Результат пошуку "IRFP4468PBF" : 18
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 24
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 23
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 26
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 26
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFP4468PBF Код товару: 36929
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-247AC Uds,V: 100 V Idd,A: 195 A Rds(on), Ohm: 2,6 mOhm Монтаж: THT |
у наявності: 116 шт
100 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ 11 шт - РАДІОМАГ-Львів 1 шт - РАДІОМАГ-Харків |
|
||||||||||||||
|
IRFP4468PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 290A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 2.6mΩ Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 360nC Technology: HEXFET® Power dissipation: 520W |
на замовлення 121 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP4468PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP4468PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP4468PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 290 A, 2600 µohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 290A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 520W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP4468PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP4468PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFP4468PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFP4468PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IR FET >60-400V |
на замовлення 4510 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFP4468PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFP4468PBFXKMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP4468PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 195 A, 2000 µohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 520W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFP4468PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| Транзистор IRFP4468PBF | IR | Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO247 Udss=100V; Id=195A; Rds=0,0026 Ohm; RoHS |
на замовлення 18 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
IRFP4468PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRFP4468PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRFP4468PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 290A 2.6mOhm 360nC Qg |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP4468PBFXKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 290A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFP4468PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFP4468PBF | International Rectifier |
MOSFET N-CH 100V 195A TO-247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFP4468PBF Код товару: 36929
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 100 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 2,6 mOhm
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 100 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 2,6 mOhm
Монтаж: THT
у наявності: 116 шт
100 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
11 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
11 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 275.00 грн |
| 10+ | 231.00 грн |
| IRFP4468PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 2.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 360nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 520W
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 2.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 360nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 520W
на замовлення 121 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 359.77 грн |
| 10+ | 245.54 грн |
| 25+ | 206.29 грн |
| 50+ | 182.90 грн |
| 100+ | 180.40 грн |
| IRFP4468PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 613.55 грн |
| 10+ | 502.69 грн |
| 25+ | 393.23 грн |
| 50+ | 351.50 грн |
| 100+ | 299.44 грн |
| 250+ | 223.81 грн |
| 800+ | 221.50 грн |
| IRFP4468PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4468PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 290 A, 2600 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 290A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRFP4468PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 290 A, 2600 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 290A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 429.83 грн |
| 10+ | 318.93 грн |
| 100+ | 207.23 грн |
| IRFP4468PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 585.57 грн |
| 29+ | 487.87 грн |
| 36+ | 388.15 грн |
| 50+ | 348.57 грн |
| 100+ | 298.33 грн |
| 250+ | 226.01 грн |
| IRFP4468PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 613.40 грн |
| 28+ | 502.57 грн |
| 36+ | 393.15 грн |
| 50+ | 351.42 грн |
| 100+ | 299.38 грн |
| 250+ | 223.76 грн |
| 800+ | 221.45 грн |
| IRFP4468PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 26+ | 553.51 грн |
| 42+ | 336.17 грн |
| 100+ | 269.58 грн |
| 400+ | 213.23 грн |
| IRFP4468PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET >60-400V
MOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 4510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 434.69 грн |
| 10+ | 248.95 грн |
| 100+ | 179.70 грн |
| 400+ | 173.46 грн |
| 1200+ | 154.73 грн |
| IRFP4468PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 553.63 грн |
| 10+ | 336.24 грн |
| 100+ | 269.64 грн |
| 400+ | 213.27 грн |
| IRFP4468PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4468PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 195 A, 2000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRFP4468PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 195 A, 2000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 437.93 грн |
| 10+ | 254.18 грн |
| 100+ | 211.27 грн |
| 500+ | 185.66 грн |
| IRFP4468PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 26+ | 537.59 грн |
| 42+ | 336.82 грн |
| 100+ | 283.28 грн |
| Транзистор IRFP4468PBF |
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO247 Udss=100V; Id=195A; Rds=0,0026 Ohm; RoHS
Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO247 Udss=100V; Id=195A; Rds=0,0026 Ohm; RoHS
на замовлення 18 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRFP4468PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFP4468PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFP4468PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 290A 2.6mOhm 360nC Qg
MOSFETs MOSFT 100V 290A 2.6mOhm 360nC Qg
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFP4468PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFP4468PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFP4468PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CH 100V 195A TO-247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
MOSFET N-CH 100V 195A TO-247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.






