IRF9530NPBF
Код товару: 32844
1
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 100 V
Струм стоку Id, A: 12 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 500/25
Монтаж: THT
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 22.00 грн |
| 10+ | 19.80 грн |
| 100+ | 17.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF9530NPBF за ціною від 24.39 грн до 175.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF9530NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 52003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9530NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 52013 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9530NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 29275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9530NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 29000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9530NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9530NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 79W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm |
на замовлення 14631 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9530NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -14A Power dissipation: 79W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 38.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 1253 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9530NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9530NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 14A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V |
на замовлення 17325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9530NPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC |
на замовлення 17907 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF9530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 52003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 285+ | 49.78 грн |
| IRF9530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 52013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 69.83 грн |
| 50+ | 38.06 грн |
| 100+ | 37.68 грн |
| 500+ | 35.98 грн |
| 1000+ | 32.97 грн |
| 2000+ | 31.35 грн |
| 5000+ | 31.02 грн |
| 10000+ | 30.71 грн |
| IRF9530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 29275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 77.91 грн |
| 2000+ | 72.02 грн |
| 5000+ | 65.64 грн |
| 10000+ | 59.51 грн |
| IRF9530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 77.91 грн |
| IRF9530NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9530NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
Description: INFINEON - IRF9530NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 14631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 87.79 грн |
| 17+ | 49.18 грн |
| 100+ | 44.06 грн |
| 500+ | 31.93 грн |
| 1000+ | 26.96 грн |
| 5000+ | 24.39 грн |
| IRF9530NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 89.41 грн |
| 10+ | 44.03 грн |
| 25+ | 40.67 грн |
| 50+ | 38.33 грн |
| 100+ | 35.98 грн |
| 250+ | 32.88 грн |
| 500+ | 30.69 грн |
| 1000+ | 30.19 грн |
| IRF9530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 116+ | 122.69 грн |
| 129+ | 109.90 грн |
| 500+ | 87.46 грн |
| 1000+ | 77.38 грн |
| 2000+ | 66.23 грн |
| IRF9530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 17325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 175.57 грн |
| 50+ | 81.85 грн |
| 100+ | 73.32 грн |
| 500+ | 54.76 грн |
| 1000+ | 50.24 грн |
| 2000+ | 46.44 грн |
| 5000+ | 41.64 грн |
| 10000+ | 39.14 грн |
| IRF9530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
на замовлення 17907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
З цим товаром купують
| IRF640NPBF Код товару: 42934
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 200 V
Струм стоку Idd, A: 18 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1160/67
Примітка: P=150W, -55...170 C
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 200 V
Струм стоку Idd, A: 18 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1160/67
Примітка: P=150W, -55...170 C
Монтаж: THT
у наявності: 688 шт
- 659 шт - склад
- 29 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 50 шт
- 50 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 28.00 грн |
| 10+ | 25.20 грн |
| 100+ | 22.50 грн |
| IRF530NPBF Код товару: 50641
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 100 V
Струм стоку Idd, A: 17 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 10,5
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 920/37
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 100 V
Струм стоку Idd, A: 17 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 10,5
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 920/37
Монтаж: THT
у наявності: 469 шт
- 416 шт - склад
- 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 17.50 грн |
| 10+ | 15.90 грн |
| 100+ | 14.40 грн |
| 1N4007 Код товару: 176822
16
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
у наявності: 60306 шт
- 53811 шт - склад
- 685 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 4089 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 1486 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 235 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 1.00 грн |
| 25+ | 0.80 грн |
| 100+ | 0.60 грн |
| 1000+ | 0.45 грн |
| 2,4 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-2K4R-Hitano) (S) Код товару: 13768
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 2,4 kOhm
Точність: ±5%
Рном, W: 0,25 W
Uроб, V: 250 V
Габарити: 3,2x1,6 mm; Dвив=0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 2,4 kOhm
Точність: ±5%
Рном, W: 0,25 W
Uроб, V: 250 V
Габарити: 3,2x1,6 mm; Dвив=0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 78 шт
- 78 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 0.70 грн |
| 100+ | 0.55 грн |
| 1000+ | 0.40 грн |









