Результат пошуку "IRFP260" : 52

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFP260N IRFP260N
Код товару: 18423
Додати до обраних Обраний товар

IR irfp260n.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 200 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4057/254
Монтаж: THT
у наявності: 123 шт
95 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+138.00 грн
10+130.00 грн
100+119.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF IRFP260NPBF
Код товару: 47253
Додати до обраних Обраний товар

IR infineon-irfp260n-datasheet-en.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 200 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4057/234
Монтаж: THT
у наявності: 55 шт
16 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
17 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+162.00 грн
10+150.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260M International Rectifier Transistor N-MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 50A; 300W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRFP260M; IRFP260M TIRFP260m
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+92.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260M International Rectifier Transistor N-MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 50A; 300W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRFP260M; IRFP260M TIRFP260m
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+92.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBF IRFP260MPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BEC03C8E98F1A303005056AB0C4F&compId=irfp260mpbf.pdf?ci_sign=4f4a731c521cae55b4f5ea375c88274ca42c4872 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+187.92 грн
10+134.22 грн
11+84.48 грн
31+79.75 грн
125+78.17 грн
250+76.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBF IRFP260MPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BEC03C8E98F1A303005056AB0C4F&compId=irfp260mpbf.pdf?ci_sign=4f4a731c521cae55b4f5ea375c88274ca42c4872 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+225.50 грн
10+167.26 грн
11+101.38 грн
31+95.69 грн
125+93.80 грн
250+91.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBF IRFP260MPBF Infineon Technologies infineonirfp260mdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 6285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+257.41 грн
88+139.23 грн
100+123.85 грн
500+110.84 грн
3200+97.69 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBF IRFP260MPBF Infineon Technologies infineonirfp260mdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+266.55 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBF IRFP260MPBF Infineon Technologies infineonirfp260mdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+121.42 грн
500+114.34 грн
1000+108.27 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBF IRFP260MPBF Infineon Technologies Infineon-IRFP260M-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
на замовлення 22233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+277.67 грн
10+143.83 грн
100+109.15 грн
400+81.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBF IRFP260MPBF INFINEON IRLES00078-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFP260MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+290.80 грн
10+147.95 грн
100+134.35 грн
500+93.96 грн
1000+85.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBF IRFP260MPBF Infineon Technologies irfp260mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562894e91fe0 Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4057 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 4578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.62 грн
25+117.04 грн
100+108.79 грн
500+80.13 грн
1000+77.29 грн
2000+75.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBF IRFP260MPBF Infineon Technologies infineonirfp260mdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 7686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+282.66 грн
86+141.87 грн
100+132.06 грн
400+92.68 грн
1200+84.94 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBF IRFP260MPBF Infineon Technologies infineonirfp260mdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 6914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+307.08 грн
10+154.13 грн
100+143.48 грн
400+100.69 грн
1200+92.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260N JSMicro Semiconductor description Transistor N-Channel MOSFET; 220V; 20V; 48mOhm; 50A; 350W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFP260; IRFP260N; SP001552016; IRFP260N JSMICRO TIRFP260n JSM
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+92.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260N International Rectifier description N-MOSFET 46A 200V 280W 0.055Ω Replacement: IRFP260 IRFP260N TIRFP260n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 175 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+106.00 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260N International Rectifier description N-MOSFET 46A 200V 280W 0.055Ω Replacement: IRFP260 IRFP260N TIRFP260n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+106.00 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF IRFP260NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACABFF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp260n.pdf?ci_sign=f3e8a7b27a58ae203b2eeadd5c846979cd6cf1ff Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+349.47 грн
10+256.61 грн
11+84.48 грн
31+80.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF IRFP260NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACABFF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp260n.pdf?ci_sign=f3e8a7b27a58ae203b2eeadd5c846979cd6cf1ff Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 353 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+419.37 грн
10+319.77 грн
11+101.38 грн
31+96.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF IRFP260NPBF Infineon Technologies infineon-irfp260n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 4110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+187.19 грн
500+178.09 грн
1000+167.97 грн
Мінімальне замовлення: 163
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF IRFP260NPBF Infineon Technologies infineon-irfp260n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF IRFP260NPBF INFINEON INFN-S-A0012838278-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFP260NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+414.09 грн
10+221.93 грн
100+195.57 грн
500+145.28 грн
1000+131.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF IRFP260NPBF Infineon Technologies infineon-irfp260n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 9998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+418.26 грн
10+220.95 грн
100+169.60 грн
800+157.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF IRFP260NPBF Infineon Technologies infineon-irfp260n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 10094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+384.99 грн
60+203.38 грн
100+156.11 грн
800+145.41 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF IRFP260NPBF Infineon Technologies infineon-irfp260n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+395.03 грн
58+211.27 грн
100+206.42 грн
400+172.51 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF IRFP260NPBF Infineon Technologies Infineon-IRFP260N-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
на замовлення 4716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+391.75 грн
10+212.69 грн
100+159.18 грн
400+125.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF IRFP260NPBF Infineon Technologies infineon-irfp260n-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4057 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 2376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+341.91 грн
25+169.22 грн
100+155.73 грн
500+121.04 грн
1000+116.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260PBF IRFP260PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8EFA4091678143&compId=IRFP260.pdf?ci_sign=47208904119e52a0f2d9ec951334dca888363a8b description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 29A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 29A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+229.58 грн
6+175.28 грн
15+165.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260PBF IRFP260PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8EFA4091678143&compId=IRFP260.pdf?ci_sign=47208904119e52a0f2d9ec951334dca888363a8b description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 29A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 29A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+275.50 грн
6+218.43 грн
15+198.97 грн
500+190.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260PBF IRFP260PBF VISHAY VISH-S-A0014425710-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: VISHAY - IRFP260PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 46 A, 0.055 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+271.24 грн
10+230.43 грн
100+227.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260PBF IRFP260PBF Vishay irfp260.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+283.26 грн
10+242.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260PBF IRFP260PBF Vishay Siliconix irfp260.pdf description Description: MOSFET N-CH 200V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.78 грн
25+201.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260PBF IRFP260PBF Vishay irfp260.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+264.38 грн
54+226.01 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260PBF IRFP260PBF Vishay Semiconductors irfp260.pdf description MOSFETs TO247 200V 46A N-CH MOSFET
на замовлення 6932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+225.50 грн
10+209.20 грн
500+181.16 грн
2500+179.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260PBF IRFP260PBF Vishay irfp260.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260PBF IRFP260PBF Vishay irfp260.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+162.12 грн
10+156.05 грн
100+155.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260PBF IRFP260PBF Vishay irfp260.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+149.23 грн
85+143.64 грн
100+143.26 грн
Мінімальне замовлення: 82
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IRFP260NPBF Infineon Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO247AC Udss=200V; Id=49A; Pdmax=300W; Rds=0,04 Ohm
на замовлення 62 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+127.20 грн
10+107.38 грн
100+96.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260 IRFP260
Код товару: 18422
Додати до обраних Обраний товар

IR Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 200 V
Idd,A: 46 A
Rds(on), Ohm: 0,055 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+62.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBF IRFP260MPBF
Код товару: 113423
Додати до обраних Обраний товар

IR irfp260mpbf-86906tf.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 200 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4057/234
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+60.50 грн
10+54.50 грн
100+49.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260PBF
Код товару: 195436
Додати до обраних Обраний товар

irfp260.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260 IRFP260 Vishay / Siliconix MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260 IRFP260 IXYS MOSFETs 46 Amps 200V 0.055 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260 IRFP260 IXYS Description: MOSFET N-CH 200V 46A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBF IRFP260MPBF Infineon Technologies infineonirfp260mdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBF IRFP260MPBF Infineon Technologies infineonirfp260mdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF IRFP260NPBF Infineon Technologies infineon-irfp260n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260PBF IRFP260PBF Vishay irfp260.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFP2602 AUIRFP2602 Infineon Technologies AUIRFP2602.pdf Description: MOSFET N-CH 24V 180A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 390 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11220 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260N
Код товару: 18423
Додати до обраних Обраний товар

description irfp260n.pdf
IRFP260N
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 200 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4057/254
Монтаж: THT
у наявності: 123 шт
95 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+138.00 грн
10+130.00 грн
100+119.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF
Код товару: 47253
Додати до обраних Обраний товар

infineon-irfp260n-datasheet-en.pdf
IRFP260NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 200 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4057/234
Монтаж: THT
у наявності: 55 шт
16 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
17 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+162.00 грн
10+150.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260M
Виробник: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 50A; 300W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRFP260M; IRFP260M TIRFP260m
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+92.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260M
Виробник: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 50A; 300W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRFP260M; IRFP260M TIRFP260m
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+92.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BEC03C8E98F1A303005056AB0C4F&compId=irfp260mpbf.pdf?ci_sign=4f4a731c521cae55b4f5ea375c88274ca42c4872
IRFP260MPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+187.92 грн
10+134.22 грн
11+84.48 грн
31+79.75 грн
125+78.17 грн
250+76.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BEC03C8E98F1A303005056AB0C4F&compId=irfp260mpbf.pdf?ci_sign=4f4a731c521cae55b4f5ea375c88274ca42c4872
IRFP260MPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.50 грн
10+167.26 грн
11+101.38 грн
31+95.69 грн
125+93.80 грн
250+91.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBF infineonirfp260mdatasheetv0101en.pdf
IRFP260MPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 6285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+257.41 грн
88+139.23 грн
100+123.85 грн
500+110.84 грн
3200+97.69 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBF infineonirfp260mdatasheetv0101en.pdf
IRFP260MPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
46+266.55 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBF infineonirfp260mdatasheetv0101en.pdf
IRFP260MPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+121.42 грн
500+114.34 грн
1000+108.27 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBF Infineon-IRFP260M-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRFP260MPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
на замовлення 22233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+277.67 грн
10+143.83 грн
100+109.15 грн
400+81.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBF IRLES00078-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFP260MPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP260MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+290.80 грн
10+147.95 грн
100+134.35 грн
500+93.96 грн
1000+85.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBF irfp260mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562894e91fe0
IRFP260MPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4057 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 4578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+247.62 грн
25+117.04 грн
100+108.79 грн
500+80.13 грн
1000+77.29 грн
2000+75.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBF infineonirfp260mdatasheetv0101en.pdf
IRFP260MPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 7686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+282.66 грн
86+141.87 грн
100+132.06 грн
400+92.68 грн
1200+84.94 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBF infineonirfp260mdatasheetv0101en.pdf
IRFP260MPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 6914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+307.08 грн
10+154.13 грн
100+143.48 грн
400+100.69 грн
1200+92.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260N description
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 220V; 20V; 48mOhm; 50A; 350W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFP260; IRFP260N; SP001552016; IRFP260N JSMICRO TIRFP260n JSM
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+92.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260N description
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 46A 200V 280W 0.055Ω Replacement: IRFP260 IRFP260N TIRFP260n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 175 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+106.00 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260N description
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 46A 200V 280W 0.055Ω Replacement: IRFP260 IRFP260N TIRFP260n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+106.00 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACABFF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp260n.pdf?ci_sign=f3e8a7b27a58ae203b2eeadd5c846979cd6cf1ff
IRFP260NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+349.47 грн
10+256.61 грн
11+84.48 грн
31+80.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACABFF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp260n.pdf?ci_sign=f3e8a7b27a58ae203b2eeadd5c846979cd6cf1ff
IRFP260NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 353 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+419.37 грн
10+319.77 грн
11+101.38 грн
31+96.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF infineon-irfp260n-datasheet-v02_01-en.pdf
IRFP260NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 4110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
163+187.19 грн
500+178.09 грн
1000+167.97 грн
Мінімальне замовлення: 163
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF infineon-irfp260n-datasheet-v02_01-en.pdf
IRFP260NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF INFN-S-A0012838278-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFP260NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP260NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+414.09 грн
10+221.93 грн
100+195.57 грн
500+145.28 грн
1000+131.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF infineon-irfp260n-datasheet-v02_01-en.pdf
IRFP260NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 9998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+418.26 грн
10+220.95 грн
100+169.60 грн
800+157.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF infineon-irfp260n-datasheet-v02_01-en.pdf
IRFP260NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 10094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+384.99 грн
60+203.38 грн
100+156.11 грн
800+145.41 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF infineon-irfp260n-datasheet-v02_01-en.pdf
IRFP260NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+395.03 грн
58+211.27 грн
100+206.42 грн
400+172.51 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF Infineon-IRFP260N-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IRFP260NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
на замовлення 4716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+391.75 грн
10+212.69 грн
100+159.18 грн
400+125.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF infineon-irfp260n-datasheet-en.pdf
IRFP260NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4057 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 2376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+341.91 грн
25+169.22 грн
100+155.73 грн
500+121.04 грн
1000+116.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8EFA4091678143&compId=IRFP260.pdf?ci_sign=47208904119e52a0f2d9ec951334dca888363a8b
IRFP260PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 29A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 29A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+229.58 грн
6+175.28 грн
15+165.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8EFA4091678143&compId=IRFP260.pdf?ci_sign=47208904119e52a0f2d9ec951334dca888363a8b
IRFP260PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 29A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 29A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+275.50 грн
6+218.43 грн
15+198.97 грн
500+190.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260PBF description VISH-S-A0014425710-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFP260PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFP260PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 46 A, 0.055 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+271.24 грн
10+230.43 грн
100+227.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260PBF description irfp260.pdf
IRFP260PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+283.26 грн
10+242.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260PBF description irfp260.pdf
IRFP260PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+237.78 грн
25+201.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260PBF description irfp260.pdf
IRFP260PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
46+264.38 грн
54+226.01 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260PBF description irfp260.pdf
IRFP260PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 200V 46A N-CH MOSFET
на замовлення 6932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.50 грн
10+209.20 грн
500+181.16 грн
2500+179.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260PBF description irfp260.pdf
IRFP260PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260PBF description irfp260.pdf
IRFP260PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+162.12 грн
10+156.05 грн
100+155.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260PBF description irfp260.pdf
IRFP260PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
82+149.23 грн
85+143.64 грн
100+143.26 грн
Мінімальне замовлення: 82
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IRFP260NPBF
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO247AC Udss=200V; Id=49A; Pdmax=300W; Rds=0,04 Ohm
на замовлення 62 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.20 грн
10+107.38 грн
100+96.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260
Код товару: 18422
Додати до обраних Обраний товар

IRFP260
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 200 V
Idd,A: 46 A
Rds(on), Ohm: 0,055 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+62.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBF
Код товару: 113423
Додати до обраних Обраний товар

irfp260mpbf-86906tf.pdf
IRFP260MPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 200 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4057/234
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+60.50 грн
10+54.50 грн
100+49.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260PBF
Код товару: 195436
Додати до обраних Обраний товар

description irfp260.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260
IRFP260
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260
IRFP260
Виробник: IXYS
MOSFETs 46 Amps 200V 0.055 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260
IRFP260
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 46A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBF infineonirfp260mdatasheetv0101en.pdf
IRFP260MPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBF infineonirfp260mdatasheetv0101en.pdf
IRFP260MPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF infineon-irfp260n-datasheet-v02_01-en.pdf
IRFP260NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260PBF description irfp260.pdf
IRFP260PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFP2602 AUIRFP2602.pdf
AUIRFP2602
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 24V 180A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 390 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11220 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.