Результат пошуку "es1d" : > 180
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 10000
Мінімальне замовлення: 17
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 338
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 1063
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 3500
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 14000
Мінімальне замовлення: 413
Мінімальне замовлення: 11719
Мінімальне замовлення: 7500
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 10000
Мінімальне замовлення: 10000
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 3500
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 14000
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 7500
Мінімальне замовлення: 1800
Мінімальне замовлення: 1800
Мінімальне замовлення: 539
Мінімальне замовлення: 22
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 7500
Мінімальне замовлення: 7500
Мінімальне замовлення: 26
Мінімальне замовлення: 7500
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 606
Мінімальне замовлення: 10000
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 83
Мінімальне замовлення: 45
Мінімальне замовлення: 27
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 10000
Мінімальне замовлення: 10000
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 10000
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 10000
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 200
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ES1D-TP | Micro Commercial Co |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (HSMA) Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
на замовлення 2094000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
ES1DAF | onsemi |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AD, SMAF Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 34 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AD (SMAF) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DAF | ON Semiconductor | Diode Switching 200V 1A 2-Pin SMAF T/R |
на замовлення 9810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DAF | onsemi |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AD, SMAF Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 34 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AD (SMAF) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 29680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DAF | ON Semiconductor | Diode Switching 200V 1A 2-Pin SMAF T/R |
на замовлення 9810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DAF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ES1DAF - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 34 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AD Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 34ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
ES1DAF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ES1DAF - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 34 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AD Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 34ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
ES1DAF | onsemi / Fairchild | Rectifiers 200V SMA Super Fast Rectifier |
на замовлення 2654 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DAF | Fairchild Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AD Packaging: Bulk Package / Case: DO-214AD, SMAF Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 34 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AD (SMAF) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 59900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DAF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ES1DAF - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 4429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
ES1DAL | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A THIN SMA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Thin SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V |
на замовлення 29450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DAL | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A THIN SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Thin SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V |
на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DALH | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: 35NS, 1A, 200V, SUPER FAST RECOV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Thin SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DALH | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: 35NS, 1A, 200V, SUPER FAST RECOV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Thin SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DB | World Products Inc. | ES1DB |
на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DF | Microdiode Electronics | Surface Mount Super Fast Rectifier |
на замовлення 237000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DF-T | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: 35NS, 1A, 200V, SUPER FAST RECOV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SMAF Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DF-T | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: 35NS, 1A, 200V, SUPER FAST RECOV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SMAF Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DFL | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: 35NS, 1A, 200V, SUPER FAST RECOV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123F Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123F Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
на замовлення 8965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DFL | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 200V 1A 2-Pin SOD-123FL T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DFL | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 200V 1A 2-Pin SOD-123FL T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DFS | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD128 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-128 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-128 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V |
на замовлення 27995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DFS | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD128 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-128 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-128 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V |
на замовлення 24500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DFSH | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: 35NS, 1A, 200V, SUPER FAST RECOV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-128 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-128 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DFSH | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: 35NS, 1A, 200V, SUPER FAST RECOV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-128 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-128 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DH | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 8928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DH | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DHE3_A/H | Vishay | Diode Switching 200V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 14400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DHE3_A/H | VISHAY |
Description: VISHAY - ES1DHE3_A/H - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 920 mV, 25 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 920mV Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
ES1DHE3_A/H | Vishay | Diode Switching 200V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 14400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DHE3_A/H | Vishay | Diode Switching 200V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 4095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DHE3_A/H | VISHAY |
Description: VISHAY - ES1DHE3_A/H - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 920 mV, 25 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 920mV Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
ES1DHE3_A/H | Vishay | Diode Switching 200V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 4095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DHE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt 30 Amp IFSM |
на замовлення 363 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DHE3_A/I | Vishay | Diode Switching 200V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DHE3_A/I | Vishay | Diode Switching 200V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 2144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DHE3_A/I | Vishay | Diode Switching 200V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DHE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt 30 Amp IFSM |
на замовлення 6062 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 22111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DHE3_A/I | Vishay | Diode Switching 200V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 2144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DL | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DL | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 200V, Super Fast Recovery Rectifier |
на замовлення 3735 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DL | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
на замовлення 21528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DL | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - ES1DL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 25 A tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 25A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DL | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - ES1DL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 25 A tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 25A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DL R2G | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 35ns; subSMA; Ufmax: 0.95V Mounting: SMD Case: subSMA Capacitance: 10pF Max. off-state voltage: 200V Max. forward voltage: 0.95V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 35ns Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching |
на замовлення 864 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DL R2G | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 35ns; subSMA; Ufmax: 0.95V Mounting: SMD Case: subSMA Capacitance: 10pF Max. off-state voltage: 200V Max. forward voltage: 0.95V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 35ns Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 864 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DL R3G | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1DL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Sub-SMA Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ES1D productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DLH | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 200V 1A Automotive 2-Pin Sub SMA T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
ES1DLH | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 200V 1A Automotive 2-Pin Sub SMA T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DLH | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 200V 1A Automotive 2-Pin Sub SMA T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DLW | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 200V, Super Fast Recovery Rectifier |
на замовлення 8619 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DLW | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123W Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DLW | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123W Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
на замовлення 112708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DLW RVG | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 200V 1A 2-Pin SOD-123W T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
ES1DLWH | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123W Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DLWH | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123W Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
на замовлення 28544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1DSLTR | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 35ns; SOD123F; Ufmax: 0.95V; Ir: 5uA Mounting: SMD Case: SOD123F Max. off-state voltage: 200V Max. forward voltage: 0.95V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 35ns Leakage current: 5µA Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: ultrafast switching |
на замовлення 825 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
ES1D-TP |
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (HSMA)
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (HSMA)
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 2094000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)ES1DAF |
Виробник: onsemi
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AD, SMAF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AD (SMAF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AD, SMAF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AD (SMAF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 16.6 грн |
ES1DAF |
Виробник: ON Semiconductor
Diode Switching 200V 1A 2-Pin SMAF T/R
Diode Switching 200V 1A 2-Pin SMAF T/R
на замовлення 9810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
17+ | 35.16 грн |
19+ | 31.99 грн |
25+ | 31.81 грн |
100+ | 24.48 грн |
250+ | 22.44 грн |
500+ | 19.16 грн |
1000+ | 15.53 грн |
3000+ | 15.51 грн |
6000+ | 15.48 грн |
ES1DAF |
Виробник: onsemi
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AD, SMAF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AD (SMAF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AD, SMAF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AD (SMAF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 29680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 49.58 грн |
10+ | 41.52 грн |
100+ | 28.76 грн |
500+ | 22.56 грн |
1000+ | 19.2 грн |
2000+ | 17.1 грн |
5000+ | 15.93 грн |
ES1DAF |
Виробник: ON Semiconductor
Diode Switching 200V 1A 2-Pin SMAF T/R
Diode Switching 200V 1A 2-Pin SMAF T/R
на замовлення 9810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
338+ | 34.46 грн |
340+ | 34.25 грн |
426+ | 27.34 грн |
431+ | 26.1 грн |
500+ | 21.5 грн |
1000+ | 16.73 грн |
3000+ | 16.7 грн |
6000+ | 16.67 грн |
ES1DAF |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES1DAF - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 34 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AD
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 34ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - ES1DAF - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 34 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AD
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 34ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)ES1DAF |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES1DAF - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 34 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AD
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 34ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - ES1DAF - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 34 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AD
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 34ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)ES1DAF |
Виробник: onsemi / Fairchild
Rectifiers 200V SMA Super Fast Rectifier
Rectifiers 200V SMA Super Fast Rectifier
на замовлення 2654 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 51.92 грн |
10+ | 43.69 грн |
100+ | 26.84 грн |
500+ | 22.58 грн |
1000+ | 17.27 грн |
ES1DAF |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-214AD, SMAF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AD (SMAF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-214AD, SMAF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AD (SMAF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 59900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1063+ | 18.84 грн |
ES1DAF |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES1DAF - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - ES1DAF - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)ES1DAL |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A THIN SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A THIN SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 29450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 30.9 грн |
13+ | 21.31 грн |
100+ | 10.74 грн |
500+ | 8.93 грн |
1000+ | 6.95 грн |
ES1DAL |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A THIN SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A THIN SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3500+ | 6.88 грн |
7000+ | 6.48 грн |
10500+ | 5.74 грн |
24500+ | 5.32 грн |
ES1DALH |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 35NS, 1A, 200V, SUPER FAST RECOV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: 35NS, 1A, 200V, SUPER FAST RECOV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 30.9 грн |
13+ | 21.31 грн |
100+ | 10.74 грн |
500+ | 8.93 грн |
1000+ | 6.95 грн |
2000+ | 6.22 грн |
5000+ | 5.98 грн |
ES1DALH |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 35NS, 1A, 200V, SUPER FAST RECOV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: 35NS, 1A, 200V, SUPER FAST RECOV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14000+ | 5.96 грн |
ES1DB |
Виробник: World Products Inc.
ES1DB
ES1DB
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
413+ | 28.24 грн |
441+ | 26.4 грн |
500+ | 25.65 грн |
1000+ | 14.6 грн |
ES1DF |
Виробник: Microdiode Electronics
Surface Mount Super Fast Rectifier
Surface Mount Super Fast Rectifier
на замовлення 237000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11719+ | 0.99 грн |
ES1DF-T |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 35NS, 1A, 200V, SUPER FAST RECOV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMAF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Description: 35NS, 1A, 200V, SUPER FAST RECOV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMAF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7500+ | 3.73 грн |
ES1DF-T |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 35NS, 1A, 200V, SUPER FAST RECOV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMAF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Description: 35NS, 1A, 200V, SUPER FAST RECOV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMAF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 24.43 грн |
18+ | 15.78 грн |
100+ | 7.72 грн |
500+ | 6.04 грн |
1000+ | 4.2 грн |
2000+ | 3.64 грн |
ES1DFL |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 35NS, 1A, 200V, SUPER FAST RECOV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Description: 35NS, 1A, 200V, SUPER FAST RECOV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 8965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 22.28 грн |
20+ | 14.53 грн |
100+ | 7.08 грн |
500+ | 5.54 грн |
1000+ | 3.85 грн |
2000+ | 3.34 грн |
5000+ | 3.05 грн |
ES1DFL |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode Switching 200V 1A 2-Pin SOD-123FL T/R
Diode Switching 200V 1A 2-Pin SOD-123FL T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 3.04 грн |
20000+ | 3.01 грн |
ES1DFL |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode Switching 200V 1A 2-Pin SOD-123FL T/R
Diode Switching 200V 1A 2-Pin SOD-123FL T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 3.28 грн |
20000+ | 3.24 грн |
ES1DFS |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD128
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD128
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 27995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 30.9 грн |
13+ | 21.31 грн |
100+ | 10.74 грн |
500+ | 8.93 грн |
1000+ | 6.95 грн |
ES1DFS |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD128
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD128
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 24500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3500+ | 6.88 грн |
7000+ | 6.48 грн |
10500+ | 5.74 грн |
24500+ | 5.32 грн |
ES1DFSH |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 35NS, 1A, 200V, SUPER FAST RECOV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: 35NS, 1A, 200V, SUPER FAST RECOV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 30.9 грн |
13+ | 21.31 грн |
100+ | 10.74 грн |
500+ | 8.93 грн |
1000+ | 6.95 грн |
2000+ | 6.22 грн |
5000+ | 5.98 грн |
ES1DFSH |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 35NS, 1A, 200V, SUPER FAST RECOV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: 35NS, 1A, 200V, SUPER FAST RECOV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14000+ | 5.96 грн |
ES1DH |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 31.62 грн |
13+ | 21.45 грн |
100+ | 10.84 грн |
500+ | 8.3 грн |
1000+ | 6.16 грн |
2000+ | 5.18 грн |
ES1DH |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7500+ | 5.48 грн |
ES1DHE3_A/H |
Виробник: Vishay
Diode Switching 200V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R
Diode Switching 200V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1800+ | 6.47 грн |
9000+ | 6.29 грн |
ES1DHE3_A/H |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - ES1DHE3_A/H - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 920 mV, 25 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 920mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: VISHAY - ES1DHE3_A/H - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 920 mV, 25 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 920mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)ES1DHE3_A/H |
Виробник: Vishay
Diode Switching 200V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R
Diode Switching 200V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1800+ | 6.01 грн |
9000+ | 5.85 грн |
ES1DHE3_A/H |
Виробник: Vishay
Diode Switching 200V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R
Diode Switching 200V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R
на замовлення 4095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
539+ | 21.6 грн |
895+ | 13.01 грн |
905+ | 12.88 грн |
991+ | 11.33 грн |
1258+ | 8.27 грн |
3000+ | 5.81 грн |
ES1DHE3_A/H |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - ES1DHE3_A/H - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 920 mV, 25 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 920mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: VISHAY - ES1DHE3_A/H - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 920 mV, 25 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 920mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)ES1DHE3_A/H |
Виробник: Vishay
Diode Switching 200V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R
Diode Switching 200V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R
на замовлення 4095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
22+ | 26.31 грн |
29+ | 20.06 грн |
100+ | 11.65 грн |
250+ | 10.68 грн |
500+ | 9.35 грн |
1000+ | 7.37 грн |
3000+ | 5.39 грн |
ES1DHE3_A/H |
Виробник: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt 30 Amp IFSM
Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt 30 Amp IFSM
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 27.36 грн |
15+ | 20.78 грн |
100+ | 10.83 грн |
500+ | 9.96 грн |
1000+ | 5.98 грн |
1800+ | 5.38 грн |
9000+ | 5.18 грн |
ES1DHE3_A/H |
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 25.87 грн |
15+ | 19.1 грн |
100+ | 11.49 грн |
500+ | 9.98 грн |
ES1DHE3_A/I |
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7500+ | 6.63 грн |
15000+ | 5.74 грн |
ES1DHE3_A/I |
Виробник: Vishay
Diode Switching 200V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R
Diode Switching 200V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7500+ | 5.72 грн |
ES1DHE3_A/I |
Виробник: Vishay
Diode Switching 200V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R
Diode Switching 200V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
26+ | 22.47 грн |
33+ | 17.85 грн |
100+ | 11.08 грн |
250+ | 10.17 грн |
500+ | 9.03 грн |
1000+ | 5.39 грн |
ES1DHE3_A/I |
Виробник: Vishay
Diode Switching 200V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R
Diode Switching 200V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7500+ | 6.15 грн |
ES1DHE3_A/I |
Виробник: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt 30 Amp IFSM
Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt 30 Amp IFSM
на замовлення 6062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 26.66 грн |
15+ | 20.47 грн |
100+ | 10.83 грн |
500+ | 10.03 грн |
1000+ | 6.38 грн |
2500+ | 6.11 грн |
7500+ | 5.71 грн |
ES1DHE3_A/I |
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 25.87 грн |
15+ | 19.1 грн |
100+ | 11.49 грн |
500+ | 9.98 грн |
1000+ | 6.79 грн |
2000+ | 6.25 грн |
ES1DHE3_A/I |
Виробник: Vishay
Diode Switching 200V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R
Diode Switching 200V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
606+ | 19.22 грн |
941+ | 12.38 грн |
950+ | 12.26 грн |
1027+ | 10.93 грн |
1719+ | 6.05 грн |
ES1DL |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 6.11 грн |
ES1DL |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Rectifiers 35ns, 1A, 200V, Super Fast Recovery Rectifier
Rectifiers 35ns, 1A, 200V, Super Fast Recovery Rectifier
на замовлення 3735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 33.87 грн |
13+ | 23.83 грн |
100+ | 10.43 грн |
1000+ | 7.24 грн |
2500+ | 6.44 грн |
10000+ | 5.58 грн |
20000+ | 5.51 грн |
ES1DL |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 21528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 31.62 грн |
13+ | 21.87 грн |
100+ | 11.01 грн |
500+ | 9.15 грн |
1000+ | 7.12 грн |
2000+ | 6.38 грн |
5000+ | 6.13 грн |
ES1DL |
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - ES1DL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 25 A
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 25A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: MULTICOMP PRO - ES1DL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 25 A
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 25A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 3.34 грн |
1000+ | 2.2 грн |
ES1DL |
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - ES1DL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 25 A
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 25A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: MULTICOMP PRO - ES1DL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 25 A
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 25A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
83+ | 9.02 грн |
104+ | 7.21 грн |
145+ | 5.15 грн |
500+ | 3.34 грн |
1000+ | 2.2 грн |
ES1DL R2G |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 35ns; subSMA; Ufmax: 0.95V
Mounting: SMD
Case: subSMA
Capacitance: 10pF
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 0.95V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 35ns
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 35ns; subSMA; Ufmax: 0.95V
Mounting: SMD
Case: subSMA
Capacitance: 10pF
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 0.95V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 35ns
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
45+ | 8.35 грн |
51+ | 6.85 грн |
100+ | 6.02 грн |
145+ | 5.6 грн |
399+ | 5.29 грн |
ES1DL R2G |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 35ns; subSMA; Ufmax: 0.95V
Mounting: SMD
Case: subSMA
Capacitance: 10pF
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 0.95V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 35ns
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 35ns; subSMA; Ufmax: 0.95V
Mounting: SMD
Case: subSMA
Capacitance: 10pF
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 0.95V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 35ns
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 864 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
27+ | 10.01 грн |
31+ | 8.54 грн |
100+ | 7.22 грн |
145+ | 6.72 грн |
399+ | 6.35 грн |
7500+ | 6.14 грн |
ES1DL R3G |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1DL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Sub-SMA
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1D
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1DL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Sub-SMA
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1D
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 50.97 грн |
18+ | 42.1 грн |
100+ | 26.53 грн |
500+ | 19.17 грн |
1000+ | 5.08 грн |
ES1DLH |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode Switching 200V 1A Automotive 2-Pin Sub SMA T/R
Diode Switching 200V 1A Automotive 2-Pin Sub SMA T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)ES1DLH |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode Switching 200V 1A Automotive 2-Pin Sub SMA T/R
Diode Switching 200V 1A Automotive 2-Pin Sub SMA T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 9.82 грн |
ES1DLH |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode Switching 200V 1A Automotive 2-Pin Sub SMA T/R
Diode Switching 200V 1A Automotive 2-Pin Sub SMA T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 9.16 грн |
ES1DLW |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Rectifiers 35ns, 1A, 200V, Super Fast Recovery Rectifier
Rectifiers 35ns, 1A, 200V, Super Fast Recovery Rectifier
на замовлення 8619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 30.3 грн |
14+ | 21.85 грн |
100+ | 8.9 грн |
1000+ | 6.24 грн |
2500+ | 5.78 грн |
10000+ | 4.98 грн |
20000+ | 4.92 грн |
ES1DLW |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 5.55 грн |
30000+ | 5.27 грн |
50000+ | 4.48 грн |
100000+ | 4.14 грн |
ES1DLW |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 112708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 28.74 грн |
14+ | 19.86 грн |
100+ | 9.99 грн |
500+ | 8.31 грн |
1000+ | 6.47 грн |
2000+ | 5.79 грн |
5000+ | 5.57 грн |
ES1DLW RVG |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode Switching 200V 1A 2-Pin SOD-123W T/R
Diode Switching 200V 1A 2-Pin SOD-123W T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)ES1DLWH |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 5.48 грн |
ES1DLWH |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 28544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 28.74 грн |
15+ | 19.58 грн |
100+ | 9.88 грн |
500+ | 8.22 грн |
1000+ | 6.39 грн |
2000+ | 5.72 грн |
5000+ | 5.5 грн |
ES1DSLTR |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 35ns; SOD123F; Ufmax: 0.95V; Ir: 5uA
Mounting: SMD
Case: SOD123F
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 0.95V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 35ns
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 35ns; SOD123F; Ufmax: 0.95V; Ir: 5uA
Mounting: SMD
Case: SOD123F
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 0.95V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 35ns
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
200+ | 1.94 грн |
275+ | 1.33 грн |
500+ | 1.18 грн |
750+ | 1.11 грн |