Результат пошуку "ne3210" : 9

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NE3210S01 NEC Транз. Пол. СВЧ X to Ku Band Super Low Noise N-Channel FET, Nf=0,35 dB, Ga=13,5 dB @ 12 GHz
на замовлення 673 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+135.95 грн
10+114.37 грн
100+104.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NE3210S01
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NE3210S01-T1 NEC 10+ QFP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NE3210S01-TIB
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NE3210SO1
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NE3210S01
Код товару: 116994
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3210S01-T1B м/с
Код товару: 89265
Додати до обраних Обраний товар


8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3210S01 CEL Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V SMD
Packaging: Strip
Package / Case: 4-SMD
Current Rating (Amps): 15mA
Frequency: 12GHz
Gain: 13.5dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.35dB
Supplier Device Package: SMD
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3210S01-T1B CEL Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD
Current Rating (Amps): 15mA
Frequency: 12GHz
Gain: 13.5dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.35dB
Supplier Device Package: SMD
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3210S01
Виробник: NEC
Транз. Пол. СВЧ X to Ku Band Super Low Noise N-Channel FET, Nf=0,35 dB, Ga=13,5 dB @ 12 GHz
на замовлення 673 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.95 грн
10+114.37 грн
100+104.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NE3210S01
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NE3210S01-T1
Виробник: NEC
10+ QFP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NE3210S01-TIB
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NE3210SO1
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NE3210S01
Код товару: 116994
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3210S01-T1B м/с
Код товару: 89265
Додати до обраних Обраний товар


8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3210S01
Виробник: CEL
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V SMD
Packaging: Strip
Package / Case: 4-SMD
Current Rating (Amps): 15mA
Frequency: 12GHz
Gain: 13.5dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.35dB
Supplier Device Package: SMD
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3210S01-T1B
Виробник: CEL
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD
Current Rating (Amps): 15mA
Frequency: 12GHz
Gain: 13.5dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.35dB
Supplier Device Package: SMD
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.