Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (132662) > Сторінка 2212 з 2212

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STWA70N60DM6 STWA70N60DM6 STMicroelectronics stwa70n60dm6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Power dissipation: 390W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 220A
Gate charge: 99nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STTH8R06GY-TR STTH8R06GY-TR STMicroelectronics en.DM00039403.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 45ns; D2PAK; Ufmax: 3.2V; Ifsm: 90A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 90A
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 3.2V
Reverse recovery time: 45ns
Leakage current: 30µA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
219+26.66 грн
1095+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STWA70N60DM6 stwa70n60dm6.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Power dissipation: 390W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 220A
Gate charge: 99nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STTH8R06GY-TR en.DM00039403.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 45ns; D2PAK; Ufmax: 3.2V; Ifsm: 90A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 90A
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 3.2V
Reverse recovery time: 45ns
Leakage current: 30µA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
219+26.66 грн
1095+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.