Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > IRF9530NPBF
IRF9530NPBF

IRF9530NPBF

irf9530n.pdf
Код товару: 32844
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 12 А
Rds(on),Om: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 500/25
Монтаж: THT
у наявності 211 шт:
172 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість Ціна
1+22.00 грн
10+19.80 грн
100+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF9530NPBF за ціною від 21.82 грн до 123.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+37.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+39.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
322+40.08 грн
358+36.01 грн
500+32.84 грн
Мінімальне замовлення: 322
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+56.00 грн
18+42.95 грн
100+38.59 грн
500+33.93 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 39995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
218+59.29 грн
268+48.07 грн
500+40.71 грн
1000+36.23 грн
2000+30.60 грн
5000+27.19 грн
Мінімальне замовлення: 218
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf9530n.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 3833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+71.36 грн
13+32.48 грн
50+29.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF9530N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
на замовлення 12023 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.46 грн
10+44.63 грн
100+35.41 грн
500+25.28 грн
1000+23.38 грн
2000+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf9530n.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3833 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.64 грн
10+40.47 грн
50+35.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Виробник : Infineon Technologies IRF9530NPBF.PDF Description: MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 21821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.28 грн
50+48.05 грн
100+42.79 грн
500+31.45 грн
1000+28.66 грн
2000+26.30 грн
5000+23.36 грн
10000+21.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 40008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+123.72 грн
12+64.17 грн
100+52.02 грн
500+42.49 грн
1000+36.31 грн
2000+31.80 грн
5000+29.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012826407-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9530NPBF - MOSFET, P-KANAL, -100V, -14A, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+97.53 грн
16+49.80 грн
100+45.75 грн
500+34.09 грн
1000+28.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF530NPBF
Код товару: 50641
Додати до обраних Обраний товар

irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a
IRF530NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 10,5
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: THT
у наявності: 583 шт
530 шт - склад
30 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+17.50 грн
10+15.90 грн
100+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007
Код товару: 176822
Додати до обраних Обраний товар

1N4001-ds.PDF
1N4007
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
у наявності: 14910 шт
12995 шт - склад
570 шт - РАДІОМАГ-Київ
1222 шт - РАДІОМАГ-Львів
123 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 80000 шт
80000 шт - очікується 17.04.2026
Кількість Ціна
20+1.00 грн
25+0.80 грн
100+0.60 грн
1000+0.45 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF
Код товару: 42934
Додати до обраних Обраний товар

irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
IRF640NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
у наявності: 830 шт
794 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
31 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
1+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2,4 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-2K4R-Hitano) (S)
Код товару: 13768
Додати до обраних Обраний товар

CR-S_080911.pdf
2,4 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-2K4R-Hitano) (S)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 2,4 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 2985 шт
2042 шт - склад
391 шт - РАДІОМАГ-Київ
450 шт - РАДІОМАГ-Львів
102 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
30+0.70 грн
100+0.55 грн
1000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.