IRF9530NPBF
Код товару: 32844
Виробник: IRКорпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 12 А
Rds(on),Om: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 500/25
Монтаж: THT
у наявності 193 шт:
174 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується 20 шт:
20 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 22.00 грн |
| 10+ | 19.80 грн |
| 100+ | 17.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF9530NPBF за ціною від 20.09 грн до 105.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF9530NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF9530NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF9530NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF9530NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF9530NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 42988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF9530NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 42988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF9530NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -14A Power dissipation: 79W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 38.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 1558 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF9530NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC |
на замовлення 15495 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF9530NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -14A Power dissipation: 79W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 38.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1558 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF9530NPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9530NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7757 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF9530NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 14A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V |
на замовлення 23505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF9530NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF9530NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| IRF530NPBF Код товару: 50641
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 10,5
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 10,5
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: THT
у наявності: 555 шт
532 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
40 шт
40 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 17.50 грн |
| 10+ | 15.90 грн |
| 100+ | 14.40 грн |
| 1N4007 Код товару: 176822
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
у наявності: 21308 шт
18451 шт - склад
937 шт - РАДІОМАГ-Київ
1267 шт - РАДІОМАГ-Львів
70 шт - РАДІОМАГ-Харків
583 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
937 шт - РАДІОМАГ-Київ
1267 шт - РАДІОМАГ-Львів
70 шт - РАДІОМАГ-Харків
583 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 1.00 грн |
| 63+ | 0.80 грн |
| 100+ | 0.60 грн |
| 1000+ | 0.45 грн |
| IRF640NPBF Код товару: 42934
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
у наявності: 854 шт
824 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 28.00 грн |
| 10+ | 25.20 грн |
| 100+ | 22.50 грн |
| 2,4 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-2K4R-Hitano) (S) Код товару: 13768
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 2,4 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 2,4 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 3215 шт
2252 шт - склад
401 шт - РАДІОМАГ-Київ
450 шт - РАДІОМАГ-Львів
112 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
401 шт - РАДІОМАГ-Київ
450 шт - РАДІОМАГ-Львів
112 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 80+ | 0.70 грн |
| 100+ | 0.55 грн |
| 1000+ | 0.40 грн |






