Продукція > TOSHIBA > Всі товари виробника TOSHIBA (41362) > Сторінка 641 з 690

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 69 138 207 276 345 414 483 552 621 636 637 638 639 640 641 642 643 644 645 646 690  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK16G60W,RVQ(S TK16G60W,RVQ(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK16G60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 130W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+384.80 грн
100+296.19 грн
500+252.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W5,RVQ(S TK8P60W5,RVQ(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK8P60W5,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.44 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.44ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.89 грн
500+49.98 грн
1000+45.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK16G60W5,RVQ(S TK16G60W5,RVQ(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK16G60W5,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 130W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+146.86 грн
500+118.85 грн
1000+90.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W5,RVQ(S TK8P60W5,RVQ(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK8P60W5,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.44 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.44ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+163.27 грн
10+105.02 грн
100+54.89 грн
500+49.98 грн
1000+45.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P60W,RVQ(S TK12P60W,RVQ(S TOSHIBA docget.jsp?did=13511&prodName=TK12P60W Description: TOSHIBA - TK12P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.265 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+278.14 грн
10+182.14 грн
100+127.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P60W5,RVQ(S TK7P60W5,RVQ(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK7P60W5,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.53 грн
500+55.54 грн
1000+50.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P60W,RVQ(S TK6P60W,RVQ(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK6P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 0.68 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.68ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+91.07 грн
500+83.04 грн
1000+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110ENH,L1Q(M TPH1110ENH,L1Q(M TOSHIBA 3934787.pdf Description: TOSHIBA - TPH1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.10 грн
500+56.68 грн
1000+48.31 грн
2500+45.08 грн
5000+42.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110ENH,L1Q(M TPH1110ENH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.89 грн
11+80.90 грн
100+67.03 грн
500+55.84 грн
1000+47.54 грн
5000+44.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TK28A65W,S5X(M TK28A65W,S5X(M TOSHIBA 3934675.pdf Description: TOSHIBA - TK28A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.094 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+416.80 грн
10+411.87 грн
100+212.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PL,LQ(S TPH3R506PL,LQ(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH3R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 2600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.57 грн
500+53.79 грн
1000+45.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PL,LQ(S TPH3R506PL,LQ(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH3R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 2600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+89.43 грн
11+77.94 грн
100+64.57 грн
500+53.79 грн
1000+45.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A25D,S5X(M TK20A25D,S5X(M TOSHIBA 3934658.pdf Description: TOSHIBA - TK20A25D,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 20 A, 0.073 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+314.24 грн
10+193.63 грн
100+139.48 грн
500+98.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W,S1VF(S TK39N60W,S1VF(S TOSHIBA 3934701.pdf Description: TOSHIBA - TK39N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+543.97 грн
10+367.57 грн
100+319.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60X,S1F(S TK39N60X,S1F(S TOSHIBA 3934703.pdf Description: TOSHIBA - TK39N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+718.73 грн
10+434.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5,S1VF(S TK39N60W5,S1VF(S TOSHIBA 3934702.pdf Description: TOSHIBA - TK39N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.062 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+497.20 грн
10+368.39 грн
100+361.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9000(TEE-TL,F(O TLX9000(TEE-TL,F(O TOSHIBA 3622611.pdf Description: TOSHIBA - TLX9000(TEE-TL,F(O - Optokoppler, 1 Kanal, SMD, 4 Pin(s), 30 mA, 3.75 kV, 20 %
tariffCode: 85414090
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 30mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V
Bauform - Optokoppler: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: To Be Advised
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+213.32 грн
10+135.38 грн
25+126.35 грн
50+108.18 грн
100+92.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9000(TEE-TL,F(O TLX9000(TEE-TL,F(O TOSHIBA 3622611.pdf Description: TOSHIBA - TLX9000(TEE-TL,F(O - Optokoppler, 1 Kanal, SMD, 4 Pin(s), 30 mA, 3.75 kV, 20 %
tariffCode: 85414090
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 30mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V
Bauform - Optokoppler: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62084APG(Z,HZW) TBD62084APG(Z,HZW) TOSHIBA Description: TOSHIBA - TBD62084APG(Z,HZW) - Peripherietreiber, 50V/0.5Aout, 8 Ausgänge, PDIP, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85412900
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Ausgangsspannung: 50V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Treiber: PDIP
Ausgangsstrom: 500mA
Versorgungsspannung, max.: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.97 грн
10+104.20 грн
50+97.64 грн
100+78.47 грн
250+67.93 грн
500+65.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLP176AM(TPL,E(T TLP176AM(TPL,E(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - TLP176AM(TPL,E(T - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 60 V, 700 mA, SOP-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85414900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 60V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 700mA
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 0.8pF
Bauform MOSFET-Relais: SOP-4
Durchlasswiderstand, max.: 2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.30 грн
10+95.99 грн
25+90.25 грн
50+79.23 грн
100+71.03 грн
500+61.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TLP176AM(TPL,E(T TLP176AM(TPL,E(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - TLP176AM(TPL,E(T - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 60 V, 700 mA, SOP-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85414900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 60V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 700mA
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 0.8pF
Bauform MOSFET-Relais: SOP-4
Durchlasswiderstand, max.: 2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.03 грн
500+61.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60X,S1F(S TK62N60X,S1F(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK62N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61.8 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+777.80 грн
5+635.04 грн
10+491.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK065N65Z,S1F(S TK065N65Z,S1F(S TOSHIBA 3934606.pdf Description: TOSHIBA - TK065N65Z,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+639.96 грн
5+506.23 грн
10+372.49 грн
50+319.22 грн
100+269.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK49N65W,S1F(S TK49N65W,S1F(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK49N65W,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 49.2 A, 0.048 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+702.32 грн
5+621.91 грн
10+541.51 грн
50+492.92 грн
100+445.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK49N65W5,S1F(S TK49N65W5,S1F(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK49N65W5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 49.2 A, 0.051 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1086.30 грн
5+861.49 грн
10+635.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9175J(TEETL,F(O TLX9175J(TEETL,F(O TOSHIBA 3622612.pdf Description: TOSHIBA - TLX9175J(TEETL,F(O - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 4 Pin(s), 3.75 kV
tariffCode: 85364110
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9175J(TEETL,F(O TLX9175J(TEETL,F(O TOSHIBA 3622612.pdf Description: TOSHIBA - TLX9175J(TEETL,F(O - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 4 Pin(s), 3.75 kV
tariffCode: 85364110
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
SVHC: To Be Advised
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.09 грн
10+162.45 грн
25+160.81 грн
50+147.80 грн
100+135.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TTA009,L1Q(O TTA009,L1Q(O TOSHIBA 3973723.pdf Description: TOSHIBA - TTA009,L1Q(O - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 3 A, 12 W, New PW-Mold, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 12W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: New PW-Mold
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.92 грн
15+56.53 грн
100+37.99 грн
500+27.58 грн
1000+22.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TTA009,L1Q(O TTA009,L1Q(O TOSHIBA 3973723.pdf Description: TOSHIBA - TTA009,L1Q(O - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 3 A, 12 W, New PW-Mold, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 12W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: New PW-Mold
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.99 грн
500+27.58 грн
1000+22.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1Q(M TPH12008NH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH12008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0101 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.69 грн
500+37.86 грн
1000+30.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1Q(M TPH12008NH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH12008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0101 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.07 грн
11+77.37 грн
100+51.69 грн
500+37.86 грн
1000+30.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPW4R50ANH,L1Q(M TPW4R50ANH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPW4R50ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 3700 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 142W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+251.06 грн
10+164.09 грн
100+124.71 грн
500+96.76 грн
1000+83.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1600ANH,L1Q(M TPN1600ANH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPN1600ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.013 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.40 грн
12+69.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPW4R50ANH,L1Q(M TPW4R50ANH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPW4R50ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 3700 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 142W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 142W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+124.71 грн
500+96.76 грн
1000+83.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQ(M TPH3R70APL1,LQ(M TOSHIBA 3622635.pdf Description: TOSHIBA - TPH3R70APL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0031 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+210.04 грн
10+140.30 грн
100+109.12 грн
500+86.85 грн
1000+73.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQ(M TPH3R70APL1,LQ(M TOSHIBA 3622635.pdf Description: TOSHIBA - TPH3R70APL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0031 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 210W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+109.12 грн
500+86.85 грн
1000+73.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1Q(M TPH1R005PL,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH1R005PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 150 A, 800 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
на замовлення 13921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+322.44 грн
10+198.55 грн
100+143.58 грн
500+92.19 грн
1000+78.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPWR8004PL,L1Q(M TPWR8004PL,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPWR8004PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 650 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+278.96 грн
10+185.43 грн
100+141.12 грн
500+108.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1Q(M TPH2R608NH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH2R608NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 150 A, 2100 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 142W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1Q(M TPH2900ENH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH2900ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.024 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 78W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 3963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+335.57 грн
10+206.76 грн
100+149.32 грн
500+105.14 грн
1000+89.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1Q(M TPH7R006PL,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 5400 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 81W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
на замовлення 3273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.84 грн
13+66.87 грн
100+47.09 грн
500+34.97 грн
1000+29.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPWR8004PL,L1Q(M TPWR8004PL,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPWR8004PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 650 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+141.12 грн
500+108.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1Q(M TPH1R005PL,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH1R005PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 150 A, 800 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
на замовлення 13921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+143.58 грн
500+92.19 грн
1000+78.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1Q(M TPH2R608NH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH2R608NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 150 A, 2100 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 142W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 142W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1600ANH,L1Q(M TPN1600ANH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPN1600ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.013 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1Q(M TPH7R006PL,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 5400 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 81W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 81W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
на замовлення 3273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.09 грн
500+34.97 грн
1000+29.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1Q(M TPH2900ENH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH2900ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.024 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 78W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 3963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+149.32 грн
500+105.14 грн
1000+89.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1110ENH,L1Q(M TPN1110ENH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPN1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 39W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
на замовлення 9481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.09 грн
500+43.05 грн
1000+37.55 грн
5000+29.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN13008NH,L1Q(M TPN13008NH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPN13008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0108 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
на замовлення 3905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.71 грн
12+71.30 грн
100+47.26 грн
500+31.69 грн
1000+26.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1Q(M TPH5200FNH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH5200FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.044 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 78W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 2872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+120.61 грн
500+95.23 грн
1000+84.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NL,L1Q(M TPH4R003NL,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH4R003NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 68 A, 3400 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 36W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.04 грн
12+72.37 грн
100+48.16 грн
500+32.38 грн
1000+26.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2010FNH,L1Q(M TPH2010FNH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH2010FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10 A, 0.168 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
на замовлення 3989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+152.61 грн
10+98.46 грн
100+66.38 грн
500+49.06 грн
1000+42.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPN3R704PL,L1Q(M TPN3R704PL,L1Q(M TOSHIBA 3934834.pdf Description: TOSHIBA - TPN3R704PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 92 A, 0.003 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.88 грн
16+53.49 грн
100+35.69 грн
500+30.78 грн
1000+26.16 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R30ANL,L1Q(M TPH6R30ANL,L1Q(M TOSHIBA 3934814.pdf Description: TOSHIBA - TPH6R30ANL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 66 A, 5100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.61 грн
500+41.45 грн
1000+34.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1110ENH,L1Q(M TPN1110ENH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPN1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 39W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
на замовлення 9481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.92 грн
10+86.15 грн
100+58.09 грн
500+43.05 грн
1000+37.55 грн
5000+29.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPW5200FNH,L1Q(M TPW5200FNH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPW5200FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.044 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 142W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 3986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+189.53 грн
500+122.66 грн
1000+104.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN12008QM,L1Q(M TPN12008QM,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPN12008QM,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 9600 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 86W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm
на замовлення 4910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+214.14 грн
10+91.07 грн
100+61.37 грн
500+38.47 грн
1000+31.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPW3R70APL,L1Q(M TPW3R70APL,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPW3R70APL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 3100 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+131.27 грн
500+101.33 грн
1000+86.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R506NH,L1Q(M TPH7R506NH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH7R506NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 6100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
на замовлення 3656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+157.53 грн
10+91.07 грн
100+61.37 грн
500+41.60 грн
1000+35.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R903PL,L1Q(M TPN2R903PL,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPN2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 122 A, 2100 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 75W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.99 грн
500+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK16G60W,RVQ(S
TK16G60W,RVQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK16G60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 130W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+384.80 грн
100+296.19 грн
500+252.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W5,RVQ(S
TK8P60W5,RVQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK8P60W5,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.44 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.44ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+54.89 грн
500+49.98 грн
1000+45.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK16G60W5,RVQ(S
TK16G60W5,RVQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK16G60W5,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 130W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+146.86 грн
500+118.85 грн
1000+90.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W5,RVQ(S
TK8P60W5,RVQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK8P60W5,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.44 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.44ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+163.27 грн
10+105.02 грн
100+54.89 грн
500+49.98 грн
1000+45.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P60W,RVQ(S docget.jsp?did=13511&prodName=TK12P60W
TK12P60W,RVQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK12P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.265 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+278.14 грн
10+182.14 грн
100+127.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P60W5,RVQ(S
TK7P60W5,RVQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK7P60W5,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+61.53 грн
500+55.54 грн
1000+50.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P60W,RVQ(S
TK6P60W,RVQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK6P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 0.68 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.68ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+91.07 грн
500+83.04 грн
1000+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110ENH,L1Q(M 3934787.pdf
TPH1110ENH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+68.10 грн
500+56.68 грн
1000+48.31 грн
2500+45.08 грн
5000+42.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110ENH,L1Q(M
TPH1110ENH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+91.89 грн
11+80.90 грн
100+67.03 грн
500+55.84 грн
1000+47.54 грн
5000+44.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TK28A65W,S5X(M 3934675.pdf
TK28A65W,S5X(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK28A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.094 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+416.80 грн
10+411.87 грн
100+212.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PL,LQ(S
TPH3R506PL,LQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH3R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 2600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+64.57 грн
500+53.79 грн
1000+45.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PL,LQ(S
TPH3R506PL,LQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH3R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 2600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+89.43 грн
11+77.94 грн
100+64.57 грн
500+53.79 грн
1000+45.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A25D,S5X(M 3934658.pdf
TK20A25D,S5X(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK20A25D,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 20 A, 0.073 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+314.24 грн
10+193.63 грн
100+139.48 грн
500+98.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W,S1VF(S 3934701.pdf
TK39N60W,S1VF(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK39N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+543.97 грн
10+367.57 грн
100+319.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60X,S1F(S 3934703.pdf
TK39N60X,S1F(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK39N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+718.73 грн
10+434.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5,S1VF(S 3934702.pdf
TK39N60W5,S1VF(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK39N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.062 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+497.20 грн
10+368.39 грн
100+361.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9000(TEE-TL,F(O 3622611.pdf
TLX9000(TEE-TL,F(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLX9000(TEE-TL,F(O - Optokoppler, 1 Kanal, SMD, 4 Pin(s), 30 mA, 3.75 kV, 20 %
tariffCode: 85414090
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 30mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V
Bauform - Optokoppler: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: To Be Advised
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+213.32 грн
10+135.38 грн
25+126.35 грн
50+108.18 грн
100+92.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9000(TEE-TL,F(O 3622611.pdf
TLX9000(TEE-TL,F(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLX9000(TEE-TL,F(O - Optokoppler, 1 Kanal, SMD, 4 Pin(s), 30 mA, 3.75 kV, 20 %
tariffCode: 85414090
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 30mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V
Bauform - Optokoppler: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62084APG(Z,HZW)
TBD62084APG(Z,HZW)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TBD62084APG(Z,HZW) - Peripherietreiber, 50V/0.5Aout, 8 Ausgänge, PDIP, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85412900
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Ausgangsspannung: 50V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Treiber: PDIP
Ausgangsstrom: 500mA
Versorgungsspannung, max.: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+150.97 грн
10+104.20 грн
50+97.64 грн
100+78.47 грн
250+67.93 грн
500+65.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLP176AM(TPL,E(T
TLP176AM(TPL,E(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP176AM(TPL,E(T - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 60 V, 700 mA, SOP-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85414900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 60V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 700mA
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 0.8pF
Bauform MOSFET-Relais: SOP-4
Durchlasswiderstand, max.: 2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+108.30 грн
10+95.99 грн
25+90.25 грн
50+79.23 грн
100+71.03 грн
500+61.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TLP176AM(TPL,E(T
TLP176AM(TPL,E(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP176AM(TPL,E(T - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 60 V, 700 mA, SOP-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85414900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 60V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 700mA
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 0.8pF
Bauform MOSFET-Relais: SOP-4
Durchlasswiderstand, max.: 2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+71.03 грн
500+61.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60X,S1F(S
TK62N60X,S1F(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK62N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61.8 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+777.80 грн
5+635.04 грн
10+491.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK065N65Z,S1F(S 3934606.pdf
TK065N65Z,S1F(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK065N65Z,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+639.96 грн
5+506.23 грн
10+372.49 грн
50+319.22 грн
100+269.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK49N65W,S1F(S
TK49N65W,S1F(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK49N65W,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 49.2 A, 0.048 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+702.32 грн
5+621.91 грн
10+541.51 грн
50+492.92 грн
100+445.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK49N65W5,S1F(S
TK49N65W5,S1F(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK49N65W5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 49.2 A, 0.051 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1086.30 грн
5+861.49 грн
10+635.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9175J(TEETL,F(O 3622612.pdf
TLX9175J(TEETL,F(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLX9175J(TEETL,F(O - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 4 Pin(s), 3.75 kV
tariffCode: 85364110
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9175J(TEETL,F(O 3622612.pdf
TLX9175J(TEETL,F(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLX9175J(TEETL,F(O - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 4 Pin(s), 3.75 kV
tariffCode: 85364110
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
SVHC: To Be Advised
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+164.09 грн
10+162.45 грн
25+160.81 грн
50+147.80 грн
100+135.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TTA009,L1Q(O 3973723.pdf
TTA009,L1Q(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TTA009,L1Q(O - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 3 A, 12 W, New PW-Mold, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 12W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: New PW-Mold
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+132.92 грн
15+56.53 грн
100+37.99 грн
500+27.58 грн
1000+22.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TTA009,L1Q(O 3973723.pdf
TTA009,L1Q(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TTA009,L1Q(O - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 3 A, 12 W, New PW-Mold, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 12W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: New PW-Mold
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+37.99 грн
500+27.58 грн
1000+22.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1Q(M
TPH12008NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH12008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0101 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.69 грн
500+37.86 грн
1000+30.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1Q(M
TPH12008NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH12008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0101 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+123.07 грн
11+77.37 грн
100+51.69 грн
500+37.86 грн
1000+30.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPW4R50ANH,L1Q(M
TPW4R50ANH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPW4R50ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 3700 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 142W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+251.06 грн
10+164.09 грн
100+124.71 грн
500+96.76 грн
1000+83.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1600ANH,L1Q(M
TPN1600ANH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN1600ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.013 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+144.40 грн
12+69.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPW4R50ANH,L1Q(M
TPW4R50ANH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPW4R50ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 3700 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 142W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 142W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+124.71 грн
500+96.76 грн
1000+83.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQ(M 3622635.pdf
TPH3R70APL1,LQ(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH3R70APL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0031 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+210.04 грн
10+140.30 грн
100+109.12 грн
500+86.85 грн
1000+73.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQ(M 3622635.pdf
TPH3R70APL1,LQ(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH3R70APL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0031 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 210W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+109.12 грн
500+86.85 грн
1000+73.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1Q(M
TPH1R005PL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1R005PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 150 A, 800 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
на замовлення 13921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+322.44 грн
10+198.55 грн
100+143.58 грн
500+92.19 грн
1000+78.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPWR8004PL,L1Q(M
TPWR8004PL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPWR8004PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 650 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+278.96 грн
10+185.43 грн
100+141.12 грн
500+108.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1Q(M
TPH2R608NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH2R608NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 150 A, 2100 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 142W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1Q(M
TPH2900ENH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH2900ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.024 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 78W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 3963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+335.57 грн
10+206.76 грн
100+149.32 грн
500+105.14 грн
1000+89.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1Q(M
TPH7R006PL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 5400 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 81W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
на замовлення 3273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+137.84 грн
13+66.87 грн
100+47.09 грн
500+34.97 грн
1000+29.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPWR8004PL,L1Q(M
TPWR8004PL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPWR8004PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 650 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+141.12 грн
500+108.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1Q(M
TPH1R005PL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1R005PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 150 A, 800 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
на замовлення 13921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+143.58 грн
500+92.19 грн
1000+78.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1Q(M
TPH2R608NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH2R608NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 150 A, 2100 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 142W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 142W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1600ANH,L1Q(M
TPN1600ANH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN1600ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.013 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1Q(M
TPH7R006PL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 5400 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 81W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 81W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
на замовлення 3273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+47.09 грн
500+34.97 грн
1000+29.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1Q(M
TPH2900ENH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH2900ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.024 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 78W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 3963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+149.32 грн
500+105.14 грн
1000+89.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1110ENH,L1Q(M
TPN1110ENH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 39W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
на замовлення 9481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+58.09 грн
500+43.05 грн
1000+37.55 грн
5000+29.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN13008NH,L1Q(M
TPN13008NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN13008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0108 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
на замовлення 3905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+124.71 грн
12+71.30 грн
100+47.26 грн
500+31.69 грн
1000+26.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1Q(M
TPH5200FNH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH5200FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.044 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 78W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 2872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+120.61 грн
500+95.23 грн
1000+84.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NL,L1Q(M
TPH4R003NL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH4R003NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 68 A, 3400 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 36W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+114.04 грн
12+72.37 грн
100+48.16 грн
500+32.38 грн
1000+26.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2010FNH,L1Q(M
TPH2010FNH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH2010FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10 A, 0.168 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
на замовлення 3989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+152.61 грн
10+98.46 грн
100+66.38 грн
500+49.06 грн
1000+42.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPN3R704PL,L1Q(M 3934834.pdf
TPN3R704PL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN3R704PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 92 A, 0.003 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+76.88 грн
16+53.49 грн
100+35.69 грн
500+30.78 грн
1000+26.16 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R30ANL,L1Q(M 3934814.pdf
TPH6R30ANL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH6R30ANL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 66 A, 5100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+56.61 грн
500+41.45 грн
1000+34.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1110ENH,L1Q(M
TPN1110ENH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 39W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
на замовлення 9481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+132.92 грн
10+86.15 грн
100+58.09 грн
500+43.05 грн
1000+37.55 грн
5000+29.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPW5200FNH,L1Q(M
TPW5200FNH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPW5200FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.044 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 142W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 3986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+189.53 грн
500+122.66 грн
1000+104.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN12008QM,L1Q(M
TPN12008QM,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN12008QM,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 9600 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 86W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm
на замовлення 4910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+214.14 грн
10+91.07 грн
100+61.37 грн
500+38.47 грн
1000+31.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPW3R70APL,L1Q(M
TPW3R70APL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPW3R70APL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 3100 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+131.27 грн
500+101.33 грн
1000+86.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R506NH,L1Q(M
TPH7R506NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH7R506NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 6100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
на замовлення 3656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+157.53 грн
10+91.07 грн
100+61.37 грн
500+41.60 грн
1000+35.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R903PL,L1Q(M
TPN2R903PL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 122 A, 2100 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 75W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+37.99 грн
500+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 69 138 207 276 345 414 483 552 621 636 637 638 639 640 641 642 643 644 645 646 690  [ Наступна Сторінка >> ]