Результат пошуку "RFP50N06" : 23
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 158
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 278
Мінімальне замовлення: 67
Мінімальне замовлення: 104
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 452
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
RFP50N06LE Код товару: 189268 |
JSMICRO |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 60 V Idd,A: 50 A Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm Монтаж: THT |
у наявності: 108 шт
50 шт - склад
24 шт - РАДІОМАГ-Київ 10 шт - РАДІОМАГ-Львів 24 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
|||||||||||
RFP50N06 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Power dissipation: 131W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 121 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
RFP50N06 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Power dissipation: 131W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 121 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
RFP50N06 | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
RFP50N06 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 131W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V |
на замовлення 4085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
RFP50N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
RFP50N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
RFP50N06 | Harris Corporation |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 131W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V |
на замовлення 665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
RFP50N06 | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
RFP50N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
RFP50N06 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - RFP50N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.022 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 131W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
RFP50N06 | onsemi / Fairchild | MOSFETs TO-220AB N-CH POWER |
на замовлення 1767 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
RFP50N06 | ON-Semicoductor |
N-MOSFET 50A 60V 0.022Ω RFP50N06 TRFP50N06 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
RFP50N06 | ON-Semicoductor |
N-MOSFET 50A 60V 0.022Ω RFP50N06 TRFP50N06 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
RFP50N06R4034 | Harris Corporation |
Description: 50A, 60V, 0.022 OHM, N-CHANNEL Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
RFP50N06S5001 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
NTE2395 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 150W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 36A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 150W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
RFP50N06 Код товару: 182601 |
ON |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 60 V Idd,A: 50 A Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
||||||||||||
RFP50N06 Код товару: 25146 |
FS |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 60 V Idd,A: 50 A Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
|||||||||||
RFP50N06 Код товару: 182599 |
Harris |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 60 V Idd,A: 50 A Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
|||||||||||
RFP50N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||
RFP50N06_Q | onsemi / Fairchild | MOSFETs TO-220AB N-CH POWER |
товару немає в наявності |
RFP50N06LE Код товару: 189268 |
Виробник: JSMICRO
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 108 шт
50 шт - склад
24 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
24 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
24 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
24 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 49 грн |
10+ | 44.5 грн |
RFP50N06 |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 132.75 грн |
4+ | 109.57 грн |
10+ | 84.34 грн |
28+ | 80.02 грн |
RFP50N06 |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 121 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 159.3 грн |
3+ | 136.55 грн |
10+ | 101.21 грн |
28+ | 96.02 грн |
250+ | 91.7 грн |
RFP50N06 |
Виробник: Aptina Imaging
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
158+ | 77.64 грн |
RFP50N06 |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
на замовлення 4085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 169.18 грн |
50+ | 87.86 грн |
100+ | 80.08 грн |
500+ | 62.12 грн |
1000+ | 58.83 грн |
RFP50N06 |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 120.96 грн |
10+ | 87.76 грн |
100+ | 82.46 грн |
RFP50N06 |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 167.7 грн |
10+ | 99.29 грн |
100+ | 90.63 грн |
500+ | 71.19 грн |
800+ | 63.55 грн |
RFP50N06 |
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
278+ | 75.15 грн |
RFP50N06 |
Виробник: Aptina Imaging
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
67+ | 184.13 грн |
113+ | 109.01 грн |
124+ | 99.51 грн |
500+ | 78.17 грн |
800+ | 69.79 грн |
RFP50N06 |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
104+ | 119 грн |
250+ | 109.44 грн |
RFP50N06 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RFP50N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.022 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 131W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - RFP50N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.022 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 131W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 182.44 грн |
10+ | 128.09 грн |
100+ | 94.71 грн |
RFP50N06 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs TO-220AB N-CH POWER
MOSFETs TO-220AB N-CH POWER
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 168.74 грн |
10+ | 97.89 грн |
100+ | 76.82 грн |
500+ | 68.86 грн |
RFP50N06 |
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 75.58 грн |
RFP50N06 |
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 75.58 грн |
RFP50N06R4034 |
Виробник: Harris Corporation
Description: 50A, 60V, 0.022 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: 50A, 60V, 0.022 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
452+ | 45.92 грн |
NTE2395 |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 150W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 150W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 434.74 грн |
3+ | 363.32 грн |
RFP50N06 Код товару: 182601 |
товару немає в наявності
RFP50N06 Код товару: 25146 |
Виробник: FS
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 35.5 грн |
10+ | 31.4 грн |
RFP50N06 Код товару: 182599 |
Виробник: Harris
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 44 грн |
10+ | 39.6 грн |
RFP50N06 |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності