Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (356126) > Сторінка 1185 з 5936

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 593 1180 1181 1182 1183 1184 1185 1186 1187 1188 1189 1190 1779 2372 2965 3558 4151 4744 5337 5930 5936  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIR122LDP-T1-RE3 VISHAY sir122ldp.pdf SIR122LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR124DP-T1-RE3 VISHAY sir124dp.pdf SIR124DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR1309DP-T1-GE3 VISHAY sir1309dp.pdf SIR1309DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR140DP-T1-RE3 VISHAY sir140dp.pdf SIR140DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR150DP-T1-RE3 VISHAY sir150dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 45V; 110A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 65.7W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 3.97mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR158DP-T1-GE3 VISHAY sir158dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 400A; 83W
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 130nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR158DP-T1-RE3 VISHAY sir158dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 400A; 83W
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 130nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR164DP-T1-GE3 VISHAY sir164dp-new.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 50A; Idm: 70A; 69W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 123nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR165DP-T1-GE3 VISHAY sir165dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -60A; Idm: -120A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -120A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -60A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 65.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 138nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR166DP-T1-GE3 VISHAY sir166dp.pdf SIR166DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR167DP-T1-GE3 VISHAY sir167dp.pdf SIR167DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR170DP-T1-RE3 VISHAY sir170dp.pdf SIR170DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR172ADP-T1-GE3 VISHAY sir172adp.pdf SIR172ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR178DP-T1-RE3 VISHAY sir178dp.pdf SIR178DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR180ADP-T1-RE3 VISHAY sir180adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 137A; Idm: 200A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 137A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 70nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerPAK® SO8
Pulsed drain current: 200A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR180DP-T1-RE3 VISHAY sir180dp.pdf SIR180DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR182DP-T1-RE3 VISHAY sir182dp.pdf SIR182DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR182LDP-T1-RE3 VISHAY sir182ldp.pdf SIR182LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR184DP-T1-RE3 VISHAY sir184dp.pdf SIR184DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186DP-T1-RE3 VISHAY sir186dp.pdf SIR186DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186LDP-T1-RE3 VISHAY sir186ldp.pdf SIR186LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
на замовлення 5957 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+92.40 грн
28+38.81 грн
77+36.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR188DP-T1-RE3 VISHAY sir188dp.pdf SIR188DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR188LDP-T1-RE3 VISHAY sir188ldp.pdf SIR188LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR401DP-T1-GE3 VISHAY sir401dp.pdf SIR401DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR402DP-T1-GE3 VISHAY sir402dp.pdf SIR402DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR403EDP-T1-GE3 VISHAY sir403edp.pdf SIR403EDP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR404DP-T1-GE3 VISHAY sir404dp.pdf SIR404DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR410DP-T1-GE3 VISHAY sir410d.pdf SIR410DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR414DP-T1-GE3 VISHAY sir414dp.pdf SIR414DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR416DP-T1-GE3 VISHAY sir416dp.pdf SIR416DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR418DP-T1-GE3 VISHAY sir418dp.pdf SIR418DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3 VISHAY sir422dp.pdf SIR422DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+98.04 грн
19+59.77 грн
50+56.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR424DP-T1-GE3 VISHAY sir424dp.pdf SIR424DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR426DP-T1-GE3 VISHAY sir426dp.pdf SIR426DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR438DP-T1-GE3 VISHAY sir438dp.pdf SIR438DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR440DP-T1-GE3 VISHAY sir440dp.pdf SIR440DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR4602LDP-T1-RE3 VISHAY sir4602ldp.pdf SIR4602LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR4604LDP-T1-GE3 VISHAY sir4604ldp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 51A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 41.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR4606DP-T1-GE3 VISHAY sir4606dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 16A; Idm: 40A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
On-state resistance: 22.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 31.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Technology: TrenchFET®
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR4608DP-T1-GE3 VISHAY sir4608dp.pdf SIR4608DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR460DP-T1-GE3 VISHAY sir460dp.pdf SIR460DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR462DP-T1-GE3 VISHAY sir462dp.pdf SIR462DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR464DP-T1-GE3 VISHAY sir464dp.pdf SIR464DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR466DP-T1-GE3 VISHAY sir466dp.pdf SIR466DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR470DP-T1-GE3 VISHAY sir470dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 100A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 66.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 155nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR474DP-T1-GE3 VISHAY sir474dp.pdf SIR474DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR500DP-T1-RE3 VISHAY sir500dp.pdf SIR500DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5102DP-T1-RE3 VISHAY sir5102dp.pdf SIR5102DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR510DP-T1-RE3 VISHAY sir510dp.pdf SIR510DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR516DP-T1-RE3 VISHAY sir516dp.pdf SIR516DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5708DP-T1-RE3 VISHAY sir5708dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 33.8A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 33.8A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 65.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-RE3 VISHAY sir570dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 77.4A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 77.4A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 71nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR572DP-T1-RE3 VISHAY sir572dp.pdf SIR572DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR574DP-T1-RE3 VISHAY sir574dp.pdf SIR574DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR576DP-T1-RE3 VISHAY sir576dp.pdf SIR576DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR578DP-T1-RE3 VISHAY sir578dp.pdf SIR578DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5802DP-T1-RE3 VISHAY sir5802dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 137.5A; Idm: 300A
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 137.5A
On-state resistance: 4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 300A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR580DP-T1-RE3 VISHAY sir580dp.pdf SIR580DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR582DP-T1-RE3 VISHAY sir582dp.pdf SIR582DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR584DP-T1-RE3 VISHAY sir584dp.pdf SIR584DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR122LDP-T1-RE3 sir122ldp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR122LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR124DP-T1-RE3 sir124dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR124DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR1309DP-T1-GE3 sir1309dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR1309DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR140DP-T1-RE3 sir140dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR140DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR150DP-T1-RE3 sir150dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 45V; 110A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 65.7W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 3.97mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR158DP-T1-GE3 sir158dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 400A; 83W
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 130nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR158DP-T1-RE3 sir158dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 400A; 83W
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 130nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR164DP-T1-GE3 sir164dp-new.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 50A; Idm: 70A; 69W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 123nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR165DP-T1-GE3 sir165dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -60A; Idm: -120A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -120A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -60A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 65.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 138nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR166DP-T1-GE3 sir166dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR166DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR167DP-T1-GE3 sir167dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR167DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR170DP-T1-RE3 sir170dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR170DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR172ADP-T1-GE3 sir172adp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR172ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR178DP-T1-RE3 sir178dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR178DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR180ADP-T1-RE3 sir180adp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 137A; Idm: 200A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 137A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 70nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerPAK® SO8
Pulsed drain current: 200A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR180DP-T1-RE3 sir180dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR180DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR182DP-T1-RE3 sir182dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR182DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR182LDP-T1-RE3 sir182ldp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR182LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR184DP-T1-RE3 sir184dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR184DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186DP-T1-RE3 sir186dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR186DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186LDP-T1-RE3 sir186ldp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR186LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
на замовлення 5957 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.40 грн
28+38.81 грн
77+36.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR188DP-T1-RE3 sir188dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR188DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR188LDP-T1-RE3 sir188ldp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR188LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR401DP-T1-GE3 sir401dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR401DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR402DP-T1-GE3 sir402dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR402DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR403EDP-T1-GE3 sir403edp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR403EDP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR404DP-T1-GE3 sir404dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR404DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR410DP-T1-GE3 sir410d.pdf
Виробник: VISHAY
SIR410DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR414DP-T1-GE3 sir414dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR414DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR416DP-T1-GE3 sir416dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR416DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR418DP-T1-GE3 sir418dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR418DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3 sir422dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR422DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.04 грн
19+59.77 грн
50+56.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR424DP-T1-GE3 sir424dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR424DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR426DP-T1-GE3 sir426dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR426DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR438DP-T1-GE3 sir438dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR438DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR440DP-T1-GE3 sir440dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR440DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR4602LDP-T1-RE3 sir4602ldp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR4602LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR4604LDP-T1-GE3 sir4604ldp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 51A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 41.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR4606DP-T1-GE3 sir4606dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 16A; Idm: 40A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
On-state resistance: 22.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 31.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Technology: TrenchFET®
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR4608DP-T1-GE3 sir4608dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR4608DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR460DP-T1-GE3 sir460dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR460DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR462DP-T1-GE3 sir462dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR462DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR464DP-T1-GE3 sir464dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR464DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR466DP-T1-GE3 sir466dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR466DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR470DP-T1-GE3 sir470dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 100A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 66.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 155nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR474DP-T1-GE3 sir474dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR474DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR500DP-T1-RE3 sir500dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR500DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5102DP-T1-RE3 sir5102dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR5102DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR510DP-T1-RE3 sir510dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR510DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR516DP-T1-RE3 sir516dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR516DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5708DP-T1-RE3 sir5708dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 33.8A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 33.8A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 65.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-RE3 sir570dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 77.4A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 77.4A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 71nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR572DP-T1-RE3 sir572dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR572DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR574DP-T1-RE3 sir574dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR574DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR576DP-T1-RE3 sir576dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR576DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR578DP-T1-RE3 sir578dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR578DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5802DP-T1-RE3 sir5802dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 137.5A; Idm: 300A
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 137.5A
On-state resistance: 4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 300A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR580DP-T1-RE3 sir580dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR580DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR582DP-T1-RE3 sir582dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR582DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR584DP-T1-RE3 sir584dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR584DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 593 1180 1181 1182 1183 1184 1185 1186 1187 1188 1189 1190 1779 2372 2965 3558 4151 4744 5337 5930 5936  [ Наступна Сторінка >> ]