IRF9530NPBF


irf9530n.pdf
Код товару: 32844
2 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 12 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,3 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 500/25
Монтаж: THT
у наявності: 370 шт
  • 338 шт - склад
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 14 шт
  • 14 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+22.00 грн
10+19.80 грн
100+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF9530NPBF за ціною від 27.50 грн до 149.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 29275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+40.91 грн
2000+38.94 грн
5000+35.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+40.91 грн
2000+38.94 грн
5000+35.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 51860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+69.55 грн
446+31.61 грн
451+31.29 грн
500+29.87 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9530n.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 3893 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+90.05 грн
10+44.34 грн
25+40.96 грн
50+38.60 грн
100+36.23 грн
250+33.11 грн
500+30.91 грн
1000+30.41 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.43 грн
12+65.78 грн
50+32.66 грн
100+31.18 грн
500+28.59 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+122.43 грн
215+65.78 грн
432+32.66 грн
436+31.18 грн
500+28.59 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 51874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.75 грн
11+69.15 грн
50+31.43 грн
100+30.00 грн
500+27.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies IRF9530NPBF.PDF Description: MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 13405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.99 грн
10+92.36 грн
50+69.78 грн
100+58.66 грн
500+46.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies IRF9530NPBF.PDF MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
на замовлення 42146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF INFINEON INFN-S-A0012826407-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9530NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 12462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 29275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+40.91 грн
2000+38.94 грн
5000+35.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+40.91 грн
2000+38.94 грн
5000+35.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 51860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
203+69.55 грн
446+31.61 грн
451+31.29 грн
500+29.87 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF irf9530n.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 3893 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+90.05 грн
10+44.34 грн
25+40.96 грн
50+38.60 грн
100+36.23 грн
250+33.11 грн
500+30.91 грн
1000+30.41 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+122.43 грн
12+65.78 грн
50+32.66 грн
100+31.18 грн
500+28.59 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
116+122.43 грн
215+65.78 грн
432+32.66 грн
436+31.18 грн
500+28.59 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 51874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+141.75 грн
11+69.15 грн
50+31.43 грн
100+30.00 грн
500+27.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF.PDF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 13405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+149.99 грн
10+92.36 грн
50+69.78 грн
100+58.66 грн
500+46.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF.PDF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
на замовлення 42146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF INFN-S-A0012826407-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9530NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 12462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF530NPBF
Код товару: 50641
Додати до обраних Обраний товар
irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 17 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 10,5
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 920/37
Монтаж: THT
у наявності: 342 шт
  • 270 шт - склад
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
2+17.50 грн
10+15.90 грн
100+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000
Код товару: 20638
3 Додати до обраних Обраний товар
2N7000-D.PDF
Виробник: NXP
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-92
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 0,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 60/-
Монтаж: THT
у наявності: 1370 шт
  • 1369 шт - склад
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
на замовлення: 50 шт
  • 50 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+4.00 грн
10+3.60 грн
100+3.20 грн
1000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF
Код товару: 42934
2 Додати до обраних Обраний товар
irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 18 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,15 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1160/67
Примітка: P=150W, -55...170 C
Монтаж: THT
у наявності: 704 шт
  • 619 шт - склад
  • 56 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 29 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 10 шт
  • 10 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007
Код товару: 176822
22 Додати до обраних Обраний товар
1N4001-ds.PDF
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., В: 1000 В
Iвипр., А: 1 А
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 В
у наявності: 41636 шт
  • 32058 шт - склад
  • 957 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3035 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1186 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 4400 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 164 шт
  • 164 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+3.00 грн
10+2.00 грн
100+0.60 грн
1000+0.45 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.