Результат пошуку "irg4pc50" : 59

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRG4PC50SPBF IRG4PC50SPBF
Код товару: 55915
IR irg4pc50spbfde.pdf description Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,28 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 41 A
Pd 25: 200 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 33/650
у наявності: 4 шт
1+260 грн
IRG4PC50UDPBF IRG4PC50UDPBF
Код товару: 17973
IR IRG4PC50UD.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,65 V
Ic 25: 55 A
Ic 100: 27 A
Pd 25: 200 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 44/240
у наявності: 24 шт
1+264 грн
10+ 248.6 грн
IRG4PC50UPBF IRG4PC50UPBF
Код товару: 33861
IR irg4pc50upbf.pdf description Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,65 V
Ic 25: 55 A
Ic 100: 27 A
Pd 25: 200 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 31/230
у наявності: 14 шт
1+456 грн
IRG4PC50WPBF IRG4PC50WPBF
Код товару: 24036
IR irg4pc50wpbf.pdf description Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247AC
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 55 A
Ic 100: 27 A
Pd 25: 178 W
у наявності: 4 шт
1+419 грн
IRG4PC50FD-EPBF IR fundamentals-of-power-semiconductors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRG4PC50K IR irg4pc50k.pdf description 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRG4PC50K IR irg4pc50k.pdf description TO-247
на замовлення 3603 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRG4PC50K IR irg4pc50k.pdf description
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRG4PC50S-P
на замовлення 10825 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRG4PC50U IR IRG4PC50U.pdf description MODULE
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRG4PC50U IR IRG4PC50U.pdf description TO3P
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRG4PC50UP IR
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRG4PC50W /IR IR 08+;
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRG4PC50WPBF irg4pc50wpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535647cdad22fb description IRG4PC50WPBF Транзисторы IGB-transistors
на замовлення 11 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRG4PC50WPI IR 09+
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60TFKSA1 INFINEON 2331902.pdf Description: INFINEON - IKW30N60TFKSA1 - IGBT, Universal, 60 A, 2.05 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+361.55 грн
10+ 243.93 грн
100+ 219.45 грн
500+ 181.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW40N65ES5XKSA1 IKW40N65ES5XKSA1 INFINEON INFN-S-A0001270666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKW40N65ES5XKSA1 - IGBT, 79 A, 1.7 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 79A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+401.02 грн
10+ 272.34 грн
100+ 186.3 грн
500+ 168.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
STGW20NC60VD STGW20NC60VD STMICROELECTRONICS SGSTS36659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: STMICROELECTRONICS - STGW20NC60VD - IGBT, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+242.35 грн
10+ 179.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRG 4PC50RD
Код товару: 84561
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
IRG4PC50F IRG4PC50F
Код товару: 23470
irg4pc50f-datasheet.pdf description Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247AC
Vces: 600 V
Vce: 1,45 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 39 A
Pd 25: 200 W
товар відсутній
IRG4PC50FDPBF IRG4PC50FDPBF
Код товару: 36672
IR IRG4PC50FD.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,45 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 39 A
Pd 25: 200 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 55/240
товар відсутній
IRG4PC50K IRG4PC50K
Код товару: 32245
IR IRG4PC50KD.pdf description Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 1200 V
Vce: 2,77 V
Ic 25: 45 A
Ic 100: 24 A
Pd 25: 200 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 37/260
товар відсутній
IRG4PC50KDPBF IRG4PC50KDPBF
Код товару: 34338
IR IRG4PC50KD.pdf description Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,84 V
Ic 25: 52 A
Ic 100: 30 A
Pd 25: 104 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 11/40
товар відсутній
IRG4PC50S IRG4PC50S
Код товару: 24235
IR IRG4PC50S.pdf description Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247AC
Vces: 600 V
Vce: 1,28 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 41 A
Pd 25: 200 W
товар відсутній
IRG4PC50UDEPBF
Код товару: 99675
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IRG4PC50F-EPBF IRG4PC50F-EPBF Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IGBT 600V 70A 200W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 39A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/240ns
Switching Energy: 370µJ (on), 2.1mJ (off)
Test Condition: 480V, 39A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 190 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 200 W
товар відсутній
IRG4PC50F-EPBF IRG4PC50F-EPBF Infineon Technologies infineon-irg4pc50f-e-datasheet-v01_00-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
товар відсутній
IRG4PC50FD-EPBF IRG4PC50FD-EPBF Infineon Technologies infineon-irg4pc50fd-datasheet-v01_00-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRG4PC50FD-EPBF IRG4PC50FD-EPBF Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IGBT 600V 70A 200W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 39A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/240ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 2.4mJ (off)
Test Condition: 480V, 39A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 190 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 200 W
товар відсутній
IRG4PC50FDPBF IRG4PC50FDPBF Infineon Technologies IRG4PC50FD.pdf Description: IGBT 600V 70A 200W TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 39A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/240ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 2.4mJ (off)
Test Condition: 480V, 39A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 190 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 200 W
товар відсутній
IRG4PC50FDPBF IRG4PC50FDPBF Infineon Technologies infineon-irg4pc50fd-datasheet-v01_00-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRG4PC50FPBF IRG4PC50FPBF Infineon Technologies infineon-irg4pc50f-datasheet-v01_00-en.pdf description Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRG4PC50FPBF IRG4PC50FPBF Infineon Technologies irg4pc50fpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535644598722e8 description Description: IGBT 600V 70A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 39A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/240ns
Switching Energy: 370µJ (on), 2.1mJ (off)
Test Condition: 480V, 39A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 190 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 200 W
товар відсутній
IRG4PC50K IRG4PC50K Infineon Technologies irg4pc50k.pdf description Description: IGBT 600V 52A 200W TO247AC
Packaging: Bag
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/160ns
Switching Energy: 490µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 52 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 104 A
Power - Max: 200 W
товар відсутній
IRG4PC50KD IRG4PC50KD Infineon Technologies irg4pc50kd.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 52A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRG4PC50KDPBF IRG4PC50KDPBF Infineon Technologies irg4pc50kdpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153564461bb22ea description Description: IGBT 600V 52A 200W TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 63ns/150ns
Switching Energy: 1.61mJ (on), 840µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 52 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 104 A
Power - Max: 200 W
товар відсутній
IRG4PC50KDPBF IRG4PC50KDPBF Infineon Technologies infineon-irg4pc50kd-datasheet-v01_00-en.pdf description Trans IGBT Chip N-CH 600V 52A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRG4PC50KPBF IRG4PC50KPBF Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors description Description: IGBT 600V 52A 200W TO247AC
Packaging: Bag
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/160ns
Switching Energy: 490µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 52 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 104 A
Power - Max: 200 W
товар відсутній
IRG4PC50KPBF IRG4PC50KPBF International Rectifier IRSD-S-A0001023073-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: SHORT CIRCUIT RATED ULTRAFAST IG
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/160ns
Switching Energy: 490µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 52 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 104 A
Power - Max: 200 W
товар відсутній
IRG4PC50S-P IRG4PC50S-P Infineon Technologies irg4pc50s-p.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товар відсутній
IRG4PC50SDPBF IRG4PC50SDPBF Infineon Technologies irg4pc50sdpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535644729d22ee Description: IGBT 600V 70A 200W TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.36V @ 15V, 41A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/650ns
Switching Energy: 720µJ (on), 8.27mJ (off)
Test Condition: 480V, 41A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 200 W
товар відсутній
IRG4PC50SDPBF IRG4PC50SDPBF Infineon Technologies infineon-irg4pc50sd-datasheet-v01_00-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRG4PC50SPBF IRG4PC50SPBF Infineon Technologies infineon-irg4pc50s-datasheet-v01_00-en.pdf description Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRG4PC50SPBF IRG4PC50SPBF Infineon Technologies infineon-irg4pc50s-datasheet-v01_00-en.pdf description Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRG4PC50SPBF IRG4PC50SPBF Infineon Technologies irg4pc50spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356447adc22f0 description Description: IGBT 600V 70A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.36V @ 15V, 41A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/650ns
Switching Energy: 720µJ (on), 8.27mJ (off)
Test Condition: 480V, 41A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 200 W
товар відсутній
IRG4PC50U IRG4PC50U Infineon Technologies IRG4PC50U.pdf description Description: IGBT 600V 55A 200W TO247AC
Packaging: Bag
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 27A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/170ns
Switching Energy: 120µJ (on), 540µJ (off)
Test Condition: 480V, 27A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 200 W
товар відсутній
IRG4PC50UD IRG4PC50UD Infineon Technologies irg4pc50ud.pdf description Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 200mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRG4PC50UD IR - ASA only Supplier irg4pc50ud.pdf description Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRG4PC50UD-EPBF IRG4PC50UD-EPBF Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IGBT 600V 55A 200W TO247-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 27A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/140ns
Switching Energy: 990µJ (on), 590µJ (off)
Test Condition: 480V, 27A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 200 W
товар відсутній
IRG4PC50UD-MP IRG4PC50UD-MP Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IGBT 600V 55A 200W TO247AC
Packaging: Bag
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 27A
Supplier Device Package: TO-247AC
Gate Charge: 270 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 200 W
товар відсутній
IRG4PC50UDPBF IRG4PC50UDPBF Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IGBT 600V 55A 200W TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 27A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/140ns
Switching Energy: 990µJ (on), 590µJ (off)
Test Condition: 480V, 27A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 200 W
товар відсутній
IRG4PC50UDPBF IRG4PC50UDPBF Infineon Technologies infineon-irg4pc50ud-datasheet-v01_00-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRG4PC50UPBF IRG4PC50UPBF Infineon Technologies infineon-irg4pc50u-datasheet-v01_00-en.pdf description Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
irg4pc50uPBF irg4pc50uPBF Infineon Technologies irg4pc50upbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535647c56222f9 description Description: IGBT 600V 55A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 27A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/170ns
Switching Energy: 120µJ (on), 540µJ (off)
Test Condition: 480V, 27A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 200 W
товар відсутній
IRG4PC50W IRG4PC50W Infineon Technologies irg4pc50w.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRG4PC50WPBF IRG4PC50WPBF Infineon Technologies irg4pc50wpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535647cdad22fb description Description: IGBT 600V 55A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 27A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/120ns
Switching Energy: 80µJ (on), 320µJ (off)
Test Condition: 480V, 27A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 200 W
товар відсутній
IRG4PC50WPBF IRG4PC50WPBF Infineon Technologies infineon-irg4pc50w-datasheet-v01_00-en.pdf description Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
Транзистор IRG4PC50FD; TO-247AC
товар відсутній
IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW30N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
IRG4PC50SPBF
Код товару: 55915
description irg4pc50spbfde.pdf
IRG4PC50SPBF
Виробник: IR
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,28 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 41 A
Pd 25: 200 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 33/650
у наявності: 4 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+260 грн
IRG4PC50UDPBF
Код товару: 17973
IRG4PC50UD.pdf
IRG4PC50UDPBF
Виробник: IR
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,65 V
Ic 25: 55 A
Ic 100: 27 A
Pd 25: 200 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 44/240
у наявності: 24 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+264 грн
10+ 248.6 грн
IRG4PC50UPBF
Код товару: 33861
description irg4pc50upbf.pdf
IRG4PC50UPBF
Виробник: IR
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,65 V
Ic 25: 55 A
Ic 100: 27 A
Pd 25: 200 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 31/230
у наявності: 14 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+456 грн
IRG4PC50WPBF
Код товару: 24036
description irg4pc50wpbf.pdf
IRG4PC50WPBF
Виробник: IR
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247AC
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 55 A
Ic 100: 27 A
Pd 25: 178 W
у наявності: 4 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+419 грн
IRG4PC50FD-EPBF fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: IR
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRG4PC50K description irg4pc50k.pdf
Виробник: IR
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRG4PC50K description irg4pc50k.pdf
Виробник: IR
TO-247
на замовлення 3603 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRG4PC50K description irg4pc50k.pdf
Виробник: IR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRG4PC50S-P
на замовлення 10825 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRG4PC50U description IRG4PC50U.pdf
Виробник: IR
MODULE
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRG4PC50U description IRG4PC50U.pdf
Виробник: IR
TO3P
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRG4PC50UP
Виробник: IR
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRG4PC50W /IR
Виробник: IR
08+;
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRG4PC50WPBF description irg4pc50wpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535647cdad22fb
IRG4PC50WPBF Транзисторы IGB-transistors
на замовлення 11 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRG4PC50WPI
Виробник: IR
09+
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW30N60TFKSA1 2331902.pdf
IKW30N60TFKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW30N60TFKSA1 - IGBT, Universal, 60 A, 2.05 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+361.55 грн
10+ 243.93 грн
100+ 219.45 грн
500+ 181.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW40N65ES5XKSA1 INFN-S-A0001270666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IKW40N65ES5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW40N65ES5XKSA1 - IGBT, 79 A, 1.7 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 79A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+401.02 грн
10+ 272.34 грн
100+ 186.3 грн
500+ 168.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
STGW20NC60VD description SGSTS36659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STGW20NC60VD
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGW20NC60VD - IGBT, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+242.35 грн
10+ 179.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRG 4PC50RD
Код товару: 84561
товар відсутній
IRG4PC50F
Код товару: 23470
description irg4pc50f-datasheet.pdf
IRG4PC50F
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247AC
Vces: 600 V
Vce: 1,45 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 39 A
Pd 25: 200 W
товар відсутній
IRG4PC50FDPBF
Код товару: 36672
IRG4PC50FD.pdf
IRG4PC50FDPBF
Виробник: IR
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,45 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 39 A
Pd 25: 200 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 55/240
товар відсутній
IRG4PC50K
Код товару: 32245
description IRG4PC50KD.pdf
IRG4PC50K
Виробник: IR
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 1200 V
Vce: 2,77 V
Ic 25: 45 A
Ic 100: 24 A
Pd 25: 200 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 37/260
товар відсутній
IRG4PC50KDPBF
Код товару: 34338
description IRG4PC50KD.pdf
IRG4PC50KDPBF
Виробник: IR
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,84 V
Ic 25: 52 A
Ic 100: 30 A
Pd 25: 104 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 11/40
товар відсутній
IRG4PC50S
Код товару: 24235
description IRG4PC50S.pdf
IRG4PC50S
Виробник: IR
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247AC
Vces: 600 V
Vce: 1,28 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 41 A
Pd 25: 200 W
товар відсутній
IRG4PC50UDEPBF
Код товару: 99675
товар відсутній
IRG4PC50F-EPBF fundamentals-of-power-semiconductors
IRG4PC50F-EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 70A 200W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 39A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/240ns
Switching Energy: 370µJ (on), 2.1mJ (off)
Test Condition: 480V, 39A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 190 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 200 W
товар відсутній
IRG4PC50F-EPBF infineon-irg4pc50f-e-datasheet-v01_00-en.pdf
IRG4PC50F-EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
товар відсутній
IRG4PC50FD-EPBF infineon-irg4pc50fd-datasheet-v01_00-en.pdf
IRG4PC50FD-EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRG4PC50FD-EPBF fundamentals-of-power-semiconductors
IRG4PC50FD-EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 70A 200W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 39A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/240ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 2.4mJ (off)
Test Condition: 480V, 39A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 190 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 200 W
товар відсутній
IRG4PC50FDPBF IRG4PC50FD.pdf
IRG4PC50FDPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 70A 200W TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 39A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/240ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 2.4mJ (off)
Test Condition: 480V, 39A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 190 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 200 W
товар відсутній
IRG4PC50FDPBF infineon-irg4pc50fd-datasheet-v01_00-en.pdf
IRG4PC50FDPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRG4PC50FPBF description infineon-irg4pc50f-datasheet-v01_00-en.pdf
IRG4PC50FPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRG4PC50FPBF description irg4pc50fpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535644598722e8
IRG4PC50FPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 70A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 39A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/240ns
Switching Energy: 370µJ (on), 2.1mJ (off)
Test Condition: 480V, 39A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 190 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 200 W
товар відсутній
IRG4PC50K description irg4pc50k.pdf
IRG4PC50K
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 52A 200W TO247AC
Packaging: Bag
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/160ns
Switching Energy: 490µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 52 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 104 A
Power - Max: 200 W
товар відсутній
IRG4PC50KD irg4pc50kd.pdf
IRG4PC50KD
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 52A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRG4PC50KDPBF description irg4pc50kdpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153564461bb22ea
IRG4PC50KDPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 52A 200W TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 63ns/150ns
Switching Energy: 1.61mJ (on), 840µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 52 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 104 A
Power - Max: 200 W
товар відсутній
IRG4PC50KDPBF description infineon-irg4pc50kd-datasheet-v01_00-en.pdf
IRG4PC50KDPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 52A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRG4PC50KPBF description fundamentals-of-power-semiconductors
IRG4PC50KPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 52A 200W TO247AC
Packaging: Bag
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/160ns
Switching Energy: 490µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 52 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 104 A
Power - Max: 200 W
товар відсутній
IRG4PC50KPBF description IRSD-S-A0001023073-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRG4PC50KPBF
Виробник: International Rectifier
Description: SHORT CIRCUIT RATED ULTRAFAST IG
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/160ns
Switching Energy: 490µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 52 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 104 A
Power - Max: 200 W
товар відсутній
IRG4PC50S-P irg4pc50s-p.pdf
IRG4PC50S-P
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товар відсутній
IRG4PC50SDPBF irg4pc50sdpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535644729d22ee
IRG4PC50SDPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 70A 200W TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.36V @ 15V, 41A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/650ns
Switching Energy: 720µJ (on), 8.27mJ (off)
Test Condition: 480V, 41A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 200 W
товар відсутній
IRG4PC50SDPBF infineon-irg4pc50sd-datasheet-v01_00-en.pdf
IRG4PC50SDPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRG4PC50SPBF description infineon-irg4pc50s-datasheet-v01_00-en.pdf
IRG4PC50SPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRG4PC50SPBF description infineon-irg4pc50s-datasheet-v01_00-en.pdf
IRG4PC50SPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRG4PC50SPBF description irg4pc50spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356447adc22f0
IRG4PC50SPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 70A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.36V @ 15V, 41A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/650ns
Switching Energy: 720µJ (on), 8.27mJ (off)
Test Condition: 480V, 41A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 200 W
товар відсутній
IRG4PC50U description IRG4PC50U.pdf
IRG4PC50U
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 55A 200W TO247AC
Packaging: Bag
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 27A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/170ns
Switching Energy: 120µJ (on), 540µJ (off)
Test Condition: 480V, 27A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 200 W
товар відсутній
IRG4PC50UD description irg4pc50ud.pdf
IRG4PC50UD
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 200mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRG4PC50UD description irg4pc50ud.pdf
Виробник: IR - ASA only Supplier
Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRG4PC50UD-EPBF fundamentals-of-power-semiconductors
IRG4PC50UD-EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 55A 200W TO247-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 27A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/140ns
Switching Energy: 990µJ (on), 590µJ (off)
Test Condition: 480V, 27A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 200 W
товар відсутній
IRG4PC50UD-MP fundamentals-of-power-semiconductors
IRG4PC50UD-MP
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 55A 200W TO247AC
Packaging: Bag
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 27A
Supplier Device Package: TO-247AC
Gate Charge: 270 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 200 W
товар відсутній
IRG4PC50UDPBF fundamentals-of-power-semiconductors
IRG4PC50UDPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 55A 200W TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 27A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/140ns
Switching Energy: 990µJ (on), 590µJ (off)
Test Condition: 480V, 27A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 200 W
товар відсутній
IRG4PC50UDPBF infineon-irg4pc50ud-datasheet-v01_00-en.pdf
IRG4PC50UDPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRG4PC50UPBF description infineon-irg4pc50u-datasheet-v01_00-en.pdf
IRG4PC50UPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
irg4pc50uPBF description irg4pc50upbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535647c56222f9
irg4pc50uPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 55A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 27A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/170ns
Switching Energy: 120µJ (on), 540µJ (off)
Test Condition: 480V, 27A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 200 W
товар відсутній
IRG4PC50W irg4pc50w.pdf
IRG4PC50W
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRG4PC50WPBF description irg4pc50wpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535647cdad22fb
IRG4PC50WPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 55A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 27A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/120ns
Switching Energy: 80µJ (on), 320µJ (off)
Test Condition: 480V, 27A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 200 W
товар відсутній
IRG4PC50WPBF description infineon-irg4pc50w-datasheet-v01_00-en.pdf
IRG4PC50WPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
Транзистор IRG4PC50FD; TO-247AC
товар відсутній
IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3-DTE.pdf
IGW30N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній