Результат пошуку "IRFP260" : 48
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 250
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 86
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 54
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 93
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 33
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 163
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 33
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 79
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 39
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFP260N Код товару: 18423
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() ![]() Корпус: TO-247 Uds,V: 200 V Idd,A: 50 A Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 4057/254 Монтаж: THT |
у наявності: 143 шт
119 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ 5 шт - РАДІОМАГ-Львів 5 шт - РАДІОМАГ-Харків 3 шт - РАДІОМАГ-Одеса 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP260NPBF Код товару: 47253
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: TO-247AC Uds,V: 200 V Idd,A: 50 A Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 4057/234 Монтаж: THT |
у наявності: 66 шт
21 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ 17 шт - РАДІОМАГ-Львів 2 шт - РАДІОМАГ-Харків 1 шт - РАДІОМАГ-Одеса 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||
IRFP260M | International Rectifier |
Transistor N-MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 50A; 300W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRFP260M; IRFP260M TIRFP260m кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFP260M | International Rectifier |
Transistor N-MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 50A; 300W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRFP260M; IRFP260M TIRFP260m кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IRFP260MPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 35A Power dissipation: 300W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 234nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 395 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP260MPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 35A Power dissipation: 300W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 234nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 395 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP260MPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP260MPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP260MPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5564 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP260MPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 24667 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP260MPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP260MPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP260MPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRFP260N | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFP260N | JSMicro Semiconductor |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFP260N | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 175 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IRFP260NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 35A Power dissipation: 300W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 234nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 371 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRFP260NPBF | Infineon |
![]() |
на замовлення 66 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IRFP260NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 35A Power dissipation: 300W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 234nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 371 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP260NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 69 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFP260NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP260NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP260NPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP260NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6253 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP260NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 11739 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP260NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 69 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFP260NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 11739 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP260PBF | VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 29A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 29A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 55mΩ Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 579 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP260PBF | VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 29A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 29A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 55mΩ Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 579 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP260PBF | Vishay Semiconductors |
![]() ![]() |
на замовлення 7157 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP260PBF | VISHAY |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 280W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP260PBF | Vishay |
![]() ![]() |
на замовлення 755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP260PBF | Vishay |
![]() ![]() |
на замовлення 752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP260PBF | Vishay |
![]() ![]() |
на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP260PBF | Vishay |
![]() ![]() |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFP260PBF | Vishay |
![]() ![]() |
на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP260 Код товару: 18422
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247AC Uds,V: 200 V Idd,A: 46 A Rds(on), Ohm: 0,055 Ohm Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||
![]() |
IRFP260MPBF Код товару: 113423
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: TO-247 Uds,V: 200 V Idd,A: 50 A Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 4057/234 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||
IRFP260PBF Код товару: 195436
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() ![]() |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRFP260 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFP260 | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFP260MPBF | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFP260MPBF | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFP260NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFP260PBF | Vishay |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IRFP260N Код товару: 18423
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 200 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4057/254
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 200 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4057/254
Монтаж: THT
у наявності: 143 шт
119 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 138.00 грн |
10+ | 130.00 грн |
100+ | 119.00 грн |
IRFP260NPBF Код товару: 47253
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 200 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4057/234
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 200 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4057/234
Монтаж: THT
у наявності: 66 шт
21 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
17 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
17 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 162.00 грн |
10+ | 150.70 грн |
IRFP260M |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 50A; 300W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRFP260M; IRFP260M TIRFP260m
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 50A; 300W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRFP260M; IRFP260M TIRFP260m
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 93.02 грн |
IRFP260M |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 50A; 300W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRFP260M; IRFP260M TIRFP260m
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 50A; 300W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRFP260M; IRFP260M TIRFP260m
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 93.02 грн |
IRFP260MPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 248.97 грн |
9+ | 105.23 грн |
25+ | 99.65 грн |
100+ | 98.85 грн |
IRFP260MPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 395 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 298.77 грн |
9+ | 131.13 грн |
25+ | 119.58 грн |
100+ | 118.62 грн |
400+ | 117.67 грн |
IRFP260MPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
250+ | 122.60 грн |
500+ | 115.45 грн |
1000+ | 109.32 грн |
IRFP260MPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
86+ | 143.79 грн |
IRFP260MPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 5564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 297.32 грн |
10+ | 268.92 грн |
25+ | 163.30 грн |
100+ | 138.65 грн |
400+ | 96.68 грн |
IRFP260MPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
MOSFETs MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
на замовлення 24667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 275.90 грн |
10+ | 148.74 грн |
100+ | 111.74 грн |
400+ | 86.48 грн |
1200+ | 85.72 грн |
IRFP260MPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 6285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
54+ | 228.03 грн |
60+ | 205.96 грн |
100+ | 123.42 грн |
500+ | 108.01 грн |
IRFP260MPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 5558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
93+ | 132.14 грн |
IRFP260MPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP260MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFP260MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 275.59 грн |
10+ | 246.40 грн |
100+ | 133.93 грн |
500+ | 94.07 грн |
1000+ | 85.36 грн |
IRFP260N | ![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 46A 200V 280W 0.055Ω Replacement: IRFP260 IRFP260N TIRFP260n
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET 46A 200V 280W 0.055Ω Replacement: IRFP260 IRFP260N TIRFP260n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 107.03 грн |
IRFP260N | ![]() |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 220V; 20V; 48mOhm; 50A; 350W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFP260; IRFP260N; SP001552016; IRFP260N JSMICRO TIRFP260n JSM
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 220V; 20V; 48mOhm; 50A; 350W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFP260; IRFP260N; SP001552016; IRFP260N JSMICRO TIRFP260n JSM
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 93.22 грн |
IRFP260N | ![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 46A 200V 280W 0.055Ω Replacement: IRFP260 IRFP260N TIRFP260n
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET 46A 200V 280W 0.055Ω Replacement: IRFP260 IRFP260N TIRFP260n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 175 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 107.03 грн |
IRFP260NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 351.14 грн |
10+ | 259.89 грн |
12+ | 81.32 грн |
32+ | 76.53 грн |
IRFP260NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO247AC Udss=200V; Id=49A; Pdmax=300W; Rds=0,04 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO247AC Udss=200V; Id=49A; Pdmax=300W; Rds=0,04 Ohm
на замовлення 66 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 128.44 грн |
IRFP260NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 371 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 421.37 грн |
10+ | 323.86 грн |
12+ | 97.58 грн |
32+ | 91.84 грн |
IRFP260NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRFP260NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
33+ | 372.70 грн |
50+ | 362.07 грн |
100+ | 218.22 грн |
400+ | 168.66 грн |
IRFP260NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
163+ | 189.01 грн |
500+ | 179.81 грн |
1000+ | 169.59 грн |
IRFP260NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP260NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFP260NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 408.66 грн |
10+ | 402.65 грн |
100+ | 191.45 грн |
500+ | 145.89 грн |
1000+ | 131.72 грн |
IRFP260NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
MOSFETs MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
на замовлення 6253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 392.86 грн |
10+ | 223.55 грн |
100+ | 158.42 грн |
400+ | 132.40 грн |
IRFP260NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 11739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 350.74 грн |
10+ | 209.50 грн |
100+ | 140.02 грн |
800+ | 127.57 грн |
IRFP260NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRFP260NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 11739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
33+ | 380.27 грн |
54+ | 227.13 грн |
100+ | 151.80 грн |
800+ | 138.31 грн |
IRFP260PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 29A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 29A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 29A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 29A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 314.22 грн |
6+ | 176.98 грн |
15+ | 167.41 грн |
IRFP260PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 29A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 29A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 29A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 29A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 579 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 377.07 грн |
6+ | 220.54 грн |
15+ | 200.90 грн |
IRFP260PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 200V 46A N-CH MOSFET
MOSFETs TO247 200V 46A N-CH MOSFET
на замовлення 7157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 319.65 грн |
10+ | 242.91 грн |
500+ | 208.17 грн |
1000+ | 196.69 грн |
2500+ | 193.63 грн |
IRFP260PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFP260PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 46 A, 0.055 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRFP260PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 46 A, 0.055 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 293.62 грн |
10+ | 291.90 грн |
100+ | 228.37 грн |
IRFP260PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 144.96 грн |
10+ | 141.85 грн |
25+ | 135.80 грн |
100+ | 130.60 грн |
250+ | 120.45 грн |
500+ | 114.41 грн |
IRFP260PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
79+ | 157.16 грн |
80+ | 153.79 грн |
84+ | 147.22 грн |
100+ | 141.60 грн |
250+ | 130.59 грн |
500+ | 124.05 грн |
IRFP260PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
39+ | 316.55 грн |
44+ | 284.75 грн |
52+ | 235.88 грн |
IRFP260PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRFP260PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 293.94 грн |
10+ | 264.41 грн |
25+ | 219.03 грн |
IRFP260 Код товару: 18422
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 200 V
Idd,A: 46 A
Rds(on), Ohm: 0,055 Ohm
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 200 V
Idd,A: 46 A
Rds(on), Ohm: 0,055 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 62.50 грн |
IRFP260MPBF Код товару: 113423
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 200 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4057/234
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 200 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4057/234
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 60.50 грн |
10+ | 54.50 грн |
100+ | 49.10 грн |
IRFP260PBF Код товару: 195436
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP260 |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs 46 Amps 200V 0.055 Rds
MOSFETs 46 Amps 200V 0.055 Rds
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP260 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP260MPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP260MPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP260NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP260PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.