 45+ | 7.12 грн |
| 69+ | 4.42 грн |
| 113+ | 2.72 грн |
| 500+ | 1.83 грн |
| 1000+ | 1.60 грн |
| BSS138 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23
Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.33 грн |
| BSS138 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V
на замовлення 695960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.36 грн |
| 25+ | 12.34 грн |
| 100+ | 7.67 грн |
| 500+ | 5.31 грн |
| 1000+ | 4.70 грн |
| BSS138 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs SOT-23 N-CH LOGIC
MOSFETs SOT-23 N-CH LOGIC
на замовлення 831693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.91 грн |
| 25+ | 13.18 грн |
| 100+ | 7.10 грн |
| 500+ | 5.27 грн |
| 1000+ | 4.64 грн |
| BSS138 |
![]() |
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
Description: MULTICOMP PRO - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
на замовлення 35205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 65+ | 12.72 грн |
| 98+ | 8.45 грн |
| 174+ | 4.73 грн |
| 500+ | 3.18 грн |
| 1000+ | 2.54 грн |
| 5000+ | 1.82 грн |
| BSS138 |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
N-MOSFET 50V 220mA 3.5Ω 360mW BSS138 Fairchild TBSS138 FAI
кількість в упаковці: 100 шт
N-MOSFET 50V 220mA 3.5Ω 360mW BSS138 Fairchild TBSS138 FAI
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 400+ | 1.95 грн |
| BSS138 |
![]() |
Виробник: SLKOR
Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 SLKOR TBSS138 SL
кількість в упаковці: 1000 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 SLKOR TBSS138 SL
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 0.78 грн |
| BSS138 |
![]() |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 JSMICRO TBSS138
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 JSMICRO TBSS138
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 1.41 грн |
| BSS138 |
![]() |
Виробник: LGE
Transistor N-MOSFET; 50V; 10V; 3,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138 SOT23 LGE TBSS138 LGE
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor N-MOSFET; 50V; 10V; 3,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138 SOT23 LGE TBSS138 LGE
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 670 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 0.92 грн |
| BSS138 |
![]() |
Виробник: FUXINSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138-TP-ES; BSS138-TP; BSS138 SOT23-3(T/R) FUXIN TBSS138 FUX
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138-TP-ES; BSS138-TP; BSS138 SOT23-3(T/R) FUXIN TBSS138 FUX
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 0.90 грн |
| BSS138 |
![]() |
Виробник: JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH
Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 3,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138 SOT23-3 CJ TBSS138 CJ
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 3,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138 SOT23-3 CJ TBSS138 CJ
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 1.32 грн |
| BSS138 |
![]() |
Виробник: MDD(Microdiode Electronics)
50V 500mA 1.1?@4.5V,0.3A 500mW 1.5V 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs BSS138 SOT-23 MDD(MICRODIODE) TBSS138 MDD
кількість в упаковці: 500 шт
50V 500mA 1.1?@4.5V,0.3A 500mW 1.5V 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs BSS138 SOT-23 MDD(MICRODIODE) TBSS138 MDD
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 1.10 грн |
| BSS138 |
![]() |
Виробник: GALAXY
Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 200mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 GALAXY TB
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 200mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 GALAXY TB
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 1.10 грн |
| BSS138 |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 300mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 UMW TBSS1
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 300mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 UMW TBSS1
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 0.90 грн |
| BSS138 |
![]() |
Виробник: JUXING
Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 JUXING TBSS138 J
кількість в упаковці: 1000 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 JUXING TBSS138 J
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 0.75 грн |
| BSS138 |
![]() |
Виробник: REALCHIP
Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; BSS138 SOT23 RealChip TBSS138 REA
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; BSS138 SOT23 RealChip TBSS138 REA
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 0.73 грн |
| BSS138 |
![]() |
Виробник: KINGTRONICS
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Similar to: BSS138PW,115; BSS138BW SOT323 KINGTRONICS TBSS138pw KT
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Similar to: BSS138PW,115; BSS138BW SOT323 KINGTRONICS TBSS138pw KT
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 0.82 грн |
| BSS138 |
![]() |
Виробник: HT SEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2,5Ohm; 340mA; 350mW; -55°C~150°C; similar to: BSS138-TP BSS138 SOT23 HT SEMI TBSS138 HTSEMI
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2,5Ohm; 340mA; 350mW; -55°C~150°C; similar to: BSS138-TP BSS138 SOT23 HT SEMI TBSS138 HTSEMI
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 0.75 грн |
| BSS138 |
![]() |
Виробник: YFW
Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; BSS138 SOT23 YFW TBSS138 YFW
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; BSS138 SOT23 YFW TBSS138 YFW
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 0.80 грн |
| BSS138 |
![]() |
Виробник: LGE
Transistor N-MOSFET; 50V; 10V; 3,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138 SOT23 LGE TBSS138 LGE
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor N-MOSFET; 50V; 10V; 3,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138 SOT23 LGE TBSS138 LGE
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 0.92 грн |
| BSS138 |
![]() |
Виробник: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 HXY MOSFET TBSS1
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 HXY MOSFET TBSS1
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 0.94 грн |
| BSS138 SOT23 |
![]() |
Виробник: LGE
Transistor N-MOSFET; 50V; 10V; 3,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138 SOT23 LGE TBSS138 LGE
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor N-MOSFET; 50V; 10V; 3,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138 SOT23 LGE TBSS138 LGE
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 0.92 грн |
| BSS138 SS |
![]() |
Виробник: SHIKUES
Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 200mA; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 SHIKUES TBSS138 SHK
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 200mA; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 SHIKUES TBSS138 SHK
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 1.12 грн |
| BSS138"SS" |
![]() |
Виробник: JUXING
Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 JUXING TBSS138 J
кількість в упаковці: 1000 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 JUXING TBSS138 J
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 0.75 грн |
| BSS138-13-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSS138-13-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
Description: DIODES INC. - BSS138-13-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
на замовлення 2386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 55+ | 15.18 грн |
| 73+ | 11.32 грн |
| 119+ | 6.92 грн |
| 500+ | 4.61 грн |
| 1000+ | 3.70 грн |
| BSS138-13-F |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 2539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 15.82 грн |
| 34+ | 9.07 грн |
| 100+ | 5.62 грн |
| 500+ | 3.86 грн |
| 1000+ | 3.40 грн |
| 2000+ | 3.01 грн |
| BSS138-13-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSS138-13-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
Description: DIODES INC. - BSS138-13-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
на замовлення 2386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 11.32 грн |
| 119+ | 6.92 грн |
| 500+ | 4.61 грн |
| 1000+ | 3.70 грн |
| BSS138-13-F |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs BSS Family
MOSFETs BSS Family
на замовлення 505748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 16.25 грн |
| 34+ | 9.70 грн |
| 100+ | 5.27 грн |
| 500+ | 3.80 грн |
| 1000+ | 3.02 грн |
| BSS138-13-F |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 2.63 грн |
| BSS138-13-F |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 2.63 грн |
| BSS138-13-F-W |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 2.73 грн |
| 20000+ | 2.38 грн |
| 30000+ | 2.26 грн |
| 50000+ | 1.99 грн |
| 70000+ | 1.91 грн |
| BSS138-13-F-W |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
BSS Family SOT23 T&R 10K
BSS Family SOT23 T&R 10K
на замовлення 6482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 47+ | 7.06 грн |
| 94+ | 3.48 грн |
| 122+ | 2.32 грн |
| 500+ | 2.11 грн |
| 1000+ | 1.97 грн |
| 2500+ | 1.90 грн |
| 5000+ | 1.83 грн |
| BSS138-13-F-W |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 98449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 16.61 грн |
| 32+ | 9.60 грн |
| 100+ | 5.96 грн |
| 500+ | 4.09 грн |
| 1000+ | 3.60 грн |
| 2000+ | 3.19 грн |
| 5000+ | 2.70 грн |
| BSS138-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6997 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 32+ | 14.59 грн |
| 40+ | 10.84 грн |
| 46+ | 9.40 грн |
| 70+ | 6.11 грн |
| 100+ | 4.88 грн |
| 500+ | 2.85 грн |
| 1000+ | 2.71 грн |
| 3000+ | 2.45 грн |
| 6000+ | 2.33 грн |
| BSS138-7-F |
![]() |
Виробник: Diodes INC.
N-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 200 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10, Rds = 3,5 Ом @ 220 мA, 10 В, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 200 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10, Rds = 3,5 Ом @ 220 мA, 10 В, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.52 грн |
| BSS138-7-F |
![]() |
Виробник: Diodes
N-кан. MOSFET 50V, 0.2A, 0.225Вт, 3.5Ом, SOT-23 (SMD) Транзистори
N-кан. MOSFET 50V, 0.2A, 0.225Вт, 3.5Ом, SOT-23 (SMD) Транзистори
на замовлення 55 шт:
термін постачання 5 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 55+ | 5.68 грн |
| BSS138-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSS138-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
Description: DIODES INC. - BSS138-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
на замовлення 337085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 51+ | 16.16 грн |
| 93+ | 8.86 грн |
| 138+ | 5.95 грн |
| 500+ | 4.22 грн |
| 1500+ | 3.78 грн |
| BSS138-7-F |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 333000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3632+ | 3.89 грн |
| 6000+ | 3.47 грн |
| 9000+ | 3.26 грн |
| 15000+ | 2.91 грн |
| 21000+ | 2.57 грн |
| 30000+ | 2.35 грн |
| BSS138-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSS138-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
Description: DIODES INC. - BSS138-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
на замовлення 337085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 8.86 грн |
| 138+ | 5.95 грн |
| 500+ | 4.22 грн |
| 1500+ | 3.78 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]




















