Результат пошуку "IRFP4468PBF" : 18

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFP4468PBF IRFP4468PBF
Код товару: 36929
Додати до обраних Обраний товар
IR irfp4468pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019 Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 195 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 2,6 мОм
Монтаж: THT
у наявності: 116 шт
  • 100 шт - склад
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 4 шт
  • 4 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+275.00 грн
10+231.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF IRFP4468PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4468pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 360nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+407.16 грн
10+276.93 грн
25+232.98 грн
50+207.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF IRFP4468PBF Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+589.74 грн
10+491.56 грн
25+391.26 грн
50+351.41 грн
100+300.81 грн
250+227.55 грн
800+225.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF IRFP4468PBF Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+593.30 грн
29+494.53 грн
36+393.62 грн
50+353.53 грн
100+302.63 грн
250+228.92 грн
800+226.68 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF IRFP4468PBF INFINEON 3732309.pdf Description: INFINEON - IRFP4468PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 290 A, 2600 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 290A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1 IRFP4468PBFXKMA1 INFINEON 3732309.pdf Description: INFINEON - IRFP4468PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 195 A, 2000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+586.43 грн
10+345.42 грн
100+287.32 грн
400+250.28 грн
1200+203.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+587.90 грн
41+346.29 грн
100+288.04 грн
400+250.91 грн
1200+204.40 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1 IRFP4468PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRFP4468-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019 Description: MOSFET N-CH 100V 195A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1A
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 50 V
на замовлення 1086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+526.16 грн
25+299.23 грн
100+249.80 грн
500+197.32 грн
1000+185.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon_IRFP4468_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 3905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF International Rectifier irfp4468pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019 MOSFET N-CH 100V 195A TO-247 Транзистори
на замовлення 200 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF IRFP4468PBF Infineon Technologies Infineon_IRFP4468_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 290A 2.6mOhm 360nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF IRFP4468PBF Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF IRFP4468PBF Infineon Technologies irfp4468pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019 Description: MOSFET N-CH 100V 195A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19860 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4468-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRFP4468PBF IR Транзистор польовий IRFP4468PBF IR IR Транз. Пол. ВП N-MOSFET TO247 Udss=100V; Id=195A; Rds=0,0026 Ohm; RoHS   Транзистори польові
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF
Код товару: 36929
Додати до обраних Обраний товар
irfp4468pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019
IRFP4468PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 195 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 2,6 мОм
Монтаж: THT
у наявності: 116 шт
  • 100 шт - склад
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 4 шт
  • 4 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+275.00 грн
10+231.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF irfp4468pbf.pdf
IRFP4468PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 360nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+407.16 грн
10+276.93 грн
25+232.98 грн
50+207.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf
IRFP4468PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+589.74 грн
10+491.56 грн
25+391.26 грн
50+351.41 грн
100+300.81 грн
250+227.55 грн
800+225.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf
IRFP4468PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+593.30 грн
29+494.53 грн
36+393.62 грн
50+353.53 грн
100+302.63 грн
250+228.92 грн
800+226.68 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF 3732309.pdf
IRFP4468PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4468PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 290 A, 2600 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 290A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1 3732309.pdf
IRFP4468PBFXKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4468PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 195 A, 2000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1 infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+586.43 грн
10+345.42 грн
100+287.32 грн
400+250.28 грн
1200+203.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1 infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+587.90 грн
41+346.29 грн
100+288.04 грн
400+250.91 грн
1200+204.40 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1 Infineon-IRFP4468-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019
IRFP4468PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 195A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1A
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 50 V
на замовлення 1086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+526.16 грн
25+299.23 грн
100+249.80 грн
500+197.32 грн
1000+185.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1 Infineon_IRFP4468_DataSheet_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 3905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF irfp4468pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CH 100V 195A TO-247 Транзистори
на замовлення 200 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF Infineon_IRFP4468_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFP4468PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 290A 2.6mOhm 360nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf
IRFP4468PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF irfp4468pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019
IRFP4468PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 195A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19860 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1 Infineon-IRFP4468-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1 infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1 infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRFP4468PBF IR
Транзистор польовий IRFP4468PBF IR
Виробник: IR
Транз. Пол. ВП N-MOSFET TO247 Udss=100V; Id=195A; Rds=0,0026 Ohm; RoHS   Транзистори польові
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.