Результат пошуку "IRFP4468PBF" : 20

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFP4468PBF IRFP4468PBF
Код товару: 36929
Додати до обраних Обраний товар

IR irfp4468pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019 Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 100 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 2,6 mOhm
Монтаж: THT
у наявності: 106 шт
85 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Одеса
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 10 шт
10 шт - очікується
1+275.00 грн
10+231.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF IRFP4468PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C07DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4468pbf.pdf?ci_sign=eef523c294153480bee6f3f39501fda4f4a75d12 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Power dissipation: 520W
Gate charge: 360nC
Technology: HEXFET®
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+609.56 грн
5+189.74 грн
14+179.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF IR irfp4468pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019 Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO247 Udss=100V; Id=195A; Rds=0,0026 Ohm; RoHS
на замовлення 19 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+528.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF IRFP4468PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C07DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4468pbf.pdf?ci_sign=eef523c294153480bee6f3f39501fda4f4a75d12 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Power dissipation: 520W
Gate charge: 360nC
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 203 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+731.47 грн
5+236.44 грн
14+215.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF IRFP4468PBF Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+661.21 грн
50+482.22 грн
100+427.46 грн
200+386.97 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF IRFP4468PBF Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+217.57 грн
Мінімальне замовлення: 193
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF IRFP4468PBF Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+275.52 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF IRFP4468PBF Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF IRFP4468PBF Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1 IRFP4468PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRFP4468-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019 Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 290A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19860 pF @ 50 V
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+381.65 грн
25+225.32 грн
100+186.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0100en.pdf Power MOSFET 100V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+394.77 грн
50+349.81 грн
200+308.41 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon_IRFP4468_DataSheet_v01_01_EN-3007043.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 686 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+422.33 грн
10+368.77 грн
25+226.53 грн
100+188.27 грн
400+161.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1 IRFP4468PBFXKMA1 INFINEON 3732309.pdf Description: INFINEON - IRFP4468PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 195 A, 0.002 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+648.19 грн
10+647.33 грн
100+339.98 грн
500+296.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0100en.pdf Power MOSFET 100V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+385.29 грн
35+351.77 грн
51+242.59 грн
100+197.54 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0100en.pdf Power MOSFET 100V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+356.89 грн
10+325.84 грн
25+224.71 грн
100+182.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF IRFP4468PBF Infineon Technologies Infineon_IRFP4468_DataSheet_v01_01_EN-3007043.pdf MOSFETs MOSFT 100V 290A 2.6mOhm 360nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF IRFP4468PBF Infineon Technologies irfp4468pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019 Description: MOSFET N-CH 100V 195A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19860 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4468-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0100en.pdf Power MOSFET 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF
Код товару: 36929
Додати до обраних Обраний товар

irfp4468pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019
IRFP4468PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 100 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 2,6 mOhm
Монтаж: THT
у наявності: 106 шт
85 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Одеса
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 10 шт
10 шт - очікується
Кількість Ціна
1+275.00 грн
10+231.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C07DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4468pbf.pdf?ci_sign=eef523c294153480bee6f3f39501fda4f4a75d12
IRFP4468PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Power dissipation: 520W
Gate charge: 360nC
Technology: HEXFET®
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+609.56 грн
5+189.74 грн
14+179.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF irfp4468pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO247 Udss=100V; Id=195A; Rds=0,0026 Ohm; RoHS
на замовлення 19 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+528.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C07DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4468pbf.pdf?ci_sign=eef523c294153480bee6f3f39501fda4f4a75d12
IRFP4468PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Power dissipation: 520W
Gate charge: 360nC
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 203 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+731.47 грн
5+236.44 грн
14+215.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF infineonirfp4468datasheetv0100en.pdf
IRFP4468PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+661.21 грн
50+482.22 грн
100+427.46 грн
200+386.97 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF infineonirfp4468datasheetv0100en.pdf
IRFP4468PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
193+217.57 грн
Мінімальне замовлення: 193
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF infineonirfp4468datasheetv0100en.pdf
IRFP4468PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+275.52 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF infineonirfp4468datasheetv0100en.pdf
IRFP4468PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF infineonirfp4468datasheetv0100en.pdf
IRFP4468PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1 Infineon-IRFP4468-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019
IRFP4468PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 290A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19860 pF @ 50 V
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+381.65 грн
25+225.32 грн
100+186.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1 infineonirfp4468datasheetv0100en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Power MOSFET 100V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+394.77 грн
50+349.81 грн
200+308.41 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1 Infineon_IRFP4468_DataSheet_v01_01_EN-3007043.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 686 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+422.33 грн
10+368.77 грн
25+226.53 грн
100+188.27 грн
400+161.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1 3732309.pdf
IRFP4468PBFXKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4468PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 195 A, 0.002 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+648.19 грн
10+647.33 грн
100+339.98 грн
500+296.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1 infineonirfp4468datasheetv0100en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Power MOSFET 100V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+385.29 грн
35+351.77 грн
51+242.59 грн
100+197.54 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1 infineonirfp4468datasheetv0100en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Power MOSFET 100V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+356.89 грн
10+325.84 грн
25+224.71 грн
100+182.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF Infineon_IRFP4468_DataSheet_v01_01_EN-3007043.pdf
IRFP4468PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 290A 2.6mOhm 360nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF irfp4468pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019
IRFP4468PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 195A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19860 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1 Infineon-IRFP4468-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1 infineonirfp4468datasheetv0100en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Power MOSFET 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.