Результат пошуку "IRL540" : 42
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 367
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 101
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 115
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 124
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRL540NPBF Код товару: 25626
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 36 A Rds(on), Ohm: 0,044 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1800/74 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT |
у наявності: 93 шт
37 шт - склад
22 шт - РАДІОМАГ-Київ 5 шт - РАДІОМАГ-Львів 11 шт - РАДІОМАГ-Харків 18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
IRL540 | Siliconix |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL540A | FAIRCHILD |
![]() ![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL540NPBF | Infineon |
![]() |
на замовлення 50 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRL540NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 36A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 44mΩ Mounting: THT Gate charge: 49.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRL540NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4961 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540NPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1041 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRL540NSTRL | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRL540NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 36A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 36A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 42 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2529 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540NSTRLPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540NSTRLPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRL540PBF | VISHAY |
![]() |
на замовлення 869 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRL540SPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540SPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540SPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 86 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IRL540NS |
![]() |
на замовлення 91 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IRL540NSC | IR |
на замовлення 2345 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IRL540S | IR |
![]() |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRL540SPBF | VISHAY |
![]() |
на замовлення 2600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IRL540NS Код товару: 99527
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() ![]() Корпус: D2PAK (TO-263) Uds,V: 100 V Idd,A: 36 A Rds(on), Ohm: 0,044 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1800/74 Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540PBF Код товару: 42050
Додати до обраних
Обраний товар
|
Vishay |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 28 A Rds(on), Ohm: 0,077 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2200/64 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540 | Vishay / Siliconix |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRL540NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 36A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 44mΩ Mounting: THT Gate charge: 49.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRL540NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRL540NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IRL540SPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 28A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 150W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRL540SPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 28A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 150W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRL540STRLPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 28A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 150W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRL540STRLPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 28A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 150W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IRL540NPBF Код товару: 25626
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 36 A
Rds(on), Ohm: 0,044 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/74
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 36 A
Rds(on), Ohm: 0,044 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/74
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 93 шт
37 шт - склад
22 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
11 шт - РАДІОМАГ-Харків
18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
22 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
11 шт - РАДІОМАГ-Харків
18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 56.00 грн |
10+ | 50.50 грн |
IRL540 |
![]() |
Виробник: Siliconix
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 IRL540 TIRL540
кількість в упаковці: 50 шт
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 IRL540 TIRL540
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 45.54 грн |
IRL540A |
![]() ![]() |
Виробник: FAIRCHILD
IRL540A
IRL540A
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
367+ | 83.68 грн |
500+ | 75.31 грн |
1000+ | 69.46 грн |
IRL540NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO220AB Udss=100V; Id=36A; Pdmax=140W; Rds=0,044 Ohm Logic Level Gate
Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO220AB Udss=100V; Id=36A; Pdmax=140W; Rds=0,044 Ohm Logic Level Gate
на замовлення 50 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 105.08 грн |
IRL540NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRL540NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 36A 49.3nC 44mOhm LogLvAB
MOSFETs MOSFT 36A 49.3nC 44mOhm LogLvAB
на замовлення 4961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 134.82 грн |
10+ | 63.54 грн |
100+ | 49.29 грн |
500+ | 38.95 грн |
1000+ | 35.59 грн |
2000+ | 34.75 грн |
5000+ | 31.22 грн |
IRL540NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRL540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 127.06 грн |
10+ | 120.19 грн |
100+ | 72.89 грн |
500+ | 57.40 грн |
1000+ | 44.59 грн |
IRL540NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 123.42 грн |
105+ | 116.88 грн |
200+ | 68.33 грн |
500+ | 57.77 грн |
1000+ | 52.40 грн |
2000+ | 39.79 грн |
IRL540NSTRL |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 63mOhm; 36A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRL540NS TIRL540ns
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 63mOhm; 36A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRL540NS TIRL540ns
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 80.56 грн |
IRL540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 121.05 грн |
18+ | 52.62 грн |
IRL540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 145.26 грн |
18+ | 65.57 грн |
50+ | 59.31 грн |
1600+ | 57.40 грн |
IRL540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 36A 44mOhm 49.3nC LogLvl
MOSFETs MOSFT 100V 36A 44mOhm 49.3nC LogLvl
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 135.72 грн |
10+ | 120.58 грн |
100+ | 75.69 грн |
500+ | 52.42 грн |
IRL540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRL540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 86.10 грн |
250+ | 78.00 грн |
IRL540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 145.04 грн |
10+ | 130.44 грн |
25+ | 130.01 грн |
100+ | 92.81 грн |
250+ | 83.29 грн |
500+ | 54.76 грн |
IRL540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 65.20 грн |
1600+ | 64.27 грн |
IRL540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 50.58 грн |
1600+ | 50.23 грн |
IRL540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
101+ | 121.74 грн |
102+ | 121.34 грн |
137+ | 89.83 грн |
250+ | 83.96 грн |
500+ | 53.24 грн |
IRL540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRL540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 142.52 грн |
10+ | 133.07 грн |
50+ | 113.33 грн |
100+ | 86.10 грн |
250+ | 78.00 грн |
IRL540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
115+ | 107.07 грн |
122+ | 100.53 грн |
134+ | 91.54 грн |
200+ | 77.16 грн |
500+ | 69.98 грн |
800+ | 50.94 грн |
IRL540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 54.19 грн |
1600+ | 53.82 грн |
IRL540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 60.27 грн |
1600+ | 59.40 грн |
IRL540PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRL540PBF THT N channel transistors
IRL540PBF THT N channel transistors
на замовлення 869 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 87.36 грн |
21+ | 54.15 грн |
57+ | 51.18 грн |
IRL540SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
124+ | 98.98 грн |
IRL540SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 106.05 грн |
IRL540SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRL540NS | ![]() |
IRL540NS Транзисторы HEXFET
на замовлення 91 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRL540NSC |
Виробник: IR
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRL540S |
![]() |
Виробник: IR
SOT263 10+
SOT263 10+
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRL540SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRL540NS Код товару: 99527
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 36 A
Rds(on), Ohm: 0,044 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/74
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 36 A
Rds(on), Ohm: 0,044 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/74
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 18.00 грн |
10+ | 16.50 грн |
IRL540PBF Код товару: 42050
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 28 A
Rds(on), Ohm: 0,077 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2200/64
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 28 A
Rds(on), Ohm: 0,077 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2200/64
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 27.00 грн |
10+ | 24.50 грн |
IRL540 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRL5
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRL5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRL540NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRL540NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRL540NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRL540SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRL540SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRL540STRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRL540STRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.