Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > IRF9530NPBF
IRF9530NPBF

IRF9530NPBF

irf9530n.pdf
Код товару: 32844
2 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 12 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,3 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 500/25
Монтаж: THT
у наявності: 353 шт
  • 333 шт - склад
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 14 шт
  • 14 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+22.00 грн
10+19.80 грн
100+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF9530NPBF за ціною від 30.47 грн до 150.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 28275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+42.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+42.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9530n.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3371 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+83.87 грн
10+59.43 грн
25+52.06 грн
50+47.07 грн
100+41.99 грн
250+35.72 грн
500+31.41 грн
1000+30.47 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.75 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+120.75 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 44780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+142.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 44794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies IRF9530NPBF.PDF Description: MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 11868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.32 грн
10+92.57 грн
50+69.94 грн
100+58.79 грн
500+46.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineon_irf9530n_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
на замовлення 44364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF INFINEON INFN-S-A0012826407-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9530NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 16045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf
IRF9530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 28275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+42.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf
IRF9530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+42.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF irf9530n.pdf
IRF9530NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3371 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+83.87 грн
10+59.43 грн
25+52.06 грн
50+47.07 грн
100+41.99 грн
250+35.72 грн
500+31.41 грн
1000+30.47 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf
IRF9530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+120.75 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf
IRF9530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
117+120.75 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf
IRF9530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 44780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+142.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf
IRF9530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 44794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+142.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF.PDF
IRF9530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 11868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+150.32 грн
10+92.57 грн
50+69.94 грн
100+58.79 грн
500+46.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF infineon_irf9530n_datasheet_en.pdf
IRF9530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
на замовлення 44364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF INFN-S-A0012826407-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9530NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9530NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 16045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

1N4007
Код товару: 176822
22 Додати до обраних Обраний товар
1N4001-ds.PDF
1N4007
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., В: 1000 В
Iвипр., А: 1 А
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 В
у наявності: 32869 шт
  • 23977 шт - склад
  • 850 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2865 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 945 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 4232 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 164 шт
  • 164 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+1.00 грн
27+0.76 грн
100+0.60 грн
1000+0.41 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000
Код товару: 20638
3 Додати до обраних Обраний товар
2N7000-D.PDF
2N7000
Виробник: NXP
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-92
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 0,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 60/-
Монтаж: THT
у наявності: 1215 шт
  • 1214 шт - склад
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 100 шт
  • 100 шт - очікується
на замовлення: 50 шт
  • 50 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+4.00 грн
10+3.60 грн
100+3.20 грн
1000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF
Код товару: 42934
3 Додати до обраних Обраний товар
irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
IRF640NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 18 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,15 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1160/67
Примітка: P=150W, -55...170 C
Монтаж: THT
у наявності: 670 шт
  • 586 шт - склад
  • 56 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 28 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 20 шт
  • 20 шт - очікується
на замовлення: 10 шт
  • 10 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF
Код товару: 50641
Додати до обраних Обраний товар
irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a
IRF530NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 17 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 10,5
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 920/37
Монтаж: THT
у наявності: 309 шт
  • 269 шт - склад
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
2+17.50 грн
10+15.90 грн
100+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.