Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR (66304) > Сторінка 777 з 1106

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 110 220 330 440 550 660 770 772 773 774 775 776 777 778 779 780 781 782 880 990 1100 1106  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SS16LSH SS16LSH TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0001030573-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SS16LSH - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, SOD-123HE, 2 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123HE
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 700mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SS1xL Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+12.91 грн
102+8.56 грн
104+8.39 грн
500+7.63 грн
1000+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 68
В кошику  од. на суму  грн.
SS16MH SS16MH TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0006919851-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SS16MH - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, MicroSMA, 2 Pin(s), 680 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: MicroSMA
Durchlassstoßstrom: 25A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 680mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SS1xM Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.35 грн
500+8.04 грн
1000+5.71 грн
5000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SS16LSH SS16LSH TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0001030573-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SS16LSH - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, SOD-123HE, 2 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123HE
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 700mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SS1xL Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.91 грн
102+8.56 грн
104+8.39 грн
500+7.63 грн
1000+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SS16MH SS16MH TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0006919851-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SS16MH - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, MicroSMA, 2 Pin(s), 680 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: MicroSMA
Durchlassstoßstrom: 25A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 680mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SS1xM Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+31.64 грн
45+19.50 грн
100+11.35 грн
500+8.04 грн
1000+5.71 грн
5000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
SS16LW SS16LW TAIWAN SEMICONDUCTOR 3919555.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SS16LW - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, SOD-123W, 2 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123W
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 700mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SS1xL Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+18.20 грн
80+10.92 грн
122+7.13 грн
500+4.85 грн
1000+3.63 грн
5000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
SS16LW SS16LW TAIWAN SEMICONDUCTOR 3919555.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SS16LW - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, SOD-123W, 2 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123W
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 700mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SS1xL Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.85 грн
1000+3.63 грн
5000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
1N5399G R0G 1N5399G R0G TAIWAN SEMICONDUCTOR 2182644.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5399G R0G - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1.5 A, Einfach, 1 V, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AC
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54C RF BAT54C RF TAIWAN SEMICONDUCTOR 2182699.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - BAT54C RF - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 30 V, 200 mA, 1 V, 600 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54C RFG BAT54C RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0013443283-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - BAT54C RFG - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 30 V, 200 mA, 1 V, 600 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT5x Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54C RFG BAT54C RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0013443283-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - BAT54C RFG - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 30 V, 200 mA, 1 V, 600 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT5x Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+10.75 грн
121+7.21 грн
144+6.05 грн
500+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007G-K 1N4007G-K TAIWAN SEMICONDUCTOR 2572234.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N4007G-K - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AL
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+19.16 грн
69+12.74 грн
108+8.08 грн
500+4.64 грн
1000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
MBR10200CT MBR10200CT TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0013456083-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MBR10200CT - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 120A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 980mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBR10XCT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+118.75 грн
10+108.35 грн
100+86.07 грн
500+61.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
1N5392G 1N5392G TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0013443269-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5392G - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 1.5 A, Einfach, 1 V, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AC
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N539xG Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 9749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+29.82 грн
37+23.84 грн
100+13.78 грн
500+9.09 грн
1000+5.33 грн
5000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
SMA4S15AH SMA4S15AH TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256605.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMA4S15AH - TVS-Diode, Unidirektional, 15 V, 24.4 V, SOD-128, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-128
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 16.8V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 18.5V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 15V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 400W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 24.4V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+37.10 грн
36+24.10 грн
100+17.34 грн
500+13.20 грн
1000+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SMA4S15AH SMA4S15AH TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256605.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMA4S15AH - TVS-Diode, Unidirektional, 15 V, 24.4 V, SOD-128, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-128
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 16.8V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 18.5V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 15V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 400W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 24.4V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.34 грн
500+13.20 грн
1000+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TS78L05CX RFG TS78L05CX RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR 2044138.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TS78L05CX RFG - Linearer Festspannungsregler, 7805, positiv, 0V bis 35Vin, 5V und 0.1Aout, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Eingangsspannung, max.: 35V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Eingangsspannung, min.: 0V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 7805 Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 19133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+70.64 грн
21+42.38 грн
100+26.78 грн
500+18.67 грн
1000+11.52 грн
2500+11.37 грн
5000+11.14 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SS110L R3 SS110L R3 TAIWAN SEMICONDUCTOR 2357979.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SS110L R3 - Schottky-Gleichrichterdiode, hohe Frequenz/Schaltfrequenz, 100 V, 1 A, Einfach, SMD, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMD
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 900mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SS1x
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LL4148 L1G LL4148 L1G TAIWAN SEMICONDUCTOR 2182685.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - LL4148 L1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-80 (MiniMELF)
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 17046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+8.23 грн
167+5.22 грн
240+3.62 грн
500+2.14 грн
1000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 106
В кошику  од. на суму  грн.
1N4148W RHG 1N4148W RHG TAIWAN SEMICONDUCTOR 2892647.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N4148W RHG - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123F
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 81350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+12.91 грн
108+8.03 грн
174+5.00 грн
500+3.36 грн
1500+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 68
В кошику  од. на суму  грн.
1N4148 A0G 1N4148 A0G TAIWAN SEMICONDUCTOR 1N4148 SERIES_J1804.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N4148 A0G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AH
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+10.14 грн
145+6.01 грн
234+3.72 грн
500+2.51 грн
1000+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 86
В кошику  од. на суму  грн.
RS1MFL RS1MFL TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256599.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - RS1MFL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.3 V, 250 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 250ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: RS1xFL Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1MFL RS1MFL TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256599.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - RS1MFL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.3 V, 250 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 250ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: RS1xFL Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1M. RS1M. TAIWAN SEMICONDUCTOR 2182653.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - RS1M. - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.3 V, 500 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: 0
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 500ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 0
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LL5819 L0G LL5819 L0G TAIWAN SEMICONDUCTOR 3007063.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - LL5819 L0G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1 A, Einfach, MELF, 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: MELF
Durchlassstoßstrom: 25A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: LL581x Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 13757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+31.29 грн
100+31.20 грн
500+28.89 грн
1000+26.60 грн
5000+26.52 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
LL5819 L0G LL5819 L0G TAIWAN SEMICONDUCTOR 3007063.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - LL5819 L0G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1 A, Einfach, MELF, 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: MELF
Durchlassstoßstrom: 25A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: LL581x Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 13757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.20 грн
500+28.89 грн
1000+26.60 грн
5000+26.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MBR10100CT MBR10100CT TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0013456083-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MBR10100CT - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 120A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 950mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.94 грн
12+76.62 грн
100+58.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MBS10 MBS10 TAIWAN SEMICONDUCTOR 2044068.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MBS10 - Brückengleichrichter, Miniatur, Eine Phase, 1 kV, 500 mA, SMD, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SMD
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MBS10
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+53.48 грн
50+33.46 грн
100+21.41 грн
500+15.29 грн
1500+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
MBS10 MBS10 TAIWAN SEMICONDUCTOR 2044068.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MBS10 - Brückengleichrichter, Miniatur, Eine Phase, 1 kV, 500 mA, SMD, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 35A
Durchlassspannung Vf max.: 1V
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SMD
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 500mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MBS10
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.41 грн
500+15.29 грн
1500+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RTBS40M RTBS40M TAIWAN SEMICONDUCTOR Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - RTBS40M - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 4 A, TBS, 4 Pin(s), 1.3 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 110A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Bauform - Brückengleichrichter: TBS
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+89.28 грн
16+56.34 грн
100+36.92 грн
500+31.87 грн
1000+27.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RTBS40M RTBS40M TAIWAN SEMICONDUCTOR Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - RTBS40M - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 4 A, TBS, 4 Pin(s), 1.3 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 110A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Bauform - Brückengleichrichter: TBS
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.92 грн
500+31.87 грн
1000+27.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
US1B US1B TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0012470688-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - US1B - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: US1x Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 15331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.66 грн
250+16.64 грн
1000+8.05 грн
3000+6.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TSM220NB06CR RLG TSM220NB06CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256627.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM220NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.019 ohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PDFN56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+54.00 грн
19+46.37 грн
100+33.80 грн
500+28.97 грн
1000+24.52 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
TS2951CS50 RLG TS2951CS50 RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR 1955434.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TS2951CS50 RLG - LDO-Festspannungsregler, 2.3V bis 30V, 380mV Dropout-Spannung, 5V/150mAout, SOP-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOP
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.3V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 380mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 380mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.55 грн
13+69.51 грн
100+44.90 грн
500+32.19 грн
1000+28.45 грн
2500+27.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TQM130NB06CR RLG TQM130NB06CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256618.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM130NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0117 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+95.34 грн
14+66.57 грн
100+63.71 грн
500+56.50 грн
1000+49.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TQM130NB06CR RLG TQM130NB06CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256618.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM130NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0117 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0117ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.71 грн
500+56.50 грн
1000+49.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TSM220NB06CR RLG TSM220NB06CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM220NB06CR_C2401.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM220NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.019 ohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PDFN56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.48 грн
500+31.55 грн
1000+25.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TQM050NB06CR RLG TQM050NB06CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR TQM050NB06CR_A2003.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM050NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 104 A, 4300 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+152.55 грн
500+138.43 грн
1000+125.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06DCR RLG TQM300NB06DCR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256623.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 25 A, 25 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+96.21 грн
13+72.03 грн
100+71.16 грн
500+65.35 грн
1000+59.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TQM150NB04DCR RLG TQM150NB04DCR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256620.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 39 A, 39 A, 0.0103 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0103ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0103ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+142.15 грн
10+130.88 грн
100+120.48 грн
500+101.41 грн
1000+83.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06CR RLG TQM300NB06CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256622.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.025 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+52.18 грн
18+50.45 грн
100+48.71 грн
500+43.54 грн
1000+38.71 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
TSM033NB04CR RLG TSM033NB04CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM033NB04CR_B1804.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2400 µohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: PDFN56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.81 грн
11+85.55 грн
100+77.49 грн
500+64.47 грн
1000+52.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TQM070NB04CR RLG TQM070NB04CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256616.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM070NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0045 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+104.88 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TQM150NB04CR RLG TQM150NB04CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256619.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 41 A, 0.009 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+69.69 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TQM033NB04CR RLG TQM033NB04CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256614.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2200 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.81 грн
500+65.19 грн
1000+57.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TQM025NB04CR RLG TQM025NB04CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM025NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 157 A, 0.0018 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+202.82 грн
500+187.53 грн
1000+172.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04LCR RLG TSM110NB04LCR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256626.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM110NB04LCR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 8000 µohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PDFN56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+44.47 грн
23+38.83 грн
100+38.74 грн
500+35.90 грн
1000+33.06 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
TQM150NB04DCR RLG TQM150NB04DCR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256620.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 39 A, 39 A, 0.0103 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0103ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0103ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+120.48 грн
500+101.41 грн
1000+83.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06CR RLG TQM300NB06CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256622.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.025 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 56W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.71 грн
500+43.54 грн
1000+38.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TQM110NB04CR RLG TQM110NB04CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM110NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 7200 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+80.35 грн
14+65.09 грн
100+59.20 грн
500+49.58 грн
1000+40.71 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TQM150NB04CR RLG TQM150NB04CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256619.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 41 A, 0.009 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 56W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TQM033NB04CR RLG TQM033NB04CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256614.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2200 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+122.21 грн
10+92.74 грн
100+72.81 грн
500+65.19 грн
1000+57.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TQM050NB06CR RLG TQM050NB06CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR TQM050NB06CR_A2003.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM050NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 104 A, 4300 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+157.75 грн
10+155.15 грн
100+152.55 грн
500+138.43 грн
1000+125.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TQM250NB06DCR RLG TQM250NB06DCR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM250NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 58W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 58W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.48 грн
500+73.48 грн
1000+67.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TSM033NB04CR RLG TSM033NB04CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256625.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.0024 ohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: PDFN56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.97 грн
500+58.51 грн
1000+53.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TQM025NB04CR RLG TQM025NB04CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM025NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 157 A, 0.0018 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+204.56 грн
10+203.69 грн
100+202.82 грн
500+187.53 грн
1000+172.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04LCR RLG TSM110NB04LCR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256626.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM110NB04LCR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 8000 µohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PDFN56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.74 грн
500+35.90 грн
1000+33.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TQM250NB06DCR RLG TQM250NB06DCR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM250NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 58W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 58W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.74 грн
100+79.48 грн
500+73.48 грн
1000+67.61 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TQM070NB04CR RLG TQM070NB04CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256616.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM070NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0045 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+104.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TQM110NB04CR RLG TQM110NB04CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM110NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 7200 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.20 грн
500+49.58 грн
1000+40.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06DCR RLG TQM300NB06DCR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256623.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 25 A, 25 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.16 грн
500+65.35 грн
1000+59.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SS16LSH TWSC-S-A0001030573-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SS16LSH
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SS16LSH - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, SOD-123HE, 2 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123HE
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 700mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SS1xL Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
68+12.91 грн
102+8.56 грн
104+8.39 грн
500+7.63 грн
1000+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 68
В кошику  од. на суму  грн.
SS16MH TWSC-S-A0006919851-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SS16MH
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SS16MH - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, MicroSMA, 2 Pin(s), 680 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: MicroSMA
Durchlassstoßstrom: 25A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 680mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SS1xM Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.35 грн
500+8.04 грн
1000+5.71 грн
5000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SS16LSH TWSC-S-A0001030573-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SS16LSH
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SS16LSH - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, SOD-123HE, 2 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123HE
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 700mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SS1xL Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.91 грн
102+8.56 грн
104+8.39 грн
500+7.63 грн
1000+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SS16MH TWSC-S-A0006919851-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SS16MH
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SS16MH - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, MicroSMA, 2 Pin(s), 680 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: MicroSMA
Durchlassstoßstrom: 25A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 680mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SS1xM Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+31.64 грн
45+19.50 грн
100+11.35 грн
500+8.04 грн
1000+5.71 грн
5000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
SS16LW 3919555.pdf
SS16LW
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SS16LW - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, SOD-123W, 2 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123W
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 700mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SS1xL Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+18.20 грн
80+10.92 грн
122+7.13 грн
500+4.85 грн
1000+3.63 грн
5000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
SS16LW 3919555.pdf
SS16LW
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SS16LW - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, SOD-123W, 2 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123W
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 700mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SS1xL Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.85 грн
1000+3.63 грн
5000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
1N5399G R0G 2182644.pdf
1N5399G R0G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5399G R0G - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1.5 A, Einfach, 1 V, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AC
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54C RF 2182699.pdf
BAT54C RF
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - BAT54C RF - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 30 V, 200 mA, 1 V, 600 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54C RFG TWSC-S-A0013443283-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT54C RFG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - BAT54C RFG - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 30 V, 200 mA, 1 V, 600 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT5x Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54C RFG TWSC-S-A0013443283-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT54C RFG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - BAT54C RFG - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 30 V, 200 mA, 1 V, 600 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT5x Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
81+10.75 грн
121+7.21 грн
144+6.05 грн
500+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007G-K 2572234.pdf
1N4007G-K
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N4007G-K - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AL
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
46+19.16 грн
69+12.74 грн
108+8.08 грн
500+4.64 грн
1000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
MBR10200CT TWSC-S-A0013456083-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MBR10200CT
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MBR10200CT - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 120A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 980mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBR10XCT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+118.75 грн
10+108.35 грн
100+86.07 грн
500+61.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
1N5392G TWSC-S-A0013443269-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1N5392G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5392G - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 1.5 A, Einfach, 1 V, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AC
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N539xG Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 9749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+29.82 грн
37+23.84 грн
100+13.78 грн
500+9.09 грн
1000+5.33 грн
5000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
SMA4S15AH 3256605.pdf
SMA4S15AH
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMA4S15AH - TVS-Diode, Unidirektional, 15 V, 24.4 V, SOD-128, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-128
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 16.8V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 18.5V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 15V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 400W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 24.4V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+37.10 грн
36+24.10 грн
100+17.34 грн
500+13.20 грн
1000+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SMA4S15AH 3256605.pdf
SMA4S15AH
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMA4S15AH - TVS-Diode, Unidirektional, 15 V, 24.4 V, SOD-128, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-128
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 16.8V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 18.5V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 15V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 400W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 24.4V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+17.34 грн
500+13.20 грн
1000+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TS78L05CX RFG 2044138.pdf
TS78L05CX RFG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TS78L05CX RFG - Linearer Festspannungsregler, 7805, positiv, 0V bis 35Vin, 5V und 0.1Aout, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Eingangsspannung, max.: 35V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Eingangsspannung, min.: 0V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 7805 Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 19133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+70.64 грн
21+42.38 грн
100+26.78 грн
500+18.67 грн
1000+11.52 грн
2500+11.37 грн
5000+11.14 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SS110L R3 2357979.pdf
SS110L R3
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SS110L R3 - Schottky-Gleichrichterdiode, hohe Frequenz/Schaltfrequenz, 100 V, 1 A, Einfach, SMD, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMD
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 900mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SS1x
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LL4148 L1G 2182685.pdf
LL4148 L1G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - LL4148 L1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-80 (MiniMELF)
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 17046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
106+8.23 грн
167+5.22 грн
240+3.62 грн
500+2.14 грн
1000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 106
В кошику  од. на суму  грн.
1N4148W RHG 2892647.pdf
1N4148W RHG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N4148W RHG - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123F
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 81350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
68+12.91 грн
108+8.03 грн
174+5.00 грн
500+3.36 грн
1500+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 68
В кошику  од. на суму  грн.
1N4148 A0G 1N4148 SERIES_J1804.pdf
1N4148 A0G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N4148 A0G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AH
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
86+10.14 грн
145+6.01 грн
234+3.72 грн
500+2.51 грн
1000+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 86
В кошику  од. на суму  грн.
RS1MFL 3256599.pdf
RS1MFL
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - RS1MFL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.3 V, 250 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 250ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: RS1xFL Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1MFL 3256599.pdf
RS1MFL
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - RS1MFL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.3 V, 250 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 250ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: RS1xFL Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1M. 2182653.pdf
RS1M.
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - RS1M. - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.3 V, 500 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: 0
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 500ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 0
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LL5819 L0G 3007063.pdf
LL5819 L0G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - LL5819 L0G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1 A, Einfach, MELF, 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: MELF
Durchlassstoßstrom: 25A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: LL581x Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 13757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+31.29 грн
100+31.20 грн
500+28.89 грн
1000+26.60 грн
5000+26.52 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
LL5819 L0G 3007063.pdf
LL5819 L0G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - LL5819 L0G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1 A, Einfach, MELF, 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: MELF
Durchlassstoßstrom: 25A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: LL581x Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 13757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.20 грн
500+28.89 грн
1000+26.60 грн
5000+26.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MBR10100CT TWSC-S-A0013456083-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MBR10100CT
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MBR10100CT - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 120A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 950mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+97.94 грн
12+76.62 грн
100+58.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MBS10 2044068.pdf
MBS10
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MBS10 - Brückengleichrichter, Miniatur, Eine Phase, 1 kV, 500 mA, SMD, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SMD
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MBS10
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+53.48 грн
50+33.46 грн
100+21.41 грн
500+15.29 грн
1500+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
MBS10 2044068.pdf
MBS10
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MBS10 - Brückengleichrichter, Miniatur, Eine Phase, 1 kV, 500 mA, SMD, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 35A
Durchlassspannung Vf max.: 1V
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SMD
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 500mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MBS10
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.41 грн
500+15.29 грн
1500+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RTBS40M
RTBS40M
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - RTBS40M - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 4 A, TBS, 4 Pin(s), 1.3 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 110A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Bauform - Brückengleichrichter: TBS
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+89.28 грн
16+56.34 грн
100+36.92 грн
500+31.87 грн
1000+27.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RTBS40M
RTBS40M
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - RTBS40M - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 4 A, TBS, 4 Pin(s), 1.3 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 110A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Bauform - Brückengleichrichter: TBS
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.92 грн
500+31.87 грн
1000+27.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
US1B TWSC-S-A0012470688-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
US1B
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - US1B - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: US1x Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 15331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.66 грн
250+16.64 грн
1000+8.05 грн
3000+6.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TSM220NB06CR RLG 3256627.pdf
TSM220NB06CR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM220NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.019 ohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PDFN56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+54.00 грн
19+46.37 грн
100+33.80 грн
500+28.97 грн
1000+24.52 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
TS2951CS50 RLG 1955434.pdf
TS2951CS50 RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TS2951CS50 RLG - LDO-Festspannungsregler, 2.3V bis 30V, 380mV Dropout-Spannung, 5V/150mAout, SOP-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOP
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.3V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 380mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 380mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+113.55 грн
13+69.51 грн
100+44.90 грн
500+32.19 грн
1000+28.45 грн
2500+27.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TQM130NB06CR RLG 3256618.pdf
TQM130NB06CR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM130NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0117 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+95.34 грн
14+66.57 грн
100+63.71 грн
500+56.50 грн
1000+49.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TQM130NB06CR RLG 3256618.pdf
TQM130NB06CR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM130NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0117 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0117ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+63.71 грн
500+56.50 грн
1000+49.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TSM220NB06CR RLG TSM220NB06CR_C2401.pdf
TSM220NB06CR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM220NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.019 ohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PDFN56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+38.48 грн
500+31.55 грн
1000+25.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TQM050NB06CR RLG TQM050NB06CR_A2003.pdf
TQM050NB06CR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM050NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 104 A, 4300 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+152.55 грн
500+138.43 грн
1000+125.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06DCR RLG 3256623.pdf
TQM300NB06DCR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 25 A, 25 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+96.21 грн
13+72.03 грн
100+71.16 грн
500+65.35 грн
1000+59.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TQM150NB04DCR RLG 3256620.pdf
TQM150NB04DCR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 39 A, 39 A, 0.0103 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0103ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0103ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+142.15 грн
10+130.88 грн
100+120.48 грн
500+101.41 грн
1000+83.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06CR RLG 3256622.pdf
TQM300NB06CR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.025 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+52.18 грн
18+50.45 грн
100+48.71 грн
500+43.54 грн
1000+38.71 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
TSM033NB04CR RLG TSM033NB04CR_B1804.pdf
TSM033NB04CR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2400 µohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: PDFN56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+124.81 грн
11+85.55 грн
100+77.49 грн
500+64.47 грн
1000+52.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TQM070NB04CR RLG 3256616.pdf
TQM070NB04CR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM070NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0045 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+104.88 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TQM150NB04CR RLG 3256619.pdf
TQM150NB04CR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 41 A, 0.009 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+69.69 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TQM033NB04CR RLG 3256614.pdf
TQM033NB04CR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2200 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+72.81 грн
500+65.19 грн
1000+57.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TQM025NB04CR RLG
TQM025NB04CR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM025NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 157 A, 0.0018 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+202.82 грн
500+187.53 грн
1000+172.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04LCR RLG 3256626.pdf
TSM110NB04LCR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM110NB04LCR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 8000 µohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PDFN56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+44.47 грн
23+38.83 грн
100+38.74 грн
500+35.90 грн
1000+33.06 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
TQM150NB04DCR RLG 3256620.pdf
TQM150NB04DCR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 39 A, 39 A, 0.0103 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0103ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0103ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+120.48 грн
500+101.41 грн
1000+83.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06CR RLG 3256622.pdf
TQM300NB06CR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.025 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 56W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.71 грн
500+43.54 грн
1000+38.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TQM110NB04CR RLG
TQM110NB04CR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM110NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 7200 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+80.35 грн
14+65.09 грн
100+59.20 грн
500+49.58 грн
1000+40.71 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TQM150NB04CR RLG 3256619.pdf
TQM150NB04CR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 41 A, 0.009 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 56W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+69.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TQM033NB04CR RLG 3256614.pdf
TQM033NB04CR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2200 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+122.21 грн
10+92.74 грн
100+72.81 грн
500+65.19 грн
1000+57.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TQM050NB06CR RLG TQM050NB06CR_A2003.pdf
TQM050NB06CR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM050NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 104 A, 4300 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+157.75 грн
10+155.15 грн
100+152.55 грн
500+138.43 грн
1000+125.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TQM250NB06DCR RLG
TQM250NB06DCR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM250NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 58W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 58W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+79.48 грн
500+73.48 грн
1000+67.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TSM033NB04CR RLG 3256625.pdf
TSM033NB04CR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.0024 ohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: PDFN56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+63.97 грн
500+58.51 грн
1000+53.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TQM025NB04CR RLG
TQM025NB04CR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM025NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 157 A, 0.0018 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+204.56 грн
10+203.69 грн
100+202.82 грн
500+187.53 грн
1000+172.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04LCR RLG 3256626.pdf
TSM110NB04LCR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM110NB04LCR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 8000 µohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PDFN56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+38.74 грн
500+35.90 грн
1000+33.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TQM250NB06DCR RLG
TQM250NB06DCR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM250NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 58W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 58W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+79.74 грн
100+79.48 грн
500+73.48 грн
1000+67.61 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TQM070NB04CR RLG 3256616.pdf
TQM070NB04CR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM070NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0045 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+104.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TQM110NB04CR RLG
TQM110NB04CR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM110NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 7200 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+59.20 грн
500+49.58 грн
1000+40.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06DCR RLG 3256623.pdf
TQM300NB06DCR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 25 A, 25 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+71.16 грн
500+65.35 грн
1000+59.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 110 220 330 440 550 660 770 772 773 774 775 776 777 778 779 780 781 782 880 990 1100 1106  [ Наступна Сторінка >> ]