Результат пошуку "STGB10NB37LZ" : 14
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STGB10NB37LZT4 Код товару: 34446
Додати до обраних
Обраний товар
|
ST |
![]() Корпус: D²PAK Vces: 410 V Ic 25: 20 A Ic 100: 10 А |
у наявності: 119 шт
80 шт - склад
13 шт - РАДІОМАГ-Київ 10 шт - РАДІОМАГ-Львів 7 шт - РАДІОМАГ-Харків 5 шт - РАДІОМАГ-Одеса 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||
STGB10NB37LZ; IGBT N-chanal; 20A 18V 125W; Корпус: D2PAK (TO-263); STM (шт) |
на замовлення 31 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
STGB10NB37LZT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 440V Collector current: 20A Power dissipation: 125W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Mounting: SMD Gate charge: 28nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level Application: ignition systems Version: ESD |
на замовлення 1259 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STGB10NB37LZT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 440V Collector current: 20A Power dissipation: 125W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Mounting: SMD Gate charge: 28nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level Application: ignition systems Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1259 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STGB10NB37LZT4 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
STGB10NB37LZT4 |
![]() |
на замовлення 1996 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
Транзистор IGBT STGB10NB37LZT4 20A 440V D2PAK |
на замовлення 5 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
STGB10NB37LZT4 відсутній резистор GE Код товару: 212617
Додати до обраних
Обраний товар
|
Китай |
Транзистори > IGBT Корпус: D²PAK Ic 25: 20 A Ic 100: 10 А |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
STGB10NB37LZ | STMicroelectronics |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
STGB10NB37LZT4 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
STGB10NB37LZT4 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
STGB10NB37LZT4 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
STGB10NB37LZT4 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
STGB10NB37LZT4 Код товару: 34446
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
у наявності: 119 шт
80 шт - склад
13 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
7 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
13 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
7 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 127.00 грн |
10+ | 114.50 грн |
100+ | 102.30 грн |
STGB10NB37LZ; IGBT N-chanal; 20A 18V 125W; Корпус: D2PAK (TO-263); STM (шт) |
на замовлення 31 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 94.02 грн |
STGB10NB37LZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 298.70 грн |
10+ | 184.11 грн |
12+ | 82.89 грн |
31+ | 78.91 грн |
STGB10NB37LZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 358.44 грн |
10+ | 229.43 грн |
12+ | 99.47 грн |
31+ | 94.69 грн |
STGB10NB37LZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs 10 A - 410 V Int Clamped IGBT
IGBTs 10 A - 410 V Int Clamped IGBT
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 202.64 грн |
10+ | 129.35 грн |
100+ | 80.34 грн |
500+ | 67.10 грн |
1000+ | 57.08 грн |
2000+ | 52.79 грн |
Транзистор IGBT STGB10NB37LZT4 20A 440V D2PAK |
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 126.11 грн |
STGB10NB37LZT4 відсутній резистор GE Код товару: 212617
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGB10NB37LZ | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs 10 A 410V INTERNALLY CLAMPED IGBT
IGBTs 10 A 410V INTERNALLY CLAMPED IGBT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGB10NB37LZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGB10NB37LZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGB10NB37LZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGB10NB37LZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.