Результат пошуку "IRFZ44N" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 13
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 34
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 184
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 12
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 21
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 9
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 380
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 75
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 310
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 263
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 222
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 213
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 213
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 19
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 21
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFZ44NPBF Код товару: 35403
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Uds,V: 55 V Idd,A: 49 A Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63 Монтаж: THT |
у наявності: 582 шт
454 шт - склад
43 шт - РАДІОМАГ-Київ 35 шт - РАДІОМАГ-Львів 50 шт - РАДІОМАГ-Харків очікується:
1000 шт
1000 шт - очікується 18.05.2025
|
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NSTRLPBF Код товару: 122891
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Uds,V: 55 V Idd,A: 49 A Rds(on), Ohm: 0,017 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63 Монтаж: SMD |
у наявності: 196 шт
150 шт - склад
46 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||
AUIRFZ44NS Код товару: 152487
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() Uds,V: 55 V Idd,A: 49 A Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63 Монтаж: SMD |
у наявності: 5 шт
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
|
|
||||||||||||||||||
IRFZ44N | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFZ44N | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 5008 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFZ44N | UMW |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFZ44N | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFZ44NLPBF | IR |
![]() |
на замовлення 157 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFZ44NLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 61 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFZ44NPBF | International Rectifier/Infineon |
![]() |
на замовлення 197 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 49A Power dissipation: 83W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 42nC On-state resistance: 17.5mΩ Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 21715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 62947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 62000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V |
на замовлення 32099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRFZ44NS | UMW |
![]() ![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 53 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFZ44NSPBF | IR |
![]() ![]() |
на замовлення 65 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFZ44NSTRL | Infineon |
N-MOSFET 49A 55V 94W 0.017Ω IRFZ44NS IRFZ44NS smd TIRFZ44ns кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFZ44NSTRL | Infineon |
N-MOSFET 49A 55V 94W 0.017Ω IRFZ44NS IRFZ44NS smd TIRFZ44ns кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 140 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V |
на замовлення 8919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NSTRLPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V |
на замовлення 8800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NSTRLPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NSTRRPBF | International Rectifier |
![]() ![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRFZ44NPBF |
![]() |
на замовлення 103 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
IRFZ44NPBF |
![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
IRFZ44NS | IR |
![]() ![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IRFZ44NS | IR |
![]() ![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IRFZ44NS | IR |
![]() ![]() |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IRFZ44NSTRPBF | IR | TO220 10+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
![]() |
AUIRFZ44N | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
AUIRFZ44N | International Rectifier |
![]() ![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 16 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
AUIRFZ44NS | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Grade: Automotive Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 9362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
AUIRFZ44NSTRL | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
AUIRFZ44NSTRL | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 12182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
UMWIRFZ44N | UMW |
![]() Packaging: Tube |
на замовлення 383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
UMWIRFZ44NS | UMW |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 627 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
Транзистор польовий IRFZ44NPBF 49A 55V N-ch TO-220AB |
на замовлення 19 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
Транзистор польовий IRFZ44NS D2PAK |
на замовлення 50 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFZ44 | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6mOhm; 110A; 358W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFZ44; IRFZ44-BE3; IRFZ44N; SP001565354; IRFZ44N JSMICRO TIRFZ44n JSM кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44N Код товару: 1322
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Uds,V: 55 V Idd,A: 49 A Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NSPBF Код товару: 37486
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() ![]() |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NSTRRPBF Код товару: 31849
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() ![]() ![]() Корпус: D2PAK (TO-263) Uds,V: 55 V Idd,A: 49 A Rds(on), Ohm: 0,0175 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63 Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44N,127 | NXP USA Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NL | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NLPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 49A Power dissipation: 83W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 42nC On-state resistance: 17.5mΩ Gate-source voltage: ±20V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NSPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 49A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NSTRR | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IRFZ44NPBF Код товару: 35403
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: THT
у наявності: 582 шт
454 шт - склад
43 шт - РАДІОМАГ-Київ
35 шт - РАДІОМАГ-Львів
50 шт - РАДІОМАГ-Харків
43 шт - РАДІОМАГ-Київ
35 шт - РАДІОМАГ-Львів
50 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується:
1000 шт
1000 шт - очікується 18.05.2025
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 18.00 грн |
10+ | 16.00 грн |
100+ | 13.50 грн |
1000+ | 11.20 грн |
IRFZ44NSTRLPBF Код товару: 122891
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,017 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,017 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: SMD
у наявності: 196 шт
150 шт - склад
46 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
46 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 23.50 грн |
10+ | 21.50 грн |
AUIRFZ44NS Код товару: 152487
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: SMD
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: SMD
у наявності: 5 шт
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 54.00 грн |
IRFZ44N |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 53A 55V 107W 0.017? IRFZ44N IRFZ44N TIRFZ44n
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET 53A 55V 107W 0.017? IRFZ44N IRFZ44N TIRFZ44n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 26.19 грн |
IRFZ44N |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 53A 55V 107W 0.017? IRFZ44N IRFZ44N TIRFZ44n
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET 53A 55V 107W 0.017? IRFZ44N IRFZ44N TIRFZ44n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 5008 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 26.19 грн |
IRFZ44N |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 21mOhm; 50A; 105W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFZ44; IRFZ44-BE3; IRFZ44N; SP001565354; IRFZ44N UMW TIRFZ44n UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 21mOhm; 50A; 105W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFZ44; IRFZ44-BE3; IRFZ44N; SP001565354; IRFZ44N UMW TIRFZ44n UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 18.66 грн |
IRFZ44N |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 53A 55V 107W 0.017? IRFZ44N IRFZ44N TIRFZ44n
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET 53A 55V 107W 0.017? IRFZ44N IRFZ44N TIRFZ44n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 26.19 грн |
IRFZ44NLPBF |
![]() |
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO262 Udss=55V; Id=49A; Pdmax=110W; Rds=0,022 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO262 Udss=55V; Id=49A; Pdmax=110W; Rds=0,022 Ohm
на замовлення 157 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 21.58 грн |
IRFZ44NLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFZ44NLPBF THT N channel transistors
IRFZ44NLPBF THT N channel transistors
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 100.02 грн |
18+ | 60.69 грн |
49+ | 57.02 грн |
IRFZ44NPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 49 А; Ptot, Вт = 94; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 1470 @ 25; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 17,5 мОм @ 25 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 49 А; Ptot, Вт = 94; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 1470 @ 25; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 17,5 мОм @ 25 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
на замовлення 197 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
34+ | 18.70 грн |
36+ | 17.46 грн |
100+ | 16.21 грн |
IRFZ44NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 17.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 17.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFZ44NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 21715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
184+ | 66.62 грн |
230+ | 53.28 грн |
500+ | 41.56 грн |
1000+ | 35.22 грн |
2000+ | 31.16 грн |
4000+ | 28.31 грн |
8000+ | 26.84 грн |
IRFZ44NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 22.76 грн |
4000+ | 22.54 грн |
10000+ | 22.31 грн |
IRFZ44NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 24.52 грн |
4000+ | 24.27 грн |
10000+ | 24.03 грн |
IRFZ44NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 54.29 грн |
16+ | 39.80 грн |
100+ | 37.83 грн |
IRFZ44NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRFZ44NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
21+ | 29.86 грн |
IRFZ44NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
на замовлення 32099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 98.68 грн |
50+ | 47.02 грн |
100+ | 44.76 грн |
500+ | 34.27 грн |
1000+ | 30.24 грн |
2000+ | 28.45 грн |
5000+ | 26.35 грн |
10000+ | 20.91 грн |
IRFZ44NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ44NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 41 A, 0.0175 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFZ44NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 41 A, 0.0175 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 97.38 грн |
14+ | 59.59 грн |
100+ | 53.81 грн |
500+ | 40.46 грн |
1000+ | 34.45 грн |
IRFZ44NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
380+ | 32.15 грн |
IRFZ44NS | ![]() |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 21mOhm; 50A; 105W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFZ44NS; IRFZ44NSTRL; IRFZ44NSTRR; SP001560684; SP001578598; SP001567882; IRFZ44NS UMW TIRFZ44ns UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 21mOhm; 50A; 105W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFZ44NS; IRFZ44NSTRL; IRFZ44NSTRR; SP001560684; SP001578598; SP001567882; IRFZ44NS UMW TIRFZ44ns UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 23.55 грн |
IRFZ44NSPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2PAK Udss=55V; Id=49A; Pdmax=110W; Rds=0,022 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2PAK Udss=55V; Id=49A; Pdmax=110W; Rds=0,022 Ohm
на замовлення 65 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 41.20 грн |
10+ | 34.56 грн |
100+ | 33.86 грн |
IRFZ44NSTRL |
Виробник: Infineon
N-MOSFET 49A 55V 94W 0.017Ω IRFZ44NS IRFZ44NS smd TIRFZ44ns
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 49A 55V 94W 0.017Ω IRFZ44NS IRFZ44NS smd TIRFZ44ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 37.31 грн |
IRFZ44NSTRL |
Виробник: Infineon
N-MOSFET 49A 55V 94W 0.017Ω IRFZ44NS IRFZ44NS smd TIRFZ44ns
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 49A 55V 94W 0.017Ω IRFZ44NS IRFZ44NS smd TIRFZ44ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 37.31 грн |
IRFZ44NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
на замовлення 8919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 146.43 грн |
10+ | 90.04 грн |
100+ | 61.00 грн |
IRFZ44NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 51.73 грн |
250+ | 46.83 грн |
IRFZ44NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
75+ | 162.68 грн |
118+ | 104.12 грн |
200+ | 94.35 грн |
1600+ | 68.16 грн |
3200+ | 58.97 грн |
6400+ | 39.74 грн |
IRFZ44NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRFZ44NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 46.09 грн |
1600+ | 40.93 грн |
2400+ | 39.17 грн |
4000+ | 35.33 грн |
IRFZ44NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 87.48 грн |
12+ | 71.63 грн |
50+ | 63.71 грн |
100+ | 51.73 грн |
250+ | 46.83 грн |
IRFZ44NSTRRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
310+ | 67.87 грн |
IRFZ44NPBF |
![]() |
IRFZ44NPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 103 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRFZ44NPBF |
![]() |
IRFZ44NPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRFZ44NS | ![]() |
![]() |
Виробник: IR
TO-263
TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRFZ44NS | ![]() |
![]() |
Виробник: IR
07+ TO-263
07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRFZ44NS | ![]() |
![]() |
Виробник: IR
09+
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRFZ44NSTRPBF |
Виробник: IR
TO220 10+
TO220 10+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
AUIRFZ44N |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
263+ | 79.76 грн |
AUIRFZ44N |
![]() ![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CH 55V 31A Automotive AUIRFZ44N International Rectifier TAUIRFZ44n
кількість в упаковці: 10 шт
MOSFET N-CH 55V 31A Automotive AUIRFZ44N International Rectifier TAUIRFZ44n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 67.84 грн |
AUIRFZ44NS |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
222+ | 94.46 грн |
AUIRFZ44NSTRL |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
213+ | 98.65 грн |
AUIRFZ44NSTRL |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
213+ | 98.65 грн |
UMWIRFZ44N |
![]() |
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 84.36 грн |
10+ | 51.27 грн |
100+ | 33.76 грн |
UMWIRFZ44NS |
![]() |
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 109.82 грн |
10+ | 66.82 грн |
100+ | 44.56 грн |
Транзистор польовий IRFZ44NPBF 49A 55V N-ch TO-220AB |
на замовлення 19 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
19+ | 31.89 грн |
Транзистор польовий IRFZ44NS D2PAK |
на замовлення 50 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
21+ | 29.49 грн |
IRFZ44 |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6mOhm; 110A; 358W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFZ44; IRFZ44-BE3; IRFZ44N; SP001565354; IRFZ44N JSMICRO TIRFZ44n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6mOhm; 110A; 358W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFZ44; IRFZ44-BE3; IRFZ44N; SP001565354; IRFZ44N JSMICRO TIRFZ44n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 19.79 грн |
IRFZ44N Код товару: 1322
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 19.50 грн |
10+ | 15.70 грн |
IRFZ44NSPBF Код товару: 37486
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFZ44NSTRRPBF Код товару: 31849
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() ![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,0175 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,0175 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 23.50 грн |
IRFZ44N,127 |
![]() |
Виробник: NXP USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFZ44NL |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFZ44NLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFZ44NLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFZ44NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 17.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 17.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFZ44NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFZ44NSPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFZ44NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFZ44NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFZ44NSTRR |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]