Результат пошуку "IRF2805" : 20
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 141
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 139
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 9
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 250
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF2805 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 4,7Ohm; 175A; 330W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRF2805L; IRF2805; IRF2805 TIRF2805 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IRF2805PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 175A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 150nC On-state resistance: 4.7mΩ |
на замовлення 957 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF2805PBF | International Rectifier |
MOSFET N-CN, Udss=55V, Id=75A, Rds(on)=4.7mOhm, TO-220AB, -55...+175 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IRF2805PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF2805PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 175A 4.7mOhm 150nC |
на замовлення 1709 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF2805PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 11604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF2805PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 31000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF2805PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF2805PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 175 A, 4700 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 175A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF2805PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF2805PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 11604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF2805PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF2805STRLPBF | International Rectifier HiRel Products |
IRF2805STRLPBF |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF2805 | IR | 09+ SMD |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF2805S | IR | 07+ TO-263 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
IRF2805 Код товару: 4025
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
IRF2805PBF Код товару: 186509
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
IRF2805PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF2805SPBF | International Rectifier/Infineon |
N-канальный ПТ (Vds=55V, Id=75A , Rds=4.7m R).... Група товару: Транзистори Корпус: D2Pak Од. вим: шткількість в упаковці: 50 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
IRF2805STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 135A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 135A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF2805SPBF | Infineon |
N-кан. MOSFET 55V, 135A, 4.7мОм, 200Вт, D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF2805 |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 4,7Ohm; 175A; 330W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRF2805L; IRF2805; IRF2805 TIRF2805
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 4,7Ohm; 175A; 330W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRF2805L; IRF2805; IRF2805 TIRF2805
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 89.00 грн |
| IRF2805PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 4.7mΩ
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 4.7mΩ
на замовлення 957 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 145.85 грн |
| 10+ | 72.34 грн |
| 25+ | 68.98 грн |
| 50+ | 66.45 грн |
| 500+ | 62.25 грн |
| IRF2805PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CN, Udss=55V, Id=75A, Rds(on)=4.7mOhm, TO-220AB, -55...+175 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
MOSFET N-CN, Udss=55V, Id=75A, Rds(on)=4.7mOhm, TO-220AB, -55...+175 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 5 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 82.48 грн |
| IRF2805PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 141+ | 92.10 грн |
| IRF2805PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 175A 4.7mOhm 150nC
MOSFETs MOSFT 55V 175A 4.7mOhm 150nC
на замовлення 1709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 207.90 грн |
| 10+ | 106.08 грн |
| 100+ | 76.17 грн |
| 500+ | 67.93 грн |
| IRF2805PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 139+ | 93.22 грн |
| IRF2805PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 143.12 грн |
| IRF2805PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2805PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 175 A, 4700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRF2805PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 175 A, 4700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 253.56 грн |
| 10+ | 132.08 грн |
| 100+ | 108.43 грн |
| 500+ | 90.09 грн |
| IRF2805PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 83.23 грн |
| 29+ | 25.87 грн |
| 50+ | 25.61 грн |
| 100+ | 24.45 грн |
| IRF2805PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 268.79 грн |
| 10+ | 143.36 грн |
| 50+ | 141.93 грн |
| 100+ | 114.55 грн |
| 500+ | 94.61 грн |
| 1000+ | 87.63 грн |
| 2000+ | 78.84 грн |
| 5000+ | 78.05 грн |
| IRF2805PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF2805STRLPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
IRF2805STRLPBF
IRF2805STRLPBF
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 129.36 грн |
| 500+ | 121.81 грн |
| IRF2805 |
Виробник: IR
09+ SMD
09+ SMD
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF2805S |
Виробник: IR
07+ TO-263
07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF2805 Код товару: 4025
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF2805PBF Код товару: 186509
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF2805PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF2805SPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальный ПТ (Vds=55V, Id=75A , Rds=4.7m R).... Група товару: Транзистори Корпус: D2Pak Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
N-канальный ПТ (Vds=55V, Id=75A , Rds=4.7m R).... Група товару: Транзистори Корпус: D2Pak Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF2805STRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 135A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 135A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 135A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 135A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF2805SPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon
N-кан. MOSFET 55V, 135A, 4.7мОм, 200Вт, D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
N-кан. MOSFET 55V, 135A, 4.7мОм, 200Вт, D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.






