Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR (49222) > Сторінка 791 з 821

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 82 164 246 328 410 492 574 656 738 786 787 788 789 790 791 792 793 794 795 796 820 821  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
US1B US1B TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0012470688-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - US1B - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: US1x Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 14917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.22 грн
250+14.26 грн
1000+6.25 грн
3000+5.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TSM220NB06CR RLG TSM220NB06CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256627.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM220NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.019 ohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PDFN56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.20 грн
19+43.11 грн
100+31.43 грн
500+26.94 грн
1000+22.79 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
TS2951CS50 RLG TS2951CS50 RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR 1955434.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TS2951CS50 RLG - LDO-Festspannungsregler, 2.3V bis 30V, 380mV Dropout-Spannung, 5V/150mAout, SOP-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOP
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.3V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 380mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 380mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+54.71 грн
21+38.76 грн
100+30.46 грн
500+25.22 грн
1000+21.34 грн
2500+20.17 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
TQM130NB06CR RLG TQM130NB06CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256618.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM130NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0117 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.64 грн
14+61.89 грн
100+59.23 грн
500+52.53 грн
1000+46.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TQM130NB06CR RLG TQM130NB06CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256618.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM130NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0117 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0117ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.23 грн
500+52.53 грн
1000+46.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TSM220NB06CR RLG TSM220NB06CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM220NB06CR_C2401.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM220NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.019 ohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PDFN56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.78 грн
500+29.33 грн
1000+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TQM050NB06CR RLG TQM050NB06CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR TQM050NB06CR_A2003.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM050NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 104 A, 4300 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+141.82 грн
500+128.70 грн
1000+116.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06DCR RLG TQM300NB06DCR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256623.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 25 A, 25 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+89.45 грн
13+66.96 грн
100+66.16 грн
500+60.76 грн
1000+55.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TQM150NB04DCR RLG TQM150NB04DCR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR TQM150NB04DCR_A1912.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 39 A, 39 A, 0.0103 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0103ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0103ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.15 грн
10+121.68 грн
100+111.20 грн
500+93.53 грн
1000+77.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06CR RLG TQM300NB06CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256622.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.025 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.51 грн
18+46.90 грн
100+45.29 грн
500+40.48 грн
1000+35.99 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
TSM033NB04CR RLG TSM033NB04CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256625.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2400 µohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: PDFN56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.04 грн
11+79.53 грн
100+72.04 грн
500+59.94 грн
1000+48.90 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TQM070NB04CR RLG TQM070NB04CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256616.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM070NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0045 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.50 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TQM150NB04CR RLG TQM150NB04CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256619.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 41 A, 0.009 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+64.79 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TQM033NB04CR RLG TQM033NB04CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256614.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2200 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.80 грн
500+60.23 грн
1000+53.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TQM025NB04CR RLG TQM025NB04CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM025NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 157 A, 1800 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+180.50 грн
500+166.86 грн
1000+153.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04LCR RLG TSM110NB04LCR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256626.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM110NB04LCR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 8000 µohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PDFN56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.02 грн
21+39.89 грн
100+38.76 грн
500+34.94 грн
1000+31.29 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
TQM150NB04DCR RLG TQM150NB04DCR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR TQM150NB04DCR_A1912.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 39 A, 39 A, 0.0103 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0103ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0103ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+111.20 грн
500+93.53 грн
1000+77.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06CR RLG TQM300NB06CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256622.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.025 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 56W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.29 грн
500+40.48 грн
1000+35.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TQM110NB04CR RLG TQM110NB04CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM110NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 7200 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.70 грн
14+60.52 грн
100+55.04 грн
500+46.09 грн
1000+37.85 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TQM150NB04CR RLG TQM150NB04CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256619.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 41 A, 0.009 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 56W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TQM033NB04CR RLG TQM033NB04CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256614.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2200 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.18 грн
10+87.83 грн
100+66.80 грн
500+60.23 грн
1000+53.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TQM050NB06CR RLG TQM050NB06CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR TQM050NB06CR_A2003.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM050NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 104 A, 4300 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.66 грн
10+144.24 грн
100+141.82 грн
500+128.70 грн
1000+116.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TQM250NB06DCR RLG TQM250NB06DCR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM250NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 58W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 58W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.89 грн
500+68.32 грн
1000+62.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TSM033NB04CR RLG TSM033NB04CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256625.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2400 µohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: PDFN56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.04 грн
500+59.94 грн
1000+48.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TQM025NB04CR RLG TQM025NB04CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM025NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 157 A, 1800 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.11 грн
10+181.31 грн
100+180.50 грн
500+166.86 грн
1000+153.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04LCR RLG TSM110NB04LCR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256626.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM110NB04LCR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 8000 µohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PDFN56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.76 грн
500+34.94 грн
1000+31.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TQM250NB06DCR RLG TQM250NB06DCR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM250NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 58W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 58W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.13 грн
100+73.89 грн
500+68.32 грн
1000+62.85 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TQM070NB04CR RLG TQM070NB04CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256616.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM070NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0045 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+97.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TQM110NB04CR RLG TQM110NB04CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM110NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 7200 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.04 грн
500+46.09 грн
1000+37.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06DCR RLG TQM300NB06DCR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256623.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 25 A, 25 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.16 грн
500+60.76 грн
1000+55.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ5.0CA SMCJ5.0CA TAIWAN SEMICONDUCTOR 2358776.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMCJ5.0CA - TVS-Diode, SMCJ Series, Bidirektional, 5 V, 9.6 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 6.4V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 7.3V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 5V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SMCJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 9.6V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.30 грн
18+46.33 грн
100+30.22 грн
500+21.62 грн
1000+18.03 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ100CA SMBJ100CA TAIWAN SEMICONDUCTOR 2358777.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMBJ100CA - TVS-Diode, SMBJ, Bidirektional, 100 V, 162 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 111V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 123V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 100V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SMBJ
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 162V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.81 грн
27+29.98 грн
100+18.05 грн
500+16.16 грн
1000+14.30 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ100CA SMBJ100CA TAIWAN SEMICONDUCTOR 2358777.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMBJ100CA - TVS-Diode, SMBJ, Bidirektional, 100 V, 162 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 111V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 123V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 100V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SMBJ
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 162V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.05 грн
500+16.16 грн
1000+14.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54A RFG BAT54A RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0013443283-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - BAT54A RFG - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 30 V, 200 mA, 500 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 500mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT5x Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.94 грн
145+5.59 грн
500+3.77 грн
1000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54A RFG BAT54A RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0013443283-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - BAT54A RFG - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 30 V, 200 mA, 500 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 500mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT5x Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+15.31 грн
91+8.94 грн
145+5.59 грн
500+3.77 грн
1000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
1N5406G 1N5406G TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0013443371-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5406G - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 3 A, Einfach, 1 V, 125 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 125A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.81 грн
33+24.58 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3502W GBPC3502W TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0013443408-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - GBPC3502W - Brückengleichrichter, Eine Phase, 200 V, 35 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 400A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 35A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBPC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+377.93 грн
10+294.93 грн
100+168.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20H100CT MBR20H100CT TAIWAN SEMICONDUCTOR 2357963.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MBR20H100CT - Schottky-Gleichrichterdiode, für hohe Temperaturen, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 950mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBR20
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.26 грн
10+95.09 грн
100+71.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20150CT MBR20150CT TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0013455844-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MBR20150CT - Schottky-Gleichrichterdiode, 150 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.23V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+60.27 грн
19+42.47 грн
100+42.39 грн
500+29.18 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20H100CT C0G MBR20H100CT C0G TAIWAN SEMICONDUCTOR 2357963.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MBR20H100CT C0G - Schottky-Gleichrichterdiode, wärmebeständig, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBR20HxxxCT Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5391G 1N5391G TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0013443269-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5391G - Diode mit Standard-Erholzeit, 50 V, 1.5 A, Einfach, 1.1 V, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AC
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.81 грн
31+26.67 грн
100+16.36 грн
500+10.10 грн
1000+7.39 грн
5000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
GBU806 GBU806 TAIWAN SEMICONDUCTOR 2358769.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - GBU806 - Brückengleichrichter, glaspassiviert, Eine Phase, 800 V, 8 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Durchlassstoßstrom: 200A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
euEccn: NLR
Durchlassspannung, max.: 1V
isCanonical: Y
hazardous: false
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.96 грн
12+73.25 грн
100+56.65 грн
500+41.45 грн
1000+34.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
S1JMH S1JMH TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256602.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - S1JMH - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 780 ns, 20 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: MicroSMA
Durchlassstoßstrom: 20A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 780ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 11907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.89 грн
39+21.03 грн
100+13.62 грн
500+8.60 грн
1000+6.48 грн
5000+5.61 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
S1JMH S1JMH TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256602.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - S1JMH - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 780 ns, 20 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: MicroSMA
Durchlassstoßstrom: 20A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 780ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S1 Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 11907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.62 грн
500+8.60 грн
1000+6.48 грн
5000+5.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAT42WS RRG BAT42WS RRG TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0013443097-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - BAT42WS RRG - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 1 V, 4 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+18.94 грн
70+11.60 грн
112+7.24 грн
500+4.96 грн
1500+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
BAT42WS RRG BAT42WS RRG TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0013443097-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - BAT42WS RRG - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 1 V, 4 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.60 грн
112+7.24 грн
500+4.96 грн
1500+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAT42W RHG BAT42W RHG TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0002363191-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - BAT42W RHG - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 1 V, 4 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAT4xW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.62 грн
139+5.80 грн
164+4.94 грн
500+3.35 грн
1500+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAT42W RHG BAT42W RHG TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0002363191-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - BAT42W RHG - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 1 V, 4 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAT4xW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+8.62 грн
139+5.80 грн
164+4.94 грн
500+3.35 грн
1500+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
TS79M05CP ROG TS79M05CP ROG TAIWAN SEMICONDUCTOR 2261937.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TS79M05CP ROG - Linearer Festspannungsregler, -35V bis -10Vin, -5V/500mAout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 500
Nominelle feste Ausgangsspannung: -5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, min.: 0
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: -10
Bauform - Linearregler: TO-252 (DPAK)
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: -35
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -5V 500mA Negative Linear Voltage Regulators
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TS79M05CP ROG TS79M05CP ROG TAIWAN SEMICONDUCTOR 2261937.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TS79M05CP ROG - Linearer Festspannungsregler, -35V bis -10Vin, -5V/500mAout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ18CA. SMAJ18CA. TAIWAN SEMICONDUCTOR 2182694.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMAJ18CA. - TVS-Diode, SMAJ, Bidirektional, 18 V, 29.2 V, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 20
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 22.1
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 18
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 400
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: SMAJ
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150
Klemmspannung, max.: 29.2
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBR15100CT MBR15100CT TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0013456128-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MBR15100CT - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 15 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 920mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.04 грн
10+85.42 грн
100+61.48 грн
500+46.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ60A SMBJ60A TAIWAN SEMICONDUCTOR 2358777.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMBJ60A - TVS-Diode, SMBJ, Unidirektional, 60 V, 96.8 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 66.7V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 73.7V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 60V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SMBJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 96.8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+29.49 грн
32+25.79 грн
100+21.35 грн
500+17.81 грн
1000+15.20 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ60A SMBJ60A TAIWAN SEMICONDUCTOR 2358777.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMBJ60A - TVS-Diode, SMBJ, Unidirektional, 60 V, 96.8 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 66.7V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 73.7V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 60V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SMBJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 96.8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.35 грн
500+17.81 грн
1000+15.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RS2M RS2M TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0012732688-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - RS2M - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 2 A, Einfach, 1.3 V, 500 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 500ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: RS2x Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.49 грн
500+8.68 грн
1500+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RS2M RS2M TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0012732688-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - RS2M - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 2 A, Einfach, 1.3 V, 500 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 500ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: RS2x Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+21.60 грн
56+14.59 грн
100+12.49 грн
500+8.68 грн
1500+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
MUR820 MUR820 TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0012732629-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MUR820 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MUR8x Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.79 грн
14+59.87 грн
100+58.10 грн
500+42.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TS4148 RXG TS4148 RXG TAIWAN SEMICONDUCTOR TS4148 RXG_O1803.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TS4148 RXG - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 1206
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 75V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2545CT MBR2545CT TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0013456010-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MBR2545CT - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 25 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s), 820 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 820mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 45V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+203.87 грн
10+139.41 грн
100+102.34 грн
500+82.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF1060CT MBRF1060CT TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0013455848-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MBRF1060CT - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, ITO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: ITO-220AB
Durchlassstoßstrom: 120A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 900mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRF10xCT Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+25.62 грн
100+24.74 грн
500+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
US1B TWSC-S-A0012470688-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
US1B
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - US1B - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: US1x Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 14917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.22 грн
250+14.26 грн
1000+6.25 грн
3000+5.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TSM220NB06CR RLG 3256627.pdf
TSM220NB06CR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM220NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.019 ohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PDFN56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+50.20 грн
19+43.11 грн
100+31.43 грн
500+26.94 грн
1000+22.79 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
TS2951CS50 RLG 1955434.pdf
TS2951CS50 RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TS2951CS50 RLG - LDO-Festspannungsregler, 2.3V bis 30V, 380mV Dropout-Spannung, 5V/150mAout, SOP-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOP
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.3V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 380mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 380mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+54.71 грн
21+38.76 грн
100+30.46 грн
500+25.22 грн
1000+21.34 грн
2500+20.17 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
TQM130NB06CR RLG 3256618.pdf
TQM130NB06CR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM130NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0117 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+88.64 грн
14+61.89 грн
100+59.23 грн
500+52.53 грн
1000+46.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TQM130NB06CR RLG 3256618.pdf
TQM130NB06CR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM130NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0117 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0117ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+59.23 грн
500+52.53 грн
1000+46.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TSM220NB06CR RLG TSM220NB06CR_C2401.pdf
TSM220NB06CR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM220NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.019 ohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PDFN56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.78 грн
500+29.33 грн
1000+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TQM050NB06CR RLG TQM050NB06CR_A2003.pdf
TQM050NB06CR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM050NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 104 A, 4300 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+141.82 грн
500+128.70 грн
1000+116.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06DCR RLG 3256623.pdf
TQM300NB06DCR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 25 A, 25 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+89.45 грн
13+66.96 грн
100+66.16 грн
500+60.76 грн
1000+55.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TQM150NB04DCR RLG TQM150NB04DCR_A1912.pdf
TQM150NB04DCR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 39 A, 39 A, 0.0103 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0103ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0103ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+132.15 грн
10+121.68 грн
100+111.20 грн
500+93.53 грн
1000+77.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06CR RLG 3256622.pdf
TQM300NB06CR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.025 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+48.51 грн
18+46.90 грн
100+45.29 грн
500+40.48 грн
1000+35.99 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
TSM033NB04CR RLG 3256625.pdf
TSM033NB04CR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2400 µohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: PDFN56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+116.04 грн
11+79.53 грн
100+72.04 грн
500+59.94 грн
1000+48.90 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TQM070NB04CR RLG 3256616.pdf
TQM070NB04CR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM070NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0045 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+97.50 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TQM150NB04CR RLG 3256619.pdf
TQM150NB04CR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 41 A, 0.009 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+64.79 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TQM033NB04CR RLG 3256614.pdf
TQM033NB04CR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2200 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+66.80 грн
500+60.23 грн
1000+53.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TQM025NB04CR RLG
TQM025NB04CR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM025NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 157 A, 1800 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+180.50 грн
500+166.86 грн
1000+153.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04LCR RLG 3256626.pdf
TSM110NB04LCR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM110NB04LCR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 8000 µohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PDFN56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+41.02 грн
21+39.89 грн
100+38.76 грн
500+34.94 грн
1000+31.29 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
TQM150NB04DCR RLG TQM150NB04DCR_A1912.pdf
TQM150NB04DCR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 39 A, 39 A, 0.0103 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0103ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0103ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+111.20 грн
500+93.53 грн
1000+77.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06CR RLG 3256622.pdf
TQM300NB06CR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.025 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 56W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+45.29 грн
500+40.48 грн
1000+35.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TQM110NB04CR RLG
TQM110NB04CR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM110NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 7200 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+74.70 грн
14+60.52 грн
100+55.04 грн
500+46.09 грн
1000+37.85 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TQM150NB04CR RLG 3256619.pdf
TQM150NB04CR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 41 A, 0.009 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 56W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+64.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TQM033NB04CR RLG 3256614.pdf
TQM033NB04CR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2200 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+136.18 грн
10+87.83 грн
100+66.80 грн
500+60.23 грн
1000+53.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TQM050NB06CR RLG TQM050NB06CR_A2003.pdf
TQM050NB06CR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM050NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 104 A, 4300 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+146.66 грн
10+144.24 грн
100+141.82 грн
500+128.70 грн
1000+116.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TQM250NB06DCR RLG
TQM250NB06DCR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM250NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 58W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 58W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+73.89 грн
500+68.32 грн
1000+62.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TSM033NB04CR RLG 3256625.pdf
TSM033NB04CR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2400 µohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: PDFN56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+72.04 грн
500+59.94 грн
1000+48.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TQM025NB04CR RLG
TQM025NB04CR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM025NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 157 A, 1800 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+182.11 грн
10+181.31 грн
100+180.50 грн
500+166.86 грн
1000+153.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04LCR RLG 3256626.pdf
TSM110NB04LCR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM110NB04LCR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 8000 µohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PDFN56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+38.76 грн
500+34.94 грн
1000+31.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TQM250NB06DCR RLG
TQM250NB06DCR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM250NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 58W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 58W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+74.13 грн
100+73.89 грн
500+68.32 грн
1000+62.85 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TQM070NB04CR RLG 3256616.pdf
TQM070NB04CR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM070NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0045 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+97.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TQM110NB04CR RLG
TQM110NB04CR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM110NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 7200 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+55.04 грн
500+46.09 грн
1000+37.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06DCR RLG 3256623.pdf
TQM300NB06DCR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 25 A, 25 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+66.16 грн
500+60.76 грн
1000+55.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ5.0CA 2358776.pdf
SMCJ5.0CA
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMCJ5.0CA - TVS-Diode, SMCJ Series, Bidirektional, 5 V, 9.6 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 6.4V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 7.3V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 5V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SMCJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 9.6V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+74.30 грн
18+46.33 грн
100+30.22 грн
500+21.62 грн
1000+18.03 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ100CA 2358777.pdf
SMBJ100CA
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMBJ100CA - TVS-Diode, SMBJ, Bidirektional, 100 V, 162 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 111V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 123V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 100V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SMBJ
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 162V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+34.81 грн
27+29.98 грн
100+18.05 грн
500+16.16 грн
1000+14.30 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ100CA 2358777.pdf
SMBJ100CA
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMBJ100CA - TVS-Diode, SMBJ, Bidirektional, 100 V, 162 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 111V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 123V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 100V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SMBJ
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 162V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.05 грн
500+16.16 грн
1000+14.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54A RFG TWSC-S-A0013443283-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT54A RFG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - BAT54A RFG - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 30 V, 200 mA, 500 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 500mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT5x Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+8.94 грн
145+5.59 грн
500+3.77 грн
1000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54A RFG TWSC-S-A0013443283-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT54A RFG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - BAT54A RFG - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 30 V, 200 mA, 500 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 500mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT5x Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
53+15.31 грн
91+8.94 грн
145+5.59 грн
500+3.77 грн
1000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
1N5406G TWSC-S-A0013443371-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1N5406G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5406G - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 3 A, Einfach, 1 V, 125 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 125A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+39.81 грн
33+24.58 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3502W TWSC-S-A0013443408-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
GBPC3502W
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - GBPC3502W - Brückengleichrichter, Eine Phase, 200 V, 35 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 400A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 35A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBPC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+377.93 грн
10+294.93 грн
100+168.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20H100CT 2357963.pdf
MBR20H100CT
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MBR20H100CT - Schottky-Gleichrichterdiode, für hohe Temperaturen, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 950mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBR20
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+119.26 грн
10+95.09 грн
100+71.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20150CT TWSC-S-A0013455844-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MBR20150CT
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MBR20150CT - Schottky-Gleichrichterdiode, 150 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.23V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+60.27 грн
19+42.47 грн
100+42.39 грн
500+29.18 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20H100CT C0G 2357963.pdf
MBR20H100CT C0G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MBR20H100CT C0G - Schottky-Gleichrichterdiode, wärmebeständig, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBR20HxxxCT Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5391G TWSC-S-A0013443269-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1N5391G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5391G - Diode mit Standard-Erholzeit, 50 V, 1.5 A, Einfach, 1.1 V, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AC
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+34.81 грн
31+26.67 грн
100+16.36 грн
500+10.10 грн
1000+7.39 грн
5000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
GBU806 2358769.pdf
GBU806
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - GBU806 - Brückengleichrichter, glaspassiviert, Eine Phase, 800 V, 8 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Durchlassstoßstrom: 200A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
euEccn: NLR
Durchlassspannung, max.: 1V
isCanonical: Y
hazardous: false
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+132.96 грн
12+73.25 грн
100+56.65 грн
500+41.45 грн
1000+34.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
S1JMH 3256602.pdf
S1JMH
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - S1JMH - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 780 ns, 20 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: MicroSMA
Durchlassstoßstrom: 20A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 780ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 11907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+34.89 грн
39+21.03 грн
100+13.62 грн
500+8.60 грн
1000+6.48 грн
5000+5.61 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
S1JMH 3256602.pdf
S1JMH
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - S1JMH - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 780 ns, 20 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: MicroSMA
Durchlassstoßstrom: 20A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 780ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S1 Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 11907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.62 грн
500+8.60 грн
1000+6.48 грн
5000+5.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAT42WS RRG TWSC-S-A0013443097-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT42WS RRG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - BAT42WS RRG - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 1 V, 4 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+18.94 грн
70+11.60 грн
112+7.24 грн
500+4.96 грн
1500+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
BAT42WS RRG TWSC-S-A0013443097-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT42WS RRG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - BAT42WS RRG - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 1 V, 4 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.60 грн
112+7.24 грн
500+4.96 грн
1500+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAT42W RHG TWSC-S-A0002363191-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT42W RHG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - BAT42W RHG - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 1 V, 4 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAT4xW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+8.62 грн
139+5.80 грн
164+4.94 грн
500+3.35 грн
1500+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAT42W RHG TWSC-S-A0002363191-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT42W RHG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - BAT42W RHG - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 1 V, 4 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAT4xW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
94+8.62 грн
139+5.80 грн
164+4.94 грн
500+3.35 грн
1500+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
TS79M05CP ROG 2261937.pdf
TS79M05CP ROG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TS79M05CP ROG - Linearer Festspannungsregler, -35V bis -10Vin, -5V/500mAout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 500
Nominelle feste Ausgangsspannung: -5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, min.: 0
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: -10
Bauform - Linearregler: TO-252 (DPAK)
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: -35
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -5V 500mA Negative Linear Voltage Regulators
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TS79M05CP ROG 2261937.pdf
TS79M05CP ROG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TS79M05CP ROG - Linearer Festspannungsregler, -35V bis -10Vin, -5V/500mAout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ18CA. 2182694.pdf
SMAJ18CA.
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMAJ18CA. - TVS-Diode, SMAJ, Bidirektional, 18 V, 29.2 V, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 20
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 22.1
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 18
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 400
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: SMAJ
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150
Klemmspannung, max.: 29.2
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBR15100CT TWSC-S-A0013456128-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MBR15100CT
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MBR15100CT - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 15 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 920mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+116.04 грн
10+85.42 грн
100+61.48 грн
500+46.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ60A 2358777.pdf
SMBJ60A
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMBJ60A - TVS-Diode, SMBJ, Unidirektional, 60 V, 96.8 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 66.7V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 73.7V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 60V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SMBJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 96.8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+29.49 грн
32+25.79 грн
100+21.35 грн
500+17.81 грн
1000+15.20 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ60A 2358777.pdf
SMBJ60A
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMBJ60A - TVS-Diode, SMBJ, Unidirektional, 60 V, 96.8 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 66.7V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 73.7V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 60V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SMBJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 96.8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.35 грн
500+17.81 грн
1000+15.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RS2M TWSC-S-A0012732688-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
RS2M
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - RS2M - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 2 A, Einfach, 1.3 V, 500 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 500ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: RS2x Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.49 грн
500+8.68 грн
1500+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RS2M TWSC-S-A0012732688-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
RS2M
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - RS2M - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 2 A, Einfach, 1.3 V, 500 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 500ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: RS2x Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+21.60 грн
56+14.59 грн
100+12.49 грн
500+8.68 грн
1500+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
MUR820 TWSC-S-A0012732629-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MUR820
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MUR820 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MUR8x Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+137.79 грн
14+59.87 грн
100+58.10 грн
500+42.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TS4148 RXG TS4148 RXG_O1803.pdf
TS4148 RXG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TS4148 RXG - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 1206
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 75V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2545CT TWSC-S-A0013456010-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MBR2545CT
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MBR2545CT - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 25 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s), 820 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 820mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 45V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+203.87 грн
10+139.41 грн
100+102.34 грн
500+82.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF1060CT TWSC-S-A0013455848-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MBRF1060CT
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MBRF1060CT - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, ITO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: ITO-220AB
Durchlassstoßstrom: 120A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 900mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRF10xCT Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+25.62 грн
100+24.74 грн
500+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 82 164 246 328 410 492 574 656 738 786 787 788 789 790 791 792 793 794 795 796 820 821  [ Наступна Сторінка >> ]