IRF9530NPBF
Код товару: 32844
1
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 12 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,3 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 500/25
Монтаж: THT
у наявності: 398 шт
- 363 шт - склад
- 7 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 20 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 14 шт
- 14 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 22.00 грн |
| 10+ | 19.80 грн |
| 100+ | 17.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF9530NPBF за ціною від 30.12 грн до 152.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF9530NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 29275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9530NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 29000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9530NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9530NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9530NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 58868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9530NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 58868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9530NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB Mounting: THT Power dissipation: 79W Gate charge: 38.7nC Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Drain current: -14A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -100V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO220AB On-state resistance: 0.2Ω |
на замовлення 2371 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9530NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 14A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V |
на замовлення 14113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9530NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9530NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 79W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm |
на замовлення 14307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF9530NPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC |
на замовлення 15162 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF9530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 29275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 42.43 грн |
| 2000+ | 40.24 грн |
| 5000+ | 36.65 грн |
| 10000+ | 34.99 грн |
| IRF9530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 42.43 грн |
| 2000+ | 40.24 грн |
| 5000+ | 36.65 грн |
| 10000+ | 34.99 грн |
| IRF9530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 214+ | 66.15 грн |
| 366+ | 38.58 грн |
| 370+ | 38.20 грн |
| 500+ | 36.47 грн |
| 1000+ | 33.43 грн |
| 2000+ | 31.76 грн |
| IRF9530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 66.31 грн |
| 50+ | 38.68 грн |
| 100+ | 38.29 грн |
| 500+ | 36.55 грн |
| 1000+ | 33.51 грн |
| 2000+ | 31.84 грн |
| IRF9530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 58868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 203+ | 69.68 грн |
| 372+ | 38.01 грн |
| 375+ | 37.63 грн |
| 500+ | 35.93 грн |
| 1000+ | 32.93 грн |
| 2000+ | 31.30 грн |
| 5000+ | 30.98 грн |
| 10000+ | 30.68 грн |
| IRF9530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 58868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 69.95 грн |
| 50+ | 38.15 грн |
| 100+ | 37.77 грн |
| 500+ | 36.06 грн |
| 1000+ | 33.05 грн |
| 2000+ | 31.42 грн |
| 5000+ | 31.10 грн |
| 10000+ | 30.80 грн |
| IRF9530NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 79W
Gate charge: 38.7nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: -14A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.2Ω
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 79W
Gate charge: 38.7nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: -14A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.2Ω
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 89.21 грн |
| 10+ | 43.93 грн |
| 25+ | 40.58 грн |
| 50+ | 38.24 грн |
| 100+ | 35.90 грн |
| 250+ | 32.80 грн |
| 500+ | 30.63 грн |
| 1000+ | 30.12 грн |
| IRF9530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 14113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 152.50 грн |
| 50+ | 70.79 грн |
| 100+ | 63.40 грн |
| 500+ | 47.33 грн |
| 1000+ | 43.42 грн |
| 2000+ | 40.13 грн |
| 5000+ | 35.97 грн |
| 10000+ | 33.81 грн |
| IRF9530NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9530NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
Description: INFINEON - IRF9530NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 14307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF9530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
на замовлення 15162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
З цим товаром купують
| IRF530NPBF Код товару: 50641
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 17 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 10,5
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 920/37
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 17 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 10,5
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 920/37
Монтаж: THT
у наявності: 449 шт
- 396 шт - склад
- 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 2 шт
- 2 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 17.50 грн |
| 10+ | 15.90 грн |
| 100+ | 14.40 грн |
| 2N7000 Код товару: 20638
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-92
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 0,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 60/-
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-92
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 0,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 60/-
Монтаж: THT
у наявності: 1618 шт
- 1618 шт - склад
на замовлення: 50 шт
- 50 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 4.00 грн |
| 10+ | 3.60 грн |
| 100+ | 3.20 грн |
| 1000+ | 2.80 грн |
| IRF640NPBF Код товару: 42934
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 18 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,15 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1160/67
Примітка: P=150W, -55...170 C
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 18 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,15 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1160/67
Примітка: P=150W, -55...170 C
Монтаж: THT
у наявності: 738 шт
- 659 шт - склад
- 50 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 29 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 17 шт
- 17 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 28.00 грн |
| 10+ | 25.20 грн |
| 100+ | 22.50 грн |
| 1N4007 Код товару: 176822
19
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., В: 1000 В
Iвипр., А: 1 А
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 В
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., В: 1000 В
Iвипр., А: 1 А
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 В
у наявності: 54751 шт
- 48981 шт - склад
- 528 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 3669 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 1446 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 127 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 164 шт
- 164 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 1.00 грн |
| 25+ | 0.80 грн |
| 100+ | 0.60 грн |
| 1000+ | 0.45 грн |









