Результат пошуку "BYV27-200" : 11
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BYV27-200 | Philips |
2A; 200V; ultra fast <25ns; packaging: ammo; BYV27-200 diode rectifying DP BYV27-200 кількість в упаковці: 2500 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| BYV27-200 -TAP | Vishay |
2A; 200V; ultra fast <25ns; packaging: ammo; BYV27-200 diode rectifying DP BYV27-200 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1275 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
|
BYV27-200-TAP | VISHAY |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 200V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 25ns Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Case: SOD57 Mounting: THT Reverse recovery time: 25ns Leakage current: 0.15mA Max. forward voltage: 1.35V Load current: 2A Max. load current: 15A Max. forward impulse current: 50A Kind of package: Ammo Pack Max. off-state voltage: 200V Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated; ultrafast switching кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10922 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
| SBYV27-200 |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| SBYV27-200-E3-73 |
на замовлення 200000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| SBYV27-200-E3/73 |
|
на замовлення 80000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SBYV27-200-E3\54 | Vishay Semiconductors |
на замовлення 2 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| Діод BYV27-200-TAP | Vishay | Диод БМ SOD57 U=200 V I=2 A trr=25 ns |
на замовлення 4690 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
BYV27-200 Код товару: 23930
Додати до обраних
Обраний товар
|
Vishay |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкіКорпус: SOD-57 Vrr, V: 200 V Iav, A: 2 A |
товару немає в наявності
|
|
||||||||
|
BYV27-200-TAP Код товару: 118564
Додати до обраних
Обраний товар
|
Vishay |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкіКорпус: SOD-57 Vrr, V: 200 V Iav, A: 2 A Час зворотнього відновлення Trr, ns: 25 ns |
товару немає в наявності
|
|
| BYV27-200 |
Виробник: Philips
2A; 200V; ultra fast <25ns; packaging: ammo; BYV27-200 diode rectifying DP BYV27-200
кількість в упаковці: 2500 шт
2A; 200V; ultra fast <25ns; packaging: ammo; BYV27-200 diode rectifying DP BYV27-200
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 12.60 грн |
| BYV27-200 -TAP |
Виробник: Vishay
2A; 200V; ultra fast <25ns; packaging: ammo; BYV27-200 diode rectifying DP BYV27-200
кількість в упаковці: 50 шт
2A; 200V; ultra fast <25ns; packaging: ammo; BYV27-200 diode rectifying DP BYV27-200
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 16.03 грн |
| BYV27-200-TAP |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 25ns
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD57
Mounting: THT
Reverse recovery time: 25ns
Leakage current: 0.15mA
Max. forward voltage: 1.35V
Load current: 2A
Max. load current: 15A
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: Ammo Pack
Max. off-state voltage: 200V
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated; ultrafast switching
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 25ns
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD57
Mounting: THT
Reverse recovery time: 25ns
Leakage current: 0.15mA
Max. forward voltage: 1.35V
Load current: 2A
Max. load current: 15A
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: Ammo Pack
Max. off-state voltage: 200V
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated; ultrafast switching
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10922 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 55.23 грн |
| 10+ | 38.51 грн |
| 100+ | 29.00 грн |
| 500+ | 23.67 грн |
| SBYV27-200-E3-73 |
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| SBYV27-200-E3/73 |
![]() |
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| SBYV27-200-E3\54 |
Виробник: Vishay Semiconductors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Діод BYV27-200-TAP |
Виробник: Vishay
Диод БМ SOD57 U=200 V I=2 A trr=25 ns
Диод БМ SOD57 U=200 V I=2 A trr=25 ns
на замовлення 4690 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BYV27-200 Код товару: 23930
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Vishay
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SOD-57
Vrr, V: 200 V
Iav, A: 2 A
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SOD-57
Vrr, V: 200 V
Iav, A: 2 A
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 50.00 грн |
| 10+ | 5.60 грн |
| BYV27-200-TAP Код товару: 118564
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Vishay
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SOD-57
Vrr, V: 200 V
Iav, A: 2 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 25 ns
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SOD-57
Vrr, V: 200 V
Iav, A: 2 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 25 ns
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 50.00 грн |


