Результат пошуку "STGB10NB37LZ" : 15
        Вид перегляду :
        
            
    
    
        
    
    
                    
    В кошику
     од. на суму     грн.
    
                    
Мінімальне замовлення: 4
    В кошику
     од. на суму     грн.
                    
Мінімальне замовлення: 2
    В кошику
     од. на суму     грн.
                    
    В кошику
     од. на суму     грн.
                    
Мінімальне замовлення: 2
    В кошику
     од. на суму     грн.
    
                    
Мінімальне замовлення: 3
    В кошику
     од. на суму     грн.
    
                    
Мінімальне замовлення: 3
    В кошику
     од. на суму     грн.
    
        
    | Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | STGB10NB37LZT4 Код товару: 34446 
            
                            Додати до обраних
                Обраний товар
                 | ST |  Транзистори > IGBT Корпус: D²PAK Vces: 410 V Ic 25: 20 A Ic 100: 10 А | у наявності: 113 шт 
        78 шт - склад 9 шт - РАДІОМАГ-Київ 10 шт - РАДІОМАГ-Львів 7 шт - РАДІОМАГ-Харків 5 шт - РАДІОМАГ-Одеса 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро | 
 | ||||||||||||||
| STGB10NB37LZ; IGBT N-chanal; 20A 18V 125W; Корпус: D2PAK (TO-263); STM (шт) | на замовлення 31 шт:термін постачання 2-3 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||||
|   | STGB10NB37LZT4 | STMicroelectronics |  Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 440V Collector current: 20A Power dissipation: 125W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Mounting: SMD Gate charge: 28nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level Application: ignition systems Version: ESD | на замовлення 1249 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | STGB10NB37LZT4 | STMicroelectronics |  Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 440V Collector current: 20A Power dissipation: 125W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Mounting: SMD Gate charge: 28nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level Application: ignition systems Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1249 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | STGB10NB37LZT4 | STMicroelectronics |  IGBTs 10 A - 410 V Int Clamped IGBT | на замовлення 950 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
| STGB10NB37LZT4 |   | на замовлення 1996 шт:термін постачання 2-3 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| Транзистор IGBT STGB10NB37LZT4 20A 440V D2PAK | на замовлення 3 шт:термін постачання 3 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||||
| Транзистор IGBT STGB10NB37LZT4 20A 440V D2PAK | на замовлення 3 шт:термін постачання 3 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||||
|   | STGB10NB37LZT4 відсутній резистор GE Код товару: 212617 
            
                            Додати до обраних
                Обраний товар
                 | Китай | Транзистори > IGBT Корпус: D²PAK Ic 25: 20 A Ic 100: 10 А | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|   | STGB10NB37LZ | STMicroelectronics |    IGBTs 10 A 410V INTERNALLY CLAMPED IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|   | STGB10NB37LZT4 | STMicroelectronics |  Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|   | STGB10NB37LZT4 | STMicroelectronics |  Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|   | STGB10NB37LZT4 | STMicroelectronics |  Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|   | STGB10NB37LZT4 | STMicroelectronics |  Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | 
| STGB10NB37LZT4 Код товару: 34446 
            
                            Додати до обраних
                Обраний товар
                 |  | 
у наявності: 113 шт
    
    
        78 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
7 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
7 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 127.00 грн | 
| 10+ | 114.50 грн | 
| 100+ | 102.30 грн | 
| STGB10NB37LZ; IGBT N-chanal; 20A 18V 125W; Корпус: D2PAK (TO-263); STM (шт) | 
на замовлення 31 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 4+ | 96.07 грн | 
| STGB10NB37LZT4 |  | 
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
    Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
на замовлення 1249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 2+ | 281.85 грн | 
| 10+ | 174.21 грн | 
| 50+ | 136.03 грн | 
| 100+ | 120.12 грн | 
| 250+ | 99.44 грн | 
| 500+ | 83.53 грн | 
| 1000+ | 75.57 грн | 
| STGB10NB37LZT4 |  | 
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
    Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1249 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 338.22 грн | 
| 10+ | 217.10 грн | 
| 50+ | 163.24 грн | 
| 100+ | 144.14 грн | 
| 250+ | 119.32 грн | 
| 500+ | 100.23 грн | 
| 1000+ | 90.69 грн | 
| STGB10NB37LZT4 |  | 
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs 10 A - 410 V Int Clamped IGBT
    IGBTs 10 A - 410 V Int Clamped IGBT
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 2+ | 202.25 грн | 
| 10+ | 175.65 грн | 
| 100+ | 151.21 грн | 
| 1000+ | 56.97 грн | 
| 2000+ | 52.69 грн | 
| Транзистор IGBT STGB10NB37LZT4 20A 440V D2PAK | 
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 3+ | 203.28 грн | 
| Транзистор IGBT STGB10NB37LZT4 20A 440V D2PAK | 
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 3+ | 203.28 грн | 
| STGB10NB37LZT4 відсутній резистор GE Код товару: 212617 
            
                            Додати до обраних
                Обраний товар
                 | 
товару немає в наявності
    В кошику
     од. на суму     грн.
| STGB10NB37LZ |  |  | 
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs 10 A 410V INTERNALLY CLAMPED IGBT
    IGBTs 10 A 410V INTERNALLY CLAMPED IGBT
товару немає в наявності
    В кошику
     од. на суму     грн.
| STGB10NB37LZT4 |  | 
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
    Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
    В кошику
     од. на суму     грн.
| STGB10NB37LZT4 |  | 
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
    Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
    В кошику
     од. на суму     грн.
| STGB10NB37LZT4 |  | 
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
    Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
    В кошику
     од. на суму     грн.
| STGB10NB37LZT4 |  | 
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
    Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
    В кошику
     од. на суму     грн.