Результат пошуку "IRF2805" : 24
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 148
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 134
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 224
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 130
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 250
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 250
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF2805 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 4,7Ohm; 175A; 330W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRF2805L; IRF2805; IRF2805 TIRF2805 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IRF2805PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 175A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 150nC On-state resistance: 4.7mΩ Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 759 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF2805PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 175A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 150nC On-state resistance: 4.7mΩ Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 759 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF2805PBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 13729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF2805PBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 13720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF2805PBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF2805PBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF2805PBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 148 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRF2805PBF | International Rectifier HiRel Products |
![]() ![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IRF2805PBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF2805PBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF2805STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF2805STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRF2805 | IR | 09+ SMD |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IRF2805PBF | International Rectifier Corporation |
![]() ![]() |
на замовлення 29 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IRF2805S | IR | 07+ TO-263 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IRF2805S | IR | TO-263 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IRF2805 Код товару: 4025
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IRF2805PBF Код товару: 186509
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() ![]() |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRF2805PBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRF2805STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 135A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 135A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRF2805STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 135A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 135A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IRF2805 |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 4,7Ohm; 175A; 330W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRF2805L; IRF2805; IRF2805 TIRF2805
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 4,7Ohm; 175A; 330W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRF2805L; IRF2805; IRF2805 TIRF2805
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 81.54 грн |
IRF2805PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 4.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 4.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 82.11 грн |
10+ | 72.55 грн |
16+ | 62.18 грн |
42+ | 58.99 грн |
IRF2805PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 4.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 4.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 759 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 102.32 грн |
10+ | 87.05 грн |
16+ | 74.62 грн |
42+ | 70.79 грн |
IRF2805PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 91.36 грн |
10+ | 77.30 грн |
100+ | 76.58 грн |
500+ | 66.85 грн |
IRF2805PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
148+ | 83.11 грн |
IRF2805PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 107.56 грн |
50+ | 83.44 грн |
100+ | 81.12 грн |
IRF2805PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
134+ | 92.10 грн |
IRF2805PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 175A 4.7mOhm 150nC
MOSFETs MOSFT 55V 175A 4.7mOhm 150nC
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 108.93 грн |
10+ | 105.61 грн |
25+ | 75.08 грн |
100+ | 72.32 грн |
500+ | 70.94 грн |
1000+ | 70.72 грн |
IRF2805PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
224+ | 136.90 грн |
500+ | 123.62 грн |
1000+ | 113.40 грн |
IRF2805PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
130+ | 94.47 грн |
IRF2805PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 111.34 грн |
IRF2805STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 135A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 135A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
250+ | 122.60 грн |
IRF2805STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 135A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 135A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
250+ | 122.60 грн |
IRF2805 |
Виробник: IR
09+ SMD
09+ SMD
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF2805PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier Corporation
N-кан. MOSFET 55V, 75A, 4.7мОм, 230Вт, TO-220AB
N-кан. MOSFET 55V, 75A, 4.7мОм, 230Вт, TO-220AB
на замовлення 29 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF2805S |
Виробник: IR
07+ TO-263
07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF2805S |
Виробник: IR
TO-263
TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF2805 Код товару: 4025
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF2805PBF Код товару: 186509
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF2805PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF2805STRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 135A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 135A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 135A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 135A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF2805STRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 135A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 135A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 135A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 135A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.