Результат пошуку "IRF9530N" : 38
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 14
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 16
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 286
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 317
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 291
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 156
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 156
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 246
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF9530NPBF Код товару: 32844
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Id,A: 12 А Rds(on),Om: 0,3 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 500/25 Монтаж: THT |
у наявності: 170 шт
137 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ 7 шт - РАДІОМАГ-Львів 7 шт - РАДІОМАГ-Харків 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||
IRF9530N | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530N-ML | MOSLEADER |
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 13A; 40W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF9530; IRF9530-BE3; IRF9530N; SP001570634; IRF9530N-ML MOSLEADER TIRF9530n MOS кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 65 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF9530NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -14A Power dissipation: 79W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 38.7nC On-state resistance: 0.2Ω Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 292 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRF9530NPBF | IR |
![]() |
на замовлення 21 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF9530NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -14A Power dissipation: 79W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 38.7nC On-state resistance: 0.2Ω Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 292 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF9530NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 25378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF9530NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF9530NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 32958 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF9530NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 25360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF9530NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF9530NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF9530NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRF9530NSTRL | Infineon |
P-MOSFET 100V 14A IRF9530NS, IRF9530NSTRL, IRF9530NSTRR IRF9530NS TIRF9530ns кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 353 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF9530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF9530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF9530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF9530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF9530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3565 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF9530NSTRRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRF9530NLPBF | IR |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
IRF9530NPBF 50K |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
IRF9530NPBF/IR | IR | 08+; |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IRF9530NS | IR |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IRF9530NSPBF | International Rectifier/Infineon |
![]() ![]() |
на замовлення 74 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
![]() |
IRF9530N Код товару: 7932
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Id,A: 12 A Rds(on),Om: 0,2 Ohm Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
IRF9530NS Код товару: 58984
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IRF9530NSPBF Код товару: 154938
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() ![]() |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
![]() |
IRF9530N | Infineon / IR |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
IRF9530NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
IRF9530NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -14A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
IRF9530NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -14A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
IRF9530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
IRF9530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IRF9530NSTRRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IRF9530NPBF Код товару: 32844
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 12 А
Rds(on),Om: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 500/25
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 12 А
Rds(on),Om: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 500/25
Монтаж: THT
у наявності: 170 шт
137 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
7 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
7 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 22.00 грн |
10+ | 19.80 грн |
100+ | 17.90 грн |
IRF9530N | ![]() |
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 24.63 грн |
IRF9530N-ML |
Виробник: MOSLEADER
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 13A; 40W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF9530; IRF9530-BE3; IRF9530N; SP001570634; IRF9530N-ML MOSLEADER TIRF9530n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 13A; 40W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF9530; IRF9530-BE3; IRF9530N; SP001570634; IRF9530N-ML MOSLEADER TIRF9530n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 21.24 грн |
IRF9530NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38.7nC
On-state resistance: 0.2Ω
Gate-source voltage: ±20V
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38.7nC
On-state resistance: 0.2Ω
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 96.60 грн |
10+ | 62.64 грн |
25+ | 50.19 грн |
30+ | 30.78 грн |
81+ | 29.15 грн |
IRF9530NPBF |
![]() |
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-100V; Id=-14A; Pdmax=79W; Rds=0,2 Ohm
Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-100V; Id=-14A; Pdmax=79W; Rds=0,2 Ohm
на замовлення 21 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 57.96 грн |
IRF9530NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38.7nC
On-state resistance: 0.2Ω
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38.7nC
On-state resistance: 0.2Ω
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 115.92 грн |
10+ | 78.05 грн |
25+ | 60.22 грн |
30+ | 36.93 грн |
81+ | 34.98 грн |
1000+ | 33.41 грн |
IRF9530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 25378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 44.43 грн |
50+ | 42.79 грн |
100+ | 39.29 грн |
500+ | 33.07 грн |
1000+ | 28.09 грн |
2000+ | 25.46 грн |
5000+ | 23.76 грн |
10000+ | 22.97 грн |
IRF9530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 38.89 грн |
50+ | 37.46 грн |
100+ | 34.40 грн |
500+ | 28.95 грн |
1000+ | 24.60 грн |
2000+ | 22.29 грн |
IRF9530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
на замовлення 32958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 90.94 грн |
10+ | 76.06 грн |
25+ | 45.21 грн |
100+ | 41.05 грн |
500+ | 33.48 грн |
1000+ | 29.40 грн |
2000+ | 27.32 грн |
IRF9530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 25360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
286+ | 42.62 грн |
IRF9530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
317+ | 38.46 грн |
394+ | 30.92 грн |
448+ | 27.18 грн |
500+ | 24.42 грн |
IRF9530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
291+ | 41.89 грн |
302+ | 40.34 грн |
329+ | 37.04 грн |
500+ | 31.18 грн |
1000+ | 26.49 грн |
2000+ | 24.00 грн |
IRF9530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 32.37 грн |
IRF9530NSTRL |
Виробник: Infineon
P-MOSFET 100V 14A IRF9530NS, IRF9530NSTRL, IRF9530NSTRR IRF9530NS TIRF9530ns
кількість в упаковці: 10 шт
P-MOSFET 100V 14A IRF9530NS, IRF9530NSTRL, IRF9530NSTRR IRF9530NS TIRF9530ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 353 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 35.71 грн |
IRF9530NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 38.35 грн |
2400+ | 36.26 грн |
4800+ | 32.79 грн |
IRF9530NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 41.28 грн |
2400+ | 39.02 грн |
4800+ | 35.30 грн |
IRF9530NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
156+ | 78.30 грн |
198+ | 61.75 грн |
211+ | 57.69 грн |
500+ | 42.96 грн |
800+ | 36.15 грн |
1600+ | 33.94 грн |
IRF9530NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
156+ | 78.30 грн |
198+ | 61.75 грн |
211+ | 57.69 грн |
500+ | 42.96 грн |
800+ | 36.15 грн |
1600+ | 33.94 грн |
IRF9530NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
на замовлення 3565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 130.78 грн |
10+ | 90.49 грн |
100+ | 55.90 грн |
500+ | 46.40 грн |
800+ | 36.67 грн |
2400+ | 34.67 грн |
IRF9530NSTRRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
246+ | 123.74 грн |
500+ | 111.57 грн |
1000+ | 102.44 грн |
IRF9530NLPBF |
Виробник: IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF9530NPBF/IR |
Виробник: IR
08+;
08+;
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF9530NS |
![]() |
Виробник: IR
TO-263
TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF9530NSPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 14 A; Ptot, Вт = 3,8; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 760 @ 25; Qg, нКл = 58 @ 10 В; Rds = 200 мОм @ 8,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 14 A; Ptot, Вт = 3,8; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 760 @ 25; Qg, нКл = 58 @ 10 В; Rds = 200 мОм @ 8,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
на замовлення 74 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF9530N Код товару: 7932
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 12 A
Rds(on),Om: 0,2 Ohm
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 12 A
Rds(on),Om: 0,2 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF9530NS Код товару: 58984
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF9530NSPBF Код товару: 154938
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF9530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF9530NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF9530NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF9530NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF9530NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF9530NSTRRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF9530NSTRRPBF SMD P channel transistors
IRF9530NSTRRPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.