Результат пошуку "IRFP4468PBF" : 4
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFP4468PBF Код товару: 36929
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-247AC Uds,V: 100 V Idd,A: 195 A Rds(on), Ohm: 2,6 mOhm Монтаж: THT |
у наявності: 29 шт
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
11 шт - РАДІОМАГ-Львів 1 шт - РАДІОМАГ-Харків 9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||
|
IRFP4468PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 290A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 2.6mΩ Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 360nC Technology: HEXFET® Power dissipation: 520W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 347 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
| Транзистор IRFP4468PBF | IR | Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO247 Udss=100V; Id=195A; Rds=0,0026 Ohm; RoHS |
на замовлення 18 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
| IRFP4468PBF Код товару: 36929
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 100 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 2,6 mOhm
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 100 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 2,6 mOhm
Монтаж: THT
у наявності: 29 шт
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
11 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
11 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 275.00 грн |
| 10+ | 231.00 грн |
| IRFP4468PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 2.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 360nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 520W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 2.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 360nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 520W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 347 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 683.36 грн |
| 25+ | 254.75 грн |
| 100+ | 226.00 грн |
| 125+ | 223.11 грн |
| Транзистор IRFP4468PBF |
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO247 Udss=100V; Id=195A; Rds=0,0026 Ohm; RoHS
Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO247 Udss=100V; Id=195A; Rds=0,0026 Ohm; RoHS
на замовлення 18 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 534.00 грн |
| 10+ | 438.39 грн |
| 100+ | 398.43 грн |


